Cours Eléments de physique des composantes

Électroniques 2éme ST Électronique / S4

REPUBLIQUE ALGERIENNE DEMOCRATIQUE ET POPULAIRE

MINISTERE DE L’ENSEIGNEMENT SUPERIEUR ET DE LA
RECHERCHE SCIENTIFIQUE
UNIVERSITE DE TISSEMSILT

Faculté des sciences et de la technologie

Polycopié de cours :

Eléments de physique des composantes

électroniques

Domaine : Sciences et Technologie

Filière : électronique
Spécialité : 2éme année électronique/S4

Préparé par : Dr. ZAMI. Fatima

Année universitaire : 2020/2021.

 Cours Eléments de physique des composantes
Électroniques 2éme ST Électronique / S4

Contenu de la matière :
Chapitre I : Généralités sur les semi- conducteurs :
I-1 Notions de base
I-1-1 Le courant éléctrique
I-1-2 La structure atomique
I-1-2-1 Numéro atomique (Z)
I-1-2-2 Couches d’électrons et orbites
I-1-2-3 Materiaux cristallins et amorphes
I-2 Conducteur-- Isolant – Semiconducteur
I-2-1 Conducteur
I-2-2 Isolant
I-2-3 Semi-conducteur
I-2-3-1 Semi-conducteurs intrinsèques simples et composés
I-2-3-1-1 Semi-conducteurs intrinsèques simples
I-2-3-1-2 Semi-conducteurs intrinsèques composés
I-2-3-1-4 Semi-conducteurs intrinsèques à gap indirect
I-2-3-2 Semi-conducteur extrinsèque
I-2-3-2-1 Semi-conducteur type N
I-2-3-2-2 Semi-conducteur type P
Chapitre II : Jonction PN
II- Jonction PN `à l’équilibre thermodynamique
II-1 Etude d’une jonction PN abrupte non polarisée à l’équilibre
II-1-1 Jonction PN abrupte
II-1-2 Jonction graduelle
II-1-3 La charge d’espace
II-1-4 Calcul de la tension de diffusion Vd ; barrière de potentiel
II-1-5 Calcul de la largeur de la zone de charge d’espace w
II-2 Etude d’une jonction PN polarisée (hors équilibre)
II-2-1 Polarisation directe
II-2-2 Caractéristique courant – tension I(V) d’une diode
II-2-2-3 Types de jonctions PN

- Diode Zener

- Diode à avalanche

- Diode à effet tunnel

- Diode redresseuse
 Cours Eléments de physique des composantes
Électroniques 2éme ST Électronique / S4

Chapitre III : Transistor bipolaire

III- Transistor bipolaire
III-1 Définition
III-2 Transistors bipolaires non polarisé de type (NPN)
III-3 Effet de transistor
III-4 L’amplification
III-5 Résumé du fonctionnement d’un transistor
Chapitre IV : Transistors à effet de champ
IV- Transistors à effet de champ
IV-1 Transistors FET à hétérojonction
IV-2 Les principaux Transistors FET’S sur GaAs
IV-2-1 LE MESFET
IV-2-2 LE HFET
IV-2-3 LE HFMT
IV-2-4 LE PHFMT
IV-2-5 LE PHEMT DE PUISSANCE OU PPHEMT
Références bibliographiques
 Chapitre I : Généralités sur les semi-conducteurs

I-1 Notions de base :

I-1-1 Le courant éléctrique :
C’est le déplacement des porteurs de charges (électrons/ trous). Les porteurs de
charges doivent être libres pour qu’ils puissent se déplacer. Généralement les matériaux
qui possèdent cette caractéristique, sont les métaux, on les appelle “ les conducteurs “.

I-1-2 La structure atomique :

L’atome est composé d’électrons chargés négativement, de protons chargés
positivement et de neutrons non chargés (protons +neutrons =Noyau). Tout atome possède
un certain nombre d’électrons et de protons.

Figure1 : Composition de l’atome selon Bohr

I-1-2-1 Numéro atomique (Z) :

L’atome est symbolisé par 𝐀𝐙𝐗, ou Z représente le nombre de protons, A représente le
nombre de masse ou de nucléons (la somme des nombre de protons et de neutrons A= Z+
N).

I-1-2-2 Couches d’électrons et orbites :

Les électrons gravitent autour du noyau en orbites, ces orbites sont regroupées en
bandes énergétiques appelées couches sont désignées par K, L, M, N...etc. La couche la plus
éloignée c’est la couche de valence, ces électrons de valence contribuent aux réactions
chimiques et aux liaisons en déterminant les propriétés électriques des matériaux.

Figure 2 : Représentation des couches d’électrons

I-1-2-3 Materiaux cristallins et amorphes :

Dans les materiaux cristallins, les atomes sont rangés réguliérement aux nœuds d’un
réseau periodique ; la maille (ou motif) élémentaire se répéte réguliérement.
Dans les materiaux amorphes (non cristallins), l’ordre n’est que local et non répété à
longue distance.

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 Chapitre I : Généralités sur les semi-conducteurs

Figure 3 : Materiaux cristallins et amporphes.

I-2 Conducteur-- Isolant – Semiconducteur :

Selon les propriétés électriques, les matériaux sont classés en trois catégories,
conducteurs, isolants et semi-conducteurs, voir le schéma au dessous.

