Cours EEA3 - Electronique Analogique-1

Cours d’Electronique Analogique
Dr. Pascal NTSAMA ELOUNDOU

PhD en Sciences de l’Ingénieur
(Spécialité : Génies Electrique et des Télécommunications)
Master of Science avec thèse en Ingénierie
Master of Science avec thèse en Télécommunications
Ingénieur de radiocommunication et de radiodiffusion
DEA en Sciences de l’Ingénieur
(pentsama@yahoo.fr)
Octobre 2011 1 Pascal NTSAMA ELOUNDOU
Université de Ngaoundéré - Département de Physique – Faculté des Sciences

Chapitre 1 : Les éléments de physique électronique des semi-conducteurs
1.1 Nature et origine des porteurs de charges
Les lois de la mécanique quantique montrent que dans un solide, les états d’énergie qui sont
permis aux électrons sont groupés en bandes d’énergies.
Bande de conduction
Eg Bande interdite
Bande de valence
Pour les cristaux semi-conducteurs comme pour les isolants, deux de ces bandes d’énergie
jouent un rôle capital : il s’agit de la bande de valence et de la bande de conduction qui sont
séparées par une bande interdite, dans laquelle il n’y a en principe aucun état d’énergie
thermique.
Les électrons de la bande de conduction participent à la conduction électrique lorsque le
matériau est soumis à un champ électrique.
Les électrons de la bande de valence sont liés aux réseaux cristallins et établissent des liaisons
de covalences entre atomes.

La largeur Eg de la bande interdite (Eg : band gap) représente l’énergie minimum qu’il
faut pour rompre une liaison de covalence. L’électron ainsi libéré peut se déplacer dans le
réseau cristallin et participer au mécanisme de conduction.
L’ensemble de niveaux d’énergie offert aux électrons libres constitue la bande de conduction.
a) Définition du concept de trou

Le passage d’un électron de l’état lié à l’état libre fait naître une lacune électronique appelée
trou et qui se manifeste par l’apparition d’une charge positive fixe élémentaire portée par
l’atome. Ces charges fixes auront tendance à capter des électrons liés appartenant aux liaisons
voisines provoquant ainsi des déplacements de proche en proche d’électrons de valence, et par
la suite le rapport concomitant de ces lacunes. Il devient alors pratique de raisonner comme si
on avait affaire à un nouveau type de porteurs mobiles de charges positives (donc les trous).
Les trous sont dans la bande de valence et se déplacent en sens inverse par rapport aux
électrons libres lors des mécanismes de conduction.
b) Métaux semi-conducteurs et isolants

Un matériau appartient à l’une de ces catégories en fonction de la valeur de bande (Eg).
L’importance de la population des trous ou d’électron à laquelle est directement liée la
résistivité d’un matériau est fonction de Eg.
- si Eg > 3 eV, on parle d’un isolant,
- si Eg < 3 eV, on parle d’un semi-conducteur
- Eg = 0 pour un métal.

c) Impuretés donneurs et accepteurs
La situation décrite précédemment pourrait faire croire que les populations d’électrons et de
trous sont égales. De nombreux facteurs peuvent affecter le poids de l’une des populations par
rapport à l’autre. L’un des plus importants est la présence dans le cristal de certains types
d’impuretés.
- Les accepteurs. La présence d’accepteur dans la structure accroît la population des trous.
Ces atomes appartiennent au groupe 3 trivalent ; tel que le bore, l’aluminium ou le
silicium.
- les donneurs. La présence dans le cristal d’atome du groupe 5 pentavalent tel que
l’arsenic ou le phosphore accroît la population en électrons libres.

1.2 Concentration des porteurs dans un semi-conducteur en équilibre
thermodynamique
L’équilibre thermodynamique est atteint lorsqu’il y a pas d’échange entre le semi-conducteur
et son environnement. Les porteurs comptent principalement 2 origines : la rupture de la
liaison de covalence entre atome et semi-conducteur, et l’introduction des impuretés donneurs
ou accepteurs. On démontre que les bandes de conduction et de valence sont structurées entre
l’état d’énergie discret appelé état quantique de l’énergie. On appelle N€ la distribution en
énergie de ces états quantiques.
Les concentrations des porteurs d’électrons libres et trous dans un semi-conducteur sont une
fonction de N(E) et de la probabilité f(E) d’occupation de ces états par les électrons. A
l’équilibre thermodynamique, la probabilité d’occupation d’un niveau d’énergie E par un
1
électron est régie par la statistique de Fermi - Dirac de sorte que : f ( E ) =
 E − EF 
1 + exp  
 KT 
où :
K : la constante de Boltzmann
EF : est l’énergie de Fermi
T : température absolue
EF est égal au niveau particulier dit niveau de Fermi
1
Pour E = EF, on a f ( E ) =
2
Dans tout cristal en équilibre et plus généralement dans tout système en équilibre
thermodynamique EF est une constante indépendante de l’espace. 90% de la variation de f(E)
est située dans une plage, d’où l’approximation suivante :
 E − EF 
 − 
 E > EF , f ( E ) ≃ e  KT 
E − EF > 3KT ⇒ 
E − EF 
 E < EF , f ( E ) ≃ 1- exp  
  KT 
La concentration n des électrons en équilibre thermodynamique est donnée par :
d n = N ( E ) f ( E )dE
⇒ n=∫ N ( E ) f ( E )dE n : nombre moyen des électrons
bande de conduction
et p=∫ N ( E ) [1 − f ( E ) ] dE p : nombre moyen des trous

