Chapitre I Amplification

Dfinition:

Un amplificateur lectronique (ou amplificateur, ou ampli) est un systme lectronique augmentant la tension
et/ou lintensit dun signal lectrique. Lnergie ncessaire lamplification est tire de lalimentation du systme.
Un amplificateur parfait ne dforme pas le signal dentre : sa sortie est une rplique exacte de lentre mais
damplitude majore.

Principe de fonctionnement:

Un amplificateur lectronique utilise un ou plusieurs composants actifs afin daugmenter la puissance lectrique du
signal prsent en entre. Les composants actifs utiliss dans les amplificateurs lectroniques permettent de contrler
leur courant de sortie en fonction dune grandeur lectrique (courant ou tension), image du signal amplifier.
Le courant de sortie des composants actifs est directement tir de lalimentation de lamplificateur. Suivant la faon
dont ils sont implments dans lamplificateur, les composants actifs permettent ainsi daugmenter la tension et/ou le
courant du signal lectrique dentre.
Les amplificateurs peuvent tre conus pour augmenter la tension (amplificateur de tension), le courant
(amplificateur tampon ou suiveur) ou les deux (amplificateur de puissance) dun signal. Les amplificateurs
lectroniques peuvent tre aliments par une tension simple (une alimentation positive ou ngative, et la masse) ou
une tension symtrique (une alimentation positive, une ngative et la masse).
Les amplificateurs sont souvent composs de plusieurs tages disposs en srie afin daugmenter le gain global.
Chaque tage damplification est gnralement diffrent des autres afin quil corresponde aux besoins spcifiques de
ltage considr. On peut ainsi tirer avantage des points forts de chaque montage tout en minimisant leurs
 La bande passante -3 dB dun amplificateur
est la gamme de frquences o le gain en tension de
lamplificateur est suprieur au gain maximum moins
trois dcibels. La bande passante est habituellement
note B ou BP. Occasionnellement on rencontre des
bandes passantes plus larges, par exemple la bande
passante -6 dB, gamme de frquences o le gain en
tension est suprieur la moiti du gain maximum.

La linarit dun amplificateur correspond sa capacit garder son gain constant quel que soit lentre. La
plus grande limitation de linarit vient de lalimentation de lamplificateur: la tension dentre ainsi que celle de
sortie ne peuvent dpasser la tension dalimentation de lamplificateur. Lorsque cela arrive, on parle de saturation
de lamplificateur. La linarit dun amplificateur est aussi limite par sa vitesse de balayage (ou Slew rate) qui
reprsente la vitesse de variation maximale quil peut reproduire. Lorsque que la variation du signal dentre dun
amplificateur est suprieure sa vitesse de balayage, sa sortie est une droite de pente SR (La vitesse de balayage est
exprime en V/s).
Amplification base de transistor bipolaire (NPN ou PNP)
Rappels
On a le circuit dun transistor NPN mont en metteur commun.

Ie Is

Rs
Ve Re Vs

Ao.Ve
Zone I dite de saturation dlimite
par les coudes de toutes les courbes.
Vce=Vcesat et Vce=R*Ic
Zone II de blocage dfinie par Ib=0
et donc Ic=0
Zone III active fonctionnement
normal du transistor (amplification).
Le transistor se comporte comme
une source de courant.

Type metteur commun

-r = h11
-Rsistance dentre Re=r
-Rsistance de sortie Rs=Rc
-Amplification en sortie ouverte A0=-Rc/r
-Amplification de puissance Ap= Rc/r
Intrts et inconvnients

-Cest le montage qui permet la plus forte

amplification en tension.
-Cest le montage qui permet la plus forte
amplification en puissance.
-Lamplification dpend des paramtres de
chaque transistor
-Possibilit davoir des crtages
Type collecteur commun
-Rsistance dentre leve
-Re=R1//R2//(RE//RL)
-Amplification de tension A0=1
-Amplification de puissance modre
Ap<

Type base commune

-Rsistance dentre faible Re=(r/)//RE

-Rsistance de sortie Rs=Rc
-Amplification de tension A0=
Exemple
Ve=Vmax sinwt, h11=r=1k, h12=0, h21=150,
1/h22=4k= et RL=1k

Calcul de Av=Vs/Ve

On donne le schma quivalent

Les condensateurs sont considrs comme
des fils pour la frquence de
fonctionnement
h11
Ie ib Is

On pose Req= //Rc et Req=Req//RL

Donc Vs=- *ib*Req RB
Ve ib Rc RL Vs
Et
Ve=ib*r

Donc Av=- A.N Av=-67

Calcul de la rsistance dentre Re

Re=

On en dduit immdiatement que Re=RB//r qui est peu prs gale r AN Re=1k

Calcul de la rsistance de sortie Rs

Pour le calcul de Rs on court-circuite le gnrateur dattaque, on dbranche la charge et on maintient le courant Is.
Il vient que :
Ve=0 implique que ib=0 donc Rs=Req AN Rs=0.8k

h11
Ie ib Is

RB
Ve ib Rc Vs
 Amplificateur oprationnel

Il sagit dun C.I. analogique multifonctions .

Exemple : A741 (Texas Instruments)

Il se prsente sous la forme dun botier 8 broches (DIL 8) :

Brochage

lA.O. possde :
deux entres :

broche IN+ (ou e+) : entre non inverseuse

broche IN- (ou e-) : entre inverseuse

une sortie :
broche OUT (ou s)

deux broches dalimentation :

broche Vcc+ : alimentation en tension continue positive
broche Vcc- : ngative
 Dfinition

V+
Un amplificateur oprationnel est un amplificateur
e-
diffrentiel (ou diffrence) dont la tension de sortie est
proportionnelle la diffrence des tensions dentres. Ze
Zd Vs
Comme tout amplificateur, il est aliment par des Ad.
sources dnergie. Vu de la sortie, nous pouvons
reprsenter cet amplificateur comme une source de e+
Thevenin. Vu de lentre, il est en gnral possible de V-
le considrer comme une impdance dentre Ze.
Ad : gain diffrentiel de lamplificateur (ou gain en
boucle ouverte)
= e+ - e-
Vs =Ad. Vs
Remarquons que Vs sera limite par les potentiels des
sources dnergie :
V-< Vs < V+ +Vcc

le gain diffrentiel est infini Ad = =

-Vcc
limpdance dentre Ze est infinie Ze=
limpdance de sortie Zd est nulle Zd = 0
bande passante infinie BP=
 Montages fondamentaux

