CRAO

Cours opérateur Radioamateur avec

compétence supérieure
Cours 2
Georges-André Chaudron
VE2VAB
21 février 2023
Agenda
Bipolaires et jonctions PN
A-002-001 Matériaux semiconducteurs et dopage
A-002-002 Composants à 2 jonctions: Diodes zener, varactor, et diodes métal semi-
conducteur
A-002-005 Redresseurs commandés au silicium (SCR)
A-002-003 Transistors bipolaires et circuits classiques
A-002-004 Transistors à effet de champ: JFETs, MosFETs
A-002-007 Propriétés des amplificateurs classiques
A-002-001

MATÉRIAUX SEMICONDUCTEURS
ET DOPAGE
Configuration # Atomique
électronique croissant
constante
 Métaux
+/- grand surplus d’électrons
+/- bon conducteurs
 Métalloïdes

Les metalloïdes (vert kaki) ont des propriété s entre

les métaux (conducteurs) et les non-métaux (isolants)
 Silicium (Si) pur
Le silicium possè de: e-- disponible Site e--
• 4 é lectrons de valence disponible
(disponible au partage)
• 4 sites libres pour partage
S S
Dans un matériau pur: i i
• Tous les sites trouvent un e--
• Pas d’électron libre pour
conduction électrique
• Si pur est isolant
S S
i i
 Silicium (Si) dopé au Bore (B)
Le bore:
• 3 électrons de valence (disponibles)

Dans le Si dopé avec du B: S

i
S
i
S
i
• On a un e– manquant!
• Donc surplus de charges positives
• Si dopé au bore sera un
conducteur de type P (positif)
S S
i B i

S S S
i i i
 Silicium (Si) dopé au Phosphore (N)
Le phosphore:
• 5 é lectrons de valence
(disponible au partage) S S S
i i i

Dans le Si dopé avec du P:

• On a un surplus e–, charges
négatives!
• Si dopé Phosphore est un S S
P
conducteur type N (négatif) i i

S S S
i i i
Options de technologies et matériau
GaAs Si
+ haute puissance + inté gré

+ haute fréquence + circuits logiques

++ cher ++ disponible
+ options procédés
A-002-002

COMPOSANTS À 2 JONCTIONS:
DIODES ZENER, VARACTOR, ET
DIODES MÉTAL SEMI-CONDUCTEUR
Diode: Simple Jonction PN
Dans une jonction P et N les électrons et les trous se
recombinent pour créer une zone d’appauvrissement
(neutre)

Sans potentiel il n’y a pas de courant

i
Un potentiel direct suffisamment élevé force les trous
(coté+) et les électrons (coté -) à se recombiner en zone
neutre permettant le passage du courant

V=0.7
i=0
Un potentiel inverse éloigne les trous et les électrons de
la jonction et empêche le passage du courant
 .dc V1 -5 2 .01

Diode courbe V-I 1

Vg

Vanode
R1

Choisie en fonction: V1
D1
• Courant direct maximum
• Capacité à évacuer la chaleur dissipée 0 1N4148
• Fonction de surface de Si et du boîtier
• Tension inverse maximale
Vcathode
• Fonction de la fabrication de la jonction
• Par ex. largeur de la zone d’appauvrissement
TYPES DE DIODES COMMUNES
Varactor Zener
Générique Schottky
 Zener (régulateur) R1

R
D1
Zener V1
• Optimisée pour une tension d’avalanche (conduction BZX84C10L

inverse) spécifique V

• Tension avalanche ~fixe vs courant

• Référence de tension simple et pratique
• Protéger de la destruction avec une résistance

Choisie en fonction:
• Tension inverse (3V à 150V)
• Puissance dissipée

U = 10V
Diode Schottky (rapide)
Schottky:
• Jonction métal-semiconducteur (et non PN)
• Plus fragile que la diode PN au silicium (courant
direct et tension inverse plus bas)
• Plus rapide à commuter (changer d’état conducteur à
isolant et inversement)
• Diode haute fréquence
• Commutation
• Mesure de puissance RF Mélangeur doublement balancé
 Diode Varactor (C-variable)
Varactor
• Présente un capacité variable en fonction de la
tension inverse
• Capacité commandée par une tension

Choisie en fonction:
• Courbe de capacité vs tension inverse
• Capacité maximum

Résonnateur à fréquence
ajustable par une tension

C1

L1 C2
L2
V1 D1 L C L
MV2201
V
Diode PIN
Diode PIN
• Région non-dopée (Intrinsèque) entre région P et
région N
• Basse résistance RF en polarisation directe Intrinsèque = non-dopée
• Haute résistance RF en polarisation inverse
• Région intrinsèque réduit la capacité de jonction
• Diminue les fuites RF