bande de valence
La connaissance de N(E) permet de montrer que :
EC − EF Ev − EF
− −
n = NC e KT
(1) et p = N v e (2) KT
Nv représente la densité effective dans la bande de valence et NC la densité effective dans la

bande de conduction. On admet que NCNv est proportionnel à T3/2.
Ev − EC
n p = NC Nv e KT
Eg
−
Si on pose E g = EC − E v , alors on aura : n p = N C N v e KT
(3)
Le produit n p ne dépend que de la température. C’est la loi d’action de masse.
1
−
Eg
 − 
Eg 2
On pose n p = ni2 , on a : ni2 = N C N v e KT

⇒ ni =  N C N v e KT
 

ni est la concentration intrinsèque (interne au système). Il représente l’une des plus
importantes caractéristiques de semi-conducteurs,
3 3 Eg
−
N C N v = AT ⇒ n = AT e
2 2 2 KT
(4) . Où A et Eg dépendent de la nature du cristal.
i
Dans le cas particulier des matériaux très purs, la seule source de porteurs est la rupture des
liaisons covalentes, alors : n = p = ni
Exemple : Germanium : ni = 1013 cm−3 , Arsenic de galium GaAs : ni = 107 cm −3
On désigne par EFi la valeur de EF lorsque n = p = ni . EFi est l’énergie de Fermi intrinsèque
EC − EFi Ev − EFi EC − EFi − EFi
− − N v EvKT
NC e KT
= Nve KT
⇒ e KT
= e
NC
Pour EF = EFi, nous avons :
EC + Ev KT  N v 
+ ⇒
ln   EFi =
(7)
2 2  NC 
Au zéro absolu, EFi est au milieu de la bande interdite, ceci reste valable à la température
ambiante comme en général Nv est voisin de NC.
EC − EF Ev − EF
− −
n = NC e KT
et p = Nve KT
p Nv  E − EF + EC − EF  2 EFi EC + Ev N 
= exp  v , d’après (7) = + ln  v 
n NC  KT  KT KT  NC 
 EFi − EF 
p 2
KT 
On a : =e  (8)
n
 E −E 
2 Fi F 
Ainsi, p = ne  KT 
comme n p = ni2
 EFi − EF   E −E 
2 2 KT  2 Fi F 
ne  
=n 2
i ⇒ n =n e 2
i
2
i
 KT 
. Matériau pur n = p = ni , d’où :
EF − EFi  E −E 
−  F Fi 
n = ni e KT
(9) p = ni e (10)  KT 
D’après les équations (9) et (10), on vérifie que :

Pour un semi-conducteur intrinsèque où EF = EFi, nous avons bien p = ni
- Pour n > ni > p , on a EF > EFi . Il s’agit d’un semi-conducteur extrinsèque de type N,
où les électrons sont des porteurs majoritaires, et les trous des porteurs minoritaires. le
semi-conducteur a été dopé avec des impuretés donneurs.
- Pour p > ni > n , on a EFi > EF . Il s’agit d’un semi-conducteur extrinsèque de type P, où
les trous sont majoritaires et les électrons minoritaires.
Equation de neutralité – Calcul de n et de p

Dans un semi-conducteur en équilibre thermodynamique, on a :
p − N A − n + N D = 0 (11),
- ND représente la concentration des impuretés donneurs.
- NA la concentration des impuretés accepteurs.
Or n p = ni2 , d’où p = N A + n − N D ⇒ n( N A + n − N D ) = ni2
2
⇒ n + n( N A − N D ) − ni2 = 0, d ' où ∆ = ( N A − N D ) 2 + 4ni2
- Si ∆ > 0 alors :