Puisque le gain dun A.O est considr comme infini,

il ne pourra tre utilis tel quel. En pratique il sera Raction
ractionn, c'est--dire quun diple ou (rseau) sera
branch entre la sortie Vs et lune des entres. Nous
ramenons une fraction du signal de sortie vers lentre e- V+
(rtro-action)
Vs

Pour obtenir un fonctionnement linaire, ce diple

sera ramen sur lentre e-. e+
+ V-
Nous allons exprimer Vs en fonction de Ve+ et Ve-. Nous
appliquons le thorme de superposition.

Ve+ = 0
Le courant passant dans Za passe aussi dans Zb puisque
limpdance vue entre les bornes et + de lA.O est Ve -
infinie. Ve+ = 0 donc e+ = 0 et par consquent e- = 0.
I= =-
donc Vs=-Ve- * Ve+
Ve =0-

e+ = Ve+ * et e- = Vs *

or e- = e+ donc Vs = -Ve- * + Ve+ * *

 Montage inverseur

Limpdance Z1 est infinie, donc Vs =-Ve- *

Ve -
I
i=0
Za=Ra et Zb=Rb donc Vs=-Ve-*

Avec Ra=Rb nous voyons que nous avons

simplement invers le signal dentre. En
pratique pour une bonne polarisation on doit
prendre R2=Ra//Rb

Montage suiveur

Nous avons Za=, Zb=0, Z2= et Z1=0 de faon vidente

Vs=Ve+.
Ce montage est quivalent un adaptateur dimpdance Ve+ Vs
 Chapitre II Amplificateurs de Puissance
Introduction
Les amplificateurs de puissance sont des dispositifs trs ncessaires dans le domaine de lamplification. En effet ils
sont souvent placs la fin dune chane amplificatrice afin de dlivrer une puissance de sortie ncessaire
lexcitation des circuits de charge comme les haut-parleurs, les moteurs, les inductances, les rsistances ectAssez
souvent cette puissance est grande do la ncessit de travailler avec des signaux de grande amplitude.

Les classes damplification

Ces classes sont dfinies par la relation entre la forme du signal dentre et celle du signal de sortie, mais aussi par la
dure pendant laquelle un composant actif est utilis lors de lamplification dun signal. Cette dure est mesure en
degrs dun signal sinusodal test appliqu lentre de lamplificateur, 360 degrs reprsentant un cycle complet.
La ncessit de polariser un composant amplificateur vient de leur forte non-linarit ainsi que de leur unilatralit
en courant. Par exemple, un transistor bipolaire ne commence conduire qu'au-dessus d'une tension base-metteur
de seuil. Pour que le transistor amplifie (la courbe I c = Ib), il faut donc lui imposer une tension suprieure cette
tension de seuil. La tension de sortie est fixe par la droite de charge
Ic = f(Vce)
 Classe A
La totalit du signal dentre (100 %) est utilise (a = 360).

Classe B
La moiti du signal (50 %) est utilise (a = 180).

Classe AB
Plus de la moiti mais pas la totalit du signal (50100 %) est
utilise (180 < a < 360).

Classe C
Moins de la moiti (050 %) du signal est utilise (0 < a < 180).

Dans ce qui va suivre nous allons nous intresser seulement aux

classes A et B sur charge rsistive
Puissance et rendement

Alimentation
Lalimentation du montage fournit une puissance
totale Pf qui se rpartit entre la puissance utile Pf
Pf
Pu dissipe dans la charge et la puissance Pd
dissipe, en pure perte, dans lamplificateur. La Commande Pe Amplificateur Pu Utilisation
puissance Pe, fournie par le circuit de
commande, est gnralement ngligeable devant Pd
celle provenant de lalimentation.
 Puissance utile

La puissance utile cest la valeur moyenne de la puissance instantane dissipe dans la charge.

Soit vs(t) la tension aux bornes de la charge et is(t) le courant qui la traverse on a pu(t)=vs(t)*is(t)

Donc Pu = vs(t) * is(t) * d(t)

Gain en puissance

Le gain en puissance Ap est le rapport de la puissance utile la sortie Pu par la puissance moyenne Pe fournie
lentre par le gnrateur de commande.

Ap =
On dfinie aussi ce gain par Gp = 20log (Ap) en db

Rendement
On dfinit la puissance absorbe par lamplificateur par Pa=P f + Pe
Et donc le rendement =

Comme la puissance Pe est gnralement trs faible devant Pf, il en rsulte que
Echauffement (rsistance thermique)
Pendant le fonctionnement des composants lectroniques une bonne partie de la puissance est perdue par effet
joule. On peut considrer que lorsque la temprature dquilibre est atteinte la puissance calorifique quun
lment cde au milieu extrieur est gale la puissance lectrique quil reoit

Tc
Pc(w) : puissance calorifique change
Tf
Tc(K) : temprature de la rgion chaude

Tf(K) : temprature de la rgion froide

Rth(K/w) : rsistance thermique

Pc
Tc Tf = Rth * Pc

On peut faire une analogie entre les grandeurs thermiques et lectriques. Certaines relations et lois
lectriques sont valables en thermique
Pour limiter lchauffement des composants de puissance, on est amen utiliser des refroidisseurs qui
facilitent la dissipation de la chaleur.
La mise en srie de rsistances thermiques est quivalente une rsistance thermique dont la valeur est la
somme des valeurs des rsistances thermiques en srie
 Exemple

Prenons un cas trs frquent en lectronique de puissance qui est lutilisation des transistors de puissance avec des
radiateurs de refroidissement.
On note par :
Tj : temprature de jonction
Tb : temprature du botier
Tr : temprature du radiateur
Ta : temprature ambiante

