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Cel : 64 60 42 42
e-mail : richard.egounlety@yahoo.com
1
Objectif
Contenu du cours
Objectifs :
Introduction :
2
le sulfure de plomb PbS, l’oxyde cuivreux (CuO2), l’Arséniure de
Gallium GaAs, etc.. Ces corps sont dits Semi-conducteurs parce
que leur résistivité est intermédiaire entre celle des
conducteurs et celle des isolants (de 10-8 à 10-4 m ).
Conducteur :
Isolant :
I- STRUCTURE DE LA MATIERE
I- 1. Constitution de l’atome
FC Electron
Proton
•e
FA
-
Couche
+
Neutron Noyau
3
Figure n° 1-1 : Atome d’hydrogène
Fc : Force centrifuge
FA : Force d’attraction
I-2. 1 Orbite
4
Couches
Couche de internes
•• •
valence
• • •
•• •
•
• •• • noyau
électrons •
internes
(3)
(2)
(1)
r2
r3 r1
couche
noyau
E3 (3)
E2 (2)
E1 (1)
paroi du noyau
(0)
5
I-2. 2 Energie
E3 (3)
E2 (2)
E1 (1)
paroi du noyau
(0)
6
Figure n°1-5 : Représentation des bandes d’énergie
II- SEMI-CONDUCTEURS
II- 1. Cristal :
7
Figure n° 1-6 : Structure du cristal de Silicium
a - Analyse à 0 K
8
E
BC
EC
Bi
• • • • • ••
b - Analyse à 27°C
BC
EC • • • •
Bi
EV
°• • •°• • •° ••B••V ••°••• • ••
• • • • • • •
• - électron ° - trou
9
Figure n° 1-8 : Diagramme énergétique du semi-conducteur silicium à
300°K
Wi
ni2 AT e3 KT
(1.1)
A = Constante d’intégration,
T : Température en kelvins,
• • •
• Si • • Si • • Si •
• • • 5ème électron
• • • •
• Si • • As • • Si •
• • •
• • •
• Si • • Si • • Si •
• • •
10
Figure n°1-9 : Structure du cristal de silicium type N
a - Analyse à 0°K
BC
0,01eV
Bi
••
• • •• ••• • •• •• •B • •• •• •• •• •• •• • •• • •
• • • • • • • • •
V
b - Analyse à 27°C
11
ayant acquis de l’énergie suffisante, vont également immigré dans la
bande de conduction.
•• • ••• • •• B
••••••••••••••
C
+++++++ B
+++ i
••
• •°•• ••• • •• •• •B°•°•• •• •• •• •• ••°• •• • •
• • • • • • • • •
V
12
• • •
• Si • • Si • • Si •
• • •
• ° • trou
• Si • • In • • Si •
• • •
• • •
• Si • • Si • • Si •
• • •
a - Analyse à 0°K
BC
Bi
+++++++++++
•• • •• ••• • •• B••• • •• • •• • 0,01eV
•• • •• • • • • • • • •• •• •• •• •• •• • •• •
V
13
b - Analyse à 27°C
BC
• • Bi
• •
- - - - - - - - - - - 0,01eV
•• •°•• •°•°•°••°B °°°
°° •• ••°°••°°
• •°•°• •
• • • • • °• • •° •
V
Remarque :
14
La Concentration en atome Donneur notée Nd est d’une impureté
pour 10 5 à 10 8 atomes de Si. En pratique, on prend une impureté pour
10 7 atomes de silicium. Soit Nd = (1/107) = 10-7.
Objectifs :
I- JONCTION PN
I- 1. Définition
15
°°•°P•°°•°° ••°•• •• •• •°
•• •• • •N • ••
°°°•°°°°°° •• •• • ••°•°
°°°°° °
Jonction PN
I- 2. Zone de Déplétion
V0
A -+ K
P -- + N
-+
Anode Cathode
Zone de déplétion
Une fois que les deux types de semi-conducteurs sont mis en contact,
la région entourant la jonction PN est vidée de porteurs de charge ;
cette zone ainsi vidée est appelée zone de déplétion.
