Transistors

et

circuits bipolaires
1- Historique.

2 Rappel sur la structure de la matière.

2.1- Structure de l’atome

L’atome est constitué d’un noyau et d’électrons qui tournent autour du noyau. Ils
forment le cortège électronique

2.1.1 - Le noyau
Le noyau a été découvert en 1912 par Ernest Rutherford (1871 - 1937). Il est
constitué de particules appelées nucléons. Il en existe deux sortes :

 Les protons qui sont chargés positivement. La charge du proton, notée e, est
égale à 1 , 6∗10−19 C La masse du proton est égale à 1,673∗10−27 kg

 Les neutrons qui sont électriquement neutres .La masse d’un neutron est
égale à 1,675 10−27 kg

Globalement, le noyau est donc chargé positivement .Le rayon d’un noyau est de
l’ordre de 10−15 m soit 100 000 fois plus petit que celui de l’atome. Il concentre la
quasi-totalité de la masse de l’atome.

2.1.2 – le cortège électronique

Les électrons ont été découverts en 1897, donc avant le noyau, par Joseph John
Thomson (1856 - 1940). Les électrons tournent autour du noyau et constituent le
cortège électronique ou nuage électronique. La charge de l’électron vaut
−1 , 6∗10 C soit exactement l’opposé de la charge du proton ; Elle est notée –e. Il y
−19

a dans l’atome autant d’électrons que de protons donc l’atome est électriquement
neutre.
La masse d’un électron vaut 9,109∗10−31 kg soit 2000 fois moins que celle d’un
nucléon. La masse du cortège électronique est donc négligeable devant la masse du
noyau.

2.1.3 – Notation des atomes.

Un atome est représenté par la notation suivante :

A
Z X

X est le symbole de l’atome.

A est le nombre de masse Il est égal au nombre de nucléon (protons +neutrons)
Z est le numéro atomique ou nombre de charges et est égal au nombre de protons.
 Exemple : l’atome de chlore 35
17 Cl possède 35−17=18 neutrons, 17 protons et donc 17
électrons puisque, pour respecter la neutralité de l’atome, il doit y avoir le même
nombre d’électrons que de protons.

2.1.4 – Structure du cortège électronique

Les électrons se répartissent en couches autour du noyau. On attribue une lettre à
chaque couche, par ordre alphabétique, en commençant par la lette K pour la couche
la plus proche du noyau. L’ordre de remplissage obéit au principe de construction
suivant :

Les électrons remplissent les couches dans l’ordre, en commençant par la couche K,
puis lorsqu’elle est complète, la couche L, puis la couche M…

La dernière couche est appelée couche externe ou couche de valence et les électrons
qu’elle contient sont les électrons de valence .C’est la plus éloignée du noyau.
Chaque couche ne peut contenir qu’un nombre limité d’électrons

Couche Nombre maximum d’électrons

K 2
L 8
M 18

On remarque que le principe de construction obéit à la loi :

' 2
nombre maximund électrons sur une couche=2 n

Avec n le rang de la couche : K=1 ; L=2 ; M =3

Par exemple l’atome de carbone ( Z=6 ) possède 6 électrons.il a donc 2 électrons dans
la couche K et 4 électrons dans la couche L. Sa structure électronique est représentée
par la notation suivante : ( K )2 ( L )4.La couche de valence est la couche L et elle
contient 4 électrons de valence.
L’atome de chlore ( Z=17 ) possède 17 électrons. Sa structure électronique est notée
( K )2 ( L )8 ( M )7et la couche de valence est la couche M
La structure de l’atome de fluor ( Z=9 ) est notée ( K )2 ( L )7.Sa couche de valence est la
couche L

Des atomes qui ont le même nombre d’électrons dans la couche externe ont des
propriétés chimiques semblables .C’est le cas, par exemple, des atomes de fluor et de
chlore.

