Chapitre I Généralités sur les métaux à base de l’indium

Généralités sur les

métaux à base de
l’indium In

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Chapitre I Généralités sur les métaux à base de l’indium

I.1. Introduction :

Les métaux et alliages industriels sont des corps constitués de divers constituants caractérisant
ses propriétés et ses caractéristiques. L’identification de ses constituants, est avéré
indispensable pour déterminer les relations entre le comportement et la tenue en services des
matériaux [1]. Les matériaux fonctionnels, qu'on utilise pour leurs propriétés physiques, telles
que la conductivité ou semi conductivité électrique, magnétisme, propriétés optiques … En
effet, on caractérise les propriétés d’un matériau à une échelle donnée. A cette échelle le
matériau est considéré comme homogène et continu. Si l’échelle à laquelle est caractérisée la
propriété est comparable à l’échelle de l’hétérogénéité interne du matériau. Les résultats
seront, en conséquences, dispersés.

I.2. Les différents types de des matériaux:

Les matériaux sont des substances naturelles, artificielles ou synthétiques, on peut distinguer
plusieurs types de matériaux : solides, liquides ou gaz.

I.2.1 Structure solide : les substances solides comportent des particules très compactes et
très ordonnées, le degré de liberté dans ces substances est presque nul [2].

I.2.2 Structure gazeuse : les substances gaz comportent des particules non compact et non
ordonnées, on peut dire que sont dispersées, leurs degré de liberté est plus élevé.

I.2.3 Structure liquide : les substances liquides sont des particules peu-compactes et non
ordonnées, le degré de liberté est moyennement faible.

Les matériaux solides peuvent être classés en trois groupes qui sont isolant, les
semiconducteurs, conducteur (métal). On distingue ces types de matériaux en fonction de leur
résistive ρ.

I.3. Isolant :

Tous les électrons sont fortement liés aux atomes du cristal. L’énergie nécessaire pour les
libérer est très élevée en particulier devant l’énergie thermique ou électrostatique qu’on peut
fournir en élevant la température ou en appliquant un champ électrique. Leur mobilité est
nulle. Et qui ont une énergie de gap supérieure à > 3 eV.

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I.4. Semiconducteur :

Ils ont une résistivité intermédiaire entre les conducteurs et les isolants et sont isolant au zéro
absolu. Les électrons libres et les trous mobiles sont les porteurs de charges responsables de la
conductivité électrique. La résistivité d’un métal peut être de l’ordre de 10−12 Ωm à 1K
(kelvin) sans parler de la supraconductivité ou la résistivité est rigoureusement nulle. La
résistivité d'un bon isolant peut atteinte 1020 Ωm. On a donc un rapport de 1032 entre un très
bon conducteur et un très bon isolant. Ce type de matériau ayant une énergie de gap plus
faible que l’isolant.

Figure I. 1:Structure en bandes d’énergie des matériaux ; Isolants, Semi-conducteurs et

Métaux

I.5. Conducteur (Les matériaux métalliques):

Une partie des électrons possèdent une énergie suffisante pour se libère presque totalement
des forces d’interaction avec le réseau. La présence des électrons libre dans la couche
périphérique (densité n≈1022à 1023 é/𝑐𝑚3) est à l’origine de la conductivité électrique. Leur
niveau d’énergie est situé dans la bande conduction qui ont une énergie de gap nulle. Les
métaux sont donc, des matériaux dont les atomes sont unis par des liaisons métalliques. Il
s'agit de corps simples ou d'alliages le plus souvent durs, opaques, brillants, bons conducteurs
de la chaleur et de l'électricité. Ils sont généralement malléables, c'est-à-dire qu'ils peuvent
être martelés ou pressés pour leur faire changer de forme sans les fissurer ni les briser. De
nombreuses substances qui ne sont pas classées comme métalliques à pression atmosphérique
peuvent acquérir des propriétés métalliques lorsqu'elles sont soumises à des pressions élevées.
Les métaux possèdent de nombreuses applications courantes, et leur consommation s'est très

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fortement accrue depuis les années 1980, au point que certains d'entre eux sont devenus des
matières premières minérales critiques.

