Electronique Analogique

A. JILBAB
 Objectifs

- Caractériser une diode par le choix du type, la tension et le courant de bon

fonctionnement ainsi que ses limites techniques.
- Polariser un transistor bipolaire en régime linéaire et en commutation.
- Analyser les montages à Amplificateurs opérationnels en régime linéaire et non
linéaire.
- Dimensionner un oscillateur harmonique et à relaxation.
- Concevoir un bloc analogique relatif à une fonction en utilisant des composants
passifs et actifs.
 Contenu de l’élément

• Composants semi-conducteurs • Fonctions de l’électronique analogique

– Structure des semi-conducteurs – Amplification

– Structure des semi-conducteurs
– Types de dopage – Amplificateurs opérationnels
– Jonction PN

– Comparateurs analogiques
– Composants semi-conducteurs
– Diodes
– Transistor bipolaire – Filtrage analogique
– Transistor MOS
– Oscillateurs
 INTRODUCTION

Tendance Technologique: Internet des Objet &

Intelligence Artificielle

Infrastructure:
Hardware & Software

Besoin: Electronique & Informatique

 INTRODUCTION

➢ En physique, on modélise les valeurs d’énergie que

peuvent subir les électrons dans un cristal par un modèle
quantique.

➢ Les électrons peuvent appartenir à l’une des deux bandes

d’énergie:

✓ la bande de valence, où les électrons contribuent à la cohésion du cristal grâce

à des liaisons de valence

✓ la bande de conduction, où les électrons sont plus libres et assurent la

conduction du courant.
 Bandes de Valence et de Conduction

➢ La répartition des bandes détermine la conductivité du matériau. L’intervalle séparant

les deux bandes se mesure en électronvolts (eV).
➢ La bande d’énergie interdite est appelée le « gap »
 Structure atomique de semi-conducteurs

• Liaison atomique

• Atomes de silicium et de germanium

Liaisons covalentes du silicium

Liaisons covalentes du germanium

 Dopage P

• Consiste à ajouter des impuretés en atomes trivalents

➢ Ceci permet de fournir des charges positives en excès.

• Il va se créer des trous qui sont des porteurs majoritaires.

• Le dopage P du silicium peut-être réalisé avec du Bore (3 électrons sur

sa couche externe).
 Dopage N
• Le dopage N est l’introduction des atomes pentavalent
➢ Ces atomes ont un électron de valence en plus.
➢ Ceci fournit des charges négatives en excès : des électrons libre qui
sont des porteurs majoritaires vont circuler librement dans le cristal.

• Le dopage N du silicium peut-être réalisé avec du Phosphore (P), de l’Arsenic (AS), ou de

l’Antimoine (Sb)
 La jonction élémentaire
• Le contact entre un cristal Si_P et un cristal Si_N permet la neutralisation entre
les électrons libres de la zone N et les trous de la zone P
• Une zone déserte est alors créée d’une largeur d’environ 1 μm.
➢ Les charges électriques mobiles s'annulent.
➢ Il reste les charges électriques des noyaux d'atomes → des ions sont créés.
➢ Dans une zone d’environ 1 μm, on voit apparaître un potentiel positif du côté Si_N et un
potentiel négatif du côté Si_P.
 La jonction élémentaire
• La zone déserte est une BARRIERE DE POTENTIEL.
– Sur une distance de 1 μm, il n'y a plus de porteurs de charges ⇒ zone isolée (pas de conduction)
– La barrière de potentiel repousse les électrons de la zone N et les trous de la zone P.

• L’existence d’ions positifs et négatifs sur les cotés opposés de la jonction crée
un champ électrique E → une barrière de potentiel V0.
➢ À 25°C:
✓ Silicium V0 = 0.7V
✓ Germanium V0 = 0.3V
 La jonction polarisée en directe

• Lorsqu’on applique une polarisation positive sur le cristal de silicium (dopé P et N) :

– Début de la conduction vers 0,4 V (fin barrière)
– Nette augmentation de la conduction vers 0,6 V
– Conduction admise normale à 0,7 V
 La jonction polarisée en inverse

• Le pôle négatif de la source attire les trous

et le pôle positif attire les électrons.
➢ La barrière de potentiel s'élargit.
➢ Toute conduction devient impossible, le système
est bloqué.

