Conversion Photovoltaïque

Cellules Solaires principes, technologies et état

de l’art

A. Outzourhit
Master MSN, GreenBee
Cellules solaires 1
Cellules solaires 2
 Conversion PV
• C’est la conversion directe du rayonnement solaire en courant électrique par
• Cette conversion, se fait grâce aux matériaux absorbeurs spécifiques où l’absorption de
la lumière donne naissance à des porteurs de charge qui par la suite separées
• Les matériaux utilsé semi-conducteurs (Pourquoi??) qui sont par la suite collectés..
• ➔ Génération d’une fem comme dans le cas d’une batterie (réactions d’oxydo-
réduction) par l’intermédiaire de l’absorption de la lumière
Les cellules photovoltaïques produisent du courant électrique continu à partir du
rayonnement solaire
Pa= Gi*A

• L’effet photovoltaïque fut

• Gi irradiation incidente observé pour la première
• A Surface fois par Becquerel en
1839.

𝑃𝑢 𝑈𝐼
𝜂=
𝑃𝑖
=
𝐴𝐺𝑖
Pu= Pe=U*I

Pour comparer entre diffèrent type et technologies, les rendements sont mesurer dans des
conditions de référence STC (voir loin), puisque G est variable et Pu est aussi variable
Cellules solaires 3
 Rendement énergétique

Ea(durée)= Hi/durée*A

• Hi irradiation incidente
• A Surface

Eu
4

𝐸/𝑑𝑢𝑟é𝑒 𝐸𝑢
𝜂𝑒 = =
𝐸𝑖 𝐴𝐻𝑖

Cellules solaires 4
 Principe
Absorbeur: effet photoélectrique interne et génération de
pairs électrons/trous et leurs diffusion vers les couches
sélectives sélectifs (cellules limité par la diffusion)

hn > Eg
Couche sélective aux
électrons (parfois ETL)
Couche sélective aux
Couche N + , très résistive
trous (HTL) très résistive
- pour les trous
pour les électrons
Contact arrière
Contact avant
+
V I

Les contacts permettent de connecter la cellule à une charge externe ou

à d’autres cellules
5
Cellules solaires
 Rappels: Conducteurs/semiconducteurs
• La conduction d’électricité exige la présence de porteurs de charges libres (électrons,
trous, ions..) susceptibles de se déplacer au sein du matériau en présence d’un champ
électrique (sous l’effet d’une fem)
La densité de courant J est
S I=dQ/dt (A=C/s) l’intensité du courant par unité de
surface. J=I/S (A/m2) ( unité de
courant mA/cm2)
L Loi d’Ohm microscopique:
Rappels • J=s E
• Loi d’Ohm Macroscopique: • E champ électrique =V/L
• V=RI (Resitance) • s conductivité
• R= r L/S • r=1/s est la résistivité (Wm)
Pour un seul type de porteurs (électrons)
s=qnm Mobilité des porteurs: traduit la facilité avec laquelle
Concentration des porteurs les porteurs de charges se déplacent dans le
(/cm3) matériaux
q=+e pour les électrons) Vd=mE(vitesse de dérive)
Pour plusieurs types de porteurs plusieurs chemins de conduction en //

(voir TD conductivité et effet hall)

Cellules solaires
s= q n m
i
i i i
6
 Résistivité de qq. métaux

Résistivité à 300 K
Métal
(Ω⋅m)

Argent 16 × 10−9
Cuivre 17 × 10−9
Or 22 × 10−9
Aluminium 28 × 10−9

Unité partique de la resitivité Ω mm2/m = 10−6 Ω m ;

Cellules solaires 7
 Table periodique
Groupe GAZ
1A RARES
1 1.008 2 4,003

H He
1s 1 1s2

1 Hydrogène 2A numéro atomique masse atomique 3A 4A 5A 6A 7A Hélium

3 6,939 4 9,012 4 9,012 5 10,81 6 12,01 7 14,01 8 15,99 9 18,99 10 20,18

Li Be Be B C N O F Ne
1s 22s 1 1s 22s 2 structure électronique 1s 22s 2 symbole solide artificiel 1s 22s 22p1 1s 22s 22p2 1s 22s 22p3 1s 22s 22p4 1s 22s 22p5 1s 22s 22p6

Lithium Beryllium Beryllium liquide Bore Carbone Azote Oxygène Fluor Néon
2 11 23,00 12 24,31 nom gaz 13 26,98 14 28,09 15 30,97 16 32,06 17 36,45 18 39,95

Na Mg Al Si P S Cl Ar
(Ne)3s 1 (Ne)3s 2 (Ne)3s 23p1 (Ne)3s 23p2 (Ne)3s 23p3 (Ne)3s 23p4 (Ne)3s 23p5 (Ne)3s 23p6
3 Sodium Magnésium 3B 4B 5B 6B 7B /------------------------8------------------------\ 1B 2B Aluminium Silicium Phosphore Soufre Chlore Argon
19 39,10 20 40,08 21 44,96 22 47,90 23 50,94 24 52,00 25 54,94 26 55,85 27 58,93 28 58,71 29 63,55 30 65,38 31 69,72 32 72,59 33 74,92 34 78,96 35 79,91 36 83,80

K Ca Sc Ti V Cr Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge As Se Br Kr
(A r)4s 1 (A r)4s 2 (A r)3d14s 2 (A r)3d24s 2 (A r)3d34s 2 (A r)3d54s 1 (A r)3d54s 2 (A r)3d64s 2 (A r)3d74s 2 (A r)3d84s 2 (A r)3d104s 1 (A r)3d104s 2 (A r)3d104s 24p1 (A r)3d104s 24p2 (A r)3d104s 24p3 (A r)3d104s 24p4 (A r)3d104s 24p5 (A r)3d104s 24p6
4 Potassium Calcium Scandium Titane Vanadium Chrome Maganèse Fer Cobalt Nickel Cuivre Zinc Gallium Germanium Arsenic Sélénium Brome Krypton
37 85,47 38 87,62 39 88,91 40 91,22 41 92,91 42 95,94 43 98,91 44 101,1 45 102,9 46 106,4 47 107,9 48 112,4 49 114,8 50 118,7 51 121,8 52 127,6 53 126,9 54 131,3

Rb Sr Y Zr Nb Mo Tc Ru Rh Pd Ag Cd In Sn Sb Te I Xe
(Kr)5s 1 (Kr)5s 2 (Kr)4d15s 2 (Kr)4d25s 2 (Kr)4d45s 1 (Kr)4d55s 1 (Kr)4d55s 2 (Kr)4d75s 1 (Kr)4d85s 1 (Kr)4d105s 0 (Kr)4d105s 1 (Kr)4d105s 2 (Kr)4d105s 25p1 (Kr)4d105s 25p2 (Kr)4d105s 25p3 (Kr)4d105s 25p4 (Kr)4d105s 25p5 (Kr)4d105s 25p6
5 Rubidium Strontium Yttrium Zirconium Niobium Molybdène Technétium Ruthénium Rhodium Palladium Argent Cadmium Indium Étain Antimoine Tellure Iode Xénon
55 132,9 56 137,3 57 198,9 72 178,5 73 180,9 74 183,9 75 186,2 76 190,2 77 192,2 78 195,1 79 197,0 80 200,6 81 204,4 82 207,2 83 209,0 84 210 85 210 86 222

