Cours d’Électronique Analogique

1. Introduction

2. Les diodes à semi-conducteurs et Applications

3. Le transistor bipolaire et applications

4. Le transistor à effet de champ

5. Applications des amplificateurs opérationnels

1
• Conducteurs, Isolants et Semi-conducteurs

 Conducteurs :

 Matériaux ayant la plus faible résistivité à température ambiante (25°C)

 Résistivité inférieure à 10-5 cm

 La résistivité augmente avec la température
 Exemples : Cu, Au, Ag , Al …

 Conduction électrique par les électrons libres

(de 1022 à 1023 cm-3)

2
 • Conducteurs, Isolants et Semi-conducteurs

 Isolants :

 Résistivité supérieure à 108 cm

 Exemples : Verre, mica, SiO2, le carbone …

 La résistivité diminue si la température augmente (libération e- - trous)

 Fuite ou claquage de l’isolant

3
• Conducteurs, Isolants et Semi-conducteurs

 Semi-conducteurs : ni conducteur, ni isolant

Colonne IV : Si, Ge, …

Association colonnes III-V : AsGa, …

4
• Conducteurs, Isolants et Semi-conducteurs

 Semi-conducteurs

 10-3 cm < Résistivité < 104 cm

 Exemples : Si, Ge, AsGa …

 La conduction électrique se fait par les e- et/ou les trous

 Semi-conducteurs intrinsèque (pur) ou extrinsèque (dopé)

 105 atomes de silicium assez pur avec un atome de Bore ou de

Phosphore fait passer la résistivité de 103 à environ 10-2 cm

5
• Quelques propriétés des semi-conducteurs

 Semi-conducteurs de la colonne IV (exemple : Si, Ge)

 Les e- d’un atome isolé prennent des valeurs d’énergie discrètes

 Pour chaque niveau : le nombre d’électrons est limité (2n2)
 Les niveaux les plus proches du noyau sont occupés

 Pour le Si : Numéro atomique Z=14

2 e- sur la première couche (n=1)
8 e- sur la seconde (n=2)
4 e- sur la dernière (nombre de places 18 pour n=3)

6
• Quelques propriétés des semi-conducteurs

 Conduction par électron ou par trou

 Apport d’une énergie à une liaison de valence

 On arrache un ou plusieurs électrons

 Cet électron de la bande valence passe

à la bande de conduction Bande de conduction

 Il peut participer à la conduction électrique

Ec
1.2 eV (Si)
Ev

Bande de valence

Semi-conducteur
• Semi-conducteurs intrinsèques

Cristal électriquement neutre : n = p = ni

avec ni concentration intrinsèque des porteurs de charges à l’équilibre :

ni = 1.4 1010 cm-3 pour le Si à la température ambiante.

8
• Semi-conducteurs extrinsèques

 Semi-conducteurs de type N

 Cristal de Si dopé par des impuretés de type Donneur d’e- en faible

quantité (exemple : le phosphore)
 Une faible énergie (0.04eV), par exemple due à une élévation de

température, peut libérer le cinquième e- de l’atome de phosphore.

La conduction est assurée par électrons

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• Semi-conducteurs extrinsèques

 Semi-conducteurs de type P

 Cristal de Si dopé par des impuretés de type Accepteur d’e- en faible

quantité (exemple : le Bore)

 Une faible énergie (0.04eV), par exemple due à une élévation de

température, permet à l’atome de Bore de substituer un e- à un proche

voisin. La conduction est assurée par trous

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• Jonction PN
Un semi-conducteur seul (N ou P) présente peu d’intérêt. C’est l’association de
plusieurs SC qui permet de réaliser des composants SC (diode, transistor, …).

Jonction PN non polarisée à l’équilibre

11
 Jonction PN non polarisée à l’équilibre

L’association de deux SC de types différents réalise ce qu’on appelle une

jonction PN.
Cette association provoque un gradient de porteurs de charges :
 Les trous mobiles (h+ majoritaires) de la zone P vers la zone N (e -
majoritaires) se combinent avec les e-.
 Les e- mobiles (e- majoritaires) de la zone N vers la zone P (h +
majoritaires) se combinent avec les h+.
 Chaque h+ (respectivement e- ) majoritaire quittant le SC P (N) laisse
derrière lui un anion (cation) fixe et entraine l’apparition d’un cation
(anion) fixe dans le SC N(P) du fait de sa recombinaison avec un e - (h+ ).
 Ces ions sont localisés au niveau de la jonction (zone de charges
d’espace ZCE). Ils sont à l’origine de la création d’un champ électrique qui
s’oppose au passage du courant. Ce champ électrique est à l’origine d’une
barrière de potentiel appelée tension seuil de la jonction PN.