• Si la tension devient suffisamment grande, des électrons sont arrachés dans la

zone neutre.
➢ Ces électrons sont fortement accélérés, et leur grande vitesse libère d'autres électrons par chocs.

• Les électrons, de plus en plus nombreux, rendent tout le cristal conducteur.

➢ La jonction se met en court-circuit.

• Ce phénomène est appelé "effet d’avalanche"

➢ Risque de claquage
Limite physique du blocage
Les diodes
 Diode idéale
• Diode idéale: c’est une jonction qui bloque totalement en inverse sans courant
de fuite et sans claquage et qui conduit un courant en direct sans chute de
tension.
Id

sous polarisation “directe”

(“Vd0”), la diode = court-circuit
(i.e. conducteur parfait)

Vd
sous polarisation “inverse” (Vd<0)
la diode = circuit ouvert

• Une diode est un composant non-linéaire

16
 Diode réelle

• La diode réelle se distingue de la diode idéale par :

➢ Un seuil de tension dans le sens direct (0,7 V pour Si).

➢ Une chute de tension en direct qui dépend du courant (résistance du silicium dopé).

- Le seuil de tension dépend de la température T : il diminue de 2mV si T augmente de 1°C

- → C'est un coefficient de température négatif.

- Le blocage en inverse n'est pas parfait. Les courants de fuite est de quelques nA à 20 °C,
- Il double tous les 8 °C lorsque la température augmente.

- La tension inverse n'est pas infinie, le claquage dépend de la diode utilisée.

 Les diodes
Caractéristique réelle Id
d’une diode
140

100

60

20

-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 Vo1

Vd
◼ Zone « du coude » : Vd [0,~ Vo] : augmentation exponentielle du courant
  V   avec 1 2 (facteur “d’idéalité”)
I d  I s exp d  − 1
   VT   VT = k • T/e
k = 1,38 10-23 J/K= constante de Boltzmann
e= 1.6 10-19Coulomb, T la température en °Kelvin
Is = courant de saturation inverse
le comportement est non-linéaire
sensible aux variations de température
VT (300K) = 26 mV 18
 Les diodes
Caractéristique Id
linéarisée d’une diode 140
Approximation linéaire
100

60

20
Is
-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 Vo1
Vd

◼ Pour Vd <0, la diode se comporte comme un isolant : Is ~ 1 pA - 1µA ,

 la diode est dite “bloquée”
 dans cette zone son comportement est aussi approximativement linéaire
 le courant “inverse”, Is , augmente avec la température

◼ Pour Vd >> ~0.7, le courant augmente rapidement avec une variation à peu près linéaire
 la diode est dite “passante”
 mais Id n’est pas directement proportionnel à Vd (il existe une “tension seuil”~ Vo)

19
 Redresseur double alternance

Etude d’un montage

v( ) u ( ) à pont de diodes

ou pont de Graëtz

20
 Redressement double alternance

v( ) v( ) = V 2 . sin( )


𝜃
v( ) u ( )

u ( )

 v( )  0 𝜃

➔ u ( ) = v( )

21
 Redressement double alternance

v( ) = V 2 . sin( )

v( )  
𝜃
v( ) u ( )  

u ( )
 v( )  0 𝜃

➔ u ( ) = −v( )

22
 Redressement double alternance
Calcul de la valeur moyenne de u

v( )  
𝜃
 

1
Umoy =
  V.
0
2 . sin( ).d

 u ( )
=
V. 2
− cos( ) 2.π
𝜃
 0
0 π

2.V . 2
Umoy=
 23
 Redressement double alternance
Facteur d'ondulation

• Définition

∆𝑉
𝜏=
𝑉ത

• Calcul du facteur d’ondulation pour un redressement double alternance

24
 Diode Zener

• C'est une diode destinée à la régulation de tension

– elle assure une tension constante et stable.
 Diode Zener

• Exemple d’utilisation : Régulation

 Diode Zener

• Exemple d’utilisation : Ecrêtage

 Diode Schottky

• Dans ce type de diode, il n'y a plus de jonction silicium N - silicium P.

• On a une plaquette de silicium N sur laquelle on dépose un métal :
– Chrome (Cr) ou Platine-Nickel (Pt-Ni)

• On obtient les propriétés suivantes :

– Faible seuil de tension en direct de 0,2 à 0,3 V (Elle peut remplacer les diodes au
germanium).
– Temps de mise en conduction pratiquement nul, c'est la plus rapide de toutes les
diodes.
• Elle convient pour la commutation rapide, pour les fréquences élevées.
 Diode électroluminescente
LED (Light Emitting Diode)

• La LED est un émetteur de lumière,

– Elle transforme le courant électrique en émission de photons

• Le silicium et le germanium ne sont pas en mesure de produire des fréquences du

domaine de la lumière visible.