I-2-1 Conducteur :
Les métaux tels que le fer (fe), le cuivre (Cu), l’or (Au), l’argent (Ag) et l’aluminium
(Al) sont des conducteurs de courant électrique. Les meilleurs conducteurs ayant un seul
electrons de valence faiblement lié à l’atome. La présence d’électrons libres dans la couche de
valence est à l’origine de la conductivité électrique. A température ambiante la résistivité 
des conducteurs est très faible ( 10-5 .cm), une légère augmentation de la résistivité est
provoquée en augmentant la température, les électrons dans ce cas sont gênés dans leur
déplacement par des vibrations des atomes du métal.

I-2-2 Isolant :
Les matériaux qui ont une résistivité  supérieure à 108 .cm sont des isolants
(matériaux non conducteurs de courant électrique). Parmi ces matériaux ; le verre, le mica, la
silice (SiO2) et le carbone (Diamant)…La conductivité des isolants est donc très faible. Les
électrons de valence des isolants sont solidement liés à l’atome, laissant très peu d’électrons
libres de se déplacer.

I-2-3 Semi-conducteur :
Cette classe de matériaux se situe entre les métaux (conducteurs) et les isolants (non
conducteurs). La résistivité  des semi-conducteurs varie de 10-3 à 10+4 .cm. les électrons
libres et les trous mobiles sont les porteurs de charges responsables de la conductivité
électrique. Un semi-conducteur peut être soit intrinsèque (pur) ou extrinsèque (dopé) par des
impuretés.

 Semi-conducteur intrinsèque : la résistivité du silicium pur est de l’ordre de   103

.cm.
 Semi-conducteur extrinsèque : la résistivité du silicium dopé par le Bore ou le
phosphore est de l’ordre de 10-2 .cm.

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 Chapitre I : Généralités sur les semi-conducteurs

Figure 4 : Structure en bandes d’énergie des matériaux ; Isolants, Semi-conducteurs et

Métaux.

I-2-3-1 Semi-conducteurs intrinsèques simples et composés :

I-2-3-1-1 Semi-conducteurs intrinsèques simples :
Un semi-conducteur intrinsèque simple est constitué d’un seul élément tels que les
semiconducteurs de la colonne IV de la classification périodique par exemple ; le silicium (Si)
et de Germanium (Ge).

I-2-3-1-2 Semi-conducteurs intrinsèques composés :

Le semi-conducteur est constitué d’au moins deux types d’atomes différents. Les semi-
conducteurs binaires de la classe (II-VI) sont constitués d’un élément de la colonne II et d’un
autre élément de la colonne VI de la classification périodique. Les semi-conducteurs de la
classe (III-V) sont composés d’un élément de la colonne III et d’un autre élément de la
colonne V de la classification périodique. De même avec les semi-conducteurs de la classe
(IV-VI), voir le tableau :

Tableau 1 : Exemples des semi-conducteurs simples et composés.

I-2-3-1-3 Semi-conducteurs intrinsèques à gap direct :

Dans les semi-conducteurs à gap direct le maximum de la bande de valence et le
minimum de la bande de conduction sont au même point (même vecteur d’onde ⃗k).

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 Chapitre I : Généralités sur les semi-conducteurs

Figure 5 : Semi-conducteurs intrinsèques à gap direct.

I-2-3-1-4 Semi-conducteurs intrinsèques à gap indirect :

Dans les semi-conducteurs à gap indirect le minimum de la bande conduction est
situé à une distance du maximum de la bande de valence.

Figure 6 : Semi-conducteurs intrinsèques à gap indirect.

I-2-3-2 Semi-conducteur extrinsèque :

Un semi-conducteur est dit extrinsèque lorsque le semi-conducteur intrinsèque soit
dopé, l’introduction de certaines impuretés dans un matériau semi-conducteur permet d’y
modifier le nombre de porteurs libres.

Figure 7 : Semi-conducteur intrinsèque et extrinsèque.

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 Chapitre I : Généralités sur les semi-conducteurs

Le dopage d’un semi-conducteur intrinsèque consiste à substituer des atomes de semi-

conducteurs du réseau par des atomes étrangers, dans le but d’augmenter sa conductivité,
deux cas peuvent se présenter :

I-2-3-2-1 Semi-conducteur type N :

L’introduction en faible quantité d’atomes de type donneurs possédant 5 électrons
sur la dernière couche dans la bande de valence (comme l’Arsenic(As), l’Antimoine(Sb), et le
Phosphore(P), ces semi-conducteurs possèdent un excès d’électrons(les porteurs majoritaires
sont les électrons et les porteurs minoritaires sont les trous).

I-2-3-2-2 Semi-conducteur type P :

L’introduction en faible quantité d’atomes de type accepteurs possédant 3 électrons
sur la dernière couche dans la bande de valence (comme l’Aluminium(Al), le Bore(B), et le
Gallium(Ga), ces semi-conducteurs possèdent un manque d’électrons(les porteurs
majoritaires sont les trous et les porteurs minoritaires sont les électrons).

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 Chapitre II : Jonction PN

II- Jonction PN `a l’équilibre thermodynamique :

II-1 Etude d’une jonction PN abrupte non polarisée à l’équilibre :
Une jonction p-n est une homojonction formée par la juxtaposition d’un semi-
conducteur dopé type P (appelé anode) et d’un semi-conducteur dopé type N (appelé
cathode), tous les deux d’un même monocristal semi-conducteurs (fig1). Lorsque ces deux
types de semi-conducteurs sont mis en contact, un régime électrique transitoire s’établit de
part et d’autre de la jonction, suivi d’un régime permanent. Une jonction simple forme une
diode.

