Chapitre I:Introduction aux semi-

conducteurs

Pr. Ahmed EL ABBASSI

Filière : Licence Sciences et Technique:

☞ Sciences de l’Ingénieur
☞ Energies Renouvelables

Au: 2020/2021
Chapitre I:Introduction aux
semi-conducteurs
Introduction aux semi-conducteurs
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conducteurs
I.1 Atome et électrons de valence
 Semi-conducteurs de la colonne IV (Ge, Si) – Réseau
Les électrons d’un atome isolé prennent des valeurs d’énergie discrètes
o Pour chaque niveau : nombre limité d’électrons (2n2).
o les niveaux les plus proches du noyau sont occupés.
o Pour le silicium :
Numéro atomique Z = 14
2 électrons sur la première couche (n = 1)
8 sur la seconde (n = 2)
4 sur la dernière (nombre de places = 18) (n=3)
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conducteurs
I.2. Mécanismes de conduction
Courant d’électrons et de trous
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semi-conducteurs
I.3. Dopage
Semi-conducteurs de type N
 Atomes (ou impuretés) de type donneur (d’électrons) en faible quantité
 Conduction par électrons plutôt que par trous
 Cristal de la colonne IV  atomes la colonne V (phosphore)
 Un faible apport d’énergie (0,04 eV), par exemple dû à une
température différente de 0 K, peut libérer le cinquième électron de
l’atome de phosphore
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semi-conducteurs
I.3. Dopage
Semi-conducteurs de type P

Atomes (ou impuretés) de type accepteur (d’électrons) en faible quantité

 Conduction par trous plutôt que par électrons
 Cristal de la colonne IV ☞ atomes la colonne III (bore)
 Un faible apport d’énergie permet à l’atome de bore de subtiliser un
électron à un proche voisin
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semi-conducteurs
I.4. Formation de la diode PN
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conducteurs
I.4. Formation de la diode PN
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conducteurs
I.4. Formation de la diode PN
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semi-conducteurs

I.4. Formation de la diode PN

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semi-conducteurs
I.4. Formation de la diode PN
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semi-conducteurs
I.4. Formation de la diode PN
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semi-conducteurs
I.4. Formation de la diode PN
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semi-conducteurs
I.4. Formation de la diode PN
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I.4. Formation de la diode PN

ZCE : la Zone de Charge d’Espace correspond à la zone dans laquelle il

n’y a pas de porteurs libres (électrons et trous)
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I.4. Formation de la diode PN

Le champ électrique interne de la diode correspond à la tension Vb

dont la valeur est très proche de VS.
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I.4. Formation de la diode PN
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semi-conducteurs
I.4. Formation de la diode PN
☞VD est la tension appliquée aux bornes de la diode. Elle modifie la
valeur de la tension interne de la diode.
☞VD modifie la longueur de la ZCE et crée un déséquilibre entre les
phénomènes de conduction et de diffusion.
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conducteurs
I.5. Polarisation direct : V.D > 0
Dans ce cas Vb - VD < Vb
est la ZCE est plus étroite.
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conducteurs
I.5. Polarisation direct : VD > 0
☞Dans ce cas Vb - VD < Vb est la ZCE est plus étroite.
☞ Il y a un appel de courant pour combler une
partie de la ZCE.
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semi-conducteurs
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☞ n’est plus suffisamment grand pour ramener tous porteurs qui
traversent la ZCE.
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I.5. Polarisation direct : VD > 0

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semi-conducteurs
I.5. Polarisation direct : VD > 0
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conducteurs
I.5. Polarisation direct : VD > 0
☞L’électron qui reste dans la zone P se déplace par diffusion vers le
contact.
☞ Un autre électron prend sa place dans la zone N.
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semi-conducteurs
I.5. Polarisation direct : VD > 0
☞L’électron qui reste dans la zone P se déplace par diffusion vers le
contact
☞Un autre électron prend sa place dans la zone N
☞Il existe un courant ID > 0 qui augmente avec VD
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I.5. Polarisation direct : VD > 0
☞Il se passe la même chose avec les trous.
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I.5. Polarisation direct : VD > 0

☞Le courant ID est constitué d’un courant de trous et d’un courant

d’électrons

☞Plus VD est grand, moins le champ électrique ramène les porteurs et donc
plus le courant ID est grand.
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I.6. Polarisation direct : VD < 0

