Chapitre 3

Semi-conducteurs à l’équilibre

Aussi l’existance de deux types des porteurs dans les SC et la possobilité de leur dopage par
des donneurs et accepteurs permet de réaliser plusieurs dispisitifs basés sur la jonction pn
comme les diodes, transistors, phtocapteurs, cellules photovoltaîque, magnétomètre…
de même l’existance de la bande interdite permet d’avoir le phénomène d’absorption et
émission optiques qui ont plusieurs applications comme les masers, phtocapteurs, cellules
photovoltaîque …

I- Semi-conducteur intrinsèque
Un semi-conducteur est dit intrinsèque s’il est à l’état pur. Pour une température
différente de 0K, des électrons peuvent devenir libres c’est-à-dire passer de la bande de
valence à la bande de conduction, où leur concentration est notée n (figure 1). Ces électrons
laissent des trous dans la bande de valence avec une concentration p eux aussi libres de se
déplacer. En plus, à cause de neutralité du matériau on a n = p. On définit alors une
concentration intrinsèque ni égale à n et p.

Figure 1 : Diagrammes de bandes faisant apparaître les extrémums de la bande de

conduction et de valence. a. T0 = 0K, n = p = 0. b. T1= 300 K, n= p >0

II Semi-conducteur extrinsèque : dopage

Lorsque certaines impuretés (atomes étrangers au semi-conducteur) sont introduites
de façon volontaire ou non on parle de semi-conducteur extrinsèque et le phénomène associé
est désigné sous le nom de dopage. Ce phénomène permet de modifier le nombre des
porteurs libres et de choisir le type de conduction (par électrons ou par trou) dominant et de
contrôler la conductivité. La concentration des impuretés introduites est de l’ordre de 1016-
1017 cm-3.
II-1 Semi-conducteur de type n
Ces semi-conducteur sont obtenus lorsque les impuretés ayant, par rapport aux atomes
substitués, un électron en plus. Par exemple, les impuretés peuvent être de la colonne V si le

19
cristal initial est constitué d’atomes de la colonne IV. La figure 2 donne l’exemple de
silicium (colonne IV) dopé au phosphore qui possède 5 électrons périphériques (colonne V).

Figure 2 : Silicium dopé au phosphore. a. T=0K. b. T > 50K.

Figure 3 : Diagrammes de bandes faisant apparaître le niveau d’énergie des états de type
donneurs et leur occupation. a. T0 = 0K, n = p =0. b. T1 50 K, les impuretés s’ionisent. c.
300 K < T2< 500 K, nNd . T3> 500 K, n p.

Les quatre atomes de silicium qui entourent un atome de phosphore prêtent chacun un
électron à l’atome de phosphore qui lui-même met en commun quatre de ses cinq électrons
périphériques. A T= 0 K, le cinquième électron reste lié à l’atome de phosphore. Ce
phénomène correspond à l’apparition d’un niveau de l’énergie ED dans la bande interdite
(avec Ec – ED est de l’ordre de quelques dizaines de meV (tableau 1), Ec étant le minimum de
la bande de conduction) occupé par le cinquième électron (figure 3). Le niveau ED est ND fois
dégénérés. Un faible apport d’énergie, par exemple dû à l’absorption des phonons, peut
libérer le cinquième électron de l’atome de phosphore en l’excitant vers la bande de
conduction. Cet atome se retrouve alors ionisé positivement (charge fixe, donc n’est pas un
trou). Les atomes d’impureté s’ionisent progressivement avec l’augmentation de la
température et à partir d’environ 50 K toutes les impuretés se trouvent ionisés (à cause de la
faible énergie d’ionisation). La concentration n en électrons (appelée concentration en
porteurs majoritaires) sera alors égale à la concentration en dopant ND (n = ND >> p, p étant
concentration en trous minoritaires) tant que le comportement intrinsèque du matériau ne
reprend pas le dessus ce qui se produit pour une température supérieure à 500 K (ordre de

20
grandeur usuel) et rend à nouveau la concentration en électrons dépendante de la
température.
Ce type de dopage privilège la conduction par électrons plutôt que par trous.

Tableau 1 : Niveau d’énergie des impuretés donneurs (ED) et accepteurs (EA).

II-2 Semi-conducteur de type p
Ces semi-conducteurs sont obtenus lorsque les impuretés ayant, par rapport aux atomes
substitués, un électron en moins. Par exemple, les impuretés peuvent être de la colonne III si
le cristal initial est constitué d’atomes de la colonne IV. La figure 4 donne l’exemple de
silicium (colonne IV) dopé au bore qui possède 3 électrons périphériques (colonne III).
Même situation peut être obtenue si on dope le Si avec l’arséniure ou l’aluminium.

Figure 4: Silicium dopé au bore. a. T=0K. b. T > 50K.