• On utilise pour les LED l'arséniure de Gallium (Ga As) et le phosphure de Gallium
(Ga P).

• Par un dopage approprié de ces composés intermétalliques, on peut obtenir

différentes couleurs.
 LED

- Les LEDs se branchent en direct.

- Courant direct: 10 à 50 mA selon les modèles.

- La chute de tension directe n'est plus de 0,7 V, les composés intermétalliques

n'ayant pas le même seuil de tension que le silicium, on va donc trouver en fonction
des couleurs:
- Infrarouge: Ga As Seuil 1 ... 1,2 V

- Rouge: Ga As P Seuil 1,5 ... 2 V

- Vert: Ga P Seuil 2 V

- Les LEDs ne tolèrent pas les tensions inverses.

- En cas de risque de polarisation inverse, protéger la LED par une diode en inverse et en parallèle.

- La luminosité d'une LED dépend du courant qui la traverse

 LED

• Soit une LED rouge montée en voyant, ULED = 2 V.

• Elle est alimentée par une tension VCC = 12 V et on veut lui
imposer un courant de 20 mA.
• Calculer la valeur de la résistance R.
 LED

𝑉𝑐𝑐 − 𝑈𝐿𝐸𝐷
𝐼=
𝑅

𝑉𝑐𝑐 − 𝑈𝐿𝐸𝐷
𝑅= = 500Ω
𝐼

Dans les valeurs normalisées E12, on peut prendre 470 Ω ou 560 Ω.

 LED
Utilisations

• La LED est souvent utilisée pour l'affichage par segments,

– Exemple de l'afficheur sept segments + point décimal

• LEDs infrarouge : sont surtout utilisées pour les systèmes de surveillance, alarme etc...
• La LED utilisée en tant que voyant comparée à la lampe à incandescence:
– Avantages: Longue durée de vie ; Résistance aux chocs ; Faible puissance consommée ; Compatible avec les circuits logiques ;
– Inconvénient: Peu visible par forte lumière ambiante
Les Transistors
 Les Transistors Bipolaires

• Le transistor bipolaire (Bipolar Junction Transistor) est un dispositif à semiconducteur présentant

trois couches à dopages alternés NPN ou PNP :

• La couche médiane est appelée base.

• Les deux couches externes sont : émetteur et collecteur.
– Elles se différencient par leur géométrie et leur nombre volumique en impuretés
 Les Transistors Bipolaires

• Le transistor bipolaire (Bipolar Junction Transistor) est un dispositif à semiconducteur présentant

trois couches à dopages alternés NPN ou PNP :

• Les deux jonctions qui apparaissent dans le transistor sont désignées par le nom des deux régions
entre lesquelles elles assurent la transition:
– Jonction base-émetteur (BE) également dénommée jonction de commande
– Jonction base-collecteur (BC).
 Les Transistors Bipolaires

• Orientations des courants et des tensions pour un Transistor NPN

• Orientations des courants et des tensions pour un Transistor PNP

 Effet transistor
• Les différentes couches du transistor possèdent des charges positives et négatives

• Le mouvement de ces charges dépend des champs électriques entre les différentes jonctions :
– Jonction émetteur polarisée en direct pour créer un champ externe 𝐸𝑒𝑥𝑡 opposé au champ interne 𝐸𝑖𝑛𝑡
– Si 𝐸𝑒𝑥𝑡 > 𝐸𝑖𝑛𝑡 les électrons majoritaires au niveau de l’émetteur peuvent passer dans la base.
– La base est faiblement dopée et très mince donc très peu d’électrons se recombinent avec des trous. Le
courant de base est très faible.
– Jonction collecteur polarisée en inverse : Le champ externe 𝐸𝑒𝑥𝑡 est dans le même sens que le champ
interne 𝐸𝑖𝑛𝑡
– Les électrons qui n’ont pas été recombinés avec les trous au niveau de la base peuvent passer dans le
collecteur.
 Effet transistor