Les métaux sont classés en deux grandes classes les métaux ferreux et les métaux non ferreux.

a/ Les métaux ferreux : Le Fer, métal tenace et malléable, utilisé pour les grilles de
jardin,

portails, clôtures. La Fonte, alliage de fer et de carbone, qui utilisée pour les radiateurs, les
garde-corps et certaines canalisations. L'Acier doux, mélange de fer et de carbone, utilisé dans
la construction sous forme de poutrelles ou de tôles, que l'on retrouve dans des grilles, portes,
volets...Tous ces matériaux doivent protégés de l'oxygène et de l'humidité.

b/ Les métaux non ferreux : Le Zinc, qui s'altère peu, est utilisé pour les gouttières, les
couvertures de maison. L'Aluminium, qui se retrouve sur fenêtres, portes et portails grâce à sa
résistance aux intempéries. Le Cuivre, inaltérable à l'eau et à la vapeur d'eau. L'Acier
galvanisé, acier enrobé, qui est utilisé pour des portes de garages, des rambardes. Sur ces
métaux, on est appelé à appliquer une sous-couche appropriée avant la finition.

I.6. Les allaiges:

Un métal c'est une matière simple, cristalline ayant un éclat particulier appelé métallique et
conduisant la chaleur et l'électricité.

Un alliage c'est un produit de la masse métallique constitué au moins par deux ou par
plusieurs éléments chimiques, métalliques ou non. Dans la plupart des cas les alliages sont
complexes étant constitués par plusieurs composants. Une formation d'un alliage a pour objet
d'améliorer les propriétés des métaux pour leurs exploitations industrielles.

I.6.1. Eléments chimiques des alliages:

a/ Eléments de base : Ce sont les principaux éléments chimiques qui forment un alliage.

b/ Eléments d'accompagnement : Ce sont les éléments chimiques qui accompagnent un

alliage à partir de son élaboration. Leurs teneurs sont limitées par une norme technique. En
dépassant cette limite, il s'agit d'un alliage spécial, c.à.d. d'un alliage contenant les éléments
d'addition. Au dessous de cette limite, il s'agit d'un alliage ordinaire.

c/ Eléments d'addition : Ce sont les éléments chimiques qui sont additionnés dans un alliage
pendant son élaboration pour former un alliage spécial à des propriétés et caractéristiques
particulières. Leurs teneurs inférieurs sont définis par la norme technique.

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I.6.2. Classification des alliages :

D'après le critère de la composition chimique, on distingue les alliages ordinaires et les

Alliages spéciaux. Il y'a deux groupes principaux des alliages ferreux et ceux non ferreux.

I.6.2.1. Alliages ferreux:

Sont présentés par les aciers et par les fontes. Il s'agit des alliages constitués par le fer et le
carbone, éléments de base, et par les principaux éléments d'accompagnement (Mn, Si, P, S,...)
et éventuellement, par les éléments d'addition (Mn, Cr, Ni, Mo,...) Pour constituer un alliage
ferreux spécial.

Une appellation d'un tel alliage est dérivée d'après l'élément d'addition dont la teneur est
préférentielle.

I.6.2.2. Alliages non ferreux:

Ils sont classifiés d'après la teneur préférentielle d'un élément de base. Ainsi, distingue-t-on

les alliages de cuivre: bronzes (Cu–Sn), laitons (Cu–Zn),..., les alliages d'aluminium:

Duralumin, Silumin, les alliages de Zinc, les alliages de Plomb, les alliages d'étain, les
alliages de Nickel, etc.....

I.7.Les matérieux a base de InBi, InSe :

Parmi les composés formés par la colonne III-V, les binaires InBi et InSe ont fait l'objet. d'un
intérêt intense pour la recherche au cours des dernières années en raison de leur propriétés
physiques fondamentales et applications potentielles en photoélectronique [3]. InBi et InSe,
sont considérés comme plus des candidats respectueux de l'environnement pour remplacer les
métaux lourds bien connus contenant des émetteurs nanocristallins tels que CdSe et CdTe [4].
En outre, ils trouvent de nombreuses applications dans les hautes dispositifs optoélectroniques
performants en raison de leurs propriétés électroniques convenables, y compris une haute
mobilité électronique, bande interdite directe et faible énergie de liaison des excitons [5,6].
Développer ces alliages pour diverses applications optoélectroniques, telles que les lasers à
courte longueur d'onde et les détecteurs ultraviolets, nous devons combiner deux, trois ou
quatre composés binaires différents avec des composants électroniques différents.

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De plus, InSe possède la plus faible conductance thermique, faible fréquence de coupure, des
faibles vitesses de groupe de phonons et de la présence de grands écarts de fréquence [7]. Ces
comportements uniques d'InSe monocouche peuvent permettre la fabrication de nouveaux
dispositifs, tels que module thermoélectrique, phonon monomode canal et laser photonique.