21
Figure 5 : Diagrammes de bandes faisant apparaître le niveau d’énergie des états de type
accepteurs et leur occupation. a. T0 = 0K, n = p =0. b. T1  50 K, les impuretés s’ionisent. c.
300 K < T2< 500 K, p NA>> n. T3> 500 K, n p.

A t=0K, L’association avec ses quatre voisins confère à l’atome de bore sept électrons sur la
couche externe. Autrement dit, chaque atome d’impureté ne peut établir de liaison de valence
qu’avec trois des quatre atomes de silicium proche voisin. Une valence est donc incomplète.
Ce phénomène correspond à l’apparition d’un niveau vide de l’énergie EA dans la bande
interdite (avec EA – Ev est de l’ordre de quelques dizaines de meV (tableau 1) ceci est le cas
intéressent EA loin de Ev existe aussi, c’est le cas des niveaux profonds, Ev étant le maximum
de la bande de valence) (figure 5). Le niveau EA est NA fois dégénérés.
Lorsqu’on augmente la température, un électron d’un atome voisin de silicium, libéré par
agitation thermique, a tendance à être excité vers le niveau EA. Ceci équivalent à être capturé
par l’atome d’impureté qui complète ainsi sa quatrième liaison avec ses atomes de Si voisins.
L’électron excité laisse derrière lui un trou dans la bande de valence. Il y a ainsi formation :
-d’un ion négatif d’impureté (charge fixe). L’atome d’impureté est dit accepteur (sous-
entendu d’électrons).
-d’un trou. Comme en fonctionnement intrinsèque, le trou peut capturer un électron d’une
liaison de valence voisine du silicium, et ainsi de suite. Le trou apparaît comme mobile.
Les atomes d’impureté s’ionisent progressivement avec l’augmentation de la température et à
la température ambiante toutes les impuretés se trouvent ionisés à cause la faible valeur de
l’écart d’énergie EA –Ev. La concentration p en trou (porteurs majoritaires) est pratiquement
égale à la concentration en dopant NA (p  NA>> n, n étant concentration en électrons
minoritaires) à la température ambiante. Le caractère intrinsèque redevient dominant au-delà
de 500 K environ.
Ce type de dopage privilège la conduction par trous plutôt que par électrons.
Remarques :
1-Le dopage minimum dépend du raffinage du matériau. Par exemple pour le silicium on
observe des concentrations résiduelles de bore d’environ 1013 atomes par cm3, si bien que le
silicium intrinsèque à température ambiante (où ni  1010 cm-3) est très difficile à obtenir.
2-Certaines impuretés (métalliques) ou des défauts du réseau cristallin donnent des niveaux
d’énergies plus proches du milieu de la bande interdites (niveaux profonds) ce qui a peu
d’intérêt au niveau dopage (puisque l’ionisation de ces impuretés nécessitent une température

22
très élevées de l’ordre de 500 K) mais est susceptible de modifier les propriétés optiques car
elles créent des centres de recombinaison non radiatives.

II-3 Semi-conducteur compensé

Les impuretés dopantes (ou même profondes) de types différents peuvent se compenser
partiellement ou totalement. Les électrons occupant le niveau ED se relaxent vers le niveau
EA. Les électrons qui peuvent se relaxer sont au nombre du degré de dégénérescence de EA,
qui le nombre des impuretés accepteurs.
Le semi-conducteur aura le type de l’impureté dominante. Si on arrive à compenser
parfaitement (NA = ND), on obtient alors un semi-conducteur « intrinsèque » par
compensation (bien qu’il contient des impuretés dopantes) (figure 6).

Figure 6 : Diagramme de bandes d’un semi-conducteur de type n en partie compensé (NA<

ND). a. T0 = 0K. b. T1> 50 K : le dopage équivalent (à température « ambiante ») est (ND –
NA)  n0.

III Concentration des porteurs libres à l’équilibre

Les électrons, particules à spin ½, obéissent à la statistique de Fermi-Dirac :
1
𝑓𝑛 (𝐸) = 𝐸−𝐸𝐹 (𝑇) (1)
1+𝑒𝑥𝑝( )
𝑘𝑇

avec E est l’énergie d’un élecron dans la bande de valence ou la bande de conduction et
EF(T) représente le potentiel chimique qu’on appelle aussi dans le domaine des semi-
conducteurs énergie de Fermi. Dans le cas général, la différence 𝐸 − 𝐸𝐹 >> kT, 𝑓𝑛 (𝐸) se
simplifie en constatant que le terme en exponentiel est fortement supérieure à 1 d’où :
𝐸−𝐸𝐹 (𝑇)
𝑓𝑛 (𝐸) ≈ 𝑒𝑥𝑝 (− ) (2)
𝑘𝑇

ce qui correspond à la distribution de Boltzmann. Cette approximation est valable lorsque la

densité des électrons est petit, typiquement inférieure à 1016 cm-3.