( N D − N A ) + ( N D − N A )2 + 4ni2
n= (12)
2
( N D − N A ) + ( N D − N A ) 2 + 4ni2
p=− (13)
2
N A − ND
- Si ∆ = 0 alors : p =
2
ni2 ni2
Pour un semi-conducteur du type N, où N D ≫ N A , nous avons : p= et n=
ND NA
1.3 Equation de transport de charges
On suppose que le cristal est totalement isotherme. Deux mécanismes sont à l’origine du
déplacement des porteurs dans un semi-conducteur : la conduction et la diffusion.
1.3.1 Conduction
Si dans un cristal semi-conducteur, on établit un champ électrique E, alors aux mouvements
désordonnés des porteurs dus à l’agitation thermique viendra se superposer un mouvement
dérive dans le sens du champ électrique pour les trous et dans le sens contraire pour les
électrons. la vitesse du dérive de chaque type de porteur est proportionnelle au champ
électrique tant que ce dernier n’est pas intense. On écrit donc :
v vp
µn = n , µ p =
E E
Où vn représente la vitesse moyenne de dérive des électrons et vp la vitesse moyenne de dérive
des trous. µ n est la mobilité des électrons et µ p celle des trous.
A cette dérive des porteurs correspondent les courants < de conduction >, dont les densités

sont jn pour les porteurs (électrons) et j p pour les trous :

jn = − qnvn = qnµn E avec vn = µ n E

et j p = qpv p = qp µ p E

La densité totale j = jn + j p = j p = − qnvn + qpv p = qnµn E + qp µ p E

j = q ( nµ n + p µ p ) E
La quantité σ = q (nµn + p µ p ) est la conductivité du cristal. Ainsi, on a :
σ = σ p + σ n , σ n = qnµ n est relatif aux électrons et σ p = qpµ p relatif aux trous
Dans le cas de concentration intrinsèque : σ i = q ( µn + µ p )ni
Dans le cas d’un semi-conducteur :
- de type N : σ N = q µ n N D
- de type P : σ P = q µ p N A
La mobilité dépend de plusieurs facteurs dont le champ électrique, la densité de porteurs, la
température.
1.3.2 Diffusion
Quand la distribution des porteurs libres n’est pas uniforme dans le cristal, ceux-ci subissent
le phénomène général de la diffusion. Cette diffusion se traduit par un mouvement
d’ensemble de porteurs depuis les zones de fortes concentrations vers celles de faibles
concentrations. Ce qui tend à uniformiser la répartition des porteurs dans le cristal. Ce
processus de diffusion obéit à la loi Fick. A savoir : que le flux du porteur est proportionnel à

leur gradient. D’où : jn = qDn gradn et j p = − qD p grad p . Où Dn est la constante de
diffusion des électrons et Dp celle de diffusion des trous.
1.3.3 Courant d’entraînement
C’est le courant que l’on rencontre dans les métaux et qui est proportionnel au champ
électrique :
jn = σ .E
Lorsque les deux phénomènes existent simultanément, les courants totaux sont donnés
respectivement par les trous et les électrons. Dans ce cas, il existe à la fois un champ

électrique E et un gradient de porteurs dans un cristal :
dn
jn = qnµ n E + qDn gradn ⇒ jn = qnµn E + qDn
dx
dp
j p = qp µ p E − qD p grad p ⇒ jn = qp µ p E − qD p
dx
Ces relations sont les relations de densité de courant. Elles sont valables pour des champs
électriques suffisamment faibles pour que la vitesse des porteurs reste proportionnelle au
champ. Le courant total s’écrit alors :
jtotal = jn + j p
1.3.4 Relation d’Einstein

Les constantes Dp et Dn sont liées aux mobilités µ n et µ p par la relation d’Einstein que l’on
admettra sans démonstration :
D p Dn KT
= = uT A T = 300°K, VT = 26 mV et on a µ = 39 D
µ p µn q
1.3.5 Equation d’équilibre d’un cristal semi-conducteur

A l’équilibre, on aura : jn = 0 et j p = 0
D
- jn = 0 ⇔ qnµn E + qDn gradn = 0 ⇔ nE + n gradn = 0 ⇔ nE +uT gradn = 0
µn
u uT ∂n
E = − T gradn ⇒ Ex = − =
n n ∂x
v v
dv u dn dn − c0
or Ex = − =− T . ⇒ dv = uT ⇒ v = c0uT ln n ⇒ n=e e uT
= c1e uT
dx n dx n
v
Donc n = c1e uT
D p u

- j p = 0 ⇔ qp µ p E − qD p grad p = 0 ⇔ pE − grad p = 0 ⇒ E = T grad p
µp p
uT dp dv dp v '
Ex = = − , uT = − dv ⇒ ln p = − c0
p dx dx p uT
v
−
Donc p = c2 e uT
Examinons le cas c1 et c2
v v 2v
− n c1 uT
n = c1e uT
et p = c2 e uT
Or np = n , donc c1c2 = n
2
i
2
i ⇒ = e
p c2