I.8.Structure cristalline:

Les caractéristiques physiques fondamentales des semiconducteurs se manifestent lorsque le

matériau se trouve à l’état solide particulier, dite état cristallin. L’état cristallin se distingue
des autres états solides par le fait que, les atomes s’organisent suivant un ordre défini. Cet état
est engendré par la répétition périodique d’atomes ou de groupement d’atomes (de même
nature ou de nature différente) appelé motif du cristal ou maille suivant les trois directions de
l’espace et qui permet, par translation, de générer la structure cristalline [8].

En générale, les semiconducteurs se cristallisent dans l’une des structures suivantes : structure
Diamant, structure Zinc Blende (Cubique), structure Wurtzite (hexagonale) et la structure
Rocksalt (NaCl) [9].

I.8.1 Paramètre de maille pour un réseau cubique:

Le paramètre de maille ‘a ’ dans un cristal est équivalent à la distance qui sépare deux atomes
voisins. Lorsqu’un atome étrange est introduit dans un réseau cristallin, il provoque en
général une variation du paramètre cristallin qui se traduit par une dilatation ou une
contraction du réseau, en fonction de la taille des atomes [3].

I.8.2 Structure Zinc Blende :

La plupart des matériaux semi conducteurs binaires ont une structure Zinc-Blende (ZB). Cette
structure, qui s’apparente à celle du diamant, elle est constituée de deux sous-réseaux
cubiques à faces centrées.

Figure I.2. Structure zinc blende référence

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Comme nous pouvons le voir sur la Figure (I. 2), la maille blende revient à une cubique à
face centrée dans laquelle les sites tétraédriques non contigus sont tous occupés, soit une
multiplicité de 8 atomes par maille (dont autant de cations que d’anions). Le rôle des deux
ions étant symétriques, la maille blende se décompose donc en deux sous-réseaux cubiques à
faces centrées imbriqués, décalés d’un quart de la grande diagonale du cube, l’une étant
occupé par l’anion (N, As ou Sb), l’autre par le cation (Al, Ga ou In). Ils existent quelques
semiconducteurs se cristallisent dans la structure Wurtzite (Hexagonale) ou Rocksalt (NaCl)
[10]. Les deux structures sont présentées dans la Figure (I. 3) suivante :

La structure Wurtzite La structure Rocksalt

Figure I.3. Les structures Wurtzite et Rocksal

I.8.3.La structure cristallin du InBi, InSe:

Le composé InBi cristallise dans le système cristallin tétragonal avec des couches d'indium et
bismuth, qui sont situés dans des plans perpendiculaires à l'axe c [11]. Les couches de
bismuth sont séparées par des couches d'indium entre lesquelles la liaison est supposée faible
et pour cette raison responsable de la division facile [12,13]. Cela se reflète dans les propriétés
élastiques des échantillons InBi. Comme un du résultat de ces caractéristiques c’est le degré
élevé d'anisotropie dans des directions mutuellement perpendiculaires de la propriété
physique, mesurées à des températures basses et ambiantes [14]. Les atomes In et Se de la
monocouche sont disposés dans la séquence [Se-In-In-Se], formant un réseau en nid d'abeille
de type graphène mais sans symétrie d'inversion, dans lequel aligné verticalement In- Les
paires d'atomes Se occupent différents sites de sous-réseaux [15,16].

Les atomes d'InSe sont hautement polarisés et une telle polarisation provoque une forte
interaction dipôle-dipôle, qui est essentielle pour maintenir sa stabilité structurelle [17].
l'évolution structurale de l'alliage InSe a été explorée jusqu'à 3.3 GPa et 1500 K avec
l'utilisation de la cellule grand volume Paris-Édimbourg. Ces conditions permettent d'étudier

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les états solide et liquide et de mesurer l'évolution de la pression du point de fusion, qui
augmente à une vitesse de +120KGPa [18].

Figure I.4. (a) Structure atomique de la monocouche InSe, où la cellule primitive hexagonale
(définie par Dh1 et Dh2). (b) Les premières zones de Brillouin correspondantes. ( c ) Vues
latérales de la bicouche β-InSe (panneau supérieur) et de la tricouche γ-InSe (panneau
inférieur) [19]

I.9.Effet de température et pression:

Les cristaux, ont été mesurés dans la plage de température entre la cryo et la température
ambiante [20, 21].il a été remarqué que l'anisotropie en dilatation thermique pour InBi est

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Chapitre I Généralités sur les métaux à base de l’indium

exceptionnellement élevée ∆α InBi ≈ 140 K-1. Les constantes élastiques d'InBi ont été
déterminées à partir de mesures ultrasonores à des pressions jusqu'à 24 kbar à 23°C [22].
Plusieurs vitesses mesurées en mode acoustique présentent de larges anomalies centré à ∼ 14
kbar [22]. Ces anomalies peuvent être dues à des changements induits par la pression dans les
propriétés électroniques du matériau [22]. La température de transition supraconductrice Tc
du composé InBi sous l’effet des pressions allant jusqu'à 40 GPa a été observée [23].