On notera que le principe de construction n’est applicable que pour les atomes dont
le numéro atomique Z est inférieur ou égal à 18.D’autres règles plus complexes
doivent être utilisées lorsque Z est supérieur à 18.
2.2- Les ions monoatomiques

2.2.1 - Les ions monoatomiques

Un ion monoatomique est un atome qui a gagné ou perdu un ou plusieurs électrons il
n’est donc plus électriquement neutre. Si l’atome perd un électron, il donne un ion
positif car il n’y a plus assez d’électrons pour compenser la charge positive du noyau.
Un ion positif est appelé cation. Si au contraire l’atome gagne un électron, l’ion est
négatif. Un ion négatif est appelé anion. Le nombre de charges positives ou négatives
portées par l’ion est noté en exposant dans sa formule.
Par exemple l’atome de chlore ( Z=17 ) a 17 protons et 17 électrons. Il peut gagner un
électron pour en avoir 18 et former un ion. Cet ion a donc une charge négative de
−¿¿
plus que de charges positives. Sa formule estCl .

2.3- La classification périodiques

2.3.1 – Principe de la classification périodique des éléments.

C’est en 1869 que le chimiste russe Dmitri Ivanovitch Mendeleiev (1834-1907)
proposa la première classification périodique des éléments. Dans la classification
périodique actuelle, les éléments sont classés selon les règles suivantes :

 Les éléments sont classés par numéro atomique croissant.

 Les éléments dont les atomes ont des propriétés chimiques semblables, c’est-à-
dire ayant un même nombre d’électrons de valence, sont classés dans une même
colonne.

Une colonne de la classification périodique est appelée famille ou groupe. Une ligne
est appelée période. Les atomes des éléments d’une même période ont la même
couche externe.
Par exemple l’atome de fluor F ( Z=9 ) a pour structure électronique( K )2 ( L )7. Celle de
l’atome de chlore Cl ( Z=17 ) est( K )2 ( L )4 ( M )7 . Ils ont tous les deux, 7 électrons de
valence. Ils sont donc dans un même groupe.
La structure électronique de l’atome de sodium Na ( Z=11) est( K )2 ( L )8 ( M )1. Sa
couche de valence est la même que celle de l’atome de chlore (couche M). Ils sont
donc dans la même période de la classification périodique.

La position d’un élément dans la classification périodique est donnée par la structure
électronique de son atome. Le nombre de couches correspond au numéro de la
période et le nombre d’électrons de valence donne la place de l’élément sur cette
période.

Par exemple, l’atome d’oxygène ( Z=8 ) a pour structure électronique( K )2 ( L )6. Il a

deux couches donc il est sur la deuxième période .Il possède 6 électrons de valence
donc l’élément oxygène est le sixième élément de sa période.
2.3.2 – Formation des ions monoatomiques

Règle de de la structure électronique stable (ou règle de l’octet et du duet)

Les atomes, au cours des réactions chimiques, acquièrent la structure électronique

stable, en octet ou en duet, du gaz inerte (dernier groupe du tableau périodique) de
numéro atomique le plus proche en gagnant ou en perdant des électrons pour
devenir des ions.

Par exemple, l’atome de chlore ( Z=17 ) a 17 électrons .Il gagne 1 électron pour en avoir 18
comme l’atome d’argon. Il donne ainsi l’ion chlorureCl−¿¿.
L’atome de magnésium ( Z=12 ) possède 12 électrons. Il en perd 2 pour n’en avoir plus que
10 comme l’atome de néon ( Z=10 ) qui le gaz inerte ayant le numéro atomique le plus
proche de celui du magnésium. Il donne ainsi l’ion Mg 2+¿¿
2.3.3 – Exercices
3- Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs

3.1- Niveaux d’énergie dans les solides.

3.1.1 – Niveau de Fermi

Nous avons vu plus haut que les propriétés chimiques et électriques des éléments sont liées
aux électrons, ces derniers sont liés au noyau avec une énergie E à laquelle correspond un
potentiel électrique :

E=−eV + cst

Cette énergie, importante à l’échelle de l’atome, est trop faible pour être exprimée en Joule.
Elle est en générale exprimée en électron-volt (eV) :