Cs Ba La* Hf Ta W Re Os Ir Pt Au Hg Tl Pb Bi Po At Rn
(Xe)6s 1 (Xe)6s 2 (Xe)5d16s 2 (Xe)4f 145d26s 2 (Xe)4f 145d36s 2 (Xe)4f 145d46s 2 (Xe)4f 145d56s 2 (Xe)4f 145d66s 2 (Xe)4f 145d76s 2 (Xe)4f 145d106s 0 (Xe)4f 145d106s 1 (Xe)4f 145d106s 2 (Xe)4f 145d106s 26p1 (Xe)4f 145d106s 26p2 (Xe)4f 145d106s 26p3 (Xe)4f 145d106s 26p4 (Xe)4f 145d106s 26p5 (Xe)4f 145d106s 26p6
6 Césium Barium Lanthane Tantale Tungstène Rhénium Osmium Iridium Platine Or Mercure Thalium Plomb Bismuth Polonium Astate Radon
87 223 88 226 89 227

Fr Ra Ac**
(Rn)7s 1 (Rn)7s 2 (Rn)6d17s 2

7 Francium Radium Actinium

* 58 140,1 59 140,9 60 144,24 61 145 62 150,35 63 152,0 64 157,3 65 158,9 66 162,5 67 164,9 68 167,3 69 168,9 70 173,0 71 175,0

Ce Pr Nd Pm Sm Eu Gd Tb Dy Ho Er Tm Yb Lu
Lanthanides (Xe)4f 25d06s 2 (Xe)4f 35d06s 2 (Xe)4f 45d06s 2 (Xe)4f 55d06s 2 (Xe)4f 65d06s 2 (Xe)4f 75d06s 2 (Xe)4f 75d16s 2 (Xe)4f 95d06s 2 (Xe)4f 105d06s 2 (Xe)4f 115d06s 2 (Xe)4f 125d06s 2 (Xe)4f 135d06s 2 (Xe)4f 145d06s 2 (Xe)4f 145d16s 2
6 Cérium Praséodyme Néodyme Prométhium Samarium Europium Gadolinium Terbium Dysprosium Holmium Erbium Thulium Ytterbium Lutétium
** 90 232,0 91 231 92 238,0 93 237,1 94 244 95 243 96 247 97 247 98 251 99 254 100 257 101 256 102 254 103 257

Th Pa U Np Pu Am Cm Bk Cf Es Fm Md No (Lw)
Actinides (Rn)5f 06d27s 2 (Rn)5f 26d17s 2 (Rn)5f 36d17s 2 (Rn)5f 56d07s 2 (Rn)5f 66d07s 2 (Rn)5f 76d07s 2 (Rn)5f 76d17s 2 (Rn)5f 76d27s 2 (Rn)5f 96d17s 2
7 Thorium Protactinium Uranium Neptunium Plutonium Américium Curium Berkélium Californium Einsteinium Fermium Mendéléviuml Nobélium Laurencium

quaternaires
A. Outzourhit Semi-conducteurs 8
 Semi-conducteurs
Model des liaisons: cas du SI
Silicium (Si) possède 4 électrons périphériques (Group IV),
• Règle de l’octet ➔ Chaque atome dans le cristal de Si
forme des liaisons covalentes avec les 4 atomes voisins
(configuration stable 8 électrons/atome).
• Les électrons de valence sont donc liées(liaison
covalente) et ne peuvent pas contribuer à la r=2.3290 g/cm
3

conduction électrique dans le Si!! a=0.543 nm

• Mais: Il est possible de libérer un électron de
valence en lui fournissant assez d’énergie (>= Eg) pour
vaincre l’attraction des atomes (par exemple l’énergie
thermiques, kT, lumière)
• En quittant une liaison, un électron laisse un
trou (manque d’électron) qui peut aussi se
déplacer librement d’une liaison à une autre
comme une charge positive.
• Ces électrons et trous « libres » peuvent donc
contribuer à la conduction électrique!!

Cellules solaires 9
 Model des Bandes d’énergie
Rappels: dans un atomes les niveaux d’énergies sont discrets
Dans un solide ces niveaux formes des bandes d’énergie (bandes des électrons périphériques)

Electrons dans la Bande de Bande de conduction

Conduction sont libres LUMO=Ec
(Eg=Ec-EV)=1.1 eV
Bande interdite
pour le Si
HOOMO=EV
Électrons dans la BV sont liés Bande de Valence Electrons de plus
mais Les trous dans la Bande de (electrons de valence sont liés
en plus liés)
valence sont libres confinés dans les atomes)

Génération: x
Il est possible de libérer un électron de valence en lui fournissant assez d’énergie (>= Eg) pour
vaincre l’attraction des atomes (par exemple l’énergie thermiques, kT, lumière)
La génération des électrons et des trous se fait en paires
• On peut aussi génèrera des porteurs en éclairant un semi-conducteur avec de la lumière dont les
photons ont une énergie >=à Eg
Recombinaison: processus inverse de la génération (disparition d'un trou par capture d'un
électron)
• C’est l’équilibre dynamique entre les deux processus qui determine a concentration des
porteurs dans un SC à une température donnée
Cellules solaires 10
 Semi-conducteur intrinsèque, Métal et Isolant
Concentration (densité des porteurs):
n: concentration des électrons= nombre d’électrons/unité de volume
p: concentration des trous= nombre de trous/unité de volume
Fonction de T DANS LES SC
Concentration des porteurs à T=300 K (énergie thermique kT=25 meV)
• Semi-conducteur intrinsèque (non dopé):
n=p=ni=1010 cm-3 • Conducteur: n=1023 cm-3 !!!!!!
• Concentration des porteurs de charge est faible, • Dans un conducteurs les
• la conductivité est médiocre à température électrons de valences sont libres
ambiante.
(liaison métallique)
• La conductivité augmente avec T!! Et est égale
➔ chevauchement des deux bands
à zéro à T=0 K!!!

Cellules solaires 11
 Classifications des matériaux
CONDUCTIVITE À la température ambiante:
• Métaux: σ > 105 (Wm)-1
Très bon conducteurs d’électricité: application en électrotechnique, métallisation en microélectronique,
Semi-conducteurs: 10-6 < σ < 105 (Wm)-1
Conductivité intermédiaires qui s’annule à T=0K (isolant parfait); application en microélectronique, conversion de
l’énergie (photovoltaïque)..
• Isolants: σ < 10-6 (Wm)-1
Les isolants électriques sont des matériaux dont la résistivité est extrêmement élevée. On compte parmi ces
matériaux les céramiques et de nombreux, plastiques (isolation électrique des conducteurs)
• Supraconducteurs; résistivité nulle au dessous d’une température critique: stockage de l’électricité,
interconnexions sans pertes..