23
La concentration des électrons libres (nombre des électrons libres par unité de volume) à
l’équilibre est donnée par :
+∞
𝑛 = ∫𝐸 𝐷𝑒 (𝐸). 𝑓𝑛 (𝐸)𝑑𝐸 (3)
𝑐

𝜌𝑒 (𝐸)
𝐷𝑒 (𝐸) = , V représente le volume du criatal. 𝐷𝑒 (𝐸) représente la densité d’états de la
𝑉

bande de condcution par unité de volume.

En utilisant l’approximation de Boltzmann n s’écrit:
+∞
𝐸 − 𝐸𝐹 (𝑇)
𝑛=∫ 𝐷𝑒 (𝐸). 𝑒𝑥𝑝 (− ) 𝑑𝐸
𝐸𝑐 𝑘𝑇
A cause du facteur exponentiel qui décroit rapidement avec E, on peut utiliser la densité
3
𝑉 2𝑚𝑐∗ 2
d’état en bas de la bande de conduction (𝜌𝑒 (𝐸) = ( ) √(𝐸 − 𝐸𝑐 )) (puisque seuls ces
2𝜋 2 ℏ2

états qui peuvent être peuplés) on aboutit au résultat suivant :

𝐸𝐶 −𝐸𝐹
𝑛 = 𝑁𝐶 𝑒𝑥𝑝 (− ) = 𝑁𝐶 𝑓𝑛 (𝐸𝐶 ) (4)
𝑘𝑇

où 𝑁𝐶 ⁡(𝑐𝑚−3 ) est dite densité effective d’états au bord de la bande de conduction et vaut:
2𝜋𝑚𝑐∗ 𝑘𝑇 3/2
𝑁𝐶 = 2 ( ) (5)
ℎ2

𝑁𝑐 est de l’ordre de 2.8 1019 cm-3 à la température ambiante dans le silicium.

La figure 7 montre la répartition qualitative des électrons dans la bande de conduction.

Figure 7 : Diagramme faisant apparaître l’énergie de Fermi et la densité d’états des porteurs
libres
La probabilité 𝑓𝑝 (𝐸) qu’un niveau E de la bande de valence soit vide ou encore occupé par
un trou est complémentaire de la probabilité 𝑓𝑛 (𝐸) :

24
 1
𝑓𝑝 (𝐸) = 1 − 𝑓𝑛 (𝐸) = 𝐸 −𝐸 (6)
1+𝑒𝑥𝑝( 𝐹 )
𝑘𝑇

Dans le cas où 𝐸𝐹 − 𝐸 est supérieure à quelques kT, on a l’approximation suivante :

𝐸−𝐸𝐹
𝑓𝑝 (𝐸) ≈ 𝑒𝑥𝑝 ( ) (7)
𝑘𝑇

Pour trouver la densité des trous dans la bande de valence, il faut procéder de la même façon
que pour les électrons mais en utilisant la densité d’états par unité de voume 𝐷ℎ (𝐸) et la
probabilité d’occupation 𝑓𝑝 (𝐸). On aboutit alors au résultat suivant :
𝐸𝐹 −𝐸𝑣
𝑝 = 𝑁𝑣 𝑒𝑥𝑝 (− ) = 𝑁𝑣 𝑓𝑝 (𝐸𝑣 ) (8)
𝑘𝑇

où 𝑁𝑣 ⁡(𝑐𝑚−3 ) est dite densité effective d’états au bord de la bande de valence et vaut :
∗ 3/2
2𝜋𝑚ℎ 𝑘𝑇
𝑁𝑣 = 2 ( ) (9)
ℎ2

𝑁𝑣 est de l’ordre de 1019 cm-3 à la température ambiante dans le silicium.

La figure 7 montre la répartition qualitative des trous dans la bande de valence.
En multipliant n par p, on obtient un résultat indépendant du niveau de Fermi (et donc de
dopage). Cette loi est appellée loi d’action de masse :
𝐸𝑔
𝑛 ∗ 𝑝 = 𝑁𝑐 . 𝑁𝑣 𝑒𝑥𝑝 (− 𝑘𝑇) (10)