Figure 1 : Jonction métallurgique (PN)

A la température ambiante, tous les donneurs et les accepteurs sont ionisés. Les porteurs
majoritaires sont les électrons dans la région n et les trous dans la région p.
Une jonction PN est dite à l'équilibre thermodynamique lorsque :
o La polarisation appliquée entre les régions P et N est nulle.
o Le niveau de Fermi est le même partout dans la jonction p-n.
o Le courant total est nul.
o La diffusion des porteurs majoritaires vers les régions de plus faible
Concentration
- électrons région p
- trous région n
o La création d'une zone de charge d'espace ZCE désertée en porteurs (dépeuplée)
de part et d’autre de l’interface de la jonction (depletion layer) : charges fixes, donneurs
et accepteurs ionisés.
o L’établissement d'un champ électrostatique de N vers P qui s'oppose à la
diffusion des porteurs majoritaires.

II-1-1 Jonction PN abrupte :

Dans une jonction abrupte, la concentration en impuretés varie brutalement de la
région dopée type P à la région dopée type N. C'est-à-dire, la différence Nd – Na passe d’une
manière brutale à x = 0 d’une valeur négative dans la région dopée type P à une valeur
positive dans la région dopée type N, (voir fig. 2a).
II-1-2 Jonction graduelle :
Dans une jonction graduelle, la concentration en impuretés est une fonction
dépendante de x autour de la région de contact. C'est-à-dire, la différence (Nd – Na) dépend de
x entre Xp et Xn (voir fig2b), cas d’une dépendance linéaire.

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 Chapitre II : Jonction PN

Figure 2 : Evolution de la différence (Nd

– Na). a) abrupte et b) graduelle.

II-1-3 La charge d’espace :

Considérons les deux types de semi-conducteurs avant la formation de la jonction, fig3

Figure 3 : Formation de la jonction (PN) et diffusion des porteurs de charges

(Électrons et trous).
Après la formation de la jonction entre les deux types de semi-conducteurs provoque :
o Un potentiel interne de la jonction apparait entre les deux niveaux de Fermi
intrinsèques EFi. L’origine physique de ce potentiel interne est la diffusion des porteurs de
charges.
o la diffusion des électrons (é) de la région dopée N vers la région dopée P (pauvre
en électrons) et laissent derrière eux des charges positives. De même, les charges positives
(trous h+) de la région dopée P diffusent vers la région dopée N (pauvre en trous) et laissent
aussi derrière eux des charges négatives. A la fin de ce processus de diffusion des porteurs de
charges, un équilibre permanent est établi et une zone pauvre en porteurs libres est formée.
Cette zone est appelée zone de charge d’espace ou aussi « zone de déplétion ».

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 Chapitre II : Jonction PN

II-1-4 Calcul de la tension de diffusion Vd ; barrière de potentiel :

Dans une jonction abrupte, la concentration en atomes donneurs dans la région dopée
N est Nd (en cm-3) et la concentration en accepteurs dans la région dopée P est Na (en cm-3), la
différence en énergie entre le niveau de Fermi du semi-conducteur intrinsèque (EFi) et le
niveau de Fermi du semi-conducteur extrinsèque (EFN) ou (EFP) s’écrit : fig.4.
Semi-conducteur dopé N :
N
EFN  EFi ( N )  e Fi ( N )  K BT ln( d ) avec ; nN=Nd et PN=ni2/Nd………………………….............(1)
ni
Semi-conducteur dopé P :
N
EFi ( N )  EFP  e Fi ( P)  K BT ln( a ) avec ; pp=Na et np=ni2/Na…………………………......................(2)
ni

Figure 4 : Diagrammes énergétiques des semi-conducteurs (dopé type P et dopé type N)

avant la formation de la jonction.
L’énergie e 0 correspondante au potentiel interne est déduite de la condition d’alignement
des deux niveaux de Fermi extrinsèques (EFN=EFP), fig.5.

Figure 5 : Diagramme énergétique des semi-conducteurs (dopé type P et dopé type N) après
la formation de la jonction.

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 Chapitre II : Jonction PN

Le Potentiel interne s’ecrit :

Nd N
EFi ( P )  EFi ( N )  e( Fi ( N )   Fi ( P ) )  e 0  K BT ln( )  K BT ln( a )
ni ni
Nd Na
e 0  K BT ln( )
ni2
K BT N N E  ECN
Vd   0  ln( d 2 a )  CP ………………………….(3)
e ni e
A température ambiante, la tension de diffusion Vd est de l’ordre de 0.7V pour une jonction au
silicium est de l’ordre de 0.35V pour une jonction germanium.

II-1-5 Calcul de la largeur de la zone de charge d’espace w :

La largeur de la zone de charge d’espace w peut être déduite à l’aide des relations
précédentes :

w  XP  XN
2 s Vd N d
XP 
e N a (N a  N d )
2 s Vd N a
XN 
e N d (N a  N d )

2 s Vd ( N a  N d )
w
e Na Nd

Ou XP t XN sont respectivement les largeurs de la région dopé P et de la région dopé N ;

ɛs est la permittivité de semi-conducteur.