−19
1 eV =1 , 6∗10 J

Les principes de la mécanique quantique établissent que, dans un atome isolé, les électrons
ne peuvent occuper que certains niveaux discrets d’énergie.
On sait que les électrons occupent tous les niveaux d’énergie permis à partir du plus bas. La
valeur E F représente la limite qui sépare les places libres et les places occupées. E Fest
appelée énergie de Fermi ( E F dépend de la température).
Tous les niveaux d’énergie tels que E< E F sont occupés.
Cela signifie (figure1) qu’un électron dont l’énergie est située dans une bande en dessous de
la bande de valence est lié à un atome donné du solide. Par contre, dans un solide
monocristallin, un électron de la bande de valence est commun à plusieurs atomes. La bande
située au-dessus de la bande interdite s’appelle la bande de conduction.
L’électron dont l’énergie se situe dans la bande de conduction circule librement dans le
solide. C’est un porteur de charge qui participe qui participe à l’écoulement du courant dans
le solide lorsque ce dernier est soumis à un champ électrique.

Fig.1
La fonction de Fermi-Dirac fournit la probabilité d’occupation d’un niveau E à la température
T. On a, à toutes les températures, la relation suivante :

1
f fD=
1+exp( E−E F
kT )
Avec
T : la température absolue en Kelvin
−23 −1
K=1 , 38∗10 J K est la constante de Boltzmann.

Chaque type de matériaux présente une hauteur de bande interdite qui lui est propre, cette
différence d’énergie, joue un rôle fondamental et permet de distinguer les matériaux
isolants, conducteurs et semi-conducteurs. Voyons tout cela d’un peu plus près.

3.1.2 – les isolants.

Dans le cas de l’isolant, le niveau de Fermi se trouve dans une bande interdite, et la largeur
de cette bande est trop grande (6 à 7 eV pour le diamant par exemple qui a la même
structure cristalline que le silicium ou le germanium) pour ioniser un atome. Si l’on applique
un champ électrique, l’énergie des électrons ne peut être accrue : le matériau est isolant.

3.1.2 – les conducteurs.

Dans le cas du conducteur à la température T, les électrons se répartissent autour du niveau
de Fermi. Il n’existe pas de bande interdite et l’énergie d’ionisation est quasi nulle. De
nombreux électrons passent dans la bande de conduction ce qui permet au matériau d’être
conducteur.

3.2- Notions de semi-conducteurs

L’appellation des matériaux semi-conducteurs provient de leurs conductivités

électriques, intermédiaires entre celles des conducteurs et des isolants. Une autre
particularité importante, qui sera expliquée plus loin, est que cette conductivité,
contrairement aux conducteurs courants, dépend beaucoup de la température et
augmente avec celle-ci.

3.2.2 – Semi-conducteur intrinsèque

Les corps simples semi-conducteurs sont obtenus dans le groupe IV de la classification
périodique des éléments (figure1).Ce sont le germanium et le silicium.
 Fig.2

Les corps simples semi-conducteurs ont la caractéristique principale d’être tétravalent, c’est-
à-dire que leur couche extérieure, comme l’indique leur position dans le tableau de
Mendeleiev, comporte 4 électrons.
Les semi-conducteurs forment un réseau cristallin cubique (figure2).Chaque atome est au
centre d’un tétraèdre dont les sommets sont occupés par les atomes voisins les plus
proches.

Fig.3

Chaque atome a ainsi 8 électrons de valence, condition de stabilité. C’est la mise en commun
des électrons périphérique, appelée liaison covalente, qui assure la cohésion du cristal de
germanium ou de silicium.

La classification périodique nous informe que le silicium dispose de trois couches

électroniques ( Z=14 ) ( K )2 ( L )8 ( M )4 ; le germanium quant à lui dispose de quatre couches
électroniques ( Z=32 ) ( K )2 ( L )8 ( M )18 ( N )4.

3.2.3 – Corps composés semi-conducteur.

Les seuls corps simples utilisés en tant que semi-conducteurs sont donc le silicium et le
germanium.
Mais l’industrie électronique utilise de plus en plus de corps composés, le plus souvent des
alliages binaires, de corps trivalents d’une part (groupe III de la classification périodique), et
pentavalent d’autre part (groupe V).Nous avons ainsi l’Arséniure de Gallium (AsGa), le
sulfure de Cadmium (CdS) utilisé pour la fabrication des photorésistances, l’antimoniure
d’Indium (InSb).
Le cristal formé possède les mêmes propriétés que les corps simples semi-conducteurs, les
atomes trivalents et pentavalents étant en quantité identique (les couches externes des
atomes sont donc complétés à 8 électrons).
Le tableau ci-dessous montre la répartition des électrons sur les différentes couches, pour
les principaux éléments entrants dans la composition des transistors. En gras sont indiqués
les nombres déterminant la valence.