• Ainsi, le courant IB se trouve amplifié par un gain β et on aura les équations suivantes
 Réseau de caractéristiques
• Quatre grandeurs suffisent pour caractériser le comportement du transistor:
– deux grandeurs d'entrée: iB, VBE
– deux grandeurs de sortie: iC, VCE
 Réseau de caractéristiques
• Quatre grandeurs suffisent pour caractériser le comportement du transistor:
– deux grandeurs d'entrée: iB, VBE
– deux grandeurs de sortie: iC, VCE

• L'ensemble des caractéristiques peut donc être représenté dans le système d'axe suivant:
 Réseau de caractéristiques
Exemple de caractéristiques :
 Réseau de caractéristiques
Exemple de caractéristiques :

- iB = f(vBE): la caractéristique d'entrée est identique à celle d'une diode lorsque vCE > 1 V
𝑉𝐵𝐸 ≈ 0,6 à 1 𝑉

- iC = f(iB) est appelé caractéristique de transfert en courant.

Pour VCE > 1 V 𝒊𝑪 = 𝜷 𝒊𝑩

𝛽 = ℎ𝐹𝐸 : Coefficient d'amplification statique en courant

- Les caractéristiques de sortie sont sensiblement horizontales pour 𝑉𝐶𝐸 > 1 𝑉

- Le transistor est équivalent à un générateur de courant presque parfait dont l'intensité est commandée par
le courant de base.
 Réseau de caractéristiques
Valeurs limites du composant:
- ICM: courant collecteur maximal
- VCEM: tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit.
- IBM: courant de base maximal au delà duquel la jonction émetteur-base peut se détruire.
- PM: puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C
PM = iC.vCE + iB.vBE ≈ iC.vCE
 Montages de polarisation
Objectif de la polarisation : Fixer les valeurs des tensions VBE, VCE et des courants IB, IC pour imposer
l’emplacement des points de fonctionnement dans le réseau des caractéristiques.

• Polarisation directe de la base

Polarisation directe de la base et du collecteur par deux résistances RB et RC :
 Montages de polarisation
𝐸−𝑉𝐶𝐸
▪ ∆ Droite de charge statique de sortie : 𝐼𝐶 = 𝑅𝐶
tracé dans le réseau de caractéristique statique IC = f(VCE).
𝐸−𝑉𝐵𝐸
▪ ∆′ Droite de charge statique d’entrée : 𝐼𝐵 = 𝑅𝐵
tracé dans le réseau de caractéristique statique IB = f(VBE).
 Montages de polarisation
• Le point de fonctionnement Q dans le réseau d’entrée
IB = g(VBE) est situé à l’intersection de la droite d’attaque ∆′
et de la caractéristique.
• Le point de fonctionnement P dans le réseau de sortie
IC = f(VCE) est situé à l’intersection de la droite de charge ∆
et d’une caractéristique IB = cste.
 Montages de polarisation
Objectif de la polarisation : Fixer les valeurs des tensions VBE, VCE et des courants IB, IC pour imposer
la localisation des points de fonctionnement dans le réseau des caractéristiques.

• Contre-réaction au collecteur
 Montages de polarisation
Objectif de la polarisation : Fixer les valeurs des tensions VBE, VCE et des courants IB, IC pour imposer
la localisation des points de fonctionnement dans le réseau des caractéristiques.

• Diviseur de courant
 Montages de polarisation
Objectif de la polarisation : Fixer les valeurs des tensions VBE, VCE et des courants IB, IC pour imposer
la localisation des points de fonctionnement dans le réseau des caractéristiques.

• Polarisation d’émetteur
 Transistor en commutation

• La partie de la droite de charge statique située entre les points de blocage et de saturation définit la
zone active :

𝑰𝑪𝒃𝒍𝒐𝒄𝒂𝒈𝒆 ≤ 𝑰𝑪 ≤ 𝑰𝑪𝒔𝒂𝒕𝒖𝒓𝒂𝒕𝒊𝒐𝒏
 Transistor en commutation

• La partie de la droite de charge statique située entre les points de blocage et de saturation définit la
zone active :

- Au point de saturation, le transistor idéal est équivalent à un interrupteur fermé

- Au point de blocage, le transistor idéal est équivalent à un interrupteur ouvert
 Transistor en commutation

• Exemple

• Etat bloqué :
si 𝑉𝑒 = 0 le transistor est bloqué.