EF − EFi EFi − EF F Fi 2( E − E ) F Fi
2v 2( E − E )
n c1 uT
n = ni e KT
et p = ni e KT
⇒ = e KT ⇒ e = e KT
p c2
2( EF − EFi ) c 2v EF − EFi u c KT
⇒ = ln 1 + ⇒ uT = T ln 1 + v , comme uT =
KT c2 uT KT 2 c2 q
E − EFi KT c1
Alors F = ln + v = v0 + v
q 2q c2
KT c1
v0 = ln est le potentiel de référence
2q c2
c
Si v0 = 0 ⇒ ln 1 = 0 ⇒ c1 = c2 , d ' où ni = c1 = c2
c2
v v
− EF − EFi
On avait : n = c1e uT
et p = c2 e uT
, or v = et ni = c1 = c2 :
q
EF − EFi EFi − EF
n = ni e et p = ni e
quT quT
Prendre v0 = 0, revient à considérer que le potentiel est nul là où EF et EFi sont confondues.
On a : p − N A + N D − n = 0
ρ
D’après l’équation de Poisson : ∆v + =0
ε0
dq
dq → dv : ρ= , d’autre part : ρ = qN = q ( p − N A + N D − n)
dv
ρ q
∆v = − = − ( p − N A + N D − n)
ε0 ε0
d2 f
Pour une fonction à une variable f = f(x), on a : ∆f = 2
dx
2
d v q
⇒ ∆v = 2 = − ( p − N A + N D − n)
dx ε0
v v
−
D’autre part : n = ni e uT (a) et p = ni e uT
(b)
 − uv v
  uv −
v
  v 
⇒ p − n = ni  e − e  = − ni  e − e  = −2ni sh  
T uT T uT
     uT 
   
d 2v q   v 
⇒ =  N A − N D + 2ni sh    (c)
dx 2
ε0   uT  
Les relations (1), (2) et (3) sont des équations d’équilibre dans un semi-conducteur.

Chapitre 2 : Jonction P - N
Introduction
La jonction est un contact intime entre deux matériaux. Selon les cas, on distingue :
- l’homojonction qui est un contact réalisé entre deux régions d’un même matériau semi-
conducteur.
- l’hétérojonction qui est un contact entre deux matériaux de nature différente. Le plan net
qui les sépare s’appelle jonction métallurgique
Jonction métallurgique
P N
Il existe essentiellement deux types de jonctions : la jonction abrupte et la jonction graduelle.

Dans une jonction abrupte, on passe sur une distance négligeable d’une région P ou N
affirmée à une région N ou P affirmée. Le semi-conducteur étant uniformément dopé.
N Jonction
ND >> NA abrupte
NA >> ND
Jonction
graduelle
x
P N
Dans une jonction graduelle, le passage de la région P ou N à la région N ou P est graduelle et

se fait sur une plus large distance.
2.1 La jonction P-N en équilibre thermodynamique
2.1.1 Tension de diffusion

A l’équilibre thermodynamique, et loin de la jonction métallurgique, les concentrations des
porteurs sont les mêmes dans un semi-conducteur dopé et isolé.
n N
Pour la région N, nous avons : VN = U T ln N , avec nN = N D , donc VN = U T ln D
ni ni
nP ni2
Pour la région P, VP = U T ln , avec n p =
ni NA
ND n N N 
La différence de potentiel VN − VP = U T ln − U T ln i = U T ln  A 2 D 
ni NA  ni 
N N 
On pose φ = VN − VP = U T ln  A 2 D  , appelé potentiel interne ou tension de diffusion
 ni 
2.1.2 Zone de transition ou zone de déplétion
Des que la jonction P-N est formée, il s’établit une zone de charge d’espace autour de la
jonction métallurgique sur une distance WT. WT est la profondeur de la zone de transition.

L’apparut ion de cette zone peuplée est liée au trait fort gradient de porteurs libres qui existent
à la jonction métallurgique dés que la jonction PN est formée.Region quasi-neutre N(QNN)
---- ++++
---- ++++
P ---- ++++ N
---- ++++
---- ++++
pp ≡ NA nN = ND
P N
n i2 n i2
np = WT pN =
NA ND
-W1 0 W2 x
- W2
W
Em
Dans la pratique, on considère que la zone de transition est dépourvue de porteurs libres.
d 2v q
- Pour − w1 < x < 0 ⇒ = NA
dx 2 ε
d 2v q
- Pour 0 < x < w2 ⇒ = − ND
dx 2
ε
w1 est l’extension de la charge d’espace du coté P et w2 est l’extension de la charge d’espace
du coté N. on suppose que la charge totale contenue dans la zone de transition est nulle. ce qui
 N w = N D w2 N
permet d’écrire :  A 1 ⇒ w1 = D w2
 wT = w1 + w2 NA
N  NA N NA ND
On a : wT = w2  D + 1 ⇒ w2 = wT , w1 = D . wT = wT
 NA  N A + ND NA N A + ND N A + ND
 ND
 w1 = N + N wT
 A D
D’où : 
w = N A w
 2 N A + N D T
La charge d’espace s’étend plus dans la zone la moins dopée et le champ électrique dans les
régions quasi-neutres est dirigeable.
dv q
- Pour − w1 < x < 0 ⇒ E ( x) = − = − N A ( w1 + x )
dx ε
dv q
- Pour 0 < x < w2 ⇒ E ( x) = − = N D ( x − w2 )
dx ε
q q N N q N N
On a : Em = E (0) = − N A w1 = − . A D wT ⇒ Em = − . A D wT
ε ε NA + ND ε N A + ND
Comportement de E(x) dans l’intervalle [-w2, w1]
dv
On sait que E ( x) = − ⇒ − dv = E ( x)dx
dx
− [ v( w2 ) − v(− w1 ) ] = ∫ E ( x)dx
w2 w2 w2
⇒ ∫- w1
-dv = ∫ E ( x)dx
- w1
⇒
- w1