Nombre Nom de Symbole K L M N O

atomique l’élément
13 Aluminiu Al 2 8 3
m
14 Silicium Si 2 8 4
31 Gallium Ga 2 8 18 3
33 Arsenic Ge 2 8 18 4
48 Cadmium As 2 8 18 5 2
49 Indium In 2 8 18 18 3
51 Antimoine Sb 2 8 18 18 5

Notons que, lors de la fabrication, on fait en sorte que le réseau cristallin soit parfaitement
régulier et l’orientation de ce dernier connu.

3.2.4 - Semi-conducteur intrinsèque à 0 K

Considérons un cristal de silicium pur, non excité, au zéro absolu et dans l’obscurité. Afin
d’avoir huit électrons sur sa couche externe, chaque atome de silicium met ses 4 électrons
périphériques en commun avec les atomes voisins On obtient ainsi, pour le cristal de silicium
la représentation de la figure 4.

Fig.4

La mise en commun des électrons périphériques, appelée liaison de covalence, assure la

cohésion du cristal de silicium. Les électrons qui participent à ces liaisons sont fortement liés
aux atomes de silicium. Il n’apparaît donc aucune charge mobile susceptible d’assumer la
circulation d’un courant électrique. Le silicium apparaît alors comme un isolant, en effet sa
bande de valence est saturée (toutes les places sont occupées).
Sa bande de conduction (qui offre cependant des places libres) est vide. Tous les niveaux
d’énergie tels que E> E F sont libres au zéro absolu.

3.2.5 – Ionisation thermique

Lorsque la température augmente, l’agitation thermique désordonne la configuration figée
précédente (0 K) .En effet les électrons qui possèdent une énergie positive supplémentaire,
provoque la rupture de quelques liaisons covalentes (figure 5)

Fig.5

Un électron brisant une liaison de covalence quitte l’atome auquel il était lié, il devient un
porteur de charge libre capable de se déplacer dans le cristal et autorisant ainsi la circulation
d’un courant électrique. Le cristal devient ainsi un mauvais isolant d’où son appellation de
semi-conducteur.
Ce phénomène a une conséquence immédiate :

La place vacante laissée par l’électron qui a quitté la bande de valence est devenue un trou.

Le corollaire de cet évènement est que l’atome de silicium qui a perdu un électron n’est plus
électriquement neutre : il est devenu un ion positif
Ce phénomène d’ionisation thermique n’intéresse qu’un nombre très faible d’atomes de
silicium (3 sur 1013 à la température de 300 K)

3.2.6 – Hauteur de bande interdite (Gap) et génération de paires électrons-trous

Le paramètre essentiel qui caractérise le semi-conducteur est la quantité d’énergie minimale
nécessaire pour briser une liaison de covalence, ce qui revient à faire grimper un électron de
l’un des niveaux de valence sur l’un des niveaux de la bande de conduction (figure 6).

F
ig.6

Ainsi l’énergie requise pour générer une paire électron –trou correspond à la hauteur de la
bande interdite EG dont la valeur est indiquée dans le tableau pour divers matériaux.

Semi-conducteur EG ( eV ) 300 K EG ( eV ) 0 K
C diamant 5,47 5,51
Ge 0,66 0,75
Si 1,12 1,16

Remarque :
Le diamant a la même structure cristalline que le germanium et le silicium.

A une température différente du zéro absolu, un certain nombre d’électrons de valence

acquiert assez d’énergie thermique pour rompre leurs liaisons et devenir des électrons
libres. Ce gain d’énergie, qui doit être au moins égal à EG fait accéder les électrons à des
places libres de la bande de conduction.

Corrélativement, ils laissent derrière eux des places disponibles vides (trous) dans la bande
de valence (figure 6 situation 2).