Polarisation directe Polarisation inverse

C1 PIN1 C2 C5 PIN3 C6
RF_IN RF_OUT RF_IN RF_OUT

R1 R3

+ -
V1
- +V2

vs relais? É quivalent RF
R2 C3
RF_IN RF_OUT RF_IN RF_OUT
0.1 ~ 5 ohms 0.5 ~ 30 pF

Conduction Isolation
A-002-005

REDRESSEURS COMMANDÉS AU
SILICIUM (SCR)
Le thyristor
SCR (Silicon Controlled Rectifier)

• Le thyristor agit comme une diode sauf que

• Constitué de deux transistors BJT interconnectés sur la même puce
• La conduction directe débute avec une impulsion de grille
• Donc peut être retardée p/r au voltage direct
• Une fois amorcée la conduction et totale
• Comme une diode le courant est interrompu en polarisation inverse
• Nécessite un second élément pour la conduction inverse, par exemple pour la
seconde alternance d’un système 120 V AC monophasé

• Sert en circuit alternatif à commander l’énergie entrant dans un circuit A

• Commande de puissance de kW à MW

• Sert à court-circuiter une alimentation en urgence (crowbar) G

C
 Gate
Trigger
Porte
Gâchette

A P
N
G P

N
C
Commande de puissance

• Un circuit détecte la transition par 0V de la

source AC
• Il retarde l’angle d’allumage de la grille
• Commande la puissance livrée à la charge
• Chauffage variable
• Vitesse de moteur
• Voltage d’une source DC
Interruption de sécurité sur alimentation
(Crowbar)

• Sert de protection sur un circuit sensible

• Le thyristor court-circuite l’alimentation et
le condensateur de filtrage (C1) rapidement
A-002-003

TRANSISTORS BIPOLAIRES ET
CIRCUITS CLASSIQUES
TRANSISTOR BIPOLAIRE
 Polarisé & injection
Polarisé
Jonction bipolaire NPN d’e- dans la base

• Fait d’une jonction P est en sandwich entre deux

jonction N (ou l’inverse pour le PNP)
• Le courant est bloqué par la zone en polarisation
inverse entre le collecteur et la base
• L’injection de courant dans la base provoque
• (a) combinaison e--trous
• (b) aspiration d’e- Vue microscopique des jonctions
• (a)+(b) environs 1% des e-
• (c) saut d’e- directement dans la région appauvrie qui sont
aspirés dans le collecteur (d) par le champ électrique
• (c)+(d) pour 99% des e- pour un gain de 100

• Le BJT est soit

• Amplificateur courant-courant
• Interrupteur
Transistor bipolaire NPN
(multiplicateur de courant)
• Le courant est injecté dans la jonction base-émetteur

• Multiplié dans le collecteur par le gain β

• β défini comme: , et β >> 1 (typ. 3 à 300) NPN

P
• α défini comme: , et α ~= 1 (typ. 0.66 à 0.997) N
Transistor bipolaire PNP
(multiplicateur de courant)
• Le courant est injecté dans la jonction base-émetteur

• Multiplié dans le collecteur par le gain β

• β défini comme: , et β >> 1 (typ. 3 à 300) PNP

N
• α défini comme: , et α ~= 1 (typ. 0.85 à 0.99) P

• Identique au NPN avec la polarité de la source inversée

Polarisation NPN vs PNP
• Utilisation similaire mais inversion des tensions
et courants
• Permet l’arrêt ou la conduction avec des tensions
inversées selon les besoins
• Permets des étages de gain complémentaires
CIRCUITS CLASSIQUES À
TRANSISTORS BIPOLAIRES
 • Entrée sur la base
É metteur commun • Sortie sur le collecteur
• É metteur à un potentiel fixe (commun)

Expression simplifiée
Définitions
Sans dégénération Avec dégénération (+Re)

Gain en courant β β

Gain en tension

Vpos
Vpos
Rc Rc

Circuit

Vc
Vc
Vout
Vout
Rb
Rb Vin Vb Q1
Vin Vb Q1

Ve
Re
 • Entrée sur la base
Collecteur commun • Sortie sur l’émetteur
• Collecteur à un potentiel fixe (commun)

Définition Expression Expression Conditions de

complète simplifiée simplification
Gain en courant

Gain en tension

Vpos
Vc
Circuit
Rb
Vin Vb Q1

Vout
Re
 • Entrée sur l’émetteur
Base commune • Sortie sur le collecteur
• Base sur un potentiel fixe (commune)