En appliquant la loi dohm thermique, on peut crire

Tj Tb = Pc * Rthj-b (propagation de la puissance Pc de la jonction vers le botier)
Tb Tr = Pc * Rthb-r (propagation de la puissance Pc du botier vers le radiateur)
Tr Ta = Pc * Rthr-a (propagation de la puissance Pc du radiateur vers le milieu ambiant)

En faisant la somme membre membre on trouve

Tj Ta = Pc * (Rthj-b + Rthb-r +Rthr-a)
Tj Ta = Pc * Rthj-a

Application numrique Avec radiateur et utilisation de graisse pour amliorer le

Soit : contact entre le botier et le radiateur
Sans radiateur
Rthj-b = 1.5 K/w
Rthj-b =1.5K/w Rthb-r = 0.2 K/w Ce qui donne Rthj-a= 3K/w
Ce qui donne Rthj-a = 40K/w Rthr-a = 1.3 K/w
Rthb-a = 38.5 K/w

Donc par lutilisation dun radiateur appropri la rsistance thermique est diminue de plus de treize fois.
Amplificateurs de puissance

Pour tudier le fonctionnement dun amplificateur en classe A nous

allons utiliser le circuit suivant :

Un transistor bipolaire est utilis comme composant amplificateur, mais

il peut tre remplac par un transistor effet de champ.

Le montage utilis ici pour illustrer les classes linaires est un montage
dit metteur commun . Toujours pour des raisons de simplification, il
sera reprsent sans son circuit de polarisation (les rsistances R 1 et R2)
et ses condensateurs de liaison C1 et C2.

Enfin, la frquence du signal appliqu en entre sera suppose

suffisamment grande pour considrer que le condensateur de
dcouplage C3 court-circuite la rsistance R4.

Amplificateur de puissance Classe A

Dans un amplificateur de classe A, le ou les composants actifs sont toujours en conduction. Ces amplificateurs
amplifient tout le signal dentre. Pour avoir le maximum de lexcursion de la tension de sortie il faut placer le
point de repos au milieu de la droite de charge.
 Amplificateur de classe A Fonctionnement en classe A
pour un transistor bipolaire

Un montage metteur commun est un montage liaison capacitive. En classe A, la puissance qu'il absorbe est
constante et vaut :
Pf = Vcc * (ICO + IP)

Avec Vcc la tension d'alimentation et IC0 le courant de polarisation et Ip le courant de pont.

La puissance fournie la charge dpend de l'amplitude du signal de sortie :

Pu = * vs(t) * is(t) * d(t)

Avec vs(t) la valeur instantane de la tension de sortie et is(t) la valeur instantane du courant qui traverse la charge .
Exemple

On prend les valeurs suivantes pour le circuit ci-dessus :

Vcc=10 V ; R1=5.17k ; R2=1k ; R3=0.1k ; RL=0.1k

Le point de repos est donn par

VCE=5V ; ICO=45mA ; VBE=0.7V et IB=0.5mA

On calcule lexcursion maximale de la tension de sortie

La droite de charge dynamique est donne, en ramenant lorigine au point de repos, par:
ic=-
avec R=R3//RL A.N R=0.05k

donc pour ic=-45mA vce=2.25V

donc vs(t) = Vmax sin(wt) et Vmax = 2.25V

Pu = * vs(t) * is(t) * d(t) Donc Pu = * vs(t) * * d(t)

Pu= A.N Pu=25.3mw

Pf=Vcc * (ICO + IP) IP= A.N IP=1.7mA

Assez souvent on nglige le courant de pont.

Donc Pf =467mw
Le rendement est donn par :

= A.N =5.4%

En raison de leur faible rendement qui ne dpasse pas 25% en dynamique, les amplificateurs de classe A sont
gnralement utiliss pour faire des amplificateurs de petite puissance.
Pour un amplificateur classe A de forte puissance, les pertes nergtiques deviennent trs importantes. Pour
chaque watt dlivr la charge, lamplificateur dissipera, au mieux, un autre watt.
Les classes A de puissance importante ont besoin dalimentations de trs forte puissance mais aussi de larges
dissipateurs thermiques afin d'vacuer lnergie perdue.
Les amplificateurs de classe A sont gnralement utiliss pour raliser des tages pramplificateurs, des
amplificateurs audio, des amplificateurs hautes frquences large bande ainsi que des oscillateurs hautes
frquences.

Amplificateur de puissance Classe B

Le gros dfaut des amplificateurs classe A est la consommation de puissance lectrique en labsence de signal
dentre amplifier.
Par contre les amplificateurs classe B sont polariss de telle sorte quau repos la puissance consomme est presque
nulle.
Les amplificateurs de classe B namplifient que la moiti du signal dentre. Ils crent donc beaucoup de
distorsion, mais leur rendement est grandement amlior.
Le rendement maximum thorique d'un amplificateur de classe B est de 78,5 %, mais le rendement des
amplificateurs rels ne dpasse pas les 70 %.
Les amplificateurs de classe B sont gnralement utiliss pour raliser des amplificateurs de basse et moyenne
frquence. Dans ce cas, ils sont utiliss dans des configurations dites push-pull .
Les montages push-pull disposent de deux transistors : un transistor PNP pour amplifier la partie ngative du
signal et un second transistor NPN pour sa partie positive.
Chaque transistor fonctionne en classe B . La totalit du signal tant amplifie, les montages push-pull
possdent un taux de distorsion plus faible que les amplificateurs classe B de base tout en gardant un bon
rendement.