I- 3. Barrière de potentiel
16
KT N N
V0 ln( a 2 d )
e ni (2.1)
A l’équilibre on a: I1 I S I 2 I 0 e KT
(2.4)
eV0
Soit I S I 0e KT
(2.5)
17
II-1 Description - Symbole
V0
A °°•°P°°•° -- + ••• ••
• •°•• •••°•• K
° °° - + •N • • •
°°•°°°°°•°° - + ••°•• •• • ••°•
Anode ° Cathode
Barrière de potentiel
• - électron
- trou
°
Figure n° 2-3 : Structure interne de la diode à jonction
Symbole
A ID K
Anode Cathode
VD
A K
18
Figure n° 2-4 : Symbole et Représentation de la diode à jonction
II-2 Polarisation
- La polarisation directe
- La polarisation inverse.
D
ID A K
VD
E RL
Conséquences :
19
e (V0 V ) eV0 eV eV
I 2 I 0e KT
I 0e KT
e KT
ISe KT
(2.6)
eV eV
ID I2 IS ISe KT
I S I S (e KT
1) (2.7)
eV
Soit I D I S (e KT
1) (2.8)
eV
Généralement on prend I D I S e
KT
(2.9)
eV
KT
car e >> 1
D
A K Ii
Vi
E RL
Conséquences :
20
3. Le passage des porteurs minoritaires est favorisé mais leur
nombre reste fixe.
eV eV
Ii I S I 2 I S I S e KT
I S (1 e KT
)
eV
Soit : I i I S (1 e KT
) (2.10)
eV
KT
Pour e ˂˂ 1, on peut écrire : Ii = IS
Remarque :
21
II-4 Caractéristiques
ID(mA)
VZ
0
VD(V)
IS 0,65
b Ii(µA)
Interprétation :
V
rD
Soit : I (2.12)
23
dV V 1
rD
dI D I D I
V
1
1
3
1
25mV
.
I D I D 40 I D 10 I D mA
ID
25
soit : rD (2.13)
25mV
I D mA
rD = 0, Vo = 0
rD
= 0, Vo ≠ 0 (Diode parfaite)
Courbes caractéristique
ID(mA) ID(mA)
rD 0 et V0 0
rD = 0 et V0 =0
VD(V) VD(V)
0 0 V0
Diode idéale Diode parfaite
Circuits équivalents
A K
Interrupteur fermé :
24
Par contre en polarisation inverse elle est considérée comme un
A K
interrupteur ouvert :
Circuit équivalent :
A K
rD
V0
ID D
E = 50V
E RL RL = 5 KΏ
VD E
E VD I D RL 0 => I D (2.12).
R L RL
25
VD 0
VD E
A
ID
E et B
ID 0
RL
ID(mA)
10
VD(V)
0 50
IV - 2. Point de repos
ID(mA)
Q
IDQ • VD(V)
0 V DQ
V- INFLUENCE DE LA TEMPERATURE
26
Dans le sens bloquant et à la température absolue T, on a :
Wi
I S I 0e KT
avec I 0 CT 3 et C, une constante. On peut écrire :
Wi
; soit : ln I S ln C 3 ln T
Wi
I S CT e3 KT
; en différenciant on
KT
dI S dC dT W
trouve : 3 i 2 dT .
IS C T KT
I S W T
3 i (2.14)
IS KT T
Exercice d’application
27
a.) dans le sens passant.
Etablir la relation :
I1 I2
T1ln = T2ln
I S1 IS2
28
Connaître l’utilisation des diodes telles que la diode Zener, diode
Tunnel, diode varicap, diode électroluminescente (LED),
photodiode, etc . . .
Introduction :
I- REDRESSEMENT
Dans la plupart des circuits électroniques, on a besoin de sources
de tension continue pour effectuer la polarisation des
composants.
I- 1.1 Description
Le circuit redresseur mono-alternance est également appelé
circuit redresseur simple alternance ou circuit redresseur demi-onde.
Il est composé d’un transformateur d’instrumentation, d’une diode en
29
série avec une résistance de charge : c’est le plus simple des circuits
redresseurs simple alternance.
D
A
+ VM
- Rc
VM
IM (3.3)
RC rD RS
1
I moy IM (3.4)
30
1
I eff I M (3.5)
2
Veff I eff
F (3.6).