Classification selon les variations de la résistivité avec la température

s=qnm

Métal semi-conducteur Transition métal-isolant Supraconducteur

Intérêt: La résistivité/conductivité électrique d’un matériau est une propriété qui dépend de sa structure, de
sa composition et pureté (exemples carbone graphite et diamant!!)
 Groupe GAZ
1A RARES

Semiconducteurs
1 1.008 2 4,003

H He
1s 1 1s2
1 Hydrogène 2A numéro atomique masse atomique 3A 4A 5A 6A 7A Hélium
3 6,939 4 9,012 4 9,012 5 10,81 6 12,01 7 14,01 8 15,99 9 18,99 10 20,18

Li Be Be B C N O F Ne
1s 22s 1 1s 22s 2 structure électronique 1s 22s 2 symbole solide artificiel 1s 22s 22p1 1s 22s 22p2 1s 22s 22p3 1s 22s 22p4 1s 22s 22p5 1s 22s 22p6
Lithium Beryllium Beryllium liquide Bore Carbone Azote Oxygène Fluor Néon
2 11 23,00 12 24,31 nom gaz 13 26,98 14 28,09 15 30,97 16 32,06 17 36,45 18 39,95

Na Mg Al Si P S Cl Ar
(Ne)3s 1 (Ne)3s 2 (Ne)3s 23p1 (Ne)3s 23p2 (Ne)3s 23p3 (Ne)3s 23p4 (Ne)3s 23p5 (Ne)3s 23p6
3 Sodium Magnésium 3B 4B 5B 6B 7B /------------------------8------------------------\ 1B 2B Aluminium Silicium Phosphore Soufre Chlore Argon
19 39,10 20 40,08 21 44,96 22 47,90 23 50,94 24 52,00 25 54,94 26 55,85 27 58,93 28 58,71 29 63,55 30 65,38 31 69,72 32 72,59 33 74,92 34 78,96 35 79,91 36 83,80

K Ca Sc Ti V Cr Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge As Se Br Kr
(A r)4s 1 (A r)4s 2 (A r)3d14s 2 (A r)3d2 4s 2 (A r)3d34s 2 (A r)3d54s 1 (A r)3d54s 2 (A r)3d64s 2 (A r)3d74s 2 (A r)3d84s 2 (A r)3d104s 1 (A r)3d104s 2 (A r)3d104s 24p1 (A r)3d104s 24p2 (A r)3d104s 24p3 (A r)3d104s 24p4 (A r)3d104s 24p5 (A r)3d104s 24p6
4 Potassium Calcium Scandium Titane Vanadium Chrome Maganèse Fer Cobalt Nickel Cuivre Zinc Gallium Germanium Arsenic Sélénium Brome Krypton
37 85,47 38 87,62 39 88,91 40 91,22 41 92,91 42 95,94 43 98,91 44 101,1 45 102,9 46 106,4 47 107,9 48 112,4 49 114,8 50 118,7 51 121,8 52 127,6 53 126,9 54 131,3

Rb Sr Y Zr Nb Mo Tc Ru Rh Pd Ag Cd In Sn Sb Te I Xe
(Kr)5s 1 (Kr)5s 2 (Kr)4d15s 2 (Kr)4d25s 2 (Kr)4d45s 1 (Kr)4d55s 1 (Kr)4d55s 2 (Kr)4d75s 1 (Kr)4d85s 1 (Kr)4d105s 0 (Kr)4d105s 1 (Kr)4d105s 2 (Kr)4d105s 25p1 (Kr)4d105s 25p2 (Kr)4d105s 25p3 (Kr)4d105s 25p4 (Kr)4d105s 2 5p5 (Kr)4d105s 25p6
5 Rubidium Strontium Yttrium Zirconium Niobium Molybdène Technétium Ruthénium Rhodium Palladium Argent Cadmium Indium Étain Antimoine Tellure Iode Xénon
55 132,9 56 137,3 57 198,9 72 178,5 73 180,9 74 183,9 75 186,2 76 190,2 77 192,2 78 195,1 79 197,0 80 200,6 81 204,4 82 207,2 83 209,0 84 210 85 210 86 222

Cs Ba La* Hf Ta W Re Os Ir Pt Au Hg Tl Pb Bi Po At Rn
(Xe)6s 1 (Xe)6s 2 (Xe)5d16s 2 (Xe)4f 145d26s 2 (Xe)4f 145d36s 2 (Xe)4f 145d46s 2 (Xe)4f 145d5 6s 2 (Xe)4f 145d66s 2 (Xe)4f 145d76s 2 (Xe)4f 145d106s 0 (Xe)4f 145d106s 1 (Xe)4f 145d106s 2 (Xe)4f 145d106s 26p1 (Xe)4f 145d106s 26p2 (Xe)4f 145d106s 26p3 (Xe)4f 145d106s 26p4 (Xe)4f 145d106s 26p5 (Xe)4f 145d106s 26p6
6 Césium Barium Lanthane Tantale Tungstène Rhénium Osmium Iridium Platine Or Mercure Thalium Plomb Bismuth Polonium Astate Radon
87 223 88 226 89 227

Fr Ra Ac**
(Rn)7s 1 (Rn)7s 2 (Rn)6d17s 2

7 Francium Radium Actinium

* 58 140,1 59 140,9 60 144,24 61 145 62 150,35 63 152,0 64 157,3 65 158,9 66 162,5 67 164,9 68 167,3 69 168,9 70 173,0 71 175,0

Ce Pr Nd Pm Sm Eu Gd Tb Dy Ho Er Tm Yb Lu
Lanthanides (Xe)4f 25d06s 2 (Xe)4f 35d06s 2 (Xe)4f 45d0 6s 2 (Xe)4f 55d06s 2 (Xe)4f 65d06s 2 (Xe)4f 75d06s 2 (Xe)4f 75d16s 2 (Xe)4f 95d06s 2 (Xe)4f 105d06s 2 (Xe)4f 115d06s 2 (Xe)4f 125d06s 2 (Xe)4f 135d06s 2 (Xe)4f 145d0 6s 2 (Xe)4f 145d16s 2
6 Cérium Praséodyme Néodyme Prométhium Samarium Europium Gadolinium Terbium Dysprosium Holmium Erbium Thulium Ytterbium Lutétium
** 90 232,0 91 231 92 238,0 93 237,1 94 244 95 243 96 247 97 247 98 251 99 254 100 257 101 256 102 254 103 257

Th Pa U Np Pu Am Cm Bk Cf Es Fm Md No (Lw)
Actinides (Rn)5f 06d27s 2 (Rn)5f 26d17s 2 (Rn)5f 36d1 7s 2 (Rn)5f 56d07s 2 (Rn)5f 66d07s 2 (Rn)5f 76d07s 2 (Rn)5f 76d17s 2 (Rn)5f 76d27s 2 (Rn)5f 96d17s 2
7 Thorium Protactinium Uranium Neptunium Plutonium Américium Curium Berkélium Californium Einsteinium Fermium Mendéléviuml Nobélium Laurencium