Exemple :

Considérons l’évolution de la densité de charge suivante :

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 Chapitre II : Jonction PN

1- Donnez les relations de la densité de charge ρ(x) dans les différentes régions.
2- Exprimez en fonction de x, le champ électrique E(x) à l’intérieure de la zone de
déplétion [-Xp,Xn].
3- Déduisez la relation entre Na, Nd, -Xp, Xn., et puis représenter schématiquement le
champ électrique E(x).
4- Déterminez le potentiel (x) dans la région [-Xp,Xn] de la jonction.

Solution :
1- La densité de charge est donnée par la relation suivante :

Avec : q = e, la charge de l’électron.

2- le champ électrique E(x) à l’intérieure de la zone de déplétion [-Xp,Xn] peut être
déduire en intégrant l’équation de poisson correspondante à chaque région :
dE ( x)  ( x)

dx s
e
Pour : -Xp <x< 0, le champ électrique s’écrit : E ( x)  Na ( x  X p )
s

e
Pour : 0 <x< Xn, le champ électrique s’écrit : E ( x)  N d ( X n  x) .
s
Pour les deux autres régions ρ(x)=0, donc le champ électrique est nul(E).
3- la relation entre Na, Nd, -Xp, Xn est désignée par la neutralité électrique dans la zone
de charge d’espace :
XpNa= XnNd
Le champ électrique E(x)peut être représenté comme suit :

Figure 6 : Champ électrique dans les différentes régions de la jonction.

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 Chapitre II : Jonction PN

4- le potentiel (x) est donné en intégrant le champ électrique E :

d( x)
  E ( x)
dx
e
Pour : Xp<x<0 : ( x)   N a( x  X p )2  op
2 s
e
Pour : 0<x<Xn ( x)   N d ( X n  x)2  on
2 s
Pour les deux autre régions E(x)=0 donc le potentiel électrique est constant :
V=Vp (x=Xp),V=Vn (x=Xn).
NB : Le potentiel de diffusion Vd est la différence entre le potentiel VN et VP,

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 Chapitre II : Jonction PN

II-2 Etude d’une jonction PN polarisée (hors équilibre).

II-2-1 Polarisation directe :
Dans le cas d'une polarisation directe le sens passant d’une diode est défini par le sens
des courants créés par les porteurs majoritaires dans la jonction. Les électrons
majoritaires de la zone N se déplacent vers l’anode, les trous majoritaires de la zone P se
déplacent vers la cathode. Le sens direct est défini par un courant dirigé de l’anode vers la
cathode, fig.6.

Figure 7 : Polarisation directe de la jonction PN et symbole de la diode.

En appliquant une différence de potentiel Va, entre la zone p et la zone n :
- Si Va>0, L’énergie potentielle correspondante d’un électron varie de eVa puisque le
Potentiel dans la zone n vaut - Va. Ceci à pour conséquence de diminuer la hauteur de la
barriére de potentiel eV0 d’une valeur égale à eVa.
- Si Va<0,La variation de l’énergie potentielle d’un électron de la zone n vaut -eVa puisque le
potentiel de cette zone vaut +Va. La hauteur de la barrière de potentiel est alors augmentée de
eVa.
- En résumé, la hauteur de la barriére de potentiel V en fonction de la tension appliquée entre la
zone p et la zone n vaut eV= eV0- eVa. L’application d’une tension revient à séparer les
niveaux de Fermi des régions n et p d’une quantité eVa.

Voyons ce qui se passe au niveau du champ électrique. Il découle, de la différence de

potentiel Va , un champ éléctrique E a qui va de la zone n vers la zone p si Va<0 et de la
zone p vers la zone n si Va>0.Dans le premier cas, Il s’ajoute au champ éléctrique E 0

Dans le second cas, il s’en retranche. E = E0  Ea ,Si Va<0 le passage des électrons de la
zone n vers la zone p devient plus difficile qu’avant la polarisation de la jonction. Lorsque
Va>0 , on dit que la jonction pn est polariisé dans le sens direct
alors que Va<0,on dit qu’elle est polarisée en inverse.

En polarisation directe, il faut vérifier que l’intensité reste inférieure à une valeur maximale
imax qui peut varier de 20 mA pour une diode de signal utilisable en hautes fréquences à
plusieurs ampères pour une diode de redressement utilisable à une fréquence voisine à 50 Hz.
Lorsque la jonction est polarisée en inverse, lorsque le coté n est porté à une tension positive
par rapport au côté p, la jonction est « bloquante » à la fois pour les électrons et pour les trous.

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 Chapitre II : Jonction PN

A température non nulle, il y a toujours des porteurs de charge, électrons ou trous qui
franchissent cette barrière et leur flux conduit à un courant appelé « courant inverse ».Les
porteurs de charge qui contribuent au courant inverse sont les porteurs minoritaires .
L’intensité de ce courant croit fortement avec la température.
En polarisation inverse (fig.7), la tension doit rester supérieure à une valeur minimale notée
(−U)

Figure 8 : Polarisation inverse de la jonction PN.

II-2-2 Caractéristique courant – tension I(V) d’une diode :

C’est le graphique qui donne l’intensité de courant qui traverse la diode en fonction de
la tension à ses bornes. Elle est représentée dans la fig. 8.
A l’aide de ce graphe on peut tirer :
- La résistance statique :

- La résistance dynamique :

Remarque :

- La résistance dans le sens passant Rd est de quelques Ω.