☞La ZCE s’agrandit et il existe un courant transitoire

pour évacuer les électrons et les trous
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I.6. Polarisation direct : VD < 0
☞Dans la zone P (resp. N) il existe des électrons (resp. trous) en très
faible quantité qui sont attirés par le champ électrique et traverser la
ZCE.
☞ Exemple pour la zone N : électrons 1023 m-3, trous 108 m-3
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I.6. Polarisation direct : VD < 0
☞ Dans la zone P (resp. N) il existe des électrons (resp. trous) en très
faible quantité qui sont attirés par le champ électrique et traverser la
ZCE.
☞ Exemple pour la zone N : électrons 1023 m-3, trous 108 m-3
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semi-conducteurs
I.6. Polarisation direct : VD < 0
☞ Dans la zone P (resp. N) il existe des électrons (resp. trous) en
très faible quantité qui sont attirés par le champ électrique et traverser
la ZCE.
☞ Exemple pour la zone N : électrons 1023 m-3, trous 108 m-3
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semi-conducteurs
I.6. Polarisation direct : VD < 0
☞ ID (< 0) est donc constitué là aussi d’un courant de trous et d’un
courant d’électrons
☞ ID est très faible en raison du faible nombre de porteurs mis en
jeu.
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I.7. Caractéristique ID(VD) plus réaliste
☞ En plus des courants de diffusion, il existe des phénomènes
parasites qui modifie l’allure de la courbe.
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I.7. Caractéristique ID(VD) plus réaliste
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I.7. Caractéristique ID(VD) plus réaliste
Fonctionnement réel de la diode PN : VD > 0 (recombinaison)
En direct : courant de recombinaison (électrons trous) dans la ZCE
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I.7. Caractéristique ID(VD) plus réaliste
Fonctionnement réel de la diode PN : VD > 0 (recombinaison)
En direct : courant de recombinaison (électrons-trous)
dans la ZCE.
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semi-conducteurs
I.7. Caractéristique ID(VD) plus réaliste
En plus des courants de diffusion, il existe des phénomènes
parasites qui modifie l’allure de la courbe.
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I.7. Caractéristique ID(VD) plus réaliste
En plus des courants de diffusion, il existe des phénomènes
parasites qui modifie l’allure de la courbe.
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I.8. Résumé des courants
☞ Fonctionnement réel de la diode PN
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I.8. Résumé des courants
 Fonctionnement réel de la diode PN
diode idéale
 RS
 génération / recombinaison
 avalanche
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I.9. Comportement capacitif

☞ Une variation VD implique une variation  Q

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I.9. Comportement capacitif
☞ Une variation VD implique une variation  Q
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I.9. Comportement capacitif
☞ Une variation VD implique une variation  Q
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I.9. Comportement capacitif
☞ Une variation VD implique une variation  Q
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I.9. Comportement capacitif
☞ Une variation  VD implique une variation  Q : courant transitoire
☞ La diode a aussi un comportement capacitif :
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semi-conducteurs
I.9. Comportement capacitif
☞ Une variation  VD implique une variation  Q : courant transitoire
☞ La diode a aussi un comportement capacitif :

☞ Cet effet capacitif est avantageusement utilisée avec les diodes « varicap »
dans les circuits d’accord des récepteurs radios et des téléviseurs
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semi-conducteurs
I.10. La diode en commutation
☞ Mouvement des électrons et des trous
 Initialement la diode est polarisée en direct : VD > 0, ID > 0
 On polarise brusquement la diode en inverse : VD < 0, ID < 0
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I.10. La diode en commutation
☞ Mouvement des électrons et des trous
 Initialement la diode est polarisée en direct : VD > 0, ID > 0
 On polarise brusquement la diode en inverse : VD < 0, ID < 0
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I.10. La diode en commutation
☞ Mouvement des électrons et des trous
☞ Initialement la diode est polarisée en direct : VD > 0, ID > 0
☞ On polarise brusquement la diode en inverse : VD < 0, ID < 0
Phase 1 : évacuation des électrons (zone P) et des trous (zone N)
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I.10. La diode en commutation
☞ Mouvement des électrons et des trous
☞ Initialement la diode est polarisée en direct : VD > 0, ID > 0
☞ On polarise brusquement la diode en inverse : VD < 0, ID < 0
Phase 1 : évacuation des électrons (zone P) et des trous (zone N)
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Phase 2 : élargissement de la zone désertée
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I.10. La diode en commutation
 Mouvement des électrons et des trous
☞ Initialement la diode est polarisée en direct : VD > 0, ID > 0
☞ On polarise brusquement la diode en inverse : VD < 0, ID < 0
 Phase 1 : évacuation des électrons (zone P) et des trous (zone N)
 Phase 2 : élargissement de la zone désertée
Si la fréquence de commutation de VD est trop élevée alors
la diode est toujours passante !!!!!
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semi-conducteurs
Jonction PN

Fin chapitre I