• Etat saturé :
le transistor est saturé si : 𝐼𝑐 < 𝛽. 𝐼𝑏,
c'est à dire si :

𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 𝑉𝑒 − 𝑉𝑏𝑒

<𝛽
𝑅𝑐 𝑅𝑏
 Transistor en commutation

• Exemple de commande de relais :

Dans ce montage, le transistor permet de commander le relais en tout ou rien à partir
du signal Ve.

• Le relais R comprend entre ses bornes un bobinage que l'on peut assimiler à une
inductance 𝐿 en série avec une résistance 𝑟.
• La diode 𝑫 est une diode de roue libre qui assure la continuité du courant dans
l'inductance du relais au blocage du transistor.
• Sans cette diode une surtension destructrice pour le transistor sera produite.
 Paramètres d’un transistor bipolaire
- VCEMax : Tension collecteur-émetteur maxi, ou tension de claquage. Au delà de cette
tension, le courant de collecteur IC croît très rapidement s'il n'est pas limité à l'extérieur
du transistor.
- ICMax : Courant de collecteur maxi. A partir de cette valeur, le gain en courant va
fortement chuter et le transistor risque d'être détruit.
- hFE (𝜷) : Gain en courant (paramètre essentiel en amplification).
- PTotMax : Puissance maxi que le transistor pourra dissiper, donnée par la formule: VCE x Ic.
- VCESat : Tension de saturation (utile en commutation).
 Application
Commande d’un buzzer par une photorésistance au moyen d’un transistor

• Analyser le montage puis déduire sa

fonction dans les deux cas :

i) La photorésistance est dans l’obscurité.

ii) La photorésistance reçoit la lumière.
Les Amplificateurs
Opérationnels
 Fonctionnement et symbole
d’un Ampli-Op

• Un AO comporte essentiellement :

- deux entrées 𝑉 + et 𝑉 −
- une sortie 𝑉𝑜𝑢𝑡
- ainsi que deux bornes d’alimentation, 𝑉𝑆+ et 𝑉𝑆−

Symbole Américain
Européen
 Fonctionnement et alimentation
• De point de vue fonctionnement, l’AO est un amplificateur différentiel qui réalise
la fonction : 𝑽𝒔 = 𝑨𝒅 × 𝑽+ − 𝑽−

• L'amplificateur opérationnel possède deux modes d’alimentation :

Exemple : LM741
 Caractéristiques d’un AO
▪ Tension d'alimentation
➢ +Vcc est la tension d'alimentation positive par rapport à la masse.

➢ -Vcc ou -VEE est la tension d'alimentation négative par rapport à la masse.

➢ Dans la plupart des cas, la tension d'alimentation à ne pas dépasser est de ±18V.

▪ Impédance d'entrée
o L'impédance d'entrée des amplificateurs opérationnels est toujours très élevée (dans les MΩ). Ainsi,
l'amplificateur opérationnel prélève peu d'énergie sur la source du signal à amplifier.

▪ Gain en tension
o Ce gain est toujours très élevé et s'appelle gain en boucle ouverte ou gain différentiel.

▪ Impédance de sortie
o L'impédance de sortie d'un amplificateur opérationnel est toujours très faible.

▪ Tension de décalage à l'entrée ou tension d'offset

o Il peut arriver, lorsque les deux entrées sont au même potentiel (tension de mode commun) que la tension
de sortie ne soit pas nulle.
 Montages en mode linéaire
• L’AOP fonctionne en mode linéaire si la sortie est rebouclée vers l’entrée inverseuse
(contre-réaction ou réaction négative).
• Dans ce cas V+ = V-

• Suiveur :

𝒗𝒔 = 𝒗𝒆
• L’intérêt du montage réside dans sa très forte impédance d’entrée et sa très faible
impédance de sortie.
 Montages en mode linéaire
• L’AOP fonctionne en mode linéaire si la sortie est rebouclée vers l’entrée inverseuse
(contre-réaction ou réaction négative).
• Dans ce cas V+ = V-

• Amplificateur inverseur :

𝑹2
𝒗𝒔 = − 𝒗
𝑹1 𝒆
 Montages en mode linéaire
• L’AOP fonctionne en mode linéaire si la sortie est rebouclée vers l’entrée inverseuse
(contre-réaction ou réaction négative).
• Dans ce cas V+ = V-

• Amplificateur Non Inverseur :