Matériau Eg, eV
binaires : III-V (GaAs, GaN, InAs,
Si 1.11 ternaires : I-III-VI2 InP…);II-VI (CdTe, ZnS)
Ge 0.67
Quaternaires
GaAs 1.43 l(mm)=1.24/Eg(eV) =1.24/0.67=1.85mm
CdS 2.42
A. Outzourhit Semi-conducteurs 13
CdTe 1.48
 Semi-conducteurs extrinsèques: Dopage
La conductivité (concentration des porteurs de charge) des SC peut être augmentée (contrôlée)
par dopage
Dopage: substitution d’une fraction des atomes du matériau (Si) par des atomes ayant des
valences différentes de celles du Si.
Dopage du Si au phosphore P (Valence 5)
C’est un donneur d’électrons dans le Si!! Comment?
Règle de l’octet

n=ND=1016 à 1017 cm-3

pn=n2i/n=103 à 105 cm-3
SC Type N: électrons sont majoritaires
• La conduction est alors assurée en
grande partie par les électrons.
• chemin résistif pour les trous

• Taux de dopage élevés notés: n+, n++ (1019 cm-3)

Cellules solaires 14
 Semi-conducteurs extrinsèques: Dopage
Dopage du Si au Bore B ou Al
B ou Al: Valence 3 (éléments du Groupe III)
• 3 électrons entre en liaisons covalentes, il
reste une liaison incomplet (trou)
• Chaque atome de bore introduit donc un
trou libre ➔ accepteur
• Si on introduit NA accepteurs/cm3 alors
p=NA=1016 à 1017 /cm-3
np=n2i/p=103 à 1014 /cm-3

Dans un SC de Type P les trous sont majoritaires

Et les électrons sont des porteurs minoritaires
• La conduction est alors assurée par les trous
• Un SC de type p offre un chemin résistif aux
électrons (bloque les électrons et sélectif au trous)!!

• Taux de dopage élevés notés: p+, p++ (1019 cm-3)

Cellules solaires 15
 Jonction PN
Contact intime entre deux semi-conducteurs un de type P (trous sont majoritaires) et un autre de type
N (électrons majoritaires)
Initialement: distribuions non uniforme (excès d’e dans N et de trous dans P ➔ diffusion.
• Au voisinage de la zone de contact entre les deux semi-conducteurs, les électrons diffusent de la
région (N) vers la région P (pauvre en électrons)
• Le flux de porteurs et donc le courant de diffusion est proportionnel à leur gradient de
concentration :
diffusion
P N

• Chaque e qui diffuse vers P laisse une charge fixe

positive fixe (phosphore P+), dans N, et chaque trous qui
duffuse de P vers N laisse charge négative fixe dans la
région P (B-)

• Un champ électrique interne (Ei) s’etabli donc autour de la

jonction, et qui s’oppose de plus en plus à la diffusion des
porteurs majoritaires (F=qE) mais pas aux porteurs
minoritaires!!
• A l’équilibre, le courant de diffusion est égal et opposé au
courant de conduction(dû au champ interne entre les deux
SC)
Polarisation de la Jonction (application d’une tension)
• Polarisation inverse • Polarisation inverse
• Champ interne renforcé par le champ externe➔ courant
des porteurs minoritaires uniquement (faible): courant de
saturation Is…
• Polarisation directe: champ interne est réduit par le Barrière
champ externe (réduit la barrière), courant de diffusion
(injection) plus important que le courant des minoritaires
La jonction permet alors le passage du courant dans un seul
sens (diode)

I d = I s (eV / VT − 1)

VT=kT/q

Polarisation directe
Homojonction : le semiconducteur de type "P" est constitué du même matériau (Si, Ge,
GaAs) que le semiconducteur de type "N". Dans le cas contraire on parle d'hétérojonction
Cellules solaires 17
 Absorption de la lumière et phot-génération
• La lumière est composée de photons dont l’énergie est :
• Ep (eV)=hn=hc/l=1,24/l(mm) (eV) (relation de Planck): quantum d’énergie

• La lumière sera absorbée par un semi-conducteur si l’énergie des photons est

supérieure ou égale à Eg (largeur de la bande interdite =seuil d’absorption)

Si à l’inverse l’énergie du photon n’est pas

Band interdite (eV) suffisante (hn < Eg), il traverse le matériau.
Matériau
0K 300 K
Si 1.17 1.11
Ge 0.74 0.66 Bande de conduction
InP 1.42 1.27 Ec
GaP 2.32 2.25 hn (Eg=Ec-EV)
GaAs 1.52 1.43 EV
CdSe 1.84 1.74
CdTe 1.61 1.44 Bande de Valence
ZnO 3.44 3.2
ZnS 3.91 3.6

Quelle est la longueur d’onde correspondant à Eg pour le Si (seuil)??

Cellules solaires 18
 Absorption et photo-génération: Mécanismes
Mécanismes d’absorption de la lumière dans un semi-conducteur:
1. Transition bande à bande (inter-bande) : le photon provoque l’excitation des
électrons de la BV vers la BC si hn  Eg
soit l(mm) < 1.24/Eg( eV))
L’ électron laisse un trou libre dans la BV
➔ C’est l’Effet photoélectrique interne
➔ création de paires électron-trou (excitons) 2 Thermalisation
➔ Si hn >>Eg transition + thermalisation
EC
2. Excitation des porteurs libres dans la BC et dans 1
hn >Eg
la BV (Transition intra-bande)+thermalisation ➔ hn
échauffement de l’absorbeur EV
Les photons excitent aussi les vibrations des
liaisons et contribuent à l’échauffement de
l’absorbeur

• Si à l’inverse l’énergie du photon n’est pas suffisante (hn < Eg), le photon ne sera
pas absorbé c’est l’un des mécanismes des pertes dans les cellules en plus de la
thermalisation
Cellules solaires 19
 Absorption des photons dans les SC et photo-génération des charges
Si Gi est l’irradiance ou éclairement (W/m2) à la surface du semi-conducteur. Le flux de photons
entrant le SC en x=0+
G
 p (x = 0+ ) = (1-R) i Pour un rayonnement monochromatique
hn

Gi Nombre de photons/unité de surface/unité de temps associée à une longueur

d’onde (fréquence) donnée
En une profondeur x dans le SC, le flux de photons est donné par la Loi
de Beer-Lambert

 p (x ) =  p (x = 0+ ) exp −a x

• a est le coefficient d’absorption du semi-conducteur

(en cm-1) pour le rayonnement considéré

• 1/ a est la profondeur d’absorption: profondeur au

bout de laquelle le flux de photons est réduit par un
facteur de e=2,7 (36% de sa valeur en x=0).
• 1/Si=0.01 cm=0.1mm,
• 1/CdTe= 10-4cm=1mm (cellules en couches minces)

