COMPOSANTS

ELCTRONIQUES
 1. Les diodes

– I. Principe de la diode
• 1. Semi-conducteurs
• 2. Dopage
– a. type N
– b. type P
• 3. Jonction PN - diode
– a. Diode non polarisée
– b. Polarisation directe
– c. Polarisation inverse
• 4. Caractéristique d ’une diode
• 5. Droite de charge
• 6. Approximations d ’une diode
– a. diode idéale
– b. diode réelle
– II. Redressement et filtrage
• 1. Alimentation stabilisée
• 2. Transformateur
• 3. Redresseur demi-onde
– a. diode idéale
– b. diode réelle
• 4. Redresseur en pont
– a. diode idéale
– b. diode réelle
• 5. Filtrage
– a. signal demi-onde
– b. signal pleine onde
Introduction : notations
 Introduction : notations

• V(t) : tension instantanée composée d ’un terme

continu V0 et d ’un terme alternatif pur v(t)
• v(t) = Vmax sin (wt + j) dont
– Vmax est l ’amplitude crête
– Veff = Vmax/sqrt(2) la valeur efficace
• wt + j : angle en radians
• w : pulsation en rad/s = 2Πf
• f : fréquence en Hz = 1/T
• T : période en secondes
• j : phase à l ’origine en radians
 Introduction : notations

• Notations en grandeur complexe

– V = (V ; j)
• V : grandeur complexe
• V ou |V| : module (valeur efficace)
• j : argument
– V = V e jj = V (cos j + j sin j)
– V=a+jb
• a : partie réelle
• b : partie imaginaire
– a = V cos j ; b = V sin j
– V = Ö(a² + b²) ; j = atan b/a
Chap 1. Les diodes
I.1. Semi-conducteurs
 I.2. Dopage

• Semi-conducteur intrinsèque : cristal de silicium

pur
• Dopage : ajout d ’atomes d ’impuretés pour
augmenter le nombre de charges à semi-
conducteur extrinsèque
– a. Type N
• ajout d ’atomes à 5 électrons sur la couche périphérique à
électrons porteurs majoritaires
– Arsenic (As), Antimoine (Sb), Phosphore (P)
– b. Type P
• ajout d ’atomes à 3 électrons sur la couche périphérique à
trous porteurs majoritaires
– Aluminium (Al), Bore (B), Gallium (Ga)
I.3. Jonction PN - Diode
I.3. Jonction PN - Diode
I.3. Jonction PN - Diode
I.4. Caractéristiques
I.4. Caractéristique
 I.4. Caractéristique

• Polarisation directe :
– la diode ne conduit pas tant qu ’on n ’a pas surmonté
la barrière de potentiel
– Au-delà de Vd = 0,7 V, une petite augmentation de
tension implique une forte augmentation de courant
• Polarisation inverse : on obtient un courant
extrêmement petit
• diode : conducteur à sens unique
– Ne pas dépasser la tension de claquageet la
puissance limite
I.5. Droite de charge
I.5. Droite de charge
I.6. Approximations
I.6. Approximations
II. Redressement et filtrage
II.2. Transformateur
II.3. Redresseur demi-onde
II.3. Redresseur demi-onde
II.4. Redresseur en pont
II.4. Redresseur en pont
II.5. Filtrage
II.5. Filtrage