Etude dun transistor en classe B

Le montage que nous allons tudier est donn

ci-contre

Nous pouvons crire les quations suivantes

pour dterminer ltat du transistor en fonction
de la commande eg
Vs = eg Rg*ib1 vbe1
Vs = R*ie1
ie1 = ic1

1er cas : transistor satur

vce1=0 et ib1>=ibsat=

icsat=

donc le transistor est satur si eg>= E(1 + )

2me cas : transistor bloqu

ib1=ic1=0 donc vs=0 et par consquent eg=0

Le transistor est bloqu si eg=0

3me cas : transistor amplificateur

Si 0<eg< E(1 + ) = eO le transistor fonctionne en amplificateur

vs=eg or ic1=

Donc vs(1+ ) = eg ce qui donne vs= * eg

On trace la caractristique vs=f(eg) :
E

0 eO e
g

On peut refaire la mme tude pour le montage

suivant :
 On trouve la caractristique
vs
suivante :
-eO 0
e
g

-E

Fonctionnement du montage push-pull

On relie les bases et les metteurs des deux

derniers montages on obtient un montage
push-pull
De cette construction il vient que vbe1 = vbe2 donc si T1 conduit T2 est bloqu et vice versa
is(t)= ic1(t) + ic2(t)

si T1 conduit et T2 bloqu ic2(t)=0 donc is(t)=ic1(t)

si T2 conduit et T1 bloqu ic1(t)=0 donc is(t)=ic2(t)

En considrant que les deux transistors T1 et T2 sont parfaitement apparis (1=2) et que eg=Eg*sinw(t) avec Eg<e0
on peut tracer les courbes suivantes :

vs

courbe vs=f(eg) -e0

0
e0 eg

-E
courbe ic1(t) courbe ic2(t)

courbe is(t)
Rendement du montage push-pull

Puissance utile

Pu = * vs(t) * * d(t)

Avec vs(t)= Vmax sin(wt)

Donc Pu= et Pumax =

Puissance fournie
La puissance fournie par les alimentations aux transistors est donne par:

Pf = * [E*ic1(t) E*ic2(t)]*d(t)
Pf= * E*ic1(t)*d(t) - * E*ic2(t)*d(t)

Pf = * E* sin (wt) d(t) - * E* sin (wt) d(t)

Donc Pf =

Et donc la puissance maximale fournie est obtenue pour Vmax=E

Donc Pf =
Puissance dissipe dans chaque transistor

Chacun des deux transistors conduit pendant une demi-priode, donc la puissance qui est dissipe est la mme.

Pd1=Pd2=Pd/2

Or la puissance dissipe dans les transistors est gale la diffrence entre la puissance fournie par les
alimentations et la puissance utile la charge :

Pd=Pf Pu

Donc Pd1=Pd2= -

La puissance maximale dissipe dans chacun des transistors est obtenue pour V max=0.64E

Rendement en classe B

Le rendement maximal est obtenu pour Vmax=E

max = = 78.5%
On voit bien que lamplificateur classe B prsente certains avantages par rapport lamplificateur classe A qui
peuvent se rsumer en :

Sans signal de commande les deux transistors sont bloqus donc la puissance utile est nulle.

Le rendement thorique est bien plus grand 78.5% alors quil nest que de 25% pour la classe A.

Mais les montages push-pull peuvent souffrir dune discontinuit de signal lendroit o les deux moitis de signal
issues de chacun des transistors se rejoignent. Ce phnomne sappelle la distorsion de croisement. Comme on peut
avoir une distorsion par crtage.

Distorsion faible niveau

Lorsquon a tudi le montage push-pull nous avons suppos que les tensions v be sont nulles. Or en ralit elles
ne le sont pas. En effet, les transistors commencent conduire partir dun seuil U0 de v be.

La caractristique vs=f(eg) devient :

Si eg<-e0 T1 est bloqu et T2 est satur : vs=-E

Si e0<eg<-U0 T1est bloqu et T2 conduit : vs= * eg

Si U0<eg<U0 T1 est bloqu et T2 est bloqu : vs=0

Si U0<eg<e0 T1conduit et T2 est bloqu : vs= * eg

Si eg>e0 T1est satur et T2 est bloqu : vs=E

 vs

-e0 0
e0 eg

-E

Distorsion fort niveau

Ou distorsion de dissymtrie est obtenue lorsque la tension de commande eg est suprieure la tension e 0, il se
produit un crtage de la tension de sortie d la saturation des transistors. On peut avoir une dissymtrie du
signal de sortie qui est due lappariement imparfait des deux transistors.
 Chapitre III Comparateurs
Introduction

Dans cette partie le composant de base est lamplificateur oprationnel qui fonctionne en rgime non linaire. On
parlera des comparateurs un seul seuil (nul ou pas). Pour liminer linconvnient de ces derniers dans certaines
applications on tudiera les comparateurs deux seuils ou hystrsis.

Rappel:

Pour raliser un comparateur lectronique, on utilise gnralement un amplificateur oprationnel (A.O) en

fonctionnement non linaire : la sortie est sature et n'a que 2 tats possibles.

Avec un A.O considr comme idal, on a :

- si e+ - e- = > 0 alors Vs = Vsat+

- si e+ - e- = < 0 alors Vs = Vsat- Vs
Vsat+
e+ +
Vs
0

e- -
Vsat-
Comparateur seuil nul
Ve +
Vs
Le montage ci-contre permet de comparer Ve 0V.
-
La caractristique Vs (Ve) est celle de l'A.O idal ci-dessus o

= V+ - V- = Ve.

On ralise ainsi un dtecteur de signe de Ve.

Exemple :
Vs

Si Ve est l'image d'une vitesse, la sortie Vs indique le sens

Ve
de marche, avant ou arrire.

Si Ve est triangulaire, l'allure de Vs est la suivante :

En inversant les entres, on obtient un comparateur

inverseur

Comparateur avec seuil

Si on veut comparer Ve une tension de rfrence Vref, il suffit d'appliquer cette rfrence sur l'autre entre.
Exemple :

Ve peut tre la sortie d'un capteur de temprature et Vref l'image d'une consigne de temprature rglable par
thermostat. La sortie Vs permet de commander l'allumage ou l'extinction du chauffage.

Ve +
Vs
Ce montage existe aussi en inverseur : il suffit l aussi
Vref
d'intervertir les entres. Un comparateur est inverseur si -
Ve est applique sur l'entre - du comparateur. L'A.O. est
polaris en symtrique; il fonctionne en rgime de Vs
saturation, car il n'y a pas de liaison entre la sortie et
Vsat+
l'entre"-".

Pour le comparateur ci-dessus la tension diffrentielle

Vref
d'entre est =Ve-Vref. Ve

La tension de sortie peut prendre deux valeurs : Vsat-

+Vsat si > 0, et -Vsat si < 0.