La hauteur considérable de bande interdite du diamant (5,47eV) en fait un parfait isolant ;En
effet même aux températures élevées, il est impossible de faire passer des électrons de la
bande de valence à la bande de conduction. L’oxyde de silicium SiO2, matériau important
dans la fabrication de certains transistors, avec une bande de 9eV, est lui aussi un isolant.

3.2.7 – Phénomène de recombinaisons

L’ionisation thermique devrait conduire à l’ionisation de tous les atomes de silicium, s’il n’y
avait un autre phénomène venant compenser le premier : les recombinaisons d’électrons
libres.
 Fig.7

En effet un électron libre, arrivant, lors de son déplacement dans le cristal, à proximité d’un
ion positif peut-être capturé par ce dernier afin de satisfaire sa liaison covalente. Cette
dernière est alors rétablie : Un électron de la bande de conduction libère sa place et vient
occuper une place libre dans la bande de valence, neutralisant un trou.

Lorsque l’électron ‘’descend’’ de la bande de conduction vers la bande de valence,

le semi-conducteur restitue l’énergie sous forme de chaleur ou émet de la lumière. Le
photon émis a une énergie égale à E E selon :
G

λ E G=h c (1)
Avec :

 λ longueur d’onde
 h constante de Planck.
 c vitesse de la lumière.

Soit :

−34 8 −26
h c=6,626075 10 ∗2,99792458 10 =19 ,86 10

Si l’on exprime λ en µm ( 10−6 ) et EG en joule ( 10−19) alors :

λ ( µm )∗E G ( eV )=1,986

Exemple
Nous avons vu qu’a une température de 300K, le silicium à une bande interdite nécessitant
une énergie de franchissement égale à EG =1 ,12 eV
Il vient :

1,986
λ= =1,773 µm
1 ,12

Cette longueur d’onde correspond à un rayonnement infrarouge.

3.2.8 – Concentration intrinsèque ni des électrons et des trous dans le silicium pur
A température ambiante, un équilibre s’établit entre les phénomènes d’ionisation thermique
+¿ ¿
et de recombinaison, les électrons libres et les ions Si apparaissant en quantités égales.
Les concentrations par unité de volume ( cm3 ) , de n électrons libres dans la bande de
conduction et p trous libres dans la bande de valence sont égales à ni la concentration
intrinsèque.
La population des porteurs libres ( n électrons∗cm−3 ) dans la bande de conduction et
( p trous∗cm−3 ) dans la bande de valence s’exprime par les relations :

n=N C exp ( −∆kTE ) p=N exp( −∆kTE )

n
v
p

N C et N v sont respectivement la densité effective d’états des électrons dans la bande de

conduction ( 2 , 82∗10 19 cm−3 à 300 K pour Si ) et la densité effective d’états des trous dans la
bande de valence ( 1 , 83∗10 19 cm−3 à 300 K pour Si ).Ces deux coefficients évoluent en
fonction de la température.
∆ E n et ∆ E p représentent deux différences d’énergies liées à un niveau de Fermi E F qui
indique les écarts de population entre les électrons et les trous. (figure 7).

Fig.8

Pour un semi-conducteur intrinsèque, le niveau de Fermi se trouve au milieu de la bande

interdite.
 E c + Ev
E Fi =
2

Posons :

∆ E=Ec −E v soit ∆ E+ Ev =E c

Il vient,

∆ E+ E v + E v ∆E
E Fi = =E v +
2 2

∆ E=Ec −E v représente la bande interdite (Gap).

La concentration intrinsèque ni en électrons libres et en trous libres dépend de la hauteur de

bande interdite ∆ E et de la température T selon la relation :

( −∆2 kTE )(2)

3
n=p=n i=A T 2 ∗exp

A est une constante du matériau utilisé. La relation (2) est absolument fondamentale dans le
comportement des semi-conducteurs.