- La résistance dans le sens bloqué est très élevée et tend vers infinie.
- Le courant inverse Is est constant et vaut quelques µA.
- La zone où le potentiel est inférieure à -U (u < −U), est appelée zone d’avalanche. C'est une
zone dans laquelle la diode est détériorée.

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 Chapitre II : Jonction PN

Figure 9 : Caractéristique I = f(V) d'une diode.

II-2-2-3 Types de jonctions PN :

Diode Zener :
Elles sont des stabilisateurs de tensions continues. Elles permettent de conserver la
tension constante dans la zone de claquage.

En polarisation inverse, si la tension dépasse une tension (- Vz) (fig.9) , selon de composant
choisi, il apparaît un courant dit de claquage de la jonction. Ce phénomène est dû soit à l’effet
d’avalanche, soit à l’effet Zener. La tension de claquage est faible (quelques volts ou quelques
dizaines de volts).
- le claquage par effet Zener se produit lorsque |V|<a.
- le claquage par l'effet avalanche se produit lorsque |V|>b.

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 Chapitre II : Jonction PN

Diode à avalanche :
Ce phénomène résulte lorsqu'une forte tension inverse est appliquée aux bornes de la
jonction. En effet, sous l'effet du champ électrique interne, l’énergie cinétique des porteurs
minoritaires devient suffisante pour créer des paires électron-trou dans la zone de transition.
Ces porteurs sont ensuite accélérés par le champ interne et crée à leur tour de nouvelles paires
électron-trou (d’où le non d’avalanche du phénomène). Le courant augmente très rapidement
et provoque ainsi la destruction de la jonction par effet Joule.

Diode à effet tunnel :

En polarisation inverse d’une jonction PN. Dans certaines conditions. Les électrons de
la bande de valence dans la partie P de la jonction peuvent passer directement à la bande de
conduction de la partie N de la jonction. Ce processus de nature quantique est appelé effet
tunnel.

Diode redresseuse :
Les appareils électroniques fonctionnent sous tension continue. Pour cela, la diode à
jonction est principalement utilisée pour transformer un signal sinusoïdal en signal continu.
Parmi les applications des diodes les plus utilisés sont le redressement mono-alternance et
double alternance.
- Le redressement mono-alternance consiste à transformer le signal sinusoïdal, c’est-à-dire à
supprimer les alternances négatives ou les alternances positives, figure V.10.
- Le redressement double alternance consiste à rendre positive les alternances négatives du
signal sinusoïdal, fig.10.

Figure 10 : Redressement mono-alternance et double alternance d'un signal sinusoïdal.

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 Chapitre III : Transistor bipolaire.

III- Transistor bipolaire :

Le transistor bipolaire a été inventé par Bardeen et Brattain en 1948, la théorie en a été
élaborée par Shockley en 1949, le premier transistor à jonction a été fabriqué en 1951. C'est
historiquement le premier composant actif à semi-conducteur, son influence dans l'industrie
électronique a été considérable. Le transistor bipolaire peut être considéré du point de vue
électronique comme une source de courant commandée par une tension. Ce courant peut alors
créer une différence de potentiel aux bornes d’une charge (une résistance par exemple) plus
importante que la tension de commande. On dit alors que le dispositif a un gain en tension. Il
est facile de comprendre alors qu’il est possible de l’utiliser pour réaliser des amplificateurs
électroniques. Quand la variation de tension appliquée en entrée permet de faire passer le
transistor de l’état non conducteur à l’état conducteur, on peut l’utiliser pour réaliser des
fonctions binaires. Il a donc été aussi un composant de base de l’électronique numérique. Les
transistors bipolaires ont cependant été de moins en moins utilisés à partir des années 80 pour
être remplacés par les transistors de type MOSFET offrant des avantages en termes de
consommation électrique. Les transistors bipolaires sont encore utilisés pour des fonctions
exigeantes en termes de rapport signal sur bruit ou dans des applications d’électronique de
puissance. Le terme bipolaire vient du fait que les deux types de porteurs (électrons et trous)
participent à la conduction du dispositif.

III-1 Définition :
Un transistor bipolaire est un dispositif constitué de trois zones différemment dopées
D’un même cristal qui forment deux jonctions pn montées en opposition avec une zone
commune. Les trois zones sont appelées émetteur, base et collecteur. Le transistor bipolaire
est caractérisé par le fait que l’épaisseur de la zone base est très faible (typiquement de l’ordre
de µm ; très inférieur à la longueur de diffusion des porteurs minoritaires) ce qui permet un
fort couplage entre la jonction constituée de l’émetteur -base et celle de base-collecteur et qui
est à l'origine de l'effet transistor. Il existe deux types de transistors bipolaires : comme le
montre la figure1.
 Les transistors NPN :
Dans ce type de transistors, la couche mince dopée P est située entre les deux zones dopées N.
fig.1.
 Les transistors PNP :
Dans ce type de transistors, la couche mince dopée N est située entre les deux zones dopées P.

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 Chapitre III : Transistor bipolaire.

Figure 1 : Les différentes représentations du transistor NPN.