Le basculement se produit donc pour Ve=Vref

Le montage permet donc la comparaison de Ve et de Vref

Comparateurs deux seuils

Dans un comparateur un seuil, un signal parasite indsirable ( perturbation ou bruit) sur le signal Ve peut
amener des basculements intempestifs quand on est prs du seuil.

Exemple :

on souhaite allumer l'clairage public lorsque la luminosit diminue en dessous d'un certain seuil.
Avec un comparateur un seuil, l'clairage s'allumera et s'teindra ds qu'il y aura une variation de luminosit autour
de ce seuil (passage des phares d'une voiture, d'un nuage devant le soleil,.), ce qui n'est pas acceptable en pratique.

On va donc faire en sorte que le seuil diffre suivant l'tat de la sortie : il y aura un seuil pour l'allumage et un autre
pour l'extinction de l'clairage.
Ce fonctionnement se traduit par les caractristiques suivantes :
Comparateur inverseur symtrique

Le schma ci-contre reprsente une bascule de Shmitt

A.O.
Le diviseur de tension rend la raction de tension positive
qui renforce le niveau existant de sortie.

Le taux de raction est gal :

B=

Hystrsis

Si la sortie est sature positivement, la tension de rfrence est gale : B +=BVsat+

Si la sortie est sature ngativement, la tension de rfrence est gale :B -=BVsat-

En faisant varier la tension dentre Ve on obtient une hystrsis.

En effet, si la sortie est sature positivement Vref = BVsat+. Il faut donc augmenter la tension Ve lgrement au-del de
BVsat+. Alors la tension derreur sinverse et la tension de sortie passe Vsat-. Une fois la sortie au niveau ngatif, elle y
reste jusqu ce que la tension dentre devienne plus ngative que B-. Alors la sortie passe du niveau ngatif au
niveau positif
 Vs

On appelle hystrsis la diffrence entre les B+

B- Ve
points de basculement B+ et B-. la figure ci-
aprs montre la caractristique de transfert de
lhystrsis. Lhystrsis empche le bruit de
provoquer un faux basculement.

Translation des points de basculement

Le schma suivant montre comment translater les

points de basculement. Une rsistance supplmentaire
R3 est connecte entre lentre non inverseuse et Vcc.
Sa fonction est de rgler le centre de la boucle
dhystrsis.
Vcen=
Vs
La raction positive dispose un point de basculement sur
chaque ct de la tension centrale Vcen.
B+
B= B -
Ve

Donc B+=Vcen+BVsat+ et B-= Vcen+BVsat-

Comparateurs rapides

Lutilisation dun A.O limite le temps de basculement dun comparateur cause du slew rate . Pour basculer de
-15 +15V, il faut ainsi 60S avec un LM741.
Une solution consiste utiliser un A.O rapide comme le LM 318 : le temps de basculement est approximativement
de 0.3S.
On a aussi fabriqu des circuits comparateurs spcifiques avec des temps de raction plus faibles.
Valim
Dans les schmas de principe le symbole utilis est celui de lA.O.
Cependant, ces circuits ne peuvent pas fonctionner en rgime
linaire : on les appelle donc comparateurs et non A.O.

Ltage de sortie des comparateurs est en gnral (mais pas + Vs

toujours) de type collecteur ouvert et ncessite donc une rsistance
externe de rappel (ou de pull up ). Typiquement cette rsistance -

varie entre quelques centaines et quelques milliers dOhms. comparateur

En sortie du comparateur, le courant ne peut tre quentrant ou nul.

Lalimentation du comparateur peut tre symtrique (+/-Vcc) ou non (Vcc/ 0V)
Lmetteur du transistor peut tre reli - Vcc ou la masse.
Valim peut tre diffrente de Vcc.
Si > 0, le transistor est bloqu, alors Vs = Valim.
Si < 0, le transistor conduit et est satur : Vs est gale la tension dmetteur du transistor.
 Chapitre IV La Commutation
Introduction

Lors d'une conception d'un montage de puissance, une des proccupations essentielles est de limiter les surtensions,
les surintensits et les pertes.
Les pertes se produisent lors des phases de conduction mais aussi lors des phases de commutation. Il est donc
particulirement important de les connatre et de les matriser. Ainsi, les composants sont mnags et le rendement
amlior.
Les composants de base utiliss en lectronique de puissance sont les diodes et les transistors Bipolaire, MOS ou
IGBT, inductances et condensateurs.

Rappel:
La diode est constitue d'une jonction PN, l'anode tant la zone P, la
cathode la zone N.

La relation thorique de la jonction entre son courant direct I et sa

tension VAK est :

1 < m < 2 : m dpend de l'importance de la recombinaison des porteurs libres pendant la traverse de la
jonction.
Pour V < 0, trs vite I#-Is

Is est le courant de saturation de diode (courant inverse thorique). Is est trs faible : la diode est bloque.

Pour V > 0, trs vite :

La loi exponentielle donne une croissance extrmement rapide du courant en fonction de la tension directe : la
diode est passante.
En fonction de l'application on adopte un schma lectrique quivalent linaire:

- simple circuit ferm ou ouvert, en trs grands signaux quand la tension de seuil peut tre nglige (lectronique
de puissance) .

- modle linaris, grands signaux avec tension de seuil prise en compte.

-modle linaris en petits signaux autour d'un point de fonctionnement

- modle non-linaire par une mthode graphique ou modle non linaire mathmatique en simulation sur
ordinateur
 La modlisation la plus courante de la diode relle en pratique (linarise pour grands signaux) est la suivante:

Le schma quivalent ce modle est :

Etude de la commutation dune diode

Considrons le schma de commutation dans lequel Lp

reprsente les inductances parasites du montage et R
une rsistance srie:

Figure 1
 Le chronogramme de commutation associ a
l'allure donne en figure 2. Cas d'une diode
parfaite gauche, cas d'une diode relle droite.