Etudions le comportement de cette relation :

Nous considérons dans un premier temps que T est la grandeur variable. L’expression est de
la forme :

( −1T )
3
2
ni =T ∗exp

Etudions ce qu’il se passe aux limites pour chacun des deux termes du second membre :

3
2
lim T =0
T→0

lim exp
T→0
(−1T )=0
D’autre part :

3
2
lim T =∞
T→∞

lim exp
T→∞
( −1T )=1
3
On constate que le terme T 2 est prépondérant et que le nombre de charges libres
augmentent rapidement en fonction de la température

Fig.9

On remarque que pour T= 0, le nombre de porteurs de charge libre est nul.

Si l’on considère maintenant ∆ E comme étant la variable, l’expression (2) est de la forme :

3
2
ni =T ∗exp (−x )

Etudions ce qu’il se passe aux limites :

3 3
lim T 2∗exp (−x )=¿ T 2 ¿
x →0

3
lim T 2∗exp (−x )=0
x→ ∞

On en conclut que plus la bande interdite est faible plus il y a de porteurs de charges libres
pour une température donnée (figure 10)
 Fig.10

Pour le silicium à 300 K on obtient :

10 −3
ni ( 300 K )=1 , 45∗10 cm

La figure 11 montre la concentration intrinsèque ni ( cm−3 ) en fonction de 1000/T (K) pour

trois matériaux semi-conducteurs purs : arséniure de gallium, silicium et germanium.
On remarque que ce dernier est particulièrement sensible à la température.

Fig.11

Attention !
Les graduations du graphique de la figure sont semi-logarithmiques. Les équations des
droites sont donc de la forme :

a log x +by +c=0

3.2.9 – Mobilité des porteurs de charges.
Considérons un semi-conducteur isolé. Les porteurs de charges mobiles s’y déplacent en
tous sens et comme aucune direction n’est privilégiée, on n’observe aucune circulation de
charges à l’échelle macroscopique.

Tout change si l’on applique un champ électrique au barreau de silicium.

i⃗

O
⃗
E X

I
V

Fig.12

Pour cela appliquons au barreau de silicium une différence de potentiel V. Si on place sur un
axe OX de vecteur unitairei⃗ , compte tenu de la relation champ – potentiel :
E ( x )=−⃗
⃗ gradV ( x ) il apparaît dans le semi-conducteur un champ électrique ⃗E ( x ) qui favorise
le déplacement des trous dans le sens du champ électrique et le déplacement des électrons
mobiles dans le sens opposé.

On rappelle que :

⃗ −dV ( x ) ⃗
E ( x )=−⃗
gradV ( x )= i (3)
dx

A l’échelle macroscopique, les trous et les électrons prennent des vitesses d’ensembles
proportionnelles au champ électrique.
 ⃗
V p =µ p ⃗
E⃗V n=−µn ⃗
E (4)

 µ p représente la mobilité des trous

 µn représente la mobilité des électrons.

Faisons une analyse dimensionnelle de la mobilité des charges libres :

−1 −1
m . s =µ . V . m
−1
m.s 2 −1 −1
µ= −1
=m .V . s
V .m

Pour le silicium, les expressions des mobilités sont les suivantes :

( )
2 ,3
−1 300 2 −1 −1
µ p=0 , 45∗10 ∗ m . V . s (5)
T

( )
2,6
−1 300 2 −1 −1
µn=1 , 45∗10 ∗ m .V . s (6)
T

T étant la température absolue

Remarques
 Les mobilités diminuent lorsque la température augmente : l’agitation thermique
accroît le nombre de ‘’choc’’ qui s’opposent au déplacement.
 A température ordinaire (T=300 K), la mobilité des trous est plus faible que celles des
électrons libres. Cela se conçoit dans la mesure où µn provient du déplacement direct
des électrons alors que µ p résulte des actions successives : ionisation thermique,
déplacement des électrons, recombinaison.

Le tableau ci-dessous résume la mobilité des charges libres des principaux semi-
conducteurs :

Mobilité à T=300 K Electrons( cm2 .V −1 . S−1 ) Trous( cm2 .V −1 . S−1 )

Ge 3900 1900
Si 1450 450
GaAs 8500 400

3.2.10 – Détermination de la densité de courant de conduction.

