UNIVERSITE SULTAN MOULAY SLIMANE Année Universitaire 2023/2024

FACULTE DES SCIENCES ET TECHNIQUES

Département Génie Electrique
BENI-MELLAL

Section :LST-I.I.E.A S5 TD N° 1 Responsable : A. Bouziane

F. Ing SEII – S3
Module :CEF.CI.FL/µtronic

Exercice1 : Fonction de distribution des porteurs pour un semi-conducteur

dégénéré.

Considérons un semi-conducteur dégénéré dont Ec est l’énergie minimale de la bande de

conduction et Ev est l’énergie maximale de la bande de valence.
1) Définir ce qu’est un semi-conducteur dégénéré ; illustrer le début de la dégénérescence par un
diagramme énergétique.
2) Rappeler les expressions de n et de p ainsi que celles de Nc et de Nv en fonction du facteur de
Boltzmann. Donner l’ordre de grandeur des densités de porteurs n et p à partir des quelles le Sc
devient dégénéré.
3) Rappeler les expressions de la densité d’états Nc(E) et de la fonction de distribution des électrons
fn(E).
4) Déduire la densité des électrons sur un niveau E puis celle dans la BC.
5) Faîtes le changement de variable suivant :  = (EF -Ec)/kT et  = (E -Ec)/kT et faîtes apparaître,
dans la densité des électrons, la densité équivalente d’états puis écrire n sous la forme : n = Nc.F()
et donner F().
Ce type de fonction F n’est pas d’emploi très facile, il est utile de disposer d’expression
analytique. Pour y parvenir, on va considérer différentes plages de température.
N.B : Le matériau étant dégénéré, on suppose que les porteurs d’énergie supérieure à E F + 2kT
sont négligeables devant ceux dont les états d’énergie inférieure à EF + 2kT.
6-a) Pour les états d’énergie telles que : EF - E > 2kT, quelle est la forme de fn (E) ?
6-b) Pour les états d’énergie telles que : EF - E < 2kT, donner fn (E).
6-c) Considérons enfin les états d’énergie tels que : EF - 2kT < E < EF + 2kT ; linéariser la fonction
de distribution par un développement limité au voisinage de EF puis expliciter fn (E) dans le
domaine considéré.
7) Donner alors, en résumé, la fonction de distribution des porteurs majoritaires linéarisée dans les
différents domaines de températures considérés.

Exercice2 : Evolution du niveau de Fermi et de la densité des porteurs avec la

température.

Considérons un semi-conducteur dont l’énergie d’ionisation des donneurs est Ed et la

densité des donneurs neutres est Nd0 ; Nd : densité des donneurs et EF : Energie du niveau de Fermi.
1) Quand la température diminue, la densité des donneurs ionisés augmente-elle ou diminue ?
Justifier votre réponse.
2) Supposons que le facteur de dégénérescence de l’état donneur est gi = 2 ; écrire la probabilité
d'occupation du niveau donneur puis donner la densité des neutres Nd0 = f (Nd, ED, EF et kT).
Déduire la densité des donneurs ionisés qu’on note Nd+.
3) Sachant que le degré de dégénérescence du niveau fondamental de l’état accepteur est gi = 4 dans
le semi-conducteur cubique. Ecrire la probabilité d'occupation du niveau accepteur puis déduire la
densité d’accepteurs ionisés (Na-).
Considérons un semi-conducteur de type n non dégénéré et dépourvu d’accepteurs.
4) Ecrire l’équation de la neutralité électrique en explicitant tous les termes.
 Résoudrons, dans ce qui suit, cette équation ainsi trouvée pour étudier EF(T) puis ensuite n(T) et
p(T).
5-a) Ecrire une condition en fonction de ni (densité des porteurs intrinsèques) et Nd pour que p soit
négligeable. Estimer la valeur de kT en dessous de laquelle on peut négliger la densité des trous p.
On donne Nc = Nv = 1019 cm-3 et Nd = 1017 cm-3
5-b) Supposons que la condition (5-a) est remplie ; réécrire alors l’équation de la neutralité
électrique puis déduire EF(T). (Essayer d’écrire une équation du second ordre en exp(EF - ED)/kT
puis la résoudre).
6) Pour étudier les variations de EF(T), on va considérer trois régions de température en plus du
régime intrinsèque correspondant à kT > Eg/10.
6-a) Régime intrinsèque ou KT>Eg/10 (régime à T° élevée) : Donner EF(T).
6-b) Eg >> kT > Ec – ED : Basse température. Donner EF(T) (faîtes un développement limité de
EF(T)).
6-c) kT << Ec - ED : Très basse température. Donner EF (T)= f (Ec, ED, Nc, Nd et kT) ; cas limite :
que devient cette expression quand T tend vers zéro.
7) Tracer la courbe de variation de EF(T) dans le cas où Nc > Nv.

Jusqu’au là, on a étudié EF(T). On va donc s’intéresser à l'étudier, dans ce qui suit, des
densités de porteurs. Mais pour simplifier, on considère un semi-conducteur type n et nous allons
étudier les variations des électrons. De la même façon que pour EF(T), on va considérer trois régions
de température :
8-a) Régime intrinsèque ou KT>Eg/10 =Température très élevée : Donner l’expression de n (densité
des porteurs majoritaires).
8-b) Basse température (Eg >> kT > Ec - ED) : Donner n.
8-c) Très basse température (kT << Ec - ED) : Donner n puis la comparer à celle correspondante au
régime intrinsèque. Quelle similitude trouvez-vous ?
9) Tracer n(T) en échelle logarithmique en indiquant les pentes des différentes portions.

