Module : Electronique générale Niveau : 2ème année

1. Semi-conducteurs & jonction PN

1. Introduction
Pour comprendre comment les diodes, transistors et circuits intégrés fonctionnent, il faut d'abord étudier les
semi-conducteurs (S/C) : matériaux qui ne sont ni conducteurs ni isolants. Leurs intérêts est la possibilité de
contrôler la quantité de porteurs de charges libres (courant), par exemple par dopage.

2. Isolants  Semi/conducteurs  Conducteurs

Les matériaux peuvent être classés en trois groupes : isolants, conducteurs et semi-conducteurs. Ils sont
différenciés selon leur valeurs de résistivité () et de conductivité (). Ces deux paramètres dépendent
fermement du matériau utilisé. La conductivité électrique est un phénomène physique qui consiste à laisser
passer librement les charges électriques dans un corps, solide ou liquide. Il s'oppose à la résistivité, qui
ralentit le courant en lui résistant. On considère comme :
- isolants les matériaux tels que  < 10−8 (.cm)1 et  > 106 .m (diamant 1014 S/cm) ;
- conducteurs les matériaux tels que  > 103 (.cm)1 et  < 106 .m (argent 106 S/cm) ;
- semi-conducteurs les matériaux tels que 10−8 (.cm)1 <  < 103 (.cm)1 (silicium 105 S/cm à 103 S/cm).
C'est un élément intermédiaire entre les métaux et les isolants.

Aussi, on classe les matériaux selon les bandes d'énergies occupées par les électrons libres. Il existe deux
bandes continues d'énergie : la bande de conduction (BC) et la bande de valence (BV). Ces bandes sont
séparées par une bande interdite car d'énergie inaccessible aux électrons. Cette région interdite est appelée
gap et sa largeur Eg est caractéristique du matériau. Notons que l'énergie du bas de la bande de conduction
est notée EC et que celle du haut de la bande valence est notée EV ainsi nous avons l'égalité Eg = EC  EV.

EC

EV

Représentation des bandes d'énergie.

3. Les semi-conducteurs
Les plus courants sont le germanium et le silicium. Il y a plusieurs années, le germanium était le seul
matériau utilisé pour réaliser des composants. Par la suite, le silicium est devenu très courant et a écarté le
germanium dans la plupart des applications, en raison de ses propriétés électrique et son abondance sur
Terre qui ont fait de lui un semi-conducteur de choix.

Atome de silicium – cœur de l'atome.

3.1. Le cristal de silicium

Quand les atomes de silicium s'assemblent pour faire un solide, ils s'ordonnent selon un modèle régulier
appelé cristal. Chaque atome partage ses électrons périphériques (couche de valence, 4 pour Si) avec quatre
voisins pour obtenir huit électrons sur son orbite de valence, on dit, alors, qu'elle est saturée, aucun autre
électron ne viendra s'y placer. D'où, la loi de saturation d'une orbite : nombre d'électrons n = 8.

Un cristal de silicium peut contenir des milliards d'atomes (1022/cm3), chacun avec ses huit électrons de
valence formant ainsi ce qu'on appelle "liaisons de covalence" ; c'est ce qui lui confère sa solidité.

3.2. Les trous

Quand la température se situe au-dessus du zéro absolu (273 °C), l'énergie thermique force les atomes du
cristal à vibrer ; plus la température est élevée, plus le mécanisme de vibration est important, ceci peut
parfois enlever un électron de son orbite de valence, c'est un électron libre.

Le départ de cet électron crée un vide dans l'orbite de valence appelé trou qui se comporte comme une
charge positive et attire tout électron dans son voisinage immédiat. Donc, dans un semi-conducteur il existe
2 types de porteurs de charges :
• des porteurs négatifs : les électrons de la bande de conduction,
• des porteurs positifs : les trous de la bande de valence.
3.3. Génération de paires électrons-trous
A la température 0 K, tous les électrons de valence sont utilisés dans des liaisons de covalence, pas
d’électrons libres  aucune possibilité de conduction, le cristal est un isolant.
Quand la température augmente, l’agitation thermique donne à certains électrons un supplément d’énergie
suffisant pour briser la liaison de covalence. Ces électrons libres peuvent alors se déplacer  le cristal est
devenu conducteur. Cette rupture libère des électrons mais produit aussi des atomes ionisés (+) qui
représentent des pièges à électrons ou trous. Le trou se comporte comme une charge positive égale à celle de
l'électron.

Le trou à gauche de la figure attire l'e de valence situé au point A pour se recombiner, qui crée un nouveau
trou au point A. L'effet est identique à celui du déplacement du trou initial en A. Un autre électron de
valence peut être attiré et capturé par ce nouveau trou. De cette manière, les e de valence se déplacent selon
le chemin marqué par les flèches et les trous évoluent dans le sens opposé selon le chemin A-B-C-D-E-F
comme une charge positive.
Ce phénomène de création de paires (e  trous) est le phénomène de recombinaison : e libres capturés par
les trous redeviennent e de valence.