Considérons en figure 13un barreau de silicium homogène de section S et de longueur L à
température constante. Les porteurs libres sont constitués de p trous et n électrons par cm3 .
La différence de potentiel V appliquée au barreau crée un champ électrique de norme
V
constante E= qui provoque le déplacement des électrons et des trous libres :
L
  Dans la direction du champ électrique pour les trous.
 Dans le sens opposé pour les électrons.
Imaginons un observateur placé au point d’abscisse x. Durant un temps infinitésimal dt cet
observateur voit passer :

 N électrons animés de la vitesse V n qui parcourent alors une distance d xn

 P trous animés de la vitesse V p qui parcourent une distance d xp

La densité de courant correspondant à ce mouvement de porteurs de charge s’exprime par

la relation :

N P
J cond =q +q
Sdt Sdt

En utilisant les relations (4) concernant la vitesse des porteurs de charges nous pouvons
écrire :

dx n dx p
dt= =
µn µ p

fig13

Soit :

J cond =qE
( N∗µn P∗µ p
+
S∗dx n S∗dx n )
 J cond =qE ( n∗µn + p∗µ p )
Faisons une analyse dimensionnelle du terme :

q ( n∗µn + p∗µ p )

Nous avons :

q= A∗s
−3
n=m
2 −1 −1
µ=m .V . s
−3 2 −1 −1
Soit : q ( n∗µn + p∗µ p )= A∗s∗m ∗m .V . s

−1 −1 A −1
q ( n∗µn + p∗µ p )= A∗m ∗V = ∗m
V

Cette grandeur est celle d’une conductivité ( Ω−1∗m−1 )

Recherchons maintenant la dimension du terme :

qE ( n∗µn + p∗µ p )

Nous avons :

A −1 −1 −2
qE ( n∗µn + p∗µ p ) = ∗m ∗V ∗m = A∗m
V

Cette grandeur est celle de la densité de courant. Nous pouvons donc écrire :

J cond =qE ( n∗µn + p∗µ p ) =σ∗E(5)

La densité de courant de conduction totale J cond est proportionnelle au champ électrique et

à la conductivité du cristal.

3.2.11 – Loi d’ohm

La relation précédente représente tout simplement la Loi d’Ohm.
En effet :

I cond
J cond =
S

et
 V
|E|=
L

Remplaçons E dans l’expression (5) par l’expression ci-dessus :

σ∗V
J cond =
L

Soit :

I cond σ∗V
=
S L

I cond σ∗S
=
V L

Finalement :

1
∗S
V σ
R= = (6)
I cond L

3.2.12 – Inclinaison du schéma de bandes et mouvement des porteurs.

On montre que la présence d’un champ électrique dans le barreau, conséquence de la
différence de potentiel appliquée, va entraîner une inclinaison du schéma de bandes du
semi-conducteur dans le sens des potentiels croissants (figure 14).

 En se déplaçant vers la droite l’énergie cinétique des électrons augmente tandis que
leur énergie potentielle diminue. La somme des énergies étant constante (principe de
la conservation de l’énergie)

 Les trous de la bande de valence voient leur énergie potentielle augmenter vers la
gauche tandis que leur énergie cinétique diminue.
 Fig.14

3.2.13 – Semi-conducteur extrinsèque

L’introduction en quantité faible de certains éléments étrangers dans le semi-conducteur
intrinsèque peut augmenter de façon importante le nombre de porteurs de charges mobiles.
En injectant un atome d’impureté pour 105 atomes de semi-conducteur, la conductivité est
multipliée par 24 !

3.2.14 – Semi-conducteur extrinsèque dopé N

On obtient un semi-conducteur dopé N en dopant le cristal de silicium avec des atomes

possédant 5 électrons sur leur couche de valence.
Quatre de ces cinq électrons de valence de l’arsenic sont mis en commun avec les atomes de
silicium voisins pour réaliser des liaisons de covalences (figure 15).Le 5ème électron inutilisé ,
est très faiblement lié à l’atome pentavalent. Une très faible énergie suffit à le libérer et il se
retrouve ‘’libre’’ dans la bande de conduction. L’atome d’arsenic qui a fourni un électron est
appelé atome donneur. Il a perdu sa neutralité pour devenir un ion positif fixe.