Vs  0.7V pour le Si et de 0.3V pour le Ge 12

 Jonction PN non polarisée à l’équilibre

Seuls quelques porteurs de charges majoritaires ont une énergie suffisante

pour vaincre la barrière de potentiel et contribuent au courant de
conduction ID. Ce dernier est compensé par un courant de saturation
inverse IS, créé par les porteurs de charges minoritaires lorsqu’ils sont
capturés par le champ électrique de la zone ZCE.
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• Jonction PN polarisée en direct

 Abaissement de la barrière de potentiel

 Réduction de la zone ZCE et le champ interne
 Passage d’un courant notable pour VD > Vseuil

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• Courants dans une jonction PN polarisée en direct

ID ID
P N

VD VD

ID(mA)

- Is (pA)

VD (v)

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 • Courant dans une jonction PN polarisée en direct

  VD  
I D  I S exp   1
  VT  

 : Coefficient d'idéalisation (dépend de la technologie) 1≤  <2

IS : dépend de la température et de l’énergie de gap ;

IS = B.T3 exp (-Eg/KT) ;

VT=KT/q : unité thermodynamique (25 mV à la température ambiante) ;

q : Charge de l'électron = 1.6x10-19C ;

K : Constante de Boltzman = 1.38x10-23 J/K;
T : Température absolue (en degré Kelvin).
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• Jonction PN polarisée en inverse

ID   IS

 Augmentation de la barrière de potentiel

 Elargissement de la zone ZCE et intensification du champ interne
 Courant très faible pour VD < Vseuil

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 • Caractéristique statique de la diode
Modèle non linéaire :
ID(mA)

i0   VD  
R I0 I D  I S exp   1
  VT  
E
V0

Ii00
I 
E  RI D  VT ln  D  1 
 IS  VD (v)

V0

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 • Modèles électriques de la diode
Modèles linéaires par morceaux :

I d (mA)
Vd = VTln(Id/IS+1) si Vd  Vseuil
Id ≈ 0 sinon
Modèle Vd = Vseuil+RdId si Vd  Vseuil
approché
Id = 0 sinon
Modèle Vd = Vseuil si Id  0
simplifié
Id = 0 si Vd  Vseuil
Modèle Vd = 0 si Id  0
idéal Id = 0 si Vd  0
Vd (V)

19
• Modèles électriques de la diode

20
 • Modèles électriques de la diode
Diode passante :
Modèle approché Modèle simplifié Modèle idéal
R I0 R I0 R I0

E Rd E 0.6V E
V0 V0 V0 0V
0.6V

I0 = (E - Vseuil)/ (R + Rd) I0 = (E - Vseuil) / R I0 = E/ R

V0 = (VseuilR + E Rd) / (R + Rd) V0 = Vseuil V0 = 0

Diode bloquée :
R I0= 0

E
V0=E

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 • Effet de la valeur de E sur le choix du modèle :
 E >> Vseuil
I0 R I0
E 0.6V E
V0 V0 0V
10V

IIi000  10V  0, 6V  /1K   9, 4mA I0i0  10V /1K   10mA

Vv00  0, 6V Vv0  0V
6% d’écart en courant

 E ≈ Vseuil
R I0 R I0
E 0.6V E
V0 V0 0V
1V

I0Ii00  1V  0, 6V  /1K   0, 4mA I0i0  1V /1K   1mA

Vv00  0, 6V Vv00  0V
60% d’écart en courant
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 • États de la diode

V0 < Vseuil
R I0 Hypothèse 1 : la diode est bloquée
E
10V V0  E Calcul 1 : V0

Non
V0 > Vseuil ?

V0 > Vseuil Oui

R I0
Hypothèse 2 : la diode est passante
E 0.6v
V0
10V
Calcul 2 : V0

Fin
I0i0  10V  0, 6V  / R
V0  0, 6V
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 • Modèle petits signaux basses fréquences
1
 dI   Schéma équivalent dynamique
Rd =  d 

= résistance dynamique
dV
 d Vd  0 
correspondant au point de fct :
en direct
1
 dI 
Ri =  d 

= résistance dynamique 
dV
 d Vd  0 
en inverse

1
1   d
V 
dId d  V  VT
 Pour Vd >VS Rd   I
 s e T
I s 
dVd Vd
 dVd  Id
  

 Pour Vd < VS , Ri est très élevée

25
À la température ambiante : Rd     1
I d mA
24
• Modèle petits signaux hautes fréquences
 Limitation à haute fréquence :

Pour des raisons physiques, le courant Id ne peut suivre les variations

instantanées de Vd au delà d’une certaine fréquence.
 Apparition d’un déphasage entre Id et Vd
 Une petite variation de Vd induit une grande variation de Id, c’est -à-
dire des charges qui traversent la diode. À haute fréquence, des
charges restent “stockées” dans la diode : Comportement d’un
condensateur, dont la valeur augmente avec Id .
Modèle petits signaux haute fréquence (Vd > VS) :

rc

 Cd 
I dQ Ordre de grandeur : Cd ~ 40 nF à 1mA, 300K.
rsc VT
= “capacité de diffusion”
25
• Diode Zener
R ID
E +
VD
-

Zone de conduction Zone de conduction

en inverse : Zone Zener Zone de blocage normale

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 • Diode électroluminescente
Une diode électroluminescente (LED) est un
composant électronique permettant de
transformer un signal électrique en énergie
lumineuse proportionnelle.