w2
v(− w1 ) − v( w2 ) = ∫ E ( x)dx , le champ est nul ; donc le potentiel est constant
- w1
w2
⇒ v p − vN = ∫ E ( x)dx =φ , c’est la surface du triangle w2 E w2
- w1
w1 Em w2 Em Em
⇒ φ= + = ( w1 + w2 )
2 2 2
Em
D’où : φ = ( w1 + w2 )
2
q N AND
En remplaçant Em par sa valeur, on a : φ = . wT2
2ε N A + N D
2ε N A + N D
D’où : wT = . φ
q N A ND
Le rôle du champ Em est de stopper la migration (diffusion) des électrons libres vers la zone P
et des trous vers la zone N.
A l’équilibre thermodynamique, on a : JN = 0 et JP = 0.
Tout porteur amené dans la zone de transition (par le phénomène de diffusion) est refoulé
dans la zone P pour les trous et dans la zone N pour les électrons.
2.2 Générations – recombinaison
rappelons que l’origine des porteurs a été présentée en terme de rupture de liaisons de
covalences entre atomes, d’émission d’électrons libres par des impuretés (donneurs) de type
N et de capture d’électrons de valence par des impuretés (trous) de type P. A chacun de ces
mécanismes de génération de porteur correspond un processus inverse de recombinaison de
sorte qu’à l’équilibre thermodynamique, où la densité de porteurs ne dépend pas de temps, la
balance génération recombinaison est équilibrée de manière exacte. Soit gn le taux de
génération d’électrons libres, gp le taux de génération de trous, rn le taux de recombinaison
d’électrons libres, rp le taux de recombinaison de trous. Ces taux représentent le nombre de
porteurs de chaque type qui sont générés par le couple (gn, gp) et recombinés par (rn, rp) par
unité de temps et de volume.
A l’équilibre thermodynamique (gn = gp et rn, = rp ). Hors de l’équilibre, la balance génération
recombinaison dévie en même temps que les concentrations n et p s’écartent des moyennes n
et p . Cet écart est caractérisé par un = rn − g n qui est le taux net de recombinaison des
électrons et u p = rp − g p qui est le taux net de recombinaison des trous.
Si un ou u p < 0 , alors il s’agit du taux net de génération. En définitive et en tout point du
cristal, les variations de n et de p dans le temps sont données par les équations de continuité
suivantes :
∂p 1
= −u p − div j p
∂t q
∂n 1
= −un + div jn
∂t q
Deux principaux mécanismes sont à l’origine de l’apparition et de la disparition des porteurs

libres :

a) phénomène de génération et de combinaison dans la bande à bandes
e Ec
E
Génération Recombinaison
La génération à une paire d’électron – trou correspond à la rupture d’une liaison de

covalence. L’electron passe de la bande de valence à celle de conduction. La recombinaison
correspond à la formation d’une liaison covalente par capture d’un électron.
b) Génération - recombinaison par centre recombinant
Ec
E
(a) (b)
Er
(c) (d)
Ev
Une impureté ou un dépôt cristallin vient placer un niveau d’énergie Er dans la bande,
mais loin de Ec et de Ev. Er va constituer un centre de transit pour les porteurs. Er est appelé
centre recombinant ou piège. Au niveau de la figure, (a) correspond à la rupture d’un électron
libre et (b) à l’émission d’un électron libre. (c) correspond à la capture d’un électron de
valence et (d) à la restitution d’un électron dans la bande de valence.
2.3 Semi-conducteurs hors équilibre