La flèche sur le dernier schéma montre le sens passant de la jonction (B/E).
- iE : le courant émetteur
- iC : le courant collecteur
- iB : le courant base.
Les caractéristiques du transistor sont les suivantes :
- Le courant émetteur est donné par la relation : iE=iC+iB
- La résistante d’entrée R (B/E) de la jonction passante (B/E) est faible et la résistante de
sortie R(B/C) de la jonction (B/C) est très grande. Jonction (B/C) est une jonction bloquée.
- L’amplification statique est définie par le facteur β= iC/iB avec 50< β<400.

III-2 Transistors bipolaires non polarisé de type (NPN) :

Ils sont les transistors les plus utilisés et les plus faciles à réaliser. Si les régions NPN
du transistor ne sont plus isolées l’une de l’autre, les électrons libres diffusent à travers les
deux jonctions ce qui donne deux zones de déplétion (fig.2). Ces zones sont pauvres de
porteurs majoritaires et la barrière de potentiel pour chacune d’elles est d’environ 0,6 à 0,7
volt (cas du silicium Si).

Figure2 : Transistor bipolaire NPN non polarisé.

Dans les trois régions dopées, les concentrations en porteurs ne sont pas les mêmes. La
largeur de la zone de déplétion côté émetteur (fortement dopé) est donc beaucoup moins large

17
 Chapitre III : Transistor bipolaire.

que celle du côté base qui est très peu dopée. La largeur de la zone de déplétion du côté
collecteur est presque la même que celle de la base.

III-3 Effet de transistor :

Dans une jonction PN le courant inverse est proportionnel aux densités de porteurs
minoritaires. L'effet transistor consiste à moduler le courant inverse de la jonction base-
collecteur polarisée en inverse, par une injection de porteurs minoritaires dans la base à partir
de la jonction émetteur-base polarisée dans le sens direct. Les porteurs minoritaires injectés
(trous) dans la base sont ensuite soumis à un champ intense de la jonction base collecteur
polarisée en inverse puis dérivent vers le collecteur. Pour que les porteurs minoritaires
atteignent la jonction base-collecteur l'épaisseur de la base doit être inférieure à leur longueur
de diffusion. Cette condition est fondamentale pour éviter la recombinaison des porteurs
minoritaires lors de la traversée de la base.
Les équations permettant une meilleure description de fonctionnement du transistor se
déduisent à partir de l'équation caractéristique de la jonction PN. Le principe de
superpositions de deux états d’équilibre (sans polarisation), collecteur-base puis émetteur-
base en court-circuit conduit aux équations de fonctionnement dites de d’Ebers – Moll. Qui se
reposent sur les hypothèses suivantes, dans le cas d’un transistor PNP :

 La concentration des porteurs minoritaires injectés dans l'une des régions reste
faible devant celle des majoritaires, (hypothèse de faible injection).
 Dans les zones de charge d'espace, les phénomènes de génération-recombinaison
sont très faibles et considérés négligeables.
 La région de base est très étroite et très peu dopée.
 La région de base, la durée de vie des porteurs minoritaires est importante et leur
temps de transit est réduit. C’est-à-dire la longueur de diffusion de ces porteurs est beaucoup
plus grande que la largeur de la base.
III-4 L’amplification :
En électronique, un dispositif amplificateur permet d’augmenter l’amplitude d’un
signal. Ainsi un courant est amplifié lorsque sa valeur de sortie est supérieure à sa valeur
d’entrée.Ceci ne se fait pas sans apport d’énergie extérieure. Il faut un dispositif qui Puisse
fournir de l’énergie c’est l’alimentation extérieure du dispositif amplificateur. Le courant de
sortie peut être modulé soit par un courant, comme nous le voyons pour un transistor
bipolaire, soit par une tension comme c’est le cas des transistors à effet de champ que nous
étudierons plus loin. Le transistor bipolaire fonctionne, en mode active, comme un
amplificateur dans lequel un faible courant de base iB contrôle un grand courant sur le
collecteur iC. le courant iC provient essentiellement du courant de trous. Le courant de base
correspond à des électrons qui sont injectés dans la base. L’origine de processus
d’amplification provient de ce que la neutralité électrique est préservée.

18
 Chapitre III : Transistor bipolaire.

III-5 Résumé du fonctionnement d’un transistor :

La figure 3 représente les densités de porteurs n et p dans un transistor PNP pour les
différents régimes de fonctionnement : actif, bloqué, saturé et inversé.
- Dans le régime actif, la jonction émetteur-base est polarisée en mode direct et la jonction
base-collecteur en mode inverse.
- Dans le mode bloqué, les deux jonctions sont polarisées en mode inverse.
- Dans le mode saturé, les deux jonctions sont polarisées en direct.
- Dans le mode inversé, la jonction émetteur-base est polarisée en inverse et la jonction base-
collecteur en direct.

Figure 3 : Les divers modes de fonctionnement d’un bipolaire PNP.

19
 Chapitre IV : Transistors à effet de champ.

IV- Transistors à effet de champ

Le principe du transistor à effet de champ (FET : Field Effect Transistor) a été décrit la
première fois par Shockley en 1952. Il a été initialement appelé transistor unipolaire par
opposition au transistor bipolaire car un seul type de porteur est utilisé (les électrons pour des
raisons de célérité). L’effet fondamental est le suivant : le courant à contrôler circule dans un
barreau de semi-conducteur appelé le canal, dont la section est contrôlée par l’application d’un
champ électrique (Figure 1). Il existe deux types de modulation du canal, soit par
enrichissement, soit par déplétion.