Vmoy I moy
F 1,57 (3.7)
2
I-1.4 Ondulation : Vr
La tension de sortie VRL d’un redresseur demi-onde est une
tension périodique pulsée ; elle est composée d’une tension continue
constante (Vmoy) à laquelle est superposée une tension alternative vr
(de fréquence f) appelée ondulation. Cette tension redressée de
sortie est égale à chaque instant à la somme de sa valeur moyenne et
de la valeur instantanée de la tension d’ondulation. Vectoriellement on
peut écrire :
VR2C Vmoy
2
Vreff2 (3.8)
1 1
Les calculs montrent que : Vreff VM (3.9)
4 2
31
I-1.5 Rendement maximal η
Le rendement maximal de la conversion du signal alternatif en
un signal continu dans un redresseur simple alternance est défini
comme étant le quotient de la puissance cc (puissance en courant
continu) dissipée dans la charge RC à la sortie sur la puissance ca
(puissance en courant alternatif) fournie à l’entrée du circuit par
l’enroulement secondaire. Le rendement exprimé en pourcentage est
donné par l’expression :
PCC
100 (3.10).
PCA
Calculons PCC :
2 2
Vmoy 1 1 1 V2
PCC Vmoy I moy VM : soit : PCC 2 M (3.11).
RC RC RC
2
Veff2 1 1
Le calcul de PCA donne : PCA Veff I eff VM
RC RC 2
1 VM2
Soit : PCA (3.12).
4 RC
4
100 (3.13)
2
On trouve : η = 40,52 %.
I-2.1 Description
32
D1
vs
A VM
+ t
VM 0
N
vp b.)
VM
D2 VRL
- RL VM
B
t
a.) 0 c.)
I-2.2 Fonctionnement
33
travers la résistance RL pendant toute l’alternance négative et
pendant cette alternance, la diode D1 ayant son anode négative, reste
bloquée.
VM
IM (3.15)
RL
34
2 Vmoy
I moy (3.17)
RS rD RL
1
I eff IM (3.18)
2
I-2.6 Ondulation : Vr
La tension de sortie redressée VRL est composée d’une
tension continue constante (Vmoy) à laquelle est superposée une
tension alternative (de fréquence f) appelée ondulation et notée Vr.
On peut vectoriellement établir :
VR2Leff Vmoy
2
Vreff2 (3.20)
1 4
soit : Vreff VM (3.21)
2 2
Coefficient d’ondulation : r
35
Vreff
r (3.22)
Vmoy
4 VM2
soit : PCC 2 (3.24).
RL
1 VM2
PCA (3.25)
2 RL
8
100 (3.26).
2
I-3-1 Description
36
Le redressement double alternance en pont de diodes est le
redressement le plus utilisé : il ne nécessite pas l’emploi d’un
transformateur à prise médiane ; il utilise quatre diodes reliées
entre elles pour former le pont de Graëtz .
A vs
M VM
vp D1
D4 t
Q RL
+ P-V
M
- VM b.)
D3 D2 VRL
N VM
B t
a.) c.)
I-3.2 Fonctionnement
A l’alternance positive, la borne A est positive par rapport à la
borne B : les diodes D1 et D3, soumises à une polarisation directe
conduisent en laissant passer un courant à travers la résistance RL et
ceci, pendant l’alternance positive ; les diodes D2 et D4, pendant ce
temps, soumises à une polarisation inverse, restent bloquées.
37
On constate que, quelle que soit l’alternance (positive ou
négative), un courant circule en permanence de droite vers la gauche,
dans la résistance RL.
VM
D2
VM
C R
B
a.)
VRL vr(c)
VM vr(c-c)
Vmoy
t
t1 t2
b.)
38
Plus le coefficient d’ondulation est faible, plus le filtre est
efficace.
Remarque :
Exercice d’Application
Calculer :
a - dans RL
39
7.) Le rendement maximal de ce circuit redresseur
A A A
a.) b.) c.)
Fonctionnement
Les diodes Zener sont des diodes stabilisatrices de tension, ce
sont des dispositifs électroniques fournissant dans certaines
conditions, un courant variable sous une tension constante. Les diodes
Zener ont été mises au point par Zener Clarence.
40
En pratique, lorsque la diode Zener est en polarisation
inverse, c’est à partir d’une tension spécifique, appelée tension
Zener (tension de claquage ou tension de rupture) que le très faible
courant Ii augmente brusquement. Alors il n’est limité que par la
résistance du circuit extérieur.
Caractéristiques
41
ID(mA)
VZQ
IS : courant de saturation ;
•
VZ
0
IS
VD(V) IZmin : courant zéner minimal ;
0,65V
IZmin IZmax : courant zéner maximal ;
Q •
VZQ : tension zéner nominale ;
IZQ
IZmax
IZQ : courant zéner associé à VZQ ;
Ii(µA)
42
IS RS
IZ
Vi Vz V0 RL
rz
Principe de Fonctionnement
Dans ce régulateur de tension shunt, la tension de sortie V0
est sensiblement égale à la tension Zener VZ de la diode. La résistance
série RS établit la différence de tension entre la tension d’entrée Vi
et la tension de référence VZ de la diode Zener. Cette résistance série
RS limite également le courant dans la diode Zener lorsqu’aucune
charge n’est connectée à la sortie du régulateur (cas du régulateur à
vide).
Lors du fonctionnement en charge, le courant IZ à travers la
diode Zener diminue à mesure que le courant de charge IRL augmente ;
inversement, lorsque le courant de charge IRL diminue, celui de la diode
Zener augmente. Ainsi, pour que le régulateur fonctionne, la diode
Zener doit toujours être traversée par un courant IZ dont la valeur
est comprise entre une valeur minimale IZmin et une valeur maximale
IZmax.
Si le courant IZ cesse ou devient inférieur à IZmin, la diode
Zener passe à l’état bloqué ; si le courant IZ dépasse la valeur maximale
IZmax, la diode Zener est alors détériorée.
Le montage régulateur de tension shunt à diode Zener
permet de maintenir une tension une tension de sortie V0
sensiblement constante dans les cas suivants :
Tension d’entrée Vi variable et courant de charge IRL constant
(régulation amont ou régulation de ligne)
43
Si, par exemple, la tension Vi augmente, le courant IRS dans la
résistance série RS et le courant IZ augmentent. Il en résulte une
augmentation de VRS et la tension de sortie V0 reste constante.
Courant de charge IRL variable et tension d’entrée Vi constante
(régulation aval ou régulation de charge)
Si, par exemple, la résistance de charge RL décroît, alors le
courant de charge IRL augmente et le courant IZ diminue ; cependant
la tension VZ aux bornes de la diode Zener et la tension de sortie V0
demeurent constantes.
Tension d’entrée Vi et résistance de charge RL variables
Une situation limite se présente lorsque la tension d’entrée Vi
augmente en même temps que le courant de charge IRL diminue. Les
courants IZ et IRS augmentent ainsi que la tension aux bornes de RS,
VRS ; la tension de sortie V0 elle, reste constante.
Vi VZ
I RS (3.33)
RS
44
V0 = VZ + rZIZ (3.34)
V0 VZ
IZ (3.35)
rZ
V0
I RL (3.36)
RL
Vi VZ V VZ
RS i (3.37)
I RS I Z I RL
Vimin VZ Vimin VZ
RSmax (3.38)
I RS min I Zmin I RL max
Vi max VZ Vi VZ
et RSmin max (3.39)
I RS max I Zmax I RL min
45
valeur maximale de IZmax supportée par la diode Zener, lorsque le
régulateur fonctionne à vide (IRL = 0).
Vimax VZ
RSmin (à.vide) (3.41)
I Zmax
V0 SCH V0CH
- Taux de régulation : K (3.45)
V0CH
rZ
- Facteur de stabilisation S (3.46)
RS rZ
46
Vi VZ V0 VZ
I RS I RL (3.47).
RS RL RL
Vi VZ V VZ
Z RLmin RSmax
RS max RL min Vi VZ
VZ
Soit : Lmin
R RSmax (3.48)
Vi VZ
Exercice :
47
Résultat
VRL VZ
avec IRL = 20mA
RL RL
Vimax = 27 V.
Soit : PZ ≃1W
48
PRSmax = (70+2O)²×10-6.100 = 0,81W ; Soit PRSmax ≃1W
A K
III-2 Caractéristique
IR IR = 500 μA
Ip
Zone de
résistance
négative
IV
VF
0 V
VP VV VR
IF
49
Figure n° 3-11 : Caractéristique de la diode tunnel.
VO : Tension de seuil
Vi : Tension inverse
1
n= pour des diodes à alliage
2
1
n= pour des diodes à jonction.
3
A K
50
Figure n° 3-12 : Symbole de la diode varicap.
V PHOTODIODE
V-1 Définition - Symbole
A K
Lorsque l’on éclaire la photo diode (c’est à dire que lorsque l’on
la bombarde de lumière) à l’aide de la lumière ou de la radiation de
51
c
longueur d’onde , les photons heurtent les électrons de
valence du Semi-conducteur créant ainsi des paires électron- trou.
Iλ(μA)
800 280 lx
600 150 lx
80 lx
courant inverse
Vi (V)
VI DIODE ELECTROLUMINESCENTE
52
Les LED émettent dans l’infrarouge (0,7𝜇𝑚 < 𝜆 < 2𝜇𝑚) comme
alarme ou bien dans le visible (0,4𝜇𝑚 < 𝜆 < 0,7𝜇𝑚) comme témoin
lumineux ou comme affichage.
A K
V-2 Caractéristiques
La caractéristique de la LED est semblable à celle d’une diode
classique ; elle s’éloigne de l’axe des ordonnées et ceci, en fonction de
la longueur d’onde λ.
I-1 GENERALITES
E C
N P N
Emetteur Collecteur
B
Jonction émetteur-base Jonction collecteur-base
Base
Figure n°4-1: Structure interne d’un transistor NPN.
53
région P encadré est appelée Base. Elle sépare l’émetteur du
collecteur.
Base (B)
C’est une région faiblement dopée. Elle est de type P mais très
mince par rapport aux deux autres (régions). Elle fournit des
électrons au collecteur.
Collecteur (C)
Cette région est moyennement dopée mais plus vaste que les deux
autres.
Symboles
C C
IC IC
IB VBC VBC
IB
B VCE B VCE
VBE VBE
IE
IE
a.) E E
b.)
a.) NPN
b.) PNP.
54
C C
IC
Diode collecteur: DC Diode collecteur: DC
IB
B B
IE
E E
a.) b.)
Figure n°4-3 : Représentation du transistor TBJ en diodes collecteur
et émetteur :
I-1.2 Polarisation
N P N
55
E C
N P N
E C
N P N
Fonctionnement
56
• La barrière de potentiel au niveau de la jonction
émetteur-base est réduite ; celle au niveau de la jonction
collecteur-base est plus large.
• Les porteurs majoritaires (électrons) de la région
émetteur vont envahir la région base.
Quelques-uns de ces électrons vont se recombiner aux rares
trous de la base créant ainsi un léger courant base IB de l’ordre
de micro-ampères (µA).
La base étant très mince, la plus grande partie des électrons
injectés dans la base vont avoir suffisamment d’énergie pour
atteindre la jonction collecteur-base générant ainsi un courant
collecteur IC.
Le courant émetteur IE est à l’origine de l’apparition des
courants IB et IC.
IE = I C + IB (4.11)
E C
N P N
IC
B
VEE VCC
57
également nul, mais en réalité il n’en est rien : IC est non nul. Il
existe un courant qui traverse le collecteur lorsque l’émetteur est
coupé ; ce courant noté ICB0 est appelé courant collecteur base
lorsque l’émetteur est coupé.
E C
N P N
IC
IE B
VEE VCC
I-1.4 Caractéristiques
58
IC RC
IB RB mA
µA V
VBB VCC
V IE
IC(mA) IB = 20µA
ICSAT IB = 15µA
IB = 10 µA
IB = 5 µA
IB = 0 µA
VCE (V)
0 1 VCEmax
Interprétation :
te
b.) Caractéristique de la base IB =f(VBE) ; VCE = C
IB (µ A)
VCE = 0
VCE = 5 V
IB5
IB10
VBE (V)
VBE0
Interprétation :
60
c.) Caractéristique du gain en courant β
β
β2 T2 = 150°C
β1
T1 = 50°C
IC(mA)
ICQ
61
RC
RB IB IC
+VCC
VBB
IE
Circuit d’entrée :
VBB VBE
IB (4.19)
RB
Droite d’attaque
VBE VBB
De la relation (4.19), on peut encore établir : I B (4.20).
RB RB
62
IB(µA)
VBB A
RB
B
VBE(V)
VBB
Circuit de sortie :
VCE VCC
De la relation (4.21), on peut écrire : I C (4.23).
RC RC
IC(mA)
VCC M
RC
N
VCE(V)
VCC
63
Figure n°4-9 : Droite de charge statique.
Remarque :
Application :
Résultat :
64
VCC = ICRC + VCE => VCE = VCC – ICRC ; soit VCE = VCC – (βIB)RC avec
VBB VBE 2 10 0,7
IB ; AN : VCE 20 5.10 10
3
15,35 V.
10
6
RB
IC IC + VCC
I1 I1
R1 RC R1 RC
C C
B IB B IB
VCC
I2 I2
E IE E IE
R2 RE R2 RE
a.) b.)
Figure n°4-10 : Circuit de polarisation par pont diviseur.
65
IC + VCC
I1
R1 RC
C
B IB
VCE
I2 VC
VBE
E IE
R2 VB RE
VE
on trouve : I1 = I2 + IB ≈ I2.
1 R2
IE VCC VBE (4.26).
RE R1 R2
66
Calcul de la tension émetteur par rapport à la masse : VE
VE I E R E (4.27)
VC VCE I E RE (4.28) ;
VC VCC I C RC (4.29)
VCE VCC
soit I C (4.31).
RC RE RC RE
VCC
En posant y = IC ; x = VCE ; a = et b = , on trouve que
1
RC RE RC RE
IC(mA)
ICsat A
B
VCE(V)
0 VCC
67
La droite de charge statique est un ensemble de points
représentant chacun, l’intensité du courant IC pouvant traverser le
collecteur (de IC = 0 jusqu’à ICsat).
Exercice d’application
+ VCC
RC
RB I’C
C
IC
B
IB
E
68
diminution du courant IB s’oppose à l’augmentation du courant
collecteur IC. Le courant circulant à travers le collecteur a pour
VCC VBE
expression : IC (4.32)
R
RC B
Polarisation centrale :
I Csat VCC
I CQ (4.33) et VCEQ (4.34).
2 2
IC
+ VCC
RC
RC
VCC
RB A VEE
RE A
RB
RE
IE
- VEE
a.) b.)
VEE
IE (4.35)
RE
VCC VEE
I Csat (4.36)
RC RE
Application :
70
On utilise principalement des transistors PNP lorsqu’on
dispose d’une alimentation négative. Ils sont souvent utilisés en
complément des transistors NPN lorsqu’on dispose d’une alimentation
symétrique.
Application :
+ VEE
Calculer les trois tensions par
RE
rapport à la masse du transistor R2
PNP utilisé dans le montage ci-
2N3906
dessous sachant que : VEE =
10V ; VBE = 0,7V. On donne :
R1 RC
R1 = 10 kΩ ; R2 = 2,2 kΩ ; RE =
1kΩ ; RC = 3,6 kΩ.
Introduction
On distingue deux types de transistor EFT :
71
II-1 TRANSISTOR JFET
a.) Description
D : Drain
S :Source D
G :Grille
N
G D: Drain
G P P D S S: Source
G: Grille
N P N
N Canal N
P
Canal N S
Substrat
72
b.) SymbolesJFET :
D D
G G
a.) S S
b.)
ID
D
N
G
VDD
P P VDS
VGG
VGS N
S
73
passage des électrons ce qui diminue le courant ID : le courant ID
établi par la tension VDD est commandé par la tension VGS.
II-1.3 Caractéristiques
ID
ID (mA) VGS = 0 V
IDSS IDSS
VGS = -1 V
VGS = - 2 V
Q IDQ
VDS(V) VGS
0 VP VGSOFF 0
VGSQ
Figure n° 4-19 : Courbe de
Figure n° 4-18 : Caractéristiques du transconductance.
drain.
La courbe de transconductance est une parabole dont
l’équation est ci-dessous :
2
V
I D I DSS 1 GS (4.37)
VGSOFF
Cette relation (3.13) est valable pour les JFET et les MOSFT à
déplétion.
74
pour VGS = 0 on a : ID = IDSS
- Transconductance
VGS = Cte ;
2 I DSS
g mo (4.39)
VGSOFF
- Polarisation automatique
75
+ VDD
RD
ID
IG 0
VDS
RG RS
VGS I D RS (4.45)
VGS
ID (4.46)
RS
76
1
En posant : y = ID ; x = VGS et a , on trouve que la relation (4.46)
RS
est de la forme y = ax ; elle est donc l’équation d’une droite qui passe
par l’origine (0 ; 0).
+ VDD
R1 RD
D
G IG=0
VDS
S
R2 VG RS
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a.) Description – Symboles
3 D SymboleS
1
1 : Métal
Substrat
N 2 : Oxyde métallique D D
G P
3 N’: Régon de type N,
N faiblement dopée G G
S S
2
a.) b.)
S
Une mince couche (2) de silice (SiO2) est dopée sur le coté
gauche du canal. Le dioxyde de silicium (SiO2) est identique au verre,
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c’est un isolant (2). La grille (1) est métallique et est isolée du canal.
Le substrat est généralement relié au potentiel le plus bas, la source.
b.) Caractéristique
Description Symboles
D
1
Substrat
D D
N
1 : Métal
G P
G G
2 : Oxyde métallique
N
S S
2
S
a.) b.)
b.) Caractéristique
ID
ID Q
(passant)
VGS
0 VGS (th)
VDS
80