Hors équilibre thermodynamique et lorsque la température change ou lorsqu’on fait
passer un courant électrique à travers un cristal, les relations changent. Donc :
v v
−
n ≠ ni e , p ≠ ni e
uT uT
et np ≠ ni2
par contre, les effets électrostatiques restent, notamment ceux décrits par l’équation de
poisson :
d 2v q
= − ( p − n + ND − N A )
dx 2
ε
Approximation de Boltzmann
--- ++
P - ++
--- ++
- ++
Va
Soit une jonction PN à laquelle on applique une tension Va, d’après l’approximation de
Va
Boltzmann, on admet que ( np ) j = n e e UT

i , avec les chutes de tension nulles dans les régions
quasi-neutre N et quasi-neutre P.
Durée de vie des porteurs minoritaires

 ∂p 1
 ∂t = −u p − q div j p ∂A
Équations de continuité :  , suivant l’axe x, div A = x
 ∂n = −u + 1 div j
∂x
 ∂t n
q
n
 ∂p 1 ∂j p
 = −u p −
∂t q ∂x
D’où 
 ∂n = −u + 1 ∂jn
 ∂t n
q ∂x
Dans le cas de génération – combinaison dans la bande à bande, on suppose que :
( )
un = u p = k np − ni2 = u
On pose : n = n + nɵ et p = p + p , nɵ et p sont des concentrations de porteurs en excès par
rapport à leur valeur à l’équilibre.
( )( )
On a : u = k  n + nɵ p + p − ni2  = k  n p + n p + pnɵ + nɵ p − ni2 
   
n p = ni2 ( )
⇒ u = k  n p + pnɵ + nɵ p 
 
Dans les régions quasi-neutres N er P, et pour de raison de quasi-neutralité, nous
avons : nɵ = p
Dans la zone N, nous avons : u = k p  n + p + nɵ  ⇒ u = k pn
 
L’excès en électrons est très petit par rapport à n nɵ ≪ n et p ≪ n .( )
1 p
Si on pose : τ p = ⇒ u=
kn τp
Dans la zone P , u = knɵ  n + p + p 
  (
⇒ u = k nɵ n + p + nɵ )

p ≫ n et p ≪ p ⇒ u = kn p ɵ
1 nɵ
La durée de vie : τ n = ⇒ u=
kp τn
τ n et τ p représentent les durées de vie de porteurs minoritaires excédentaires. τ n et τ p
représentent également le temps moyen qui sépare l’apparition des porteurs minoritaires en
excès de sa disparution par recombinaison. Les équations de continuité deviennent :
 ∂p p 1 ∂j p
 =− −
 ∂t τ p q ∂x

 ∂n nɵ 1 ∂jn
 = − +
 ∂t τ n q ∂x
2.4 Caractéristiques courant – tension des jonctions P-N
Hypothèses pour une jonction hors équilibre

1. Existence d’une zone de transition parfaitement dépeuplée de porteurs libres.
2. Encadrée de deux régions quasi-neutres
3. les contacts ohmiques établis sur les régions N et P sont supposés parfaits. (Chute de
tension nulle).

4. Les chutes de tension sont négligeables dans les régions quasi-neutres.
Dans ces conditions, la tension appliquée Va viendra chuter entièrement au bord de la zone de
charge d’espace de telle sorte que :
2ε N A + N D
VN − VP = (φ − Va ) et la profondeur wT = . (φ − va )
q N A ND
- si va est positif, alors la polarisation est dite directe, c'est-à-dire que le coté P est porté au
potentiel supérieur du coté N. on voit que : wTa < wT à l’équilibre.
- si va est négatif, alors la polarisation est dite inverse, c'est-à-dire que le coté P a un
potentiel inférieur à celui du coté N. Et dans ce cas : wTb > wT à l’équilibre.
WTa
WTeq
WTb
L’effet diode
2ε N A + N D
(j ) (j )

Rappelons que : wT = . (φ − va ) , cond −
= qnµ n E , cond = qp µ p E
q N A ND e trou
( ) ( )

jdiff = qDn gradn , jdiff = qDp grad p
e− trou
wT
-- ++
-- ++
-- ++
-- ++
Va
A l’équilibre thermodynamique n = n, p = p
a) Polarisation en directe
On a vu que si WT decroit, alors EM decroit aussi ⇒ Ex decroit ∀x ⇒ ( jcond ) e − decroit
∆n
de même que ( jcond ) trou . par ailleurs est assimilable au gradient des électrons entre les
wT
régions P et N.
∂n dn ∆n ∆n
∆n = n N − nP , gradn = dx = dn ⇒ = =
∂x dx ∆x wwt

Comme wT decroit alors gradn devrai croire ⇒ ( jdiff ) e− croit.

De même, on aura grad p qui va decroire.