• Pour une absorption totale, il faux que l’épaisseur du

semi-conducteur (absorbeur en générale) soit au
moins > à 1/a Cellules solaires 20
Gi (W/m2), photon a une énergie hn
Le nombre de photons incidents sur le semi-conducteur/unité de surface et par unité de temps
est Gi/hn

Si R est le coefficient de réflexion du SC

Alors le nombre de photons qui pénètre dans le SC est:
p=(1-R) Gi/hn
hn=1.5eV
Gi=600 W/m2
R=0
p=600 W/m2/(1.5eV x1.6x10-19 J/eV)
= 2.5x1020 photons/s/m2
=2.5x1016photons/s/cm2
Si ces photos sont tous absorbés et que chaque photons donne naissance à une pair
électrons ➔ ne=2.5x1016 électrons/unité de surface/unité de temps
La densité de courant = I/S=qne = 1.6x10-19*2.5*1016 A/cm2
J=4.2x10-3 A/cm2 ou = 4.2 mA/cm2 Cellules solaires 21
 Photo-génération… suite
Gi
 p = (1-R)
hn
• Si on suppose que chaque photon absorbé donne lieu à un électron (rendement quantique=1) ,
Le nombre de porteurs générés par unité surface et par unité de temps est:
𝐺i
Φ𝑝 = (1−R)
h𝜈

Le nombre de porteur photo-générés est proportionnel à l’irradiance

Densité de photo-courant maximale si on collecte tous porteurs photo générés..
Jph = 𝑞Φ𝑝

•R est le coefficient de réflexion de la surface

Minimiser les pertes par réflexion (R) ➔ couche antireflet!!

Et pour la lumière solaire (banche): additionner la contribution de chaque tranche de

longueur d’onde, 𝜆𝑔
Jph = 𝑞 න 1 − 𝑅 𝐺𝜆 𝑑𝜆/h𝜈
On a besoin de la répartition spectrale (Irradiance spectrale) 𝜆𝑚𝑖𝑛

Angle d’incidence non pris en compte dans ce modèle simple

Cellules solaires 22
 Recombinaison des porteurs excédentaires
Recombinaison=Annihilation d’une paire électron – trou (inverse de la photo génération
1. Recombinaison en volume
• Recombinaison radiative (bande à bande)
– Plus probable dans les SC à gap directe
• Recombinaison non-radiative ➔ Emission d’un photon (LED, luminescence)
– Gap indirecte
– Recombinaison Auger BC
– Assistée par des pièges (recomb. de type Shockley-
Auger
Read-Hall ou SRH) R. radiative Niveau
piège
Les porteurs minoritaires sont plus sensibles à la génération
recombinaison que les porteurs majoritaires!!!!
BV
Taux de recombinaison des porteurs Minoritaires proportionnel à la concentration des porteurs
excédentaires(porteurs/cm3/s)
Dp Dn
Up = U =
SC Type N tp
SC Type p n
tn
Dp concentration des trous en excès (pn-pno) Dn concentration des électrons en excès (np-npo)
tp duré de vie des trous dans le SC de type N: tn duré de vie des électrons dans le SC de type P:
Porteurs majoritaires: excès est très inférieur à la concentration d’équilibre

Longueur de diffusion: distance parcourue par un porteur minoritaire avant recombinaison.

D: coefficient de diffusion (minoritaire) 𝑳 = 𝝉𝑫
23
Paramètre très important dans les cellules solaire
Effet du dopage structural defects

Cellules solaires 24
 Recombinaison en surface et passivation

La surface (comparée au volume d’un semi-conducteur)

est très défectueuse!! (discontinuité) ➔ grand nombre
de liaisons insatisfaites (ou pendantes, dangling bonds)
➔ Principale source de recombinaison dans le
matériau (de pureté élevée!!).
➔ recombinaisons de type SRH dans la surface avec
un taux surfacique R(/cm2/s)
s: vitesse de recombinaison
p
Rsurface (cm −2 s −1 ) = s p Dp n n
Rsurface (cm −2 s −1 ) = s n Dn p

Passivation : inactiver les défauts et les pieges.. ➔Donnent lieux à niveaux

On peut passiver les surface pour que sn=sp=0 d’énergie localisés dans le gap

Passivation chimique:
• Basée sur la suppression des liaisons pendantes Etats de surface Ec
• Dépôt d’une couche très fine (5nm) de a-Si:H (cas EF
des cellules HIT) ou SiN:H, SiO3… (voir
technologie des cellules solaires) EV

Cellules solaires
25
 Eléments d’une cellule solaire
• L’absorption de la lumière dans un semi-conducteur génère des paires électrons-trous
liées (excitons)
• Mais Il faut séparer les électrons et les trous avant qu’ils se recombinent!!
➔ utiliser le champ interne d’une jonction PN ou des couches sélectives
Une cellule solaire est formée d’au moins 5 parties
Absorbeur - un semi-conducteur (tel que
Paramètre clé de l’absorbeur: silicium, CdTe, GasA, CIGS, a-Si:H) qui
Longueur de diffusion= distance absorbe les photons entrants, créant
parcourue par un porteur avant qu’ils ainsi des paires e-h ( liées, ou excitons)
se recombinent
hn > Eg

Contact arrière
Couche sélective aux trous (HTL)
très résistive pour les électrons

Contact avant
Couche sélective aux
électrons (parfois ETL)
Les contacts permettent de connecter la cellule à une Couche N + est très
charge externe ou à d’autres cellules résistive pour les trous
Cellules solaires 26
Deux classes de cellules
1. Photo courant est Limité par diffusion (Diffusion-limited)
L'absorbeur est dopé soit P ou N. Les porteurs photo-générés diffusent jusqu’aux
bords des contact sélectifs P+ et N+ ou ils seront séparés!! ➔ l’épaisseur doit être <
à la longueur de diffusion des porteurs minoritaires ddans l’absorbeur!!

hn > Eg P+ N+

Contact arrière

Contact avant

2. Photo courant est Limité par dérive (conduction)(drift-limited)

C’est le cas où l’absorbeur est un semi-conducteur intrinsèque sandwiché entre deux
couches P et N. un champ électrique interne existe dans tout le volume de l’absorbeur qui
permet de séparer les porteurs photo- générés.