Exercice3 : Relation d’Einstein.

Considérons un barreau de semi-conducteur isolé à l’équilibre thermodynamique et ayant

une densité non homogène suivant la direction des x.
Pour les électrons :
1) Rappeler l’expression de n(x) en fonction de Ec(x).
Important : L’inhomogénéité de la densité des électrons entraîne l’existence d’une force de
diffusion et d’un champ électrique.
2) Ecrire l’équation du courant total suivant l’axe des x.
3) Calculer le champ électrique E(x) = f (kT, e, Ln(n(x))).
4) Déduire une relation entre n, kT, e et Dn.
n : mobilité des électrons et Dn : constante de diffusion des électrons.
Pour les trous :
5) Déduire une relation identique pour les trous.
6) Déduire la relation dite d’Einstein : Dn/n = Dp/p = kT/e.
 UNIVERSITE SULTAN MOULAY SLIMANE Année Universitaire 2020/2021
FACULTE DES SCIENCES ET TECHNIQUES
Département Génie Electrique
BENI-MELLAL

Section :LST-I.I.E.A TD N° 2 Responsable : A. Bouziane

semestre 5
Module :CEF.CI.FL

Exercice 1: Etude du retour à l’équilibre d’un matériau excité.

Considérons un semi-conducteur p isolé et excité en surface (régime de faible excitation) par

un éclairement de manière homogène. Soient :
n0: nombre d’électrons à t = t0 n = durée de vie des électrons
p0: nombre de trous à t = t0 n1 = nombre d’électrons à la saturation
(pour une excitation permanente)
1) Ecrire les lois d’évolution de la densité des trous et des électrons.
2) Etudier celle des électrons :
a) dans le régime stationnaire.
b) dans le régime transitoire : on coupe l’excitation et on analyse le retour à l'équilibre.
Tracer la courbe d’évolution des électrons montrant la loi de retour à l’équilibre.

Exercice 2 : Longueur de diffusion.

Considérons un barreau semi-conducteur p isolé et excité en surface par un rayonnement peu

pénétrant et permanent. Soit n0 le nombre d’électrons à l’équilibre (sans excitation).
1) Où se fait la création des paires électrons – trous ?
2) Rappeler l’équation de courant dans le cas général. Quel est le type de courant qui circule
(conduction ou diffusion) dans le cas étudié et donner son expression ?
3) Donner l’équation différentielle qui régit la densité des électrons (équation de continuité),
comment peut-elle s’écrire en régime stationnaire.
4) Donner la loi d’évolution de n = f(x) puis la tracer.

Exercice 3: Recombinaison assistée par un centre de recombinaison.

La présence d’impuretés incontrôlées joue un rôle non négligeable dans le processus de

recombinaison. Une impureté piège un électron qui par attraction coulombienne attire un trou, ce
qui provoque la recombinaison des deux particules. on distingue deux types :
* si le défaut qui capture l’électron a une grande probabilité de capturer ensuite un trou que
de réémettre l’électron vers la B.C, il capture le trou et provoque de ce fait la recombinaison e-trou.
Ce défaut porte le nom de centre de recombinaison.
** si le défaut a plus de chance de réémettre l’électron capturé vers la B.C. que de capturer
un trou, il a simplement piégé l’électron momentanément. Ce défaut s’appelle : piège à électron.
Nous ne considérons ici que des centres de recombinaison. Le calcul du taux de
recombinaison associé à ces centres fait l’objet de la théorie de Schokley-Read-Hall « SRH ».
Soit: NR: densité de centres de recombinaison; ER: le niveau d’énergie qu’ils introduisent
dans le gap; fR la probabilité d’ occupation de ce niveau (fonction de fermi); Cn, Cp: les coefficients
de capture respectivement des électrons et trous; En et Ep: les coefficients d’ émission; NRO: densité
de centres occupés et NRV: la densité de centre vides.
1) Exprimer fR (ER) = f(ER, EF, kT).
2) Donner NRO et NRV en fonction de NR et fR.
 Les taux de recombinaison s’écrivent :
rn = Cn.n.NRV - En.NRO et rp = Cp.p.NRO - Ep.NRV
Etude à l’équilibre thermodynamique :
3) Considérons l’équilibre thermodynamique :
3-a) donner En = f(Cn, n0, fR) et Ep = f(Cp, p0, fR).
3-b) expliciter n0 et p0 en fonction de eFi puis donner En et Ep en fonction de ni, ER, EFi, Cn, Cp et
kT.
Hors équilibre :
4) Donner maintenant rn et rp en explicitant En et Ep puis déduire fR.
5) Sachant que rn = rp = r, donner r sous la forme :

6) Posons  p0 = 1/CpNR et  n0 = 1/CnNR, réécrire r.

Dans la pratique, les centres qui jouent un rôle important dans les processus de
recombinaison introduisent des niveaux d’énergie voisins du milieu du gap (ER = EFi) et
Cn = Cp = C, d’où
p0 = n0 = m = 1/CNR.
7) Donner r = f(m, p, n, ni).
8) Cas limite : donner r pour un Sc-n en régime de faible injection.
9) Donner 1/ dans le cas général (plusieurs centres de recombinaison avec des densités et des
coefficients de capture comparables coexistent avec la recombinaison directe électron-trou).