Nous allons dtailler chacune des deux phases

phase de conduction et surtout phase de blocage
en considrant le cas de la diode relle avec
prsence d'inductances parasites Lp en srie sur
celle ci. Lp est prsente dans tous les circuits
(connexions, fil etc) et son effet est d'autant plus
visible que l'on travaille avec des circuits de Figure 2 : commutation d'une diode
puissance.
Comportement au blocage

Une diode polarise en direct laisse passer un courant, et qui dit passage du courant dit dplacement des porteurs
libres lectrons et trous. A laide du circuit de la figure 1 on polarise brutalement une diode en inverse. Juste au
dbut de la commutation on a une charge stocke dans la diode due la conduction : la diode se comporte
comme un court-circuit. En inverse, on dsire quelle soit quivalente un circuit ouvert. Par consquent, la
charge stocke doit tre vacue. Une partie de cette charge disparat par recombinaison, lautre partie, la charge
recouvre, Qr (Q1+Q2), donne naissance au courant inverse I. Lvacuation de Qr se fait en deux tapes (figure
3). Ds la fermeture de linterrupteur, il stablit le courant inverse Irr dont la vitesse de croissance est impose
par le circuit de commutation :
=
Vcc : tension inverse applique
Lp ; inductance du circuit de commutation
Aprs le temps T0, le courant inverse continue augmenter
jusquau temps T1 o il atteint une valeur maximale IRM. Durant
cette priode la diode se comporte comme un court-circuit avec
une faible chute de tension. A partir de linstant o la vitesse de
variation du courant est nulle, la diode commence retrouver
son pouvoir de blocage. Ceci se manifeste au niveau tension aux
bornes de la diode par un passage par la valeur Vcc. Au point
dinflexion du courant dans lintervalle [T1,T2], il y a apparition
dune surtension maximale de valeur Lp dI/dt qui vient sajouter
Vcc. A linstant T2, o dI/dt=0 la tension aux bornes de la
diode nest autre que la tension Vcc.
Qs=QR+Qr=t.IF
Qs :charge stocke pendant la conduction
QR : charge recombine
Qr : charge recouvre Figure 3 : Recouvrement inverse au blocage
t : dure de vie des porteurs minoritaires
IF : courant direct parcourant la diode

Comportement la mise en conduction

La diode peut tre assimile une rsistance faible en parallle

avec un condensateur dont la capacit est appele capacit de
diffusion. Quant la diode est soumise brutalement une tension
directe le courant crot exponentiellement. La surtension rsulte de
phnomnes internes la diode. En gnral les pertes la mise en
conduction sont beaucoup plus faibles que celles dues au blocage.
Le temps Tfr est appel temps de recouvrement direct qui est en
gnral trs faible
Etude de la commutation dun transistor bipolaire

Pour raliser la commutation, on utilise le montage

ci-contre.

Le transistor est command par une impulsion de

courant de base. Le transistor passe de l'tat bloqu
l'tat satur en lui appliquant une impulsion
positive de courant.

Le circuit de sortie comprend une rsistance de

charge RL telle que la valeur du rapport VCC/RL soit
infrieure la valeur du courant de collecteur
maximum supportable par le transistor.

Etat bloqu

Au dpart le transistor est bloqu (tat OFF).

Le courant qui traverse le transistor est faible, la tension entre collecteur et metteur vaut Vcc. On est bien en
rgime de haute impdance
ic=*ib+ ICE0 or ib<0 donc ic=

Le point de fonctionnement est au-del du point 1

La puissance dissipe dans le transistor est : P=vCE*ic = Vcc*
Cette puissance est trs faible
Etat satur
On applique l'impulsion de courant sur la base.
Le transistor va quitter l'tat bloqu (tat OFF) pour
atteindre l'tat satur.
La tension collecteur-metteur est pratiquement
nulle (gale VCEsat = 0.2 0.3 V pour un transistor
au silicium)
Le courant collecteur atteint alors la valeur
ICM =

Le courant qui traverse le transistor est

important, la tension collecteur-metteur est
faible, on est en rgime de faible impdance.
L'amplitude minimale de courant de base pour
obtenir la saturation est donc :
IBM >

La charge stocke dans la base se compose de QB : charge stocke en rgime normal plus QBX la charge
excdentaire en rgime de saturation.

La puissance dissipe dans le transistor est : P=vCE*ic = VCEsat* ICsat

Les temps de commutation (switching time) sont les temps ncessaires au transistor pour passer d'un tat
l'autre. Ils correspondent en premire approximation aux temps d'tablissement et de disparition de la charge
stocke dans la base
Caractristiques de la commutation.

td : temps de retard (delay time) est le temps ncessaire pour

que le courant atteigne 10 % de sa valeur finale.
Il est dtermin par les constantes de temps de charge des
capacits des jonctions.
td est d'autant plus petit que la tension de blocage est la plus
faible possible.
tr : temps de monte (rise time) : temps ncessaire pour que
le courant collecteur passe de 10 % 90 % de sa valeur
finale.
tr est d'autant plus faible que le temps de transit des porteurs
dans la base ( B) est petit.

On pose ton=td+tr temps de fermeture (turn-on-time) temps

ncessaire la commutation de passer de ltat bloqu
ltat satur.
ts : temps de dsaturation (storage time) :
Temps entre l'instant o le courant de base devient ngatif et o le courant collecteur = 0.9 I CM.

C'est l'intervalle de temps le plus important, il est la limite principale de la vitesse de commutation du transistor.
Il correspond la disparition de l'excs de charge stocke (QBX) ncessaire au fonctionnement en mode satur.
il correspond la disparition de l'excs de charge stocke (QBX) ncessaire au fonctionnement en mode
satur.

s: temps reli la dure de vie des porteurs dans la base (caractristique donne par le constructeur).
IBM=Icsat/
tf : temps de descente (fall time) : temps ncessaire pour que le courant collecteur passe de 90 % 10 % de sa
valeur finale .
tant l'inverse du temps de monte, il est limit par les mmes phnomnes.
On dfinit aussi toff = ts + tf temps douverture (turn-off-time) temps ncessaire la commutation de passer de
ltat satur un tat bloqu dont l'ordre de grandeur varie entre 0.1 et 10 s selon le type de transistor.
L'excs de charge QBX a un effet catastrophique sur toff et constitue la principale limitation du transistor en
commutation. En gnral, on ralise IB1 = -3 IB2 pour obtenir des fronts raides et des temps de dsaturation
raisonnables.
Bloqu, le transistor ne dissipe pas de puissance (Ic = 0).