En effet ∆p = p N − p P decroit ⇒ grad p decroit ⇒ ( jdiff ) trou croit.
Conclusion : il y’a rupture de l’équilibre entre les courants de conduction et de diffusion en
faveur du courant de diffusion. les électrons de la région N qu’on peut appeler porteurs

majoritaires vont passer en masse du coté de P et les trous de la région P, porteurs majoritaires
( ) ( )

passeront vers la région N. j total = j diff − + j diff
e majoritaires trous majoritaires
b) Polarisation en inverse
∆n
Si WT croit ⇒ decroit. EM croit ⇒ ( jcond ) e − croit et ( jcond ) trou croit également.
wT
De même ( jdiff ) e−
decroit et ( jdiff ) trou decroit aussi
Conclusion : Il y’a rupture de l’équilibre en faveur des courants de conduction.
Ceux sont les porteurs minoritaires des deux régions qui vont assurer le courant de
conduction. Les électrons situés du coté P (porteurs minoritaires) sont amenés à traverser la

zone de transition sous l’action des forces F et les trous du coté N sont refoulés du coté P.
--- +++
--- +++
F --- +++ F
+
P --- +++ N
- +
wT
Va
( ) ( )

j total = j cond −
+ j diff
emin oritaires trous min oritaires
Finalement, en polarisation directe, le courant total sera beaucoup plus élevé que le
courant en polarisation inverse. D’où le comportement dissymétrique de la diode.
2.4.1 Jonction P+N sans recombinaison

Les jonctions PN que l’on rencontre dans de nombreux dispositifs sont forcements
dissymétriques, c'est-à-dire que l’une des régions P ou N est beaucoup plus dopé que l’autre.
On parle alors de jonctions P+N quand la concentration NA > ND. (Jonction N+P quand ND >
NA ).
P +N
- -+ + +
- -+ + +
- -+ + +
- -+ + +
- -+ + +
+
D’autre part les caractéristiques physique et géométriques de ces jonctions (rencontrés
en pratique) sont souvent choisies telles que les effets de recombinaison des porteurs en excès
y sont négligeables.
2.4.1.1 Calcul des caractéristiques courant – tension

Nous travaillerons sur une jonction P+N, les résultats étant transposables sur la
jonction N+P.
J
--- +++
--- +++
P --- +++ N
--- +++ B
--- +++
A A, B : contacts chimiques
-wP -w1 0 w2 wN x J : jonction métallurgique
Va

On avait les équations suivantes : jn = qnµ n E + qDn gradn et j p = qp µ p E − qD p grad p
Dn Dp KT
= = = UT
µn µp q
dn  nµ E dn   nE dn 
En module, on a : jn = qnµ n E + qDn = qDn  n +  = qDn  + 
dx  Dn dx   U T dx 
dp  p µ p E dp   pE dp 
et j p = qp µ p E − qD p = qD p  −  = qD p  − 
dx  Dp dx 
  T dx 
U
  nE dn  E dn
 jn = qDn  +  = qnDn + qDn (1)
  U T dx  UT dx

  pE dp  E dp
 j p = qD p  U − dx  = qpD p U − qD p dx (2)
  T  T
 dn E
 jn − qD n = qnD n (3) jn − qDn
dn
 dx UT dx = nDn
⇒  ⇒
 j + qD dp = qpD E − (4) dp pD
j p + qD p
 p p
dx
p
UT dx
 dn   dp 
⇒ pD p  jn − qDn  =nDn  j p + qD p 
 dx   dx 
 dn dp   d (np ) 
⇒ pD p jn − nDn j p = qDn D p  p + n  = qDn D p  
 dx dx   dx 
pjn jp d (np )
D’où : −n =
qDn qD p dx
pjn jp
dx − n dx = d ( np)
qDn qD p
jn jp jn jp
dx = ∫ d (np ) = [ pn ] A = 0
B B B B B
∫ dx − ∫ n ∫ dx = ∫ n
B
p ⇒ p dx
A qDn A qD p A A qDn A qD p
 ∂p 1 ∂j p
 = −u p −
 ∂t q ∂x
Equation de continuité : 
 ∂n = −u + 1 ∂jn
 ∂t n
q ∂x
 ∂p ∂j p
 ∂t = 0 , u p = 0 ∂x
= 0 ⇒ j p =cste
En régime statique, on a :  ⇒
 ∂n = 0 , u = 0 ∂jn
= 0 ⇒ jn = cste
 ∂t ∂x
n
B j B jp
On aura donc : ∫ p n dx = ∫ n dx
A qDn A qD p
p B pB
B p B n jp ∫
A qD
dx
jp ∫A D
dx
⇒ jn ∫ dx = j p ∫ dx ⇒ = n
⇒ = n
A qDn A qD jn B n jn B n
p
∫A qDp dx ∫A Dp dx

jp
γ= est le coefficient d’efficacité d’injection
jn
La jonction P+N étant très dissymétrique, le numérateur de ce rapport sera également
supérieur qu dénominateur, d’où γ ≫ 1 .
γ ≫ 1 ⇒ j p ≫ jn ⇒ j = j p + jn ≡ j p
En intégrant dans la région p du schéma, on a :
( )
wN jn wN jp wN wN
∫0 qDn ∫0 qDp ∫0
p dx − n dx = d ( np ) = np
0
(np ) wN − (np )0
La région N étant supposée quasi-neutre, la concentration totale n = ND + P