Figure 1 : Structure d’un transistor à effet de champ.

Sur ce principe, différentes structures de transistors à effet de champ correspondant à différents

contacts de grille ont été élaborées :

 Le JFET (Junction Field Effect Transistor) : grille à jonction PN·

 Le MOSFET (Metal Oxyde Semi-conductor Field Effect Transistor) : grille métallique
isolée de la couche active par un oxyde isolant.
 Le LDMOS (Lateraly diffused MOS).
 Le MESFET (Metal Semi-conductor Field Effect Transistor) : grille métallique à
barrière Schottky.

IV-1 Transistors FET à hétérojonction :

Le principe de fonctionnement des transistors à effet de champ à hétérojonction repose
sur le principe de création et de contrôle d’un gaz d’électrons dans un matériau faiblement dopé
où les électrons peuvent se déplacer plus rapidement. A partir de cette structure
conventionnelle, il existe plusieurs types de transistors à effet de champ à hétérojonction :

 Le HEMT (High Electron Mobility Transistor).

20
 Chapitre IV : Transistors à effet de champ.

 Le TEGFET (Two dimensionnal Electron Gas Field Effect Transistor).

 Le HFET (Heterostructure Field Effect Transistor).
 Le MODFET (Modulation Doped Field Effect Transistor).
 Le PHEMT (Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor).
 Le PMHFET (Pseudomorphic Heterostructure Field Effect Transistor).

Certains de ces transistors ont essentiellement des applications de puissance. Pour fabriquer ces
transistors de puissance, plusieurs technologies de semi-conducteurs peuvent être envisagées.
Le paragraphe suivant est une rapide présentation des différents transistors de puissance FET
sur GaAs utilisés dans l’industrie et la recherche.

IV-2 Les principaux Transistors FET’S sur GaAs :

Les principaux dispositifs à effet de champ en GaAs utilisés aux fréquences microondes
sont :

 Le MESFET : Meta1 Semi-conducteur Fiel Effect Transistor.

 Le HFET: Heterostructure Field Effect Transistor.
 Le HEMT: High Electron Mobility Transistor.
 Le PHEMT : Pseudomophic HEMT.
 Le PPHEMT : Le PHEMT de Puissance.

IV-2-1 LE MESFET :

Ce type de transistor apparu en 1966 et fut le premier à être fabriqué à partir d’un
composé III-V. Comme le montre la (Figure 2), un MESFET est constitué par un barreau de
semi-conducteur de type N sur lequel sont réalisés à ses deux extrémités les contacts ohmiques
de source et de drain. Entre la source et le drain, un contact Schottky matérialise l’électrode de
grille. Le transistor est réalisé sur un substrat semi-isolant de GaAs sur lequel on fait croître par
épitaxie ou par implantation ionique la couche active avec des impuretés de type donneur (ND
≈ 2.1017 cm-3). L’adjonction d’une couche fortement dopée (ND ≈ 2.1018 cm-3) permet
l’accrochage des contacts ohmiques de source et de drain, ainsi que la diminution des
résistances parasites de source et de drain.

La polarisation négative de la grille entraîne la formation d’une zone de charge d’espace

dépeuplée de porteurs libres sous la grille. Lorsqu’une tension drain-source Vds est appliquée,
une faible variation de la tension grille-source Vgs suffit à provoquer une variation importante
de l’épaisseur de cette zone dépeuplée, donc du canal dans lequel circulent les électrons et
finalement du courant de drain Ids, ce qui constitue l’effet transistor.

21
 Chapitre IV : Transistors à effet de champ.

Figure 2 : Structure du MESFET sur GaAs.

Le MESFET micro-onde, a été commercialisé à partir de 1976. Ce composant fut

d’abord utilisé en composant discret encapsulé, puis intégré dans les circuits micro-ondes
hybrides. Le MESFET a largement dominé les filières MMIC jusqu’au milieu des années 1990
où la famille des transistors à effet de champ s’est élargie à la fois pour monter en fréquence et
en puissance.

La structure du MESFET présente plusieurs avantages :

- l’obtention d’un fort courant Ids nécessite l’emploi de dopages élevés qui entraînent une
dégradation de la tension de claquage.

- si l’on veut privilégier un fonctionnement à de très hautes fréquences, il convient de réduire

la longueur de grille.

- La nécessité de garder un facteur d’aspect (le rapport entre la longueur de grille et l’épaisseur
de la couche active) raisonnable contraint alors à diminuer l’épaisseur de cette couche active,
ce qui se traduit par une diminution de courant drain-source.

IV-2-2 LE HFET :
Le HFET (Heterostructure FET), aussi désigné sous le nom de DCFET (Doped Channel
FET), est apparu au début des années 90. Il s’agit d’une amélioration relativement simple du
MESFET GaAs en mettant à profit les différentes propriétés de deux matériaux, GaAs et
AlGaAs (Figure 3).

22
 Chapitre IV : Transistors à effet de champ.

Figure 3 : Structure du HFET.