Définition Expression Expression Conditions de

complète simplifiée simplification
Gain en courant

Gain en tension

Vpos
Rc
Circuit
Ci Co
Ve Vc
Vin Vout

Q2
Re

Rb

Vneg
 Transformation α <–> β

Combinant on obtient et
Détails du calcul en annexe
 Exemple: Commuter un relais avec un uC

12V

12V
But: V1
• La puce microscopique du uC n’a pas la capacité de S1
commuter une charge importante V
D1 L1

• Utiliser un transistor pour multiplier la capacité de SW

courant
• Saturer le transistor et minimiser la dissipation de R1
Q1 Arduino_digital_port
Q1
2N3904
• Choisir Q1 en fonction de la tension appliquée à L1
• Calculer R1
• Saturer Q1
• Protéger le uC et Q1 de sur-courant

Composants:
uC: Va = 3.6V, Ia-max = 5 mA
Relais: V = 12V, I = 50 mA
Transistor: β (lire hFE) = 30 minimum à 100 mA
A-002-004

TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP:

FETS, JFETS, MOSFETS
 Type N
Le TEF (J-FET) (i.e. jonction type N)

transistor Effet de Champ / Junction Field Effect Transistor

P N
• Le FET (Transistor à effet de champ) est fait d’un canal
(N ou P) entre deux électrodes, le drain et la source
• Il possède une grille qui
• Commande l’ouverture du canal et contrôle le courant
• Est séparée du canal par une jonction PN en polarisation inverse
• Possède une très haute impédance d’entrée

• Le FET est
• Amplificateur tension (grille) – courant (drain-source)
• Interrupteur avec une tension Vg suffisante

• Nommé type N ou P selon le dopage du canal

 Type N
(i.e. jonction type N)

Comportement
• Pour Vgs < Vp
• Le canal Drain-Source est partiellement ouvert
• ~Résistance variable Zone résistance
variable
• Pour Vgs >= Vp
• Le courant de canal ID est commandé par le voltage de
grille (commande en tension)
• Indépendant de VDS (Source de courant)

• Comportement tension  courant

Vp : Voltage « Pinch-off » = fermeture du canal

Zone tension
 courant
Type N vs P
Type N
• Utilisation similaire mais inversion des tensions (i.e. jonction type N)

et courants
• Permet l’arrêt ou la conduction avec des tensions
inversées selon les besoins
• Permets des étages de gain complémentaires

Type P
(i.e. jonction type P)
A-002-004-001

MOSFETS
MOSFET
Metal oxide semiconductor field-effect transistor MOSFET type N à enrichissement

• Constitué d’un canal commandé par une grille

qui
• Est séparée du canal par une couche isolante
• Permet une polarisation du canal positive ou négative

• Le MOSFET
• Deux structures de dopage: Type P et type N
• Deux densité de dopage chacun:
• Appauvrissement (depleted): Naturellement conducteur, Canal naturellement fermé, nécéssite
devient isolant sous l’effet de la grille une polarization de grille pour
• Enrichissement (enhancement): Naturellement isolant, conduire
devient conducteur sous l’effet de la grille
États de conduction d’un MOSFET type N à
enrichissement
1 2
3
2
4
3 4

VTH: Seuil (threshold) entre linéaire et saturé

VDS: Voltage Drain-Source
VGS: Voltage Grille-Source
IDS: Courant Drain-Source
 Groupe MOSFET

Canal type P

Canal dessiné Canal dessiné

ouvert fermé

N P
Canal type N

D: Drain
Enrichissement Appauvrissement G: Grille
S: Source
Protection MOSFETs
• La couche isolante de la grille est
extrêmement mince et fragile
• Une Zener empêche d’endommager la grille
avec une surtension durant la fabrication,
l’assemblage ou l’utilisation
CIRCUITS CLASSIQUES À FET
 • Entrée sur la grille
Source commune • Sortie sur le drain
• Source à un potentiel fixe (commun)

Expression simplifiée
Définitions
Sans dégénération Avec dégénération (+Re)

Gain en courant

Gain en tension

Circuit
 • Entrée sur la grille
Drain commun • Sortie sur la source
• Drain à un potentiel fixe (commun)

Définition Expression Expression Conditions de

complète simplifiée simplification
Gain en courant

Gain en tension

Circuit
 • Entrée sur le drain
Grille commune • Sortie sur la source
• Grille sur un potentiel fixe (commune)
Définition Expression Expression Conditions de
complète simplifiée simplification
Gain en courant

Gain en tension

rD: Résistance interne

Circuit du drain
Annexe: Détails du calcul de α et β