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I- Les semi-conducteurs :
Un matériau semi-conducteur, comme le silicium, le germanium est un mauvais conducteur d’électricité. Un
semi-conducteur dopé est un semi-conducteur dans lequel on diffuse des impuretés pour réduire sa résistivité et
par conséquent le rendre plus conducteur. Le caractère N ou P du dopage dépend de la nature des charges mises
en œuvre dans le processus de conduction d’électricité.
Semi-conducteur de type N : Obtenus par dopage = introduction d’atomes du groupe V (5 sur la
couche de valence) en place d’atomes de Si, généralement du phosphore P ou de l’arsenic As. Il ya
libération d’un libre, les 4 autres se liant aux atomes de Si voisins.
Un semi-conducteur dopé N est un semi-conducteur dans lequel les porteurs libres sont des électrons.
Semi-conducteur de type P : Obtenus par dopage = introduction d’atomes du groupe III (3 sur la
couche de valence) en place d’atomes de Si, généralement du bore B ou du gallium Ga. Seules trois liaisons
covalentes peuvent être créées, le 4ème reste incomplet, un trou est créé pour chaque atome de dopage. Il
va pouvoir être comblé par un d’une liaison covalente proche.
Un semi-conducteur dopé P est un semi-conducteur dans lequel les porteurs libres sont des trous.
1
2) Montage :
Pour tracer la courbe : caractéristique tension-intensité da la diode
on réalise le montage électrique suivant :
On varie la tension et on mesure l’intensité : Tableau de mesure :
U(V) 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,45 0,5 0 ,55 0,6
I (mA)
0,65 0,7 0,72 0,74 0,76 0,78 0,8 0,82 0,84 0,86
5) Remarque :
Une diode qui laisse passer le courant dans le sens inverse pour une tension négative égale à sans se
détériorer est appelée diode Zener. La tension de claquage est appelée tension Zéner.
La diode Zéner est symbolisée par :
2
IV- Caractéristique d’une diode zéner:
1) Polarisation directe :
En polarisation directe la diode zéner à une caractéristique comparable à celle de la diode à jonction.
2) Polarisation inverse :
• Réaliser le montage de la figure ci-contre :
• Relever les couples de valeurs (I, U).
• Tracer la caractéristique tension- intensité I = f (U). Avec U = UAB.
On conviendra de compter négativement l’intensité I si le
courant circule de B vers A.
• Pour des tensions UZ < UAB < 0 la diode ne laisse pas passer du
courant.
• Le courant inverse I augmente fortement (en valeur
absolue) pour UAB < UZ.
• Pour UAB < UZ, la variation de la tension aux bornes de la
diode est très faible : La tension, dans cette zone, est
presque constante. Cette tension constante est appelée
tension Zéner notée VZ. D’où l'intérêt de la diode Zéner
pour stabiliser une tension.
V- Application :
On veut réaliser une alimentation stabilisée (12 V ; 30 mA)
à partir d’une source de tension constante de 24 V.
On dispose d’une diode Zéner BZX55-C12 dont les
caractéristiques techniques sont :
Vz = 12 V ; Pz = 500 mW ; Izmax = 32 mA et Izmin = 0(Diode
idéale)
1) Faire le schéma du montage qui permet la réalisation de
cette alimentation.
2) Calculer la résistance de protection Rp.
3) Calculer le courant maximal traversant Rp. (sans stabilisation).
4) a-Calculer l’intensité du courant correspond à la puissance Pz de la diode
b- Calculer La puissance dissipée dans la résistance de protection.
1)
UR
AN : Rp=
3) On a : I= .
4) a- Pz Uz*I’ I’
b-P=R.I’2=375*(0,04166)2=0,65W.