𝑅1 𝑹2
𝑣𝑒 = 𝑣 − = 𝑣𝑠 ×  𝒗𝒔 = 1 + 𝒗
𝑅1 + 𝑅2 𝑹1 𝒆
 Montages en mode linéaire
• L’AOP fonctionne en mode linéaire si la sortie est rebouclée vers l’entrée inverseuse
(contre-réaction ou réaction négative).
• Dans ce cas V+ = V-

• Sommateur :

𝒗1 𝒗2 𝒗3
𝒗𝒔 = −𝑹 × + +
𝑹1 𝑹2 𝑹3
 Montages en mode linéaire
• L’AOP fonctionne en mode linéaire si la sortie est rebouclée vers l’entrée inverseuse
(contre-réaction ou réaction négative).
• Dans ce cas V+ = V-

• Soustracteur :

𝑅4
𝑣+ = × 𝑣2
𝑅4 + 𝑅3
𝑣1 𝑣𝑠 𝑹2 𝑹4 𝑹2
 𝒗𝒔 = − 𝒗1 − 1+ 𝒗
− 𝑅1 + 𝑅2 𝑹1 𝑹3 + 𝑹4 𝑹1 2
𝑣 =
1 1
+
𝑅1 𝑅2
 Montages en mode linéaire
• L’AOP fonctionne en mode linéaire si la sortie est rebouclée vers l’entrée inverseuse
(contre-réaction ou réaction négative).
• Dans ce cas V+ = V-

• Dérivateur :

𝑑𝑞 𝑑 𝑣𝑒 − 𝑣 − 𝑑𝑣𝑒 𝒅𝒗𝒆
= 𝑖𝑐 = 𝐶 =𝐶  𝒗𝒔 = −𝑹𝑪
𝑑𝑡 𝑑𝑡 𝑑𝑡 𝒅𝒕
 Montages en mode linéaire
• L’AOP fonctionne en mode linéaire si la sortie est rebouclée vers l’entrée inverseuse
(contre-réaction ou réaction négative).
• Dans ce cas V+ = V-

• Intégrateur :

𝑣𝑒 − 0 𝑣𝑒
𝑖𝑅 = =
𝑅 𝑅

1
𝑞 = න𝑖𝑅 𝑑𝑡 ; 𝑞 = −𝐶 × 𝑣𝑠  𝑣𝑠 = − න𝑣𝑒 𝑑𝑡
𝑅𝐶
 Montages en mode non linéaire
• Si la sortie est rebouclée vers l’entrée non inverseuse (réaction positive), l’AOP
fonctionne en mode non linéaire. Dans ce cas, la tension de sortie tend vers la saturation.
• Les fonctions obtenues correspondent à des comparateurs.

• Comparateur simple :

➢ Si Ve > Vref alors Vs = +Vcc

➢ Si Ve < Vref alors Vs = -Vcc
 Montages en mode non linéaire
• Si la sortie est rebouclée vers l’entrée non inverseuse (réaction positive), l’AOP
fonctionne en mode non linéaire. Dans ce cas, la tension de sortie tend vers la saturation.
• Les fonctions obtenues correspondent à des comparateurs.

• Comparateur à hystérésis :

➢ Si UE > UH alors Us = Vsat+

➢ Si UE < UB alors Us = Vsat-

𝑹1
𝑼𝑯 = − 𝑽𝒔𝒂𝒕−
𝑹2

𝑹1
𝑼𝑩 = − 𝑽
𝑹2 𝒔𝒂𝒕+
 Exercice : Montage amplificateur

𝑹2
𝑼𝒔 = 1 + 𝑼𝒆
𝑹1

𝑹2 5
𝑨𝒗 = 1 + =
𝑹1 0,8

𝑼eeff 0,8
𝒆𝒕 𝑹𝟏 = =
𝒊eff 0,1. 10−3 2

1) Sans faire de calcul, cet amplificateur est-il inverseur ou non inverseur et pourquoi?
2) La tension ‘ue’ est de type sinusoïdal d'amplitude 0,8V, on désire que ‘us’ soit un signal
d'amplitude 5V.
a. Calculer l'amplification en tension Av.
b. Calculer les résistances R1 et R2 afin que le courant efficace i soit de 0,1mA.
 Exercice

Tracer la caractéristique statique du

comparateur suivant :