3.4. Les semi-conducteurs intrinsèques

Un semi-conducteur intrinsèque est un matériau pur. Un cristal de silicium est intrinsèque si tous les atomes
qui le composent sont des atomes de silicium. A la température ambiante, il se comporte comme un isolant
car il y a peu d'électrons libres générés par l'agitation thermique ; pour augmenter leur nombre, il est
nécessaire de doper le cristal.
Donc, l'ionisation thermique produit autant d'électrons que de trous. Ainsi, la concentration en électrons, ni,
est égale à la concentration en trous, pi :
−𝐸 𝑔
𝑛𝑖 = 𝑝𝑖 = 𝐴. 𝑇 3⁄2 . 𝑒𝑥𝑝 (2𝐾𝑇) [𝑐𝑚−3 ]
A : constante spécifique au matériau ;
Eg : énergie de la bande interdite [J] ;
K = 1,38  1023 J/K, constante de Boltzmann ;
T : température [K] ;
Si K = 300 °K, ni = 1,4  1010 cm3 pour le silicium.
Le cristal est électriquement neutre, on appelle pi = ni : concentration intrinsèque de porteurs à l’équilibre.
La concentration dépend également de la largeur de la bande interdite, Eg. En effet, la concentration sera
d'autant plus grande lorsque Eg est petite, car il sera plus facile de rompre des liaisons c'est-à-dire faire
passer les électrons de la bande de valence à la bande de conduction.
3.4.1. Mobilité des porteurs
En absence d'une polarisation du semi-conducteur, les porteurs de charge libres se déplacent dans le cristal
sous l'effet de l'agitation thermique.
Si on polarise le semi-conducteur avec une tension V, les porteurs de charge seront soumis à un champ
électrique d'intensité : E = V/L où L est la longueur du barreau de semi-conducteur. Sous l'influence de ce
champ électrique, les porteurs se déplaceront dans la direction imposée par le champ : F = q  E.
Les trous se déplacent dans la direction du champ et les électrons dans la direction opposée.

La mobilité des porteurs est par définition :

𝑒. 𝑡 𝑣 𝑚⁄𝑠
𝜇= = [ ]
𝑚∗ 𝐸 𝑉 ⁄𝑚

t : temps ; e : charge de l'électron ; m* : masse effective du porteur de charge (électron, trou). On aura :
- pour les électrons :
𝑒. 𝑡
𝜇𝑛 = − ∗
𝑚𝑒
- pour les trous :
𝑒. 𝑡
𝜇𝑝 = ∗
𝑚𝑝

3.4.2. Courant des porteurs

Le nombre total N de porteurs qui traversent la section S d'un barreau S/C pendant le temps t est égale au
nombre d'électrons et de trous :
N = ni.ve.S.t + pi.vt.S.t = (ni.ve + pi.vt) S.t

La charge totale qui traverse la section S par unité de temps, qui est le courant, est :
𝑒𝑁
𝐼= = 𝑒(𝑛𝑖 𝑣𝑒 + 𝑝𝑖 𝑣𝑡 )𝑆
𝑡

on remplace les vitesses par leurs expressions, v = .E, on obtient :

𝐼 = 𝑒𝑛𝑖 (𝜇𝑛 + 𝜇𝑝 )𝐸𝑆
Puisque : ni = pi.
En divisant le courant I par la section S on obtient la densité de courant J :
𝐼
𝐽 = = 𝑒𝑛𝑖 (𝜇𝑛 + 𝜇𝑝 )𝐸
𝑆

3.4.3. Conductivité
La relation précédente montre que la densité de courant dans un semi-conducteur intrinsèque est
proportionnelle au champ électrique appliqué. La constante de proportionnalité σi est dite la conductivité du
semi-conducteur :
 i = e.ni(n + p)
Son inverse est la résistivité ρi :
1 1
𝜌𝑖 = =
𝜎𝑖 𝑒𝑛𝑖 (𝜇𝑛 + 𝜇𝑝 )

3.5. Semi-conducteurs extrinsèques

Pour augmenter la conductivité d'un S/C intrinsèque, on doit le doper par l'introduction des impuretés afin
d'augmenter le nombre de porteurs libres (électrons ou trous) et de modifier ses propriétés électriques : c'est
un S/C extrinsèque. Un S/C dopé peut avoir un excès d'électrons libres (type n) ou un excès de trous libres
(type p).