Cellules solaires 27
 Cellule solaire en charge
En présence d’une charge (résistance), la tension générée polarise la diode (jonction
PN) en directe
➔ courant de la diode est dans le sens opposé au photo-courant

Ei

P N

hn >Eg
-

Iph + Id
V

I=Id-Iph En circuit ouvert Id=Iph

• Le photo courant (Iph) est proportionnel au nombre de photons absorbés et donc à

la l’irradiance incidente sur la cellule (voir expression du taux de génération)
Cellules solaires 28
 Jonction PN sous Eclairement

I +
Iph

60
IDiode V

Courrant(mA)
40
_
Voc

20
-1 -0.5 0.5 1
Tension(V)

q  Vq  V
= I 0 = (exp
I 0  (exp − 1) − 1I)ph
-20

I Diode
kT kT
-40

(Vmp,Imp)
Isc
-60

Voir video effet photovoltaique Vmp  I mp Vmp  I mp

Cellulesrendement
solaires : = = 29
Pin S Ein
Caractéristique I-V d’une cellule solaire sous éclairement
(convention Générateur)
Cellule idéale: I = I ph − I s (eV / VT
− 1) I
Isc
•Le courant de court-circuit (à charge nulle, V=0)
Isc=30 à 60 mA (2 cm2 de surface) à 1000W/m2 Impp
Isc=Iph (pour une cellule idéale), Isc=40 mA/cm2
Vco
• La tension de circuit ouvert (charge déconnectée):
Voc=0,55 à 0.6 V pour le Si cristallin
Vmpp
kT  I ph  V
V oc = Ln  + 1
q  sI 
•La puissance debitée est :

( (
P = VI = V I ph - I s e eV/kT − 1 ))
P(V=0)=0 et, P(V=Voc)=0

➔ Maximum at V=Vmpp
V oc I sc
Facteur de forme FF =
ImpV mp Cellules solaires 30
 Puissance maximale, FF et rendement des cellules
dP dI
Puissance maximal: dP/dV=0 @ Vmpp =V + 𝐼 = 0@𝑉𝑚𝑝𝑝
- Tension au point de puissance Maximale Vmpp 𝑑𝑉 𝑑𝑉

- Courant au point de Puissance Maximale Impp Trouver Vmpp, Immp et Pm

Impp=I(Vmpp)

- Puissance Maxmale: P(Vmpp)= Pm=ImppVmpp,

V oc I sc
• Le facteur de forme FF = Impp
I mppV mpp
Interpreter FF
Pm
• Le rendement de conversion :
𝑃𝑚 𝐼𝑠𝑐 𝑉𝑜𝑐
𝜂= = 𝐹𝐹
𝑆𝐺𝛽 𝑆𝐺𝛽
Vmpp
Le rendement et les caractéristiques des modules PV sont mesures
dans les conditions STC

=25% pour le Si, 22% pour le GaAs dans les conditions STC
Cellules solaires 31
Rendement quantique (QE) et réponse spectrale (SR)
Rendement =Puissance électrique générée/Puissance
lumineuse incidente=Pe/A*Ii (Pe dépends de la charge et de la
température…)

Rendement quantique externe (EQE)

Nombre d'electrons photogenés et colectés J ph / q
EQE (%) = =
Nombre de photons incidents d'energie hn I i / hn

Rendement quantique interne (IQE)

Nombre d'electrons photogenés et colectés EQE
IQE (%) = =
Nombre de photons entrant le SC 1− R
Response Spéctrale (SR
SR=courant collecté/puissance incident
J ph q l J ph l (mm )
SR = = QE SR (A /W ) = = QE
Ii hc I i 1.24

A. Outzourhit 32
Effet de l’éclairement sur les caractéristiques
E=G (W/m2)

• La tension de circuit-ouvert (Voc) varie peu avec l’irradiation (Variation logarithmique)

kT I  kT I 
V oc = Ln  ph + 1  Ln  ph 
q  Is  q  Is 
• Le courant de court-circuit (Isc≈Iph) croît proportionnellement avec l’Irradiance
l’éclairement(variation linéaire) 𝐺
𝐼(𝑇) = 𝐼(𝑇𝑟𝑒𝑓 ) 1 + 𝛼𝐼 (𝑇 − 𝑇𝑟𝑒𝑓 )
𝐺𝑟𝑒𝑓

➔ Le rendement des modules ou cellulesCellules

variesolaires
légèrement avec l’irradiance (voir systèmes
33
PV, surtout aux faibles Irradiances)
 Influence de la température
1. Diminution nette de la tension de (Vmpp
et Voc) avec la température

Voir expression de Voc

V (T ) =V (T ref ) 1 + v (T −T ref )
V (T ) −V (T ref ) DV
= v (T −T ref ) =
V (T ref ) V (T ref )

Tref=25°C V=Voc ou Vmpp

v : coefficient de température de Voc en %/°C, valeur fournie par le fabriquant

v = -0,45% /°C (pour Si) ou ’v= -2,2 mV/°C, V(T) = V(Tref) + ’v (T-Tref)

2. Augmentation légère du courant de court circuit (Isc) I (T ) = I (T ref ) 1 +  I (T −T ref )

I =0,1% /°C pour Si pour Isc et Impp

Pourquoi: car Eg diminue légèrement et plus de photons seront donc absorbés!!

Eg/q = tension maximale q ’une cellule peut generer) 34
Cellules solaires
3. Diminution nette de la puissance (et donc du rendement) avec T, P=IV

DP DI DV 1 DP 1 DI 1 DV
= + = +  p = V +  I
P I V P DT I DT V DT

(p=-0,4%/°C pour c-Si)

P = P (T ref ) 1 +  p (T −T ref ) 

 =  (T ref ) 1 +  p (T −T ref ) 

voir les fiches techniques caractéristiques des modules pour les autres technologies
Conditions STC: G=1000 W/m2, Tc=25°C, Spectre AM1.5
Si (ref) =22%, si Tc=60°C, DT=T-Tref=35°C (correspond à une température ambiante de
35° et une irradiante 1000 W/m2)
=22% (1-0.4*35/100)=17%
Puisque le point de puissance maximale varie avec la température et l’irradiance, un système
de poursuite du point de puissance maximale (MPPT) doit être utilisé pour extraire le
maximum de puissance d’une cellule ou d’un module PV ou un ensemble de module PV
Cellules solaires 35
 Cellule solaire réelle
Fuite à travers la jonction (résistance shunt, Rsh), pertes résistives dans les contacts, le
volume du SC.. (résistance série, Rs)
Vd
I = I ph − I s (e (V d / nVT ) − 1) −
Circuit équivalent R sh
Iph Résistance série Rs
avec V d =V + R s I
Source de IRsh
courant Vd
Photo courant,
Iph Résistance shunt V
Rsh

Rs
Rs➔ réduit le FF et donc rendement
Rsh: réduit le FF et le Voc (Rsh<=50 W-cm2

De même pour
Rsh=inverse de la
pente à Isc les modules

Rsh

Pertes résistives
Rs=inverse de la
pente à Voc
Cellules solaires 36
 Productivité DC d’un champ PV
1. Production instantanée (Puissance) Puissance Puissance
Incidente produite
Dans les conditions STC (Tc=25°C,
G=1000 W/m2…) Champ P PV = PDC = 𝑆 𝐺𝒈𝜷
𝑃𝑖 = 𝑆 𝐺𝒈𝜷
PV
PSTC = Pc (Wc) = STC * GSTC ( W / m 2 ) * S(m 2 )

À une autre température Tc et sous autre niveau d’éclairement, Ggb (autre que STC), la
puissance DC produite par le module est: (gb: Globale sur plan incliné d’un angle b)

𝜂(Τ𝑐 , 𝐺𝑔𝛽 ) 𝐺𝑔𝛽

𝑃𝐷𝐶 = 𝜂(Τ𝑐 , 𝐺𝑔𝛽 ) ∗ 𝐺𝑖 ∗ 𝑆(𝑚2 ) = 𝑃
𝜂𝑆𝑇𝐶 𝐺𝑆𝑇𝐶 𝑐
Gi l’irradiance globale dans le plan du module/champ, mesurée ou calculée par Transposition
à partir des irradiances horizontales et S la surface du champ (module)

Rendement relatif 𝜂(Τ𝑐 , 𝐺𝑖 )

𝜂𝑟 = = 𝑘𝑔 (1 + 𝛼𝑝 ((Τ𝑐 − Τ𝑟𝑒𝑓 )
𝜂𝑆𝑇𝐶
kg est fonction des pertes par réflexion (en incidence oblique), poussières/salissures ,
ombrage, tolérance de fabrication, fonctionnement hors MPP,…pertes dans les câbles
DC, mauvaise performance les faibles irradiation, pertes spectrales….