Satur, le transistor ne dissipe pas de puissance (Vce 0).

Pendant la commutation, Ic, Vce existent simultanment, en supposant que le courant Ic suit une loi linaire (Ic(t) =
ICM t/ton) pendant l'ouverture et Ic(t) = ICM (1 - t/toff) pendant la fermeture, on montre que lnergie perdue pendant ton
et toff est donne par :
W=[Vcc*Icsat * ] w.s P=[Vcc*Icsat* ] *f
 Chapitre V Oscillateurs
Introduction

Nous allons nous intresser une tude simple des oscillateurs qui se divisent en gnral en deux familles :
Les oscillateurs sinusodaux qui produisent un signal faible distorsion harmonique.
Les oscillateurs relaxation qui produisent un signal non sinusodal
Dans ce chapitre nous allons faire une tude des diffrents types doscillateurs qui constituent la premire
famille.

Structure dun oscillateur

Pour faire ltude des oscillateurs nous allons X EX Y

adopter la structure dun montage raction qui +
- H
comprend trois organes importants :
Xr
La chane directe ou chane daction (H) qui assure
la commande de la charge.
La chane de raction ou chane de retour (K), qui K
assure le prlvement de la grandeur de sortie
Le comparateur dentre qui permet la rinjection
dans le circuit dentre du terme de raction
On a les relations suivantes :

E(jw)=X(jw) - Xr(jw)

Y(jw)=H(jw)*E(jw)

Xr(jw)=K(jw)*Y(jw)

Or, par dfinition, loscillateur fonctionne sans signal variable appliqu lentre donc X(jw)=0. On obtient :

E(jw)=- Xr(jw) Xr(jw)=K(jw)*H(jw)*(- Xr(jw))

Xr(jw)=K(jw)*H(jw)*E(jw) K(jw)*H(jw)=T(jw)= -1

Donc le systme boucl fonctionnera en oscillateur harmonique sous la condition :

T(jw)=K(jw)*H(jw)= -1

De cette quation complexe on peut dterminer la pulsation doscillation w0 et la condition damplification qui
est une relation mettant en jeu le paramtre damplification de la chane directe.
En effet :
Re [T(jw)] = -1

Im [T(jw)] = 0
Les oscillateurs de type LC

On les appelle oscillateurs de type LC parce que la chane de retour K(jw) est constitue uniquement des
lments ractifs capacit et inductance (sans prsence dinduction mutuelle).
Suivant lassociation de ces lments on obtient des oscillateurs de type Colpitts ou de type Hartley.

Oscillateur Colpitts Rs
Ie Is

On prsente llment amplificateur sous forme dun quadriple

dadmittance dentre Ye, dimpdance de transfert vide Z0 et de Ve Ye Z0Ie Vs
rsistance de sortie Rs

La chane de retour constitue des admittances montes en et

N Ie
branches la chane directe comme le montre le schma ci-
Rs
contre Ir
Ye Vs
On a : Z0Ie

H(jw)=
N Y1
T(jw)=H(jw)*K(jw)=
K(jw)=
Y3 Y2
 N Ie
Pour calculer T(jw) une mthode consiste ouvrir la boucle Rs
en coupant la liaison NN, darranger le schma et de Ir
Ye Vs
replacer les impdances en respectant leurs relations.
Z0Ie

N Y1

Y3 Y2

Ainsi nous obtenons le schma suivant :

Rs Y1 Ir Y1

Y2 Y3 Ye Vr Y3
Y2 Vr
Z0Ie Z0Ie/Rs
 Rs Y1 Ir Y1

Ainsi nous obtenons le schma

suivant : Y3 Ye Vr
Y2 Y2 Y3 Vr
Z0Ie Z0Ie/Rs

Le circuit de la figure a est remplac par son quivalent de la figure b. En effet, on a remplac le
gnrateur de Thevenin par celui de Norton et Y2=Y2+ ; Y3=Y3+Ye

Ir = - Vr * Ye

T(jw) = =-
Vr= *

On pose Y1=jB1 ; Y2=G2+jB2 ; Y3=G3+jB3

T(jw)= -1 ce qui implique Rs (Y1Y2+Y2Y3+Y1Y3)=Z0Y1Ye

En effectuant les calculs et en identifiant les parties relles et imaginaires on trouve :

Rs(-B1B2+G2G3-B2B3-B1B3)=0 G2G3=B1B2+B2B3+B1B3

Rs(B1G2+B2G3+B3G2+B1G3)=B1Z0Ye Z0= (G2 + G3 +

Exemple :

N
N
Soit le circuit suivant qui reprsente le schma
dun oscillateur Colpitts transistor effet de
champs :

Cellule en

En remplaant le circuit par son schma quivalent en

dynamique en considrant les capacits CL et Cs
comme des courts-circuits on trouve le schma
suivant :
En faisant apparaitre la chane directe et la chane de
Ie
retour en remplaant le gnrateur de Norton par son
quivalent Thevenin et en prsentant le circuit sous forme
Ir
dun systme boucl il vient : Vs

-s.RG.RD.Ie

En identifiant les diffrents paramtres on trouve :

YG=Ye

Zo=-s.RG.RD

Y1=

Y2=Y3= jcw

Rs=RD

En appliquant les relations trouves ci-dessus on dtermine la

condition doscillation :

s= ( )
Oscillateur Hartley
Un oscillateur Hartley est constitu dune cellule en , linverse de loscillateur Colpitts, comprenant un
condensateur et deux bobines.
Donc normalement les calculs effectus pour loscillateur Colpitts sont valables pour loscillateur Hartley en
prenant soin de remplacer les diffrentes admittances par leurs valeurs

Exemple :

Soit le circuit suivant qui reprsente le

schma dun oscillateur Hartley transistor
bipolaire :

Cellule en

En remplaant le circuit par son schma

quivalent en dynamique en considrant les Ib

capacits CL, CE et C1 comme des courts-

circuits on trouve le schma cicontre.
Ib
En faisant apparaitre la chane directe et la chane de Ib
retour en remplaant le gnrateur de Norton par son
quivalent Thevenin et en prsentant le circuit sous forme
dun systme boucl il vient : Ib

En identifiant les diffrents paramtres on trouve :

=Ye ; =

Ib
Zo=-Rs
Ir
Y1= jCW Vs
-IbRs
Y2=Y3=

Rs=

En appliquant les relations trouves ci-dessus on dtermine

la condition doscillation :

= ( )
Oscillateur de type RC

Le circuit de raction est constitu uniquement de rsistances et de capacits. Loscillateur porte le nom
doscillateur pont de Wien pour une certaine disposition des composants qui le constituent et le nom
dphasage pour une autre disposition.