Parmi les semiconducteurs en couches 2D, il présente l'électron à température ambiante le

plus élevé mobilité (~103 cm2V-1s-1)[24, 25, 26]. Cela provient de la masse effective
relativement faible des électrons de la bande de conduction (CB) et les états CB antiliants In-s
dispersifs. [27] Aussi, il a une bande interdite directe de ~ 1,25 eV sous forme massive,
[28].qui augmente de près de 1 eV en monocouche InSe (2,1 eV)[29] en raison des effets
coopératifs du confinement quantique et de couplage intercouche.[30,31] Malgré sa faible
émission optique en couches minces [29,31] et le trou de basse mobilité,[32] InSe a déjà
trouvé des applications prometteuses dans les transistors à effet de champ,[25,32],
photodétecteurs [11, 33, 34] et capteurs d'image [35].

Figure I.5. Bismuth–indium two-dimensional compounds on Si(111) surface.(a) Atomic

model. (b) Experimental and simulated STM images [36].

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Chapitre I Généralités sur les métaux à base de l’indium

Figure I.6. Temperature–Pressure phase diagram of InSe [31].

I.10.Les application de ces matériaux:

Les nouveaux alliages ternaires et quaternaires obtenus ont des propriétés différentes ; une
telle différence donne lieu à des dépendances de composition inhabituelles des paramètres
fondamentaux de l'alliage tels que les paramètres de réseau, l'énergie de la bande interdite et
l'indice de réfraction tels que l’alliage InSbBi [37]. et GaAsBi [38], l'absorption optique
améliorée dans la région de la lumière visible et évidemment des mobilités anisotropes des
monocouches XBiSe3 (X = As, Sb) sont identifiées [39]. A nos connaissance, il n'y a pas de
rapports théoriques sur les propriétés structurelles, électroniques et optiques du ternaire
(InBi1−xSex). L'avantage de l'alliage dans le cas des alliages triangulaires est dû à la possibilité
de modifier la fraction x. Les changements des valeurs x peuvent offrir la possibilité de
modifier considérablement les propriétés structurelles, électroniques et optiques des alliages
triangulaires. Ainsi, notre L'objectif principal est d'étudier l'effet de la variation de la fraction
de bismuth et de sélénium dans le (InBi1−xSex) sur les propriétés structurales, électroniques et
optiques en utilisant la méthode non relativiste méthode d'onde plane augmentée linéarisées
au potentiel total (FP LAPW), où la composition x prenne les valeurs de (0, 0.25, 0.50, 0.75,
1). D'autre part, la motivation de ce travail est de prédire de nouveaux matériaux avec de
nouvelles propriétés par mélange de certains composés dont les propriétés sont bien connues.

Le séléniure d'indium (InSe) semi-conducteur bidimensionnel (2D) a attiré un grand nombre

intérêts en raison de sa structure de bande électronique unique, de sa mobilité électronique
élevée et de sa large énergie de la bande interdite obtenue en faisant varier l'épaisseur de la
couche [15–16]. Toutes ces fonctionnalités font que le matériau 2D InSe un candidat potentiel
pour les applications électroniques et optoélectroniques avancées.

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Chapitre I Généralités sur les métaux à base de l’indium

Conclusion :

Le présent chapitre explore quelques propriétés physiques importantes des composés binaires
InBi et InSe à titre exemple leur structure cristalline et les conditions d’élaboration, ces
composés binaire peuvent formés une série d’alliage ternaire comme celui-ci InBi 1-xSex dont la
longueur d’onde est ajustée par le changement de fraction molaire x en Sélénium. Ces
matériaux lamellaires de deux-dimensions sont caractérisés par une liaison atomique faible
entre les monocouches de l’Indium et de Bismuth ou bien le Sélénium. Dans ce travail, les
propriétés structurales, électroniques et optiques de l’alliage ternaire InBi1-xSex avec ses
constituants binaires InBi et InSe vont déterminés par la méthode des ondes planes
augmentées et linéarisées au potentiel total (FP-LAPW) dans le formalisme de théorie
fonctionnelle de la densité (DFT), le cadre théorique de cette méthode sera discuté en détaille
dans le chapitre qui suivre.

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