Bande de conduction La diode émet un rayonnement dont la longueur d'onde dépend

du type de matériau semi-conducteur utilisé (Si : silicium, Ge :
Ec germanium, AsGa : arséniure de gallium...), et de son dopage.
g

 g  0.7m  E g  1.77eV
Ev
1, 24
Bande de valence g 
(mm) E g (eV)  g  0.5m  E g  2.48eV
I0
R

+ V0
- E

La résistance R limite le courant traversant la LED 27

1. Introduction

2. Les diodes à semi-conducteurs et Applications

3. Le transistor bipolaire et applications

4. Le transistor à effet de champ

5. Applications des amplificateurs opérationnels

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 • Applications des diodes à jonction PN
Transformation d’une tension alternative (220V et 50Hz) en une tension continue.

Transformateur :
 Il permet d’abaisser la tension alternative du secteur à une valeur convenable et il
conserve la puissance électrique.
 Il permet l’isolation galvanique primaire-secondaire.

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2 - Redressement mono alternance

 RL représente la résistance d’entrée du système que l’on alimente.

 La diode ne laisse passer que l’alternance positive du signal eg.

 Vs tension seuil de la diode.

1 T EM
Vmoy  V
 R ( t ) dt 
T 0 

EM

30
31
2 - Redressement mono alternance
Caractéristiques du redresseur :
Le redresseur fournit une tension continue mais superposée avec une
tension variable souvent gênante, on définit le facteur d'ondulation
(ou de forme) par :
( VR ( t )  Vmoy )eff 2 2
Veff Vmoy
F F
Vmoy Vmoy
Ce facteur est d’autant plus faible que la tension redressée se
rapproche d’une tension continue.

Le rendement en puissance du redresseur est définit par :

Pu

Pe
Pu : la puissance utile
Pe : la puissance délivrée à l’entrée du redresseur.
32
2 - Redressement mono alternance / double alternance
Comparaison entre les différents redresseurs
Type du redresseur :
Mono-alternance Transfo point milieu Pont redresseur

❶ ❷ ❸

Pont de Graetz
Signal de sortie
typique
❶ ❷ ❸
Nbre de diodes 1 2 4
Rendement puiss 40.6% 81.2% 81.2%
Facteur de forme 1.21 0.48 0.48
Fréquence de sortie fin 2fin 2fin
Tension inverse Vemax 2Vemax Vemax 33
3 - Redressement mono alternance avec filtrage

La mise en parallèle d’un condensateur C sur la résistance RL

permet de réduire l’amplitude de la composante alternative ; les
harmoniques passent par C et la résistance RL est traversée
uniquement par le courant continue. On choisi des condensateurs
électrochimiques de fortes valeurs.

DV

34
 Effet de CL

Mono / double alternances

Remarques :
- période est divisée par 2
- l’ondulation est divisée par 2
- le signal redressé est filtré peut être assimilé à un signal en dents de scies (voir TDs).

35
Exercice 1 : Circuits à diodes

36
37
38
Exercice 2 : Circuits à diodes

39
40
Exercice 3-a : Redressement

41
Exercice 3-b : Filtrage

42
4 – Stabilisation d’une tension
À base d’une diode Zener
 Le but est de supprimer l’ondulation résiduelle après le filtrage capacitif.
 La tension de rupture VZ (tension Zener ) est la tension que l’on souhaite avoir
sur la charge.

43
4 – Stabilisation d’une tension
Dans les conditions de fonctionnement normal, les variations citées
plus haut sont faibles. En petits signaux, le régulateur peut être
représenté par un quadripôle linéaire :

 vu   vu  vu 1
S   
 R i   
 C T 
 va  iu  0  iu  va  0 Vu T

vu(t) = S . va(t) + Ri . iu(t)

44
4 – Stabilisation d’une tension
Le but est de supprimer l’ondulation résiduelle après le filtrage capacitif.
 La tension de rupture (VZ) est la tension que l’on souhaite avoir sur la charge.
 R est une résistance de protection.

Régulateur de tension

Rz R Rz
S et Ri  Rz<< RL
R Rz R Rz

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4 – Stabilisation d’une tension
À base d’un circuit intégré

 Les régulateurs de tension de référence 78XX stabilise une tension de sortie

positive. Et 79XX stabilise une tension négative.
 Exemple MC 7805 C :

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 4 – Stabilisation d’une tension
À base d’un circuit intégré

 Régulateur de tension de sortie variable :

Le régulateur LM317 fourni à sa sortie une tension de référence : Vref =1.25V

On fixe R1 à 1.2KΩ. VL dépend directement de R2 comme suit :

47
Exercice : Régulation d’une tension

48
49