Fig.15
A la température ordinaire, la quasi –totalité des atomes donneurs sont ionisés. Si N d est la
concentration des atomes donneurs, ceux-ci vont libérer une population n d’électrons libres,
telles que : n=N d
Que devient alors la population de trous ? En fait la concentration en électrons libres (n) et
en trous libres (p) sont liées par la loi d’action de masse :

2
2 ni
p∗n=ni =¿ p=
ND

Donc n ≫ p (facteur de l’ordre de1013) Du point de vue des porteurs mobiles les électrons
sont majoritaires et les trous minoritaires.
En première approximation, la conductivité est donné par :

σ =σ n=N D∗q∗µn

Elle est de l’ordre de quelques centaines d’Ω−1∗m−1.La résistivité est donc réduite à
quelques mΩ.

Dans la modélisation du schéma des bandes d’énergie (figure 16), la population des
électrons libres de la bande de conduction est beaucoup plus importante que celle des trous
libres dans la bande de valence En conséquence, le niveau de Fermi E fn se déplace du milieu
de la bande interdite E fi vers la bande de conduction de telle manière que :

E fn −Efi =K∗T∗ln
( )Nd
ni
(7)

Le cinquième électron issu de l’élément dopant est en effet sur un niveau d’énergie proche
de la bande de conduction (0,04 eV) ; Or à température ambiante (300K) nous avons :

−23
KT =300∗1 , 38∗10 J

soit

−21
KT =4 ,14∗10 J

Or nous avons vu que :

−19
1 eV =1 , 6∗10 j
Il vient :

−21
4 , 14∗10 −2
KT = −19
=2 ,58∗10 soit 0,026 eV
1 ,6∗10

On en conclut que l’énergie thermique suffira pour libérer tous les électrons excédentaires.

−¿issus des atomes As¿

e

+¿ ¿
ion A s

Fig.16

3.2.15 – Semi-conducteur extrinsèque dopé P

On obtient
Un semi-conducteur dopé P en injectant dans le silicium des atomes comme le bore qui
possède trois électrons de valence.
Il manque un électron à l’atome trivalent de bore pour réaliser les liaisons covalentes avec
les quatre atomes de silicium qui l’entourent (figure 17).En fait, les électrons participant aux
liaisons sont indiscernables les uns des autres .Tout se passe comme si un des atomes de
silicium voisins avait cédé un électron à l’atome trivalent de bore, créant ainsi un trou dans
le cristal de silicium.
L’atome de bore qui capte un électron d’un atome de silicium voisin est appelé atome
accepteur, il a perdu sa neutralité pour devenir un ion négatif fixe.

Fig.17
 +¿ ¿
ion A s +¿ ¿
ion A s

−¿ ¿
ion B

+¿issus des atomes B ¿

e

Fig.18
A la température ordinaire, la quasi-totalité des atomes accepteurs sont ionisés. Si N a est la
concentration par cm3 des atomes accepteurs, ceux-ci vont libérer une population p de trous
libres égale à la concentration N a .
La population correspondante des électrons libres (n) est gérée à nouveau par la loi d’action
de masse.

2
2 ni
p∗n=ni =¿ n=
Np

La conductivité est également augmentée.

Dans la modélisation du schéma des bandes d’énergies, la population des électrons libres de
la bande de conduction est beaucoup plus faible que celles des trous libres dans la bande de
valence En conséquence, le niveau de Fermi E fp se déplace du milieu de la bande interdite
E fi vers la bande de valence de telle manière que :
 E fi− Efp =K∗T∗ln
( )
Na
ni
(7)

3.2.16 – Semi-conducteur artificiel dopé

Le principe est identique .Le dopage N est réalisé avec un élément hexavalent (sélénium par
exemple) et le dopage P avec un élément bivalent (zinc par exemple).

3.2.17 – Exemple d’application : L’effet Hall.

Découvert en 1879-1880 par le physicien américain Edwin Herbert Hall (1855-1938), l’effet
Hall est difficile à mettre en évidence dans les conducteurs métalliques, ce qui explique le
peu d’intérêt et les difficultés de Hall à le mettre en œuvre. Cet effet est plus important dans
les semi-conducteurs, il faudra attendre le développement de ces derniers pour que l’effet
Hall soit exploitable industriellement.