Oscillateur pont de Wien

La chane de retour constitue de C1 en srie avec R1 et C2 Chaine directe

en parallle avec R2 est appele pont de Wien

La transmittance de boucle est donne par :

T= Ve Vs

N
Pour calculer T(jw) on ouvre la boucle en coupant la Vr
liaison NN. N

On arrange le schma et on replace les impdances en

respectant leurs relations. Ainsi nous obtenons le schma
suivant :

Chaine de retour
 On pose

R1=R1+Rs

R2=
Vr

Z1=R1 en srie C1

Z2=R2//C2

Le calcul de T(jw) est trs simple, on a un diviseur de tension :

T(jw)= = - =

La condition doscillation est obtenue pour T(jw) = -1 ce qui revient dire que :

Ao=1+ +

Dans le cas o Ao est un rel, en identifiant la partie relle et la partie imaginaire on trouve :

Ao =1+

=
En gnral pour les oscillateurs pont de Wien on prend :

Donc on trouve les nouvelles valeurs :

Ao=3

Exemple

On peut transformer le montage ct sous la forme dune chane

directe et dune chane de retour comme dans ltude thorique.
On trouve les paramtres suivants :

Ao=1+

Re=Zed(1+ trs grande

Zed : impdance de lA.OP

Ad : amplificateur de lA.OP

Rs= trs faible

Zs : impdance de sortie de lA.OP

R1=R ; R2=R ; C1=C2=C

En remplaant dans les quations trouves dans ltude thorique on trouve :

A0=1+ A0 =1+ =3 R1=3 R2

= = wo=

Oscillateur dphasage
Chane directe

N Ie
Loscillateur dphasage est reprsent par le circuit ci-
contre. Ir
La chane directe est constitue dun amplificateur de
rsistance dentre Re, son impdance vide Zo et sa
rsistance de sortie Rs.
La chane de retour quant elle est constitue par une
association de rsistances et de capacits comme le montre le
schma.
Pour calculer T(jw) on ouvre la boucle en coupant la liaison
N
NN.
On arrange le schma et on replace les impdances en
respectant leurs relations. Ainsi nous obtenons le schma
suivant :
Chane de retour
 R2=Re+R
I2 I1 Ir

On prend R2=R

Zc=

T(jw)=

On peut crire les quations suivantes :

(Zc+R)Ir = R(I1- Ir)

(Zc+R)Ir+ZcI1=R(I2-I1)

(Zc+R)Ir+ZcI1+(Zc+Rs)I2=-ZoIe
Aprs tout calcul fait on trouve la relation suivante :

La condition doscillation est obtenue pour T(jw)= -1 donc :

Zo= (Zc+R) + Zc ( +(Zc+Rs) ( (

En effectuant les calculs il vient :

Zo=Zc+R+ + 2Zc + +3 + + 3Zc + Rs +3Rs + Rs +3Rs

Zo= Zc (6 + +4 ) + (R + 3Rs + 5 + Rs )

En identifiant les parties imaginaires et les parties relles on trouve :

Zo=(R + 3Rs + 5 + Rs Zo= R + 3Rs - 5 + Rs

0= Zc (6 + + 4 ) 0= 6 + +4

0= 6 + + 4 wo =

On remplace wo par son expression dans Zo on trouve :

Zo= R + 3Rs - 5 + Rs - Zo = 29R+23Rs + 4

Oscillateurs diple rsistance dynamique ngative V

Un diple est dit rsistance ngative si sa caractristique v=f(i)

prsente une portion de pente ngative.

Donc en choisissant le point de fonctionnement du diple dans

cette zone, le diple est quivalent une rsistance ngative
I

Les oscillateurs de cette partie peuvent

se ramener deux structures lune dite
parallle figure 1et lautre dite srie
figures 2

En crivant la loi des nuds pour le

circuit de la figure 1 on obtient
lquation suivante :

Figure1 Figure2

IL+IP+IC+In=0

or IP= IC= ; In= et V=

IL+IP+IC+In=0 IL + +C + =0
IL+ +C - =0 IL +L + LC =0

En crivant la loi des mailles pour le circuit de la figure 2 on obtient lquation suivante :

VL+Vs+VC+Vn=0 L + Rs I + VC Rn I= 0

Or I= C
Donc VC + (Rs Rn ) C + LC =0

Si RP=Rn ou Rs=Rn les des quations diffrentielles deviennent :

IL + L + LC =0 IL + LC =0

VC + (Rs Rn ) C + LC =0 VC + LC =0

On pose =

IL + =0 IL= ILM sin(wot+)

Ont pour solutions

VC + =0 VC = VCM sin(wot+)
Exemple :

Le circuit ci-contre de la figure1 reprsente un circuit base

damplificateur oprationnel idal quon suppose fonctionner en I
rgime linaire.
U
Ce circuit est quivalent un diple AB quon associe au circuit
oscillant de la figure 2.
Figure 1
Le circuit de la figure1vu entre les points A et B est quivalent
une rsistance.

Rgime linaire veut dire que V+=V-

V+ = Vs = Figure 2

or Vs + R I= U 2 U+R I=U = -R
U=V+=V-

Donc Rn=R=Rp
Daprs le calcul thorique ci-dessus on trouve la pulsation doscillation wo: