Classe GE1 CHAPITRE 1 LES SMEI-CONDUCTEURS

I. Semi-conducteurs intrinsèques
1  LES SEMI-CONDUCTEURS Un semi-conducteur est dit intrinsèque lorsqu’il est parfaitement pur
_________________________ (ne contenant aucun élément étranger). Pour les semi-conducteurs
intrinsèques usuels tels que le silicium ou le germanium, les structures
cristallines sont identiques et chaque atome est entouré tétraédriquement
par quatre autres atomes avec lesquelles il assure des liaisons covalentes.
INTRODUCTION Pour des températures assez élevées (de l'ordre de l'ambiante),
certains électrons assurant les liaisons covalentes sont arrachés du fait de
Du point de vue conduction, les semi-conducteurs sont des corps qui l'agitation thermique devenant ainsi libres de se mouvoir sous l'action d'un
présentent les propriétés suivantes : champ électrique comme dans métal.
 À très basses températures, ils se comportent comme des isolants 1.1 Notion de trou
parfaits ; Lorsqu'une liaison covalente entre deux atomes se rompt sous l'effet de
 Pour des températures assez élevées (l’ambiante par exemple), les l'agitation thermique, l'électron libéré laisse à sa place un vide appelé trou
semi-conducteurs conduisent le courant électrique. Ils présentent qui correspond à la charge positive du noyau non compensée (figure 1-a).
ainsi une résistivité intermédiaire entre celle des conducteurs et Ainsi une paire électron-trou est créé. Un électron d'une liaison voisine peut
celle des isolants. venir combler ce trou (figure 1- b) ; il laisse à son tours un trou derrière lui
qui peut aussi être comblé (figure 1-c) etc…On assiste alors à un
Les métaux Les Semi-conducteurs Les Isolants
déplacement des électrons de valence de trou en trou (figure 1-d)
10-5 1014 Résistivité ( cm)

Valeurs de résistivité de quelques corps simples

ρ(Ω m) à T = 27°C
Conducteurs Semi-conducteurs Isolants
Cuivre 1,7×10-8 Germanium (Ge) 0,5 Diamant 1012
Argent 1,6×10-8 Silicium (Si) 2400 Mica 1010 à 1015
Aluminium 2,8×10 -8 Arsenure de gallium (GaAs) 109
Remarque :
Les semi-conducteurs ont été découverts au XIXème siècle mais leurs
applications pratiques ont commencé en 1947 avec la découverte du
transistor qui à remplace les tubes à vide, encombrants, peu fiables et grands
consommateurs d’énergie.
Composants à semi-conducteurs : diodes à jonction, transistors bipolaires,
transistors à effet de champ (JFET et MOSFET), composants de puissance
(thyristors, triacs, IGBT...), circuits intègres.

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La résistivité a pour expression :

1 1
= =
+ ( + )
Exemple : Dans le cas du silicium à T=300K on a: ni=1,5 1010 cm-3,
=1350 cm2 V-1 s-1, =480 cm2 V-1 s-1 ,
σ =4,4 10-6 (Ωcm )-1 et ρ =2,3 105 Ωcm
Remarque :
1) On montre (statistique de Fermi-Dirac appliquées aux électrons et aux
trous) que ni augmente très rapidement avec la température.
2) Une paire électron-trou peut disparaître par un processus inverse dit
recombinaison : l'électron retombe sur la place vacante que constitue le trou
qui disparaît ainsi.

2. Semi-conducteurs extrinsèques
Figure 1-1
L'introduction en quantité très faible de certaines impuretés (appelées
On peut assimiler les déplacements de ces électrons à un déplacement
aussi dopants) dans un semiconducteur intrinsèque peut augmenter
de trous de charges positives +e en sens inverse (figure 1-d).
considérablement le nombre de porteurs libres (électrons ou trous)
Ces électrons et ces trous sont appelés porteurs libres.
réduisant ainsi la résistivité du matériau du départ. Le cristal ainsi dopé est
On désigne par :
dit semi-conducteur extrinsèque. Les impuretés utilisées sont de valence
 ni la concentration en porteurs négatifs (les électrons),
trois ou cinq et conduisent à deux types de semi-conducteurs :
 pi la concentration en porteurs positifs (les trous).
 Semi-conducteurs de type N (impuretés de la cinquième colonne),
Pour les semi-conducteurs intrinsèques, on a bien ni= pi
 Semi-conducteurs de type P (impuretés de la troisième colonne).
A 27 °C on a:
Les principaux dopant utilisés sont regroupés dans le tableau suivant :
 Pour le silicium : ni= pi=1,5 1016 m-3
 Pour le germanium : ni= pi=2,5 1019 m-3
Dopant trivalent
Lorsqu'on applique un champ électrique à l'intérieur du semi- Dopant pentavelent
Eléments de la colonne Semi-conducteur
conducteur, les porteurs libres prennent un mouvement d'ensemble : Eléments de la colonne V
III
 Les trous dans le sens du champ
Bore (B) Carbone diamant (C) Azote (N)
 Les électrons en sens opposé du champ. Aluminium (Al) Silicium (Si) Phosphore (P)
Ce double déplacement constitue le courant électrique. Gallium (Ga) Germanium (Ge) Arsenic (As)
La conductivité du semi-conducteur est : σ = σ n +σ P Indium (In) Antimoine (Sb)
Avec
 σ n = e ni µn conductivité due aux électrons
 σ p = e pi µp conductivité due aux trous
µn et µp désignent les mobilités des électrons et des trous respectivement.

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2.1 Semi-conducteur extrinsèque de type N On dit que l'on a introduit dans le silicium des centres donneurs et que
Considérons par exemple le silicium intrinsèque. Chaque atome a une le semi-conducteur est de type N.
couche externe avec quatre électrons qu'il met en commun avec quatre La conduction est dite de type N car elle se fait grâce à un déplacement
atomes voisins pour constituer une couche de valence saturée. Introduisons de charges négatives.
dans le réseau cristallin du silicium des impuretés d'arsenic dont les atomes Exemple : Pour le silicium on a 5×1022 atomes/cm3. On le dope en
ont une couche externe comprenant cinq électrons. Les atomes d'impureté introduisant 1015 atomes d'arsenic par cm3.
vont établir des liaisons covalentes avec les atomes de silicium, mais le La densité intrinsèque est de l'ordre de ni=1,5×1010 électron/cm3 .
cinquième électron non engagé dans une liaison covalente sera faiblement Le nombre d'électrons libres ne est égal au nombre d'atome d'arsenic
lié à l'atome d'arsenic (énergie de l'ordre de 10 meV). noté ND plus (+) la densité intrinsèque ni : ne=ni+ND ≈ND=1015 cm-3
La seule agitation thermique permettra la libération de cet électron qui On obtient les résultats suivants :
va devenir libre de se déplacer dans le réseau cristallin du silicium (Figure
1-2) Silicium intrinsèque Silicium extrinsèque dopé à l'arsenic cm
= 4.4 × 10 ( / ) = . . ≈ . . = 0.22( / )
= 2.3 × 10 / = 4.6 /

On notera que (du Si extrinsèque) est plus de 105 fois supérieure à

Figure 1-2
L'électron ainsi libéré laissera derrière lui une charge positive fixe dans
le réseau correspondant à l'atome d'arsenic ionisé.
Dans la suite, le semi-conducteur sera représenté par le schéma suivant
(Figure 1-3)
Figure 1-3
: Ion positif fixe dans le
réseau
o : électron libre majoritaire
la conductivité du Si pure (intrinsèque).
La concentration des électrons libres provenant des atomes donneurs
est très importante devant celle des porteurs intrinsèques (dans ce cas les
trous).
On dit que les électrons sont porteurs majoritaires, les trous porteurs
minoritaires.
2.2. Semi-conducteurs de type P
On ajoute cette fois une impureté trivalente de la troisième colonne du
tableau périodique (exemple : bore, aluminium, gallium, indium). Ces
éléments se substituent à un atome de silicium et n'assurent que trois
liaisons covalentes avec les atomes du silicium voisins. On obtient ainsi dans
l'ensemble du cristal un trou (déficit en charge négative) par impureté. Une
faible énergie sera suffisante (de l'ordre de 10 meV) pour qu'un électron
d'une liaison voisine puisse compenser ce trou avec apparition d'un
nouveau trou etc …(Figure 1-4)

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= + ≈ >>
La résistivité du semi-conducteur de type P est :
1 1
= =
Il faut noter comme remarque que les semi-conducteurs de type N et de
type P sont globalement neutres.
Illustration : cas du silicium de type P et N à T=300K

(
( ) ( ) ( ) ( ) ( )
Figure 1-4 / )
Pour des températures avoisinant l'ambiante, l'agitation thermique (à Extrinsèque 1.5×1010 1.5×1010 1350 480 4.4×10-6 2.3×105
T=300K, Eagit.therm.=3/2 kT=40 meV) permettra la libération d'un trou par 4.6×1015 5×104
atome d'impureté, d'où une augmentation notable de la concentration en >>
Type N ‘’’’’’’’’’’’’’ ‘’’’’’’’’’’’’’’ 1 1
porteurs positifs libres par rapport au semi-conducteur intrinsèque. Electrons
majoritaires
De ce fait, les impuretés introduites sont appelées atomes accepteurs
1.7×104 1.3×1016
pour avoir capter un électron. Ils deviennent des ions négatifs qui restent Type P >> ‘’’’’’’’’’’’’’ ‘’’’’’’’’’’’’’’ 1 1
fixes dans le réseau cristallin. Trous majoritaires
Les trous sont dit porteurs majoritaires et les électrons porteurs
minoritaires.
II. Production du silicium
Le semi-conducteur dopé ainsi que la conduction sont dits de type P car
la conduction se fait grâce au déplacement de charges positives. Le semi- Le silicium est obtenu à partir du sable (silice SiO2) par des traitements
conducteur de type P est schématisé par la figure suivante. chimiques et physiques complexes. Ce silicium n’est pas directement
utilisable car il n’est pas sous forme de cristal : les atomes ne sont pas ranges
régulièrement dans l’espace (silicium polycristallin).
Figure 1-5 Pour obtenir le silicium monocristallin, le silicium polycristallin est fondu
dans un creuset puis les impuretés (matériau dopant) sont ajoutées.
: Ion négatif fixe dans le
Trois types de dopage :
réseau
 N− ou P− → dopage faible : 1014 atomes/cm3 ;
o : trou libre majoritaire
 N ou P → dopage normal : 1016 atomes/cm3 ;
 N+ ou P+ → dopage fort : 1020 atomes/cm3.
Désignons par NA la concentration en atomes accepteurs. Le nombre de Un lingot de silicium monocristallin est obtenu par tirage à partir d’un
trous libres pe est égal au nombre d'atomes accepteurs NA plus (+) la germe convenablement orienté. Diamètre normalisé des lingots : 150 mm,
densité intrinsèque ni (=pi): 200 mm et 300 mm.

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Les lingots sont ensuite découpés en plaquettes circulaires, appelées wafer,
au moyen d’une scie diamantée. Epaisseur des plaquettes après rodage :
entre 350 et 650 μm. Elles ne doivent présenter aucun défaut et être
parfaitement planes.
Toutes ces opérations se font dans des salles hermétiques pour
empêcher la contamination du silicium par d’autres impuretés que celles
nécessaires au dopage.
• ions négatifs du côté P: ,
• ions positifs du côté N : ⊕ .
L'excédent de charge négatives immobiles situées entre A et J ainsi que
l'excédent de charges positives immobiles situées entre K et J créent un
champ électrique interne ⃗orienté de la région N vers la région P. Il apparaît
ainsi une différence de potentielle Vd=VK-VA qui constitue une barrière
d'énergie potentielle.

III. Contact entre semi-conducteurs Jonction P-N(Diode)

On sait réaliser expérimentalement, dans un même monocristal d'un
semi-conducteur deux régions de type P et N en contact à l'échelle atomique.
La surface de séparation entre ces deux régions s'appelle la jonction P-
N.
On rappelle les caractéristiques des deux régions :
 Zone P :
• Les trous sont porteurs majoritaires,
• Les électrons sont porteurs minoritaires,
• Les atomes accepteurs forment un réseau d'ions négatifs fixes.
 Zone N:
• Le électrons sont porteurs majoritaires
• Les trous sont porteurs minoritaires,
• Les atomes donneurs forment un réseau d'ions positifs fixes.

III.1 Jonction P-N non polarisée
En raison de la différence marquée en porteurs libres entre les
différentes régions, les trous proches de la jonction (majoritaires dans la
région P) diffusent vers la région N (où ils sont minoritaires) et piègent des
électrons (phénomène de recombinaison).
De même, les électrons diffusent de la région N vers la région P et y sont
piégés par les trous.
En conséquence, de part et d'autre de la jonction, il se crée une mince
zone de transition appelée aussi zone de déplétion ou zone de charge
d'espace (d'épaisseur ≈1µm) pratiquement dépourvue de porteurs libres
mais contenant toujours des ions fixes provenant des atomes dopeurs :
III.1.1 Courant de diffusion dû aux porteurs majoritaires
 Région N :
Les électrons majoritaires arrivent par agitation thermique en K:
• la plupart sont repoussés par le champ interne ⃗ vers la région N
d'où ils proviennent.
• seuls quelque porteur ayant acquit une énergie thermique
suffisante peuvent franchir la barrière d'énergie crée par ⃗ et
passent vers la région P.
Le déplacement de ces quelques porteurs crée un courant compté
positivement de P vers N.

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 Région P :
De façon similaire, les trous majoritaires arrivent par agitation
thermique en A :
• la plupart sont repoussés par le champ interne ⃗ vers la région P d'où ils
proviennent.
• quelques-uns ont acquis par agitation thermique une énergie suffisante
pour passer dans la région N. Ils contribuent à créer un courant compté
positivement de P vers N.
Il existe donc au niveau de la jonction P-N un courant appelé courant de
diffusion noté Id correspondant au déplacement des charges majoritaires et
qui est dirigé de la région P vers la région N.
Remarque : Id
• augmente avec la température de la jonction.
• augmente si la d.d.p. de diffusion Vd diminue.
III.1.2 Courant de saturation dû aux porteurs minoritaires
 Région N :
Les trous minoritaires (très peu nombreux), dont une partie encore plus
faible arrivant en K par effet d'agitation thermique, sont accélérés par ⃗ et
de ce fait sont propulsés dans la région P.
 Région P :
Les électrons minoritaires qui arrivent en A, sous l'effet de l'agitation
thermique, sont propulsés par le champ interne ⃗ dans la région N. Il existe
donc au niveau de la jonction P-N un courant appelé courant de saturation
noté Is (opposé au sens du courant de diffusion) et qui est:
• lié au déplacement des porteurs de charges minoritaires,
• dirigé de la région N vers la région P.
Remarque :
1) La jonction P-N se trouve en circuit ouvert, le courant global dans la
jonction est nul : I=Id + Is=0 et Id=Is.
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2) Is dépend uniquement de la température. Id dépend de la température et
de Vd. Si l'on modifie Vd au moyen d'une d.d.p. extérieure, on pourrait faire
varier fortement Id sans modifier Is.
III.2. La jonction P-N sous tension. Jonction P-N polarisée
III.2.1. Polarisation en sens direct
Lorsque l'extrémité de la région P est portée à un potentiel supérieur à
celui de l'extrémité de la région N, on dit que la jonction P-N est polarisée en
directe. En polarisation directe, l'application de la tension V aux bornes de
la jonction (figure 1-6) revient au fait à superposer au champ électrique
interne ⃗ un champ ⃗ de sens opposé.
Figure 1-6
Le champ résultant ⃗ = ⃗ + ⃗ est inférieur en module à ⃗ Ceci
revient à diminuer la d.d.p. entre les zones P et N donc entre les points A et
K. Il en résulte qu'il faut moins d'énergie aux porteurs majoritaires pour
traverser la zone de transition. Le courant de diffusion Id augmente
considérablement.
Le passage des porteurs minoritaires est favorisé par ⃗ et le courant
de saturation Is reste inchangé et peut même être négligé devant le courant
de diffusion Id.
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Le courant résultant, appelé courant direct de la jonction est
pratiquement égal à Id (Id = Id+ Is ≈ Id)
III.2.2. Polarisation en sens inverse
Lorsque l'extrémité de la région N est portée à un potentiel supérieur à
celui de l'extrémité de la région P, on dit que la jonction est en polarisation
inverse.
Dans ce cas, la tension V appliquée produit un champ électrique ⃗ de
même sens que ⃗ . Il faut cette fois beaucoup d'énergie aux porteurs
majoritaire pour traverser la zone de transition. La zone de transition
s'élargit et dans la pratique une d.d.p. inverse de quelque volt suffit à rendre
négligeable le courant de diffusion Id.
Le courant de saturation devient prépondérant mais reste faible à
température ordinaire puisqu'il est dû au déplacement des porteurs
minoritaires peu nombreux (I ≈Is)
Figure 1-7
Exemple : Pour une jonction de silicium, Is est inférieur à 10-9 ampère
lorsque la température de la jonction n'excède pas 25°C. On dit que la
jonction est bloquée.
Remarque :
Par analogie avec les propriétés de la diode à vide, une application
directe des propriétés de la jonction P-N est la diode à semi-conducteur.
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III.3 Claquage d'une jonction
Lorsque la d.d.p. inverse V (négative) devient importante (le champ ⃗
est important), les électrons minoritaires en traversant la jonction
acquièrent une énergie importante proportionnelle à la tension appliquée V.
Deux phénomènes se produisent à la suite :
i) Pour |V|>|VZ|, ils ionisent par choc les atomes de la zone de
transition. Il y a alors augmentation importante de la concentration en
porteurs minoritaires : c'est l'effet Zener.
ii)Un électron obtenu par effet Zener va être accéléré et va à son tour
ioniser un autre atome qui libérera un autre électron. Les deux électrons
ainsi libérés ionisent à leur tour d'autres atomes : il y a une véritable réaction
en chaîne. Le phénomène est appelé effet d'avalanche.
La diode se chauffe ce qui accroît le courant inverse. La courbe I=f(V)
devient sensiblement verticale (figue 1.8).
Des échauffements localisés se
produisent au niveau de la jonction qui
mettent la diode hors d'usage. On dit qu'il y
a claquage irréversible. Le seuil de tension
VZ, pour lequel se produit le claquage,
dépend essentiellement du dopage en
impuretés du semi-conducteur. Figue 1.8
On peut régler par dopage les seuils de claquage en fonction de
l'utilisation :
• diode de redressement (très bonne tenue en polarisation inverse) :
elle est peu dopée et la tension de claquage peu dépasser les 100 volts.
• diode Zener : obtenue par dopage convenablement variable. Elle a la
particularité de supporter sans dommage un courant inverse relativement
important dès que |V| ≥ |VZ| (VZ est appelée tension Zener). Le claquage est
réversible et l'application de tensions |V|≥ |VZ| peut être répéter sans
inconvénient à condition qu'il n'y ait pas de surchauffement du semi-
conducteur.
• diode Backward : très dopée et caractérisée par une très faible tenue
en polarisation inverse.
• diode tunnel : excessivement dopée et ne tient pas en polarisation
inverse. Elle est exploitée dans certains générateurs de fréquence.
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