Ayant une plus grande bande interdite (1,798 eV pour Al0,3Ga0,7As contre 1,424 eV pour
GaAs), le matériau AlGaAs possède un champ de claquage plus élevé et peut donc supporter
des tensions plus fortes. Le matériau AlGaAs est non intentionnellement dopé et placé en
surface. Cette couche va se retrouver dépeuplée par la jonction Schottky de grille et agir comme
un isolant virtuel. Le principe de conduction de la structure HFET est similaire à celui d’un
transistor MESFET. L’application d’une tension négative sur la grille a pour effet d’augmenter
la hauteur de la barrière de diffusion Øbi à l’interface métal/semi-conducteur et donc l’épaisseur
de la zone de charge d’espace dépeuplée d’électrons. Il est ainsi possible de moduler l’épaisseur
du canal par une commande en tension appliquée sur la grille. Ce HFET est produit par plusieurs
fonderies : Triquint Texas, Marconi-Alenia en Italie et plusieurs fabricants japonais.

La structure du HFET présente plusieurs avantages :

- L’augmentation de la tension de claquage grille-drain par l’introduction d’une couche

barrière d’un matériau faiblement dopé à grande largeur de bande interdite (AlGaAs).
L’excursion du point de fonctionnement dynamique, dans le cas d’une amplification de
puissance, est plus importante et de ce fait la puissance de sortie augmente.

- L’amélioration des performances dynamiques du transistor par la réduction du niveau

de dopage du canal. La couche barrière dopée fournit des électrons au canal permettant ainsi
d’obtenir une densité de courant importante.

- La grille déposée sur la couche AlGaAs, à grande largeur de bande interdite, permet
d’avoir un faible courant de fuite Schottky.

23
 Chapitre IV : Transistors à effet de champ.

IV-2-3 LE HFMT :
Le transistor HEMT représenté dans la figure 4(High Electron Mobility Transistor)
encore appelé dans la littérature TEGFET (Two Electron Gas Field Effect Transistor) ou
MODFET (Modulation Doped Field Effect Transistor), ou encore SDHT (Selectively Doped
Heterojunction Transistor), a été conçu et réalisé simultanément par Fujitsu au Japon et par
Thomson en France en 1980.

L’idée de base à l’origine de ce composant est d’utiliser comme canal conducteur d’un
transistor à effet de champ, un gaz bidimensionnel (gaz-2D) d’électrons circulant dans un
matériau peu dopé et résultant de l’occupation des niveaux d’énergie du puits de potentiel
caractéristique d’une hétérojonction.

Figure 4 : Structure du HFMT.

IV-2-4 LE PHFMT :
La réalisation de circuits intégrés micro-ondes monolithiques (MMIC) à des fréquences
supérieures à 60 GHz a nécessité d’étudier d’autres structures à base de couches contraintes sur
GaAs avec un canal InxGa1-xAs (0,15 ≤ x ≤ 0,35) (Figure 5).
Le PHEMT présente des performances nettement supérieures à celles du HEMT classique,
adapté en maille, en démontrant un faible niveau de bruit, puisque les porteurs sont mieux
confinés dans un puits plus profond, et une fréquence de coupure élevée, puisque la mobilité
électronique dans InGaAs est plus élevée. Compatible avec les lignes de fabrication de MMIC
existantes, des filières commerciales n’ont pas tardé à voir le jour, y compris en Europe (Philips
devenu OMMIC en 2000, Thomson et Daimler associés dans UMS en 1996, GMMT devenu
Bookham en 2002).

24
 Chapitre IV : Transistors à effet de champ.

Figure 5 : Structure du PHEMT.

IV-2-5 LE PHEMT DE PUISSANCE OU PPHEMT :

L’amélioration des procédés de croissance a permis de réaliser des dispositifs à deux
hétérojonctions de type AlGaAs/InGaAs/AlGaAs sur substrat GaAs (Figure 6) ou
AlInAs/InGaAs/AlInAs sur substrat InP.

La réalisation d’une double hétérostructure de part et d’autre du canal permet un meilleur

confinement des porteurs dans le canal. Par conséquent, la densité d’électrons peuplant le puits
quantique est augmentée par rapport au PHEMT simple. De plus la tension de claquage, plus
élevée avec AlGaAs NID en surface, peut être encore améliorée en réalisant un double sillon
de grille. Et si l’on augmente ainsi la tension et le courant, on favorise la puissance. Ainsi, les
filières de MMIC de puissance récentes (Triquint Texas, UMS, …) sont construites autour de
ce composant.

Figure 6 : Structure du PPHEMT.

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 Chapitre IV : Transistors à effet de champ.

Le recensement des différents transistors de puissance et de leurs performances respectives a le

mérite de mettre en avant le constat suivant : faire le choix d'un transistor pour une
application de puissance en hyperfréquence relève toujours d'un compromis. Aucun
transistor ne peut se poser aujourd'hui comme le composant idéal pour toutes les
applications et toutes les fréquences.

A ce jour, il semble que les composants les plus performants sont :

- les MESFET GaAs.

- les HBT AlGaAs/GaAs ou InGaP/GaAs.

- les PHEMT AlGaAs/GaInAs sur GaAs.

- les MESFET SiC -HEMT AlGaN/GaN (en développement).

Références bibliographiques :
1- Henry Mathieu, Hervé Fanet. Physique des semi-conducteurs et des composants
électroniques, 6eédition. Dunod, Paris, France, 2009.
2- A. Chovet, P. Masson. Physique des semi-conducteurs, école polytechnique, université
de Marseille, France, 2004/2005.
3- AH. Souici. Physique des semi-conducteurs, Université de Bejaia, Algérie, 2013/2014.

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