3.5.1. S/C de type n

Pour augmenter le nombre d'électrons libres, on ajoute au silicium des atomes pentavalents (groupe V : 5
électrons de valence) tels que l'arsenic (As) et le phosphore (P). Ces atome sont appelés donneurs car ils
vont donner l'électron excédentaire au cristal de silicium qui devient libre, les 4 électrons restants vont
participer à des liaisons de valence.

Chaque atome donneur introduit dans le silicium apporte un électron libre. Plus on introduit d'impuretés,
plus la conductivité est importante ; pour cela, la concentration des donneurs, ND, est telle que : ND >> ni.
On dit alors que les électrons sont les porteurs majoritaires et les trous, les porteurs minoritaires. Donc, les
densités de porteurs sont :
• porteurs majoritaires : n = ni + ND ≈ ND,
• porteurs minoritaires : p = ni² / ND.

3.5.2. S/C de type p

Comment doper le silicium pour avoir un excès de trous ? En utilisant un atome trivalent (groupe III : 3
électrons de valence) tels que l'aluminium (Al), le bore (B) et le gallium (Ga).

Comme l'atome trivalent a seulement 3 électrons de valence et que chaque voisin (silicium) en donne un, il y
en a simplement 7 sur l'orbite de valence, cela veut dire qu'un trou s'est formé. L'atome trivalent est ainsi
appelé accepteur car le trou créé peut accepter un électron d'une liaison covalente proche.
La concentration des atomes accepteurs est telle que : NA >> ni. On dit alors que les électrons sont les
porteurs minoritaires et les trous, les porteurs majoritaires. Donc, les densités de porteurs sont :
• porteurs majoritaires : p = pi + NA ≈ NA, concentration de dopage,
• porteurs minoritaires : n = ni² / NA.

3.6. La jonction PN
3.6.1. Jonction PN non polarisée (à l'équilibre)
a) Principe
- le S/C de type p : est un atome trivalent représenté symboliquement par un cercle avec un signe () et
génère un trou repéré par un signe (+),
- le S/C de type n : est un atome pentavalent représenté symboliquement par un cercle avec un signe (+) et
génère un électron repéré par un signe ().
Chaque partie est électriquement neutre car le nombre de (+) est égal au nombre de ().

Le semi-conducteur seul (N ou P) présente peu d’intérêt, c’est l’association de plusieurs S/C dopés qui
permet de créer les composants S/C. Le plus simple d’entre eux est la jonction PN ou diode. Une jonction
PN est la mise en contact entre un S/C type N et un S/C type P issus d'un même cristal. A la frontière, on
retrouve ce qu'on appelle jonction.

b) Zone de charge d'espace – Potentiel de diffusion

Les électrons libres du côté N ont tendance à diffuser (se disperser) dans toutes les directions, quelques-uns
traversent la jonction et entrent dans la région P où ils sont minoritaires. Avec le nombre élevé de trous, leur
durée de vie est très courte car rapidement l'électron libre se recombine avec un trou, ceci provoque la
disparition du trou et l'électron libre devient un électron de valence en créant par la même occasion une
paires d'ions : en quittant la région N, il laisse derrière lui un atome pentavalent qui a perdu son 5ème
électron, donc qui est devenu positif, et il produit un ion négatif avec l'atome trivalent (côté P) qui le
capture.

Des ions négatifs et positifs de part et d'autre de la jonction sont créés, ils ne peuvent pas bouger dans le
cristal comme les électrons libres et les trous à cause des liaisons de covalence. Chaque paire d'ions positif et
négatif est un dipôle qui augmente en nombre près de la jonction qui se vide de porteurs : c'est la zone de
déplétion ou zone de charge d'espace (ZCE) ou zone désertée.
Après, un champ électrique, dirigé du côté N vers le côté P, est créé et s’oppose au courant de porteurs
majoritaires. Ce champ est équivalent à une différence de potentiel appelée barrière de potentiel : Vd = 0,7V
pour le Si et 0,3V pour le Ge.

ID Is
W

E
Vd

Le potentiel de diffusion est donné par :

𝐾𝑇 𝑁𝐴 𝑁𝐷
𝑉𝑑 = 𝑙𝑛 2
𝑒 𝑛𝑖

La largeur de la ZCE dépend du dopage et du potentiel de diffusion aussi, en effet :

2𝜀 𝑁𝐴 + 𝑁𝐷
𝑊=√ ∙ ∙ 𝑉𝑑
𝑒 𝑁𝐴 𝑁𝐷

Un état d’équilibre est atteint, pour lequel : seuls quelques porteurs majoritaires ont une énergie suffisante
pour franchir la ZCE et contribuer au courant de diffusion ID ; mais compensé par un courant de saturation
inverse, Is :
−𝑒𝑉𝑑
𝐼𝑠 = 𝐼0 . 𝑒𝑥𝑝 ( )
𝐾𝑇

créé par les porteurs minoritaires lorsqu'ils sont capturés par le champ électrique de la ZCE.