L’AO fonctionne en Régime non Linéaire

R2 𝑉e +R1 𝑉ref
on a 𝑉 − = et 𝑉 + =0
R2 +R1
−R1 𝑉ref
alors 𝑉e >  𝑉S = −𝑈𝑠𝑎𝑡
R2
−R1 𝑉ref
Et 𝑉e <  𝑉S = +𝑈𝑠𝑎𝑡 𝑉S
R2

+𝑈𝑠𝑎𝑡
−R1 𝑉ref
R2 𝑉e

−𝑈𝑠𝑎𝑡
 Exercice
L'A.O. est supposé idéal ; la tension de sortie 𝑉𝑠 est
limitée par la saturation aux valeurs extrêmes −𝑉𝑠𝑎𝑡 et
+𝑉𝑠𝑎𝑡 . On donne :

1) La tension d'entrée 𝑣𝑒 est continue et positive. Représenter la caractéristique de

transfert 𝑣𝑠 = 𝑓(𝑣𝑒 ) du comparateur lorsqu'on on augmente la tension 𝑣𝑒 de 0 à 10 V.

1) L’AO fonctionne en Régime non Linéaire

𝑉S
𝑅
on a 𝑉 − = 𝑉e et 𝑉 + = R E0 = 4𝑉 +12𝑉
0 +𝑅

alors 𝑉e > 4  𝑉S = −𝑈𝑠𝑎𝑡

𝑉e
Et 𝑉e < 4  𝑉S = +𝑈𝑠𝑎𝑡 4𝑉 10𝑉

−12𝑉
 Exercice
L'A.O. est supposé idéal ; la tension de sortie 𝑉𝑠 est
limitée par la saturation aux valeurs extrêmes −𝑉𝑠𝑎𝑡 et
+𝑉𝑠𝑎𝑡 . On donne :
1) -
2) La tension d'entrée est un signal triangulaire symétrique de période T et d'amplitude
6 V . Représenter en le justifiant le graphe 𝑣𝑠 = 𝑓(𝑡) pour 0 < 𝑡 < 𝑇.
3) Déterminer le rapport des durées des niveaux haut et bas. La tension d'entrée est un
signal sinusoïdal de période T : 𝑉S
12𝑉
2) -----------------------------------------------------------→ 6𝑉
4𝑉
2𝜋 𝑡1
𝑡
3) Si 𝑣e = 8. sin( 𝑇 𝑡) alors les basculement auront lieu 𝑡2 𝑇

2𝜋
au temps t1 et t2 telles que 8sin 𝑡𝑖 =4 −12𝑉 𝑉e
𝑇
2𝜋 1 2𝜋 𝜋 2𝜋 5𝜋
 sin 𝑡𝑖 = 2 d’où 𝑡1= 𝑒𝑡 𝑡2=
𝑇 𝑇 6 𝑇 6
𝑇 5𝑇
 𝑡1= 12 et 𝑡2= 12
5𝑇 𝑇 𝑇 𝑇 2𝑇 𝐸𝑡𝑎𝑡 𝐻𝑎𝑢𝑡
 𝐸𝑡𝑎𝑡 𝐵𝑎𝑠= − = et 𝐸𝑡𝑎𝑡 𝐻𝑎𝑢𝑡= 𝑇 − = Donc
𝐸𝑡𝑎𝑡 𝐵𝑎𝑠
=2
12 12 3 3 3
 Exercice
L'A.O. est supposé idéal ; la tension de sortie 𝑉𝑠 est
limitée par la saturation aux valeurs extrêmes −𝑉𝑠𝑎𝑡 et
+𝑉𝑠𝑎𝑡 . On donne :

4) Comment sont modifiés les résultats précédents si on permute les entrées – et + dans le
montage étudié ?
5) La source de tension auxiliaire a maintenant une faible amplitude 𝐸0 = 2𝑚𝑉, l'A.O.
n'est plus idéal et a un gain 𝜇 = 105 . Déterminer la tension d'entrée limite qui donne
une saturation négative.
𝑉S
4) Inversion état haut – état bas +12𝑉

4𝑉
𝑉e
10𝑉

5) L’AO fonctionne en Régime Linéaire si

−12𝑉
µ.  < +Vsat
𝑅 +Vsat
Donc 𝑉e − R E0 >  AO en RNL
0 +𝑅 µ
12 16
 𝑉e > 100 000
+ 16+24
0,002  𝑉e > 0,92𝑚𝑉