A. Outzourhit, PV 37
Production énergétique journaliere d’un champ PV
• L’énergie solaire reçue par le champ dans une journée donnée est Ea/j=S Hgb/ j où Hgb/ j est l’irradiation
journalière globale dans le plan du Module/champ, mesurée ou calculé par Transposition à partir des
irradiances horizontales.
• On peut ainsi déterminer les paramètres de performance de la centrale sur une période donnée.

Energie solaire Energie électrique

reçue/jour DC produite/jour
Champ Pc (Wc)
𝑬𝒂/𝒋 = 𝑺 𝑯𝒈𝜷/𝒋 PV Eu/j=𝑬𝑷𝑽/𝒋 𝑬
= 𝑫𝑪/𝒋
= 𝜼𝒆𝑺 𝑯𝒈𝜷/𝒋 S(m 2 ) =
STC *GSTC ( W / m 2 )

𝜼𝒆 𝑯𝒈𝜷 𝒋
𝑬𝑷𝑽/𝒋 = 𝑬𝑫𝑪/𝒋 = 𝑺 𝜼𝒆𝑯𝒈𝜷/𝒋 = 𝑷𝒄 ∗ 𝜼 ∗ /
𝑮𝑺𝑻𝑪
𝑺𝑻𝑪 𝑯𝒈𝜷 𝒋
𝑬𝑫𝑪/𝒋 = 𝑬𝑷𝑽/𝒋 = 𝜼𝑹𝑷𝒄 / =
𝑮𝑺𝑻𝑪
𝜼𝑹𝑷𝒄 hc/jm!

• e=Rendement énergétique du champ sur la période considérée (1 jour, un mois, une année..)
• R= e/STC Rendement relatif (au rendement STC) pour la période considérée: Dépend des différentes pertes dans le
champ (Température, réflexion, salissures, câbles DC, tolérance de fabrication….…)
• PSH=hc/j=Hgbj/GSTC est le nombre d’heures d’ensoleillement crête ( de 1000 W/m2) 5peak sunshine hours) qui
donneront l’irradiance Hgb journalière (heures/j), C’et aussi productivité de référence Yr en kWh/m2/j/kWm2)
• C’est aussi la productivité de référence du site (kWh/j par kW de puissance solaire incidente) pour la période
considère , Notée Yr (Reference yield en anglais)
• Productivité DC du champ Ya (kWh/kWc/j):
𝑯𝒈𝜷 𝒋
𝒀𝒂 = 𝑬𝑷𝑽/𝒋 = 𝜼𝑹 / = 𝜼𝑹𝒀𝒓
𝑷𝒄 𝑮𝑺𝑻𝑪
A. Outzourhit, PV 38
 Semiconducting Materials
Groupe GAZ
1A RARES
1 1,008 2 4,003

H He
1s 1 1s2

1 Hydrogène 2A numéro atomique masse atomique 3A 4A 5A 6A 7A Hélium

3 6,939 4 9,012 4 9,012 5 10,81 6 12,01 7 14,01 8 15,99 9 18,99 10 20,18

Li Be Be B C N O F Ne
1s 22s 1 1s 22s 2 structure électronique 1s 22s 2 symbole solide artificiel 1s 22s 22p1 1s 22s 22p2 1s 22s 22p3 1s 22s 22p4 1s 22s 22p5 1s 22s 22p6

Lithium Beryllium Beryllium liquide Bore Carbone Azote Oxygène Fluor Néon
2 11 23,00 12 24,31 nom gaz 13 26,98 14 28,09 15 30,97 16 32,06 17 36,45 18 39,95

Na Mg Al Si P S Cl Ar
(Ne)3s 1 (Ne)3s 2 (Ne)3s 23p1 (Ne)3s 23p2 (Ne)3s 23p3 (Ne)3s 23p4 (Ne)3s 23p5 (Ne)3s 23p6

3 Sodium Magnésium 3B 4B 5B 6B 7B /------------------------8------------------------\ 1B 2B Aluminium Silicium Phosphore Soufre Chlore Argon

19 39,10 20 40,08 21 44,96 22 47,90 23 50,94 24 52,00 25 54,94 26 55,85 27 58,93 28 58,71 29 63,55 30 65,38 31 69,72 32 72,59 33 74,92 34 78,96 35 79,91 36 83,80

K Ca Sc Ti V Cr Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge As Se Br Kr
(A r)4s 1 (A r)4s 2 (A r)3d14s 2 (A r)3d24s 2 (A r)3d34s 2 (A r)3d54s 1 (A r)3d54s 2 (A r)3d64s 2 (A r)3d74s 2 (A r)3d84s 2 (A r)3d104s 1 (A r)3d104s 2 (A r)3d104s 24p1 (A r)3d104s 24p2 (A r)3d104s 24p3 (A r)3d104s 24p4 (A r)3d104s 24p5 (A r)3d104s 24p6

4 Potassium Calcium Scandium Titane Vanadium Chrome Maganèse Fer Cobalt Nickel Cuivre Zinc Gallium Germanium Arsenic Sélénium Brome Krypton
37 85,47 38 87,62 39 88,91 40 91,22 41 92,91 42 95,94 43 98,91 44 101,1 45 102,9 46 106,4 47 107,9 48 112,4 49 114,8 50 118,7 51 121,8 52 127,6 53 126,9 54 131,3

Rb Sr Y Zr Nb Mo Tc Ru Rh Pd Ag Cd In Sn Sb Te I Xe
(Kr)5s 1 (Kr)5s 2 (Kr)4d15s 2 (Kr)4d25s 2 (Kr)4d45s 1 (Kr)4d55s 1 (Kr)4d55s 2 (Kr)4d75s 1 (Kr)4d85s 1 (Kr)4d105s 0 (Kr)4d105s 1 (Kr)4d105s 2 (Kr)4d105s 25p1 (Kr)4d105s 25p2 (Kr)4d105s 25p3 (Kr)4d105s 25p4 (Kr)4d105s 25p5 (Kr)4d105s 25p6