Dans le cas des matériaux intrinsèques n et p sont égaux puisque chaque électron excité dans
la bande de conduction a laissé derrière lui un trou dans la bande de valence. Par suite on a :
𝐸𝐶 −𝐸𝐹𝑖 𝐸𝑔
𝑛 = 𝑝 = 𝑛𝑖 = 𝑁𝐶 𝑒𝑥𝑝 (− ) = √𝑁𝑐 . 𝑁𝑣 ⁡𝑒𝑥𝑝 (− 2𝑘𝑇) (11)
𝑘𝑇

avec 𝑬𝑭𝒊 est l’énergie de Fermi dans le cas intrinsèque. Par suite, on a :
𝐸𝑔
𝑛𝑖 = 𝐶. 𝑇 3/2 . 𝑒𝑥𝑝 (− 2𝑘𝑇) (12)

avec C est une constante indépendante de la température. 𝑛𝑖 est faible à la température

ambiante (de l’ordre de 1010 cm-3 pour le silicium) comparé à la densité des porteurs dans les
métaux (typiquement de l’ordre de 1023 cm-3).
IV Niveau de Fermi (potentiel chimique)
IV-1 Cas d’un semi-conducteur intrinsèque
En égalant 𝑛𝑖 et n ou 𝑛𝑖 et p, on peut déterminer l’expression de 𝐸𝐹𝑖 (énergie de Fermi dans
les SC intrinsèques):
𝑘𝑇 𝑁
𝐸𝐹𝑖 = 𝐸𝑖 − ln⁡( 𝑁𝐶 ) (13)
2 𝑣

𝐸𝐶 +𝐸𝑣 𝑘𝑇 𝑁
avec 𝐸𝑖 = . Etant donné qu’à la température ambiante ln⁡( 𝑁𝐶) (≈ 26 meV à la
2 2 𝑣

température ambiante pour le silicium) est faible devant 𝐸𝑖 (de l’ordre de l’eV), on a :

25
𝐸𝐹𝑖 ≈ 𝐸𝑖 (14)
autrement dit, le niveau de Fermi est situé au milieu de la bande interdite dans le cas d’un
semi-conducteur intrinsèque.
IV-2 Cas d’un semi-conducteur extrinsèque
Dans le cas général, le niveau de Fermi dépend du type de dopant, de sa concentration et
de la température. Pour un semi-conducteur de type n dans lequel les électrons occupant la
B.C. sont plus nombreux que dans le semi-conducteur intrinsèque par suite la probabilité
𝐸−𝐸𝐹
d’occupation 𝑒𝑥𝑝 ( ) doit être plus importante dans le cas extrinsèque que dans le cas
𝑘𝑇
𝐸−𝐸𝐹
intrinsèque pour E > 𝑒𝑥𝑝 ( ). On a alors: 𝐸𝐶 − 𝐸𝐹 < 𝐸𝐶 − 𝐸𝐹𝑖 . Pour un semi-
𝑘𝑇

conducteur de type p dans lequel les trous sont plus nombreux que dans le semi-conducteur
intrinsèque on a: 𝐸𝐹 < 𝐸𝐹𝑖 . De façon plus précise, on a :
𝐸𝑐 − 𝐸𝐹 = (𝐸𝑐 − 𝐸𝐹𝑖 ) + (𝐸𝐹𝑖 − 𝐸𝐹 ) (15)
Par suite et en utilisant l’équation générale 4 l’expression de 𝑛𝑖 en fonction de 𝐸𝐹𝑖 (équation
11), on a :
𝐸𝐹 −𝐸𝐹𝑖
𝑛 = 𝑛𝑖 𝑒𝑥𝑝 ( ) (16)
𝑘𝑇

De même on a :
𝐸𝐹 −𝐸𝐹𝑖
𝑝 = 𝑛𝑖 𝑒𝑥𝑝 (− ) (17)
𝑘𝑇

Ceci confirme que si n  𝑛𝑖 (c’est le cas de dopage n dominant) on a 𝐸𝐹 > 𝐸𝐹𝑖 et dans le cas

de dopage p dominant, p  𝑛𝑖 , on a : 𝐸𝐹 < 𝐸𝐹𝑖 .

A la température ambiante, qui est la température de fonctionnement normal des dispositifs

électroniques, et dans le cas des semi-conducteurs de type n, tous les atomes donneurs sont
ionisés. Et comme 𝑁𝐷 (desnisté volumique des atomes donneurs ) est beaucoup plus grande
que 𝑛𝑖 , on a :
𝑛 ≈ ⁡ 𝑁𝐷 (18)
Par suite, en utilisant l’équation 16, on aura :
𝑁
𝐸𝐹 = 𝐸𝑖 + 𝑘𝑇. ln⁡( 𝑛𝐷) (19) (on a utilisé 𝐸𝐹𝑖 ≈ 𝐸𝑖 )
𝑖

Pour un semi-conducteur de type p, tous les atomes accepteurs sont ionisés à la température
ambiante. Par conséquent :
𝑝 ≈ 𝑁𝐴 (20)
avec 𝑁𝐴 est la densité volumique des atomes donneurs. En utilisant l’équation 17, on aboutit
à:

26
 𝑁
𝐸𝐹 = 𝐸𝑖 − 𝑘𝑇. ln⁡( 𝑛𝐴) (21)
𝑖

TD effet Hall (voir livre sur papier physique des semiconducteurs page 135 et fichier
cours de physique des SC poly page 41)

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