5 Rubidium Strontium Yttrium Zirconium Niobium Molybdène Technétium Ruthénium Rhodium Palladium Argent Cadmium Indium Étain Antimoine Tellure Iode Xénon
55 132,9 56 137,3 57 198,9 72 178,5 73 180,9 74 183,9 75 186,2 76 190,2 77 192,2 78 195,1 79 197,0 80 200,6 81 204,4 82 207,2 83 209,0 84 210 85 210 86 222

Cs Ba La* Hf Ta W Re Os Ir Pt Au Hg Tl Pb Bi Po At Rn
(Xe)6s 1 (Xe)6s 2 (Xe)5d16s 2 (Xe)4f 145d26s 2 (Xe)4f 145d36s 2 (Xe)4f 145d46s 2 (Xe)4f 145d56s 2 (Xe)4f 145d66s 2 (Xe)4f 145d76s 2 (Xe)4f 145d106s 0 (Xe)4f 145d106s 1 (Xe)4f 145d106s 2 (Xe)4f 145d106s 26p1 (Xe)4f 145d106s 26p2 (Xe)4f 145d106s 26p3 (Xe)4f 145d106s 26p4 (Xe)4f 145d106s 26p5 (Xe)4f 145d106s 26p6

6 Césium Barium Lanthane Tantale Tungstène Rhénium Osmium Iridium Platine Or Mercure Thalium Plomb Bismuth Polonium Astate Radon
87 223 88 226 89 227

Fr Ra Ac**
(Rn)7s 1 (Rn)7s 2 (Rn)6d17s 2

7 Francium Radium Actinium

* 58 140,1 59 140,9 60 144,24 61 145 62 150,35 63 152,0 64 157,3 65 158,9 66 162,5 67 164,9 68 167,3 69 168,9 70 173,0 71 175,0

Ce Pr Nd Pm Sm Eu Gd Tb Dy Ho Er Tm Yb Lu
Lanthanides (Xe)4f 25d06s 2 (Xe)4f 35d06s 2 (Xe)4f 45d06s 2 (Xe)4f 55d06s 2 (Xe)4f 65d06s 2 (Xe)4f 75d06s 2 (Xe)4f 75d16s 2 (Xe)4f 95d06s 2 (Xe)4f 105d06s 2 (Xe)4f 115d06s 2 (Xe)4f 125d06s 2 (Xe)4f 135d06s 2 (Xe)4f 145d06s 2 (Xe)4f 145d16s 2

6 Cérium Praséodyme Néodyme Prométhium Samarium Europium Gadolinium Terbium Dysprosium Holmium Erbium Thulium Ytterbium Lutétium

** 90 232,0 91 231 92 238,0 93 237,1 94 244 95 243 96 247 97 247 98 251 99 254 100 257 101 256 102 254 103 257

Th Pa U Np Pu Am Cm Bk Cf Es Fm Md No (Lw)
Actinides (Rn)5f 06d27s 2 (Rn)5f 26d17s 2 (Rn)5f 36d17s 2 (Rn)5f 56d07s 2 (Rn)5f 66d07s 2 (Rn)5f 76d07s 2 (Rn)5f 76d17s 2 (Rn)5f 76d27s 2 (Rn)5f 96d17s 2

7 Thorium Protactinium Uranium Neptunium Plutonium Américium Curium Berkélium Californium Einsteinium Fermium Mendéléviuml Nobélium Laurencium

binaires : III-V (GaAs, GaN, ternaires : I-III-VI2 quaternaires

InAs);II-VI (CdTe, ZnS) Cellules solaires 39
 Technologies des cellules solaires

Cellules Solaires

1ere Generation 2eme generation 3eme génération

Silicium Cristallin Cellules en couches
Minces • Organiques
• Tandem/jonction multiples
Si, Si a-Si
• Nanostructured cells
Monocristalli Polycrystallin • Pérovskites hybrides (ABX3)
CdTe…
n.
CuInSe2, CIGS.

CuInSe2, CIGS.

Domine le Marché
Si abondant et non toxique
Cellules solaires 40
 Cellules de la 1ere Génération
• Silicium cristallin ( Eg=1.1 eV)
– Mono-cristallin • Coefficient d’Absorption :103cm-1
– Polycristallin • Longueur de diffusion 100 à 200mm
Types:
• Jonction p+/n
• Jonction n+/p

p+
Pour les cellules standard (Al BSF
• Texturation de la surface Back Surface field)
• Couche antireflet
• Voc : 620 à 650-mV
• Epaisseur des cellules 150 à 200mm • Jsc= 37- to 38 mA/cm2
• Surface typique 15.6x15.6 cm2 • FF: 77%–80%
• Rendement: 20 à 22%
Cellules solaires 41
 Production de la cellule standard en c-Si

diffusion
Wafer growth Wet chemistry

Vacuum deposition Screen printing furnace

• Le traitement thermique de la cellule finale à environ 800 ° C, assure le

durcissement des pâtes et la formation des contacts avec la couche n +.
• En outre, cela permet la diffusion des atomes d'Al du contact arrière vers la
base afin de générer la couche p+ requise pour le champ de surface arrière
Problème avec la cellule standard:
• Recombinaison aux surfaces de la plaquette de Si
• La lumière qui traverse la cellule est absorbée par le contact
arrière ➔ chauffage et réduction du rendement

Cellules solaires 42
 Etat de l’art: cellules PERC, PERT et PERL ( 25%)
Couche
• L'émetteur et la surface arrière du wafer de Si anti-reflet
sont passivés
• Passivation (pour réduire les défauts qui se
comportent comme des pièges de porteurs)
PERC: Passivated Emitter and Rear
Cell Or Passivated Emitter and Rear PERL: Passivated emitter with
Contact rear locally diffused
(p+: dopage local au bore)

PERT: Passivated Emitter Rear Totally diffused

Cellules solaires 43
 Etat de l’art……
• Technologie IBC: Contacts sur la
surface arrière pour réduire l’ombre de
la grille
Rendement proche de 24%

Cellules Bifaciales

Technologie IBC
Interdigited Back Contact technology

Cellules solaires 44
 Silicon Heterojunction (HIT)
• heterojunction with intrinsic thin Layer (HIT) hétérojonction avec une couche
intrinsèque)
• Combine le silicium cristallin (type-n) avec le Si en couches minces (a-Si:H, Eg=1.7 eV),
(Sanyo
Panasonic)

• Une couche de passivation de a-Si:H (~

5 nm) , la couche de a-Si:H dopée P+
forme l’hétérojonction avec le Si
cristallin n.
• Rendement= 24% (100 cm2)
• η = 25.6% avec la technologies des
contacts arrière inter digités IBC
(Panasonic)
• VOC = 0.74 V, JSC = 41.8 mA/cm2
• FF = 82.7%

Enfin, la combinaison des avantages des cellules HIT (Voc) et de l'IBC ( Jsc) dans les
cellules à contact arrière à hétérojonction (HBC), se traduit par des rendements de
conversion record de 26,6% pour le c-Si à jonction unique.
Cellules solaires 45
Cellules solaires 46
Cellules solaires 47