Comme ∫ pdx < ∫ ndx et γ ≫ 1 ⇒ jn ≪ j p
N N
p n
jn ∫ dx − j p ∫ dx = q [ (np) B − (np) J ]
Dn N N Dp
p n
Comme jn ≪ j p , jn ∫ ≪ jp ∫ , on a :
N D N D
n p
 (np ) B = ni2

 Va , on obtient :
(np ) J = ni e T
2 U
p n  Va
 p n  UVa 
jn ∫ dx − j p ∫ dx = ni 1 − e
2 UT
q ⇒ - jn ∫ dx + j p ∫ dx = qni  e T − 1
2
N Dn N D   N D N D  
p   n p  
 UaT 
V
qni  e − 1
2
 
⇒ jp =  
B n
∫0 Dp dx
B
On pose : D p =
∫0
ndx
, D p est le coefficient de diffusion effective
B n
∫0 Dp
dx
 UaT 
V
D p qn  e − 1
2
 i 
⇒ jp =  
B
∫ ndx 0
En général, D p dépend peu de x ⇒ Dp = D p

B w2 B w2 B
Or ∫0
ndx = ∫ ndx + ∫ ndx , mais ∫ ndx ≪
0 w2 0 ∫ w2
ndx , car la zone de transition est dépeuplée
B
en polarisation inverse et de largeur négligeable en polarisation directe. Donc : ∫0
ndx #
B
∫w2
ndx ,
, nɶ ≈ N et p ≪ N
On a : n = nD + p , p = p + P ⇒ n ≃ n + p
D D
B B B B
⇒ ∫ ndx # ∫ ndx = ∫ ndx + ∫ pdx
0 w2 w2 w2
B BB
Posons : QB = q ∫ ndx = q ∫ N D dx = q ( wN − wB ) , QS = q ∫ pdx
w2 w2 w2

QB représente la charge des impuretés dans la région quasi-neutre N par unité de
surface de jonction. (wN – wB) est la dimension effective de la région N. QS représente l
charge stockée par les porteurs minoritaires en excès dans la région quasi-neutre N par unité
de surface de jonction.
 UaT 
V
q ni D p  e − 1
2 2
 
⇒ jp =  
QB + QS
a) Cas des faibles niveaux de polarisation
Les faibles niveaux de polarisation sont caractérisées par le fait que Va étant peu
élevée, la densité des trous qui sont injectés de la région P vers la région N est réduite de
sorte que QS étant très petit par rapport à QB ; on parle de faibles niveaux d’injection. Dans
ce cas, on a :
 UaT 
V
q ni D p  e − 1
2 2
 
j ≈ jp =   - c’est l’équation de la caractéristique courant tension d’une
QB
jonction diode. On l’écrit également sous la forme :
Va
q 2 ni2 D p
j = jS (e − 1) , avec jS =
UT
. jS est la densité de courant de saturation.
QB
Va
Pour une jonction de surface S, le courant réellement observé est : I = jS = I S (e − 1) .

UT
Si Va < 0, alors I = -IS, on dit que la diode est en inverse.
b) Cas des forts niveaux de polarisation

 UaT 
V
q 2 ni2 D p  e − 1
 
On a : j p =  
QB + QS
Dans ce cas, on a : QS ≫ QB . Ce qui signifie que les trous sont si nombreux que leur charge
est supérieure à qND. Ceci correspond aux forts niveaux d’injection dans la région N. dans ce
cas :
 UaT 
V
q ni D p  e − 1
2 2
 
j ≈ jp =  
QS
Va
UT
2 2
q n D pe
Si Va > 0, on a : j ≈ i
QS
Etablissons une relation entre jp et QS
j jp d (np )
On a : p n − n dx = . Supposons QS ≫ QB et p ≈ n , on a donc :
qDn qD p dx
jn jp d ( p2 )  j j p  (dp )  j j p  dp
−p = ⇒ p n − = ×2p ⇒  n −
 qDn qD p  dx  qDn qD p  dx
p =2
qDn qD p dx    
jp dp
Comme jn ≪ j p , on a : − =2
qD p dx

dp 1 jp
=- D’où :
dx 2 qD p
Puisque la jonction est sans recombinaison, on trouve que jp est indépendant de x
1 jp
⇒ p=- x + conste .
2 qD p
p(w2)
p(B)
contact ohmique
0 w2 wN
1 jp 1 jp
p( B) = 0 = - wN + conste ⇒ conste = wN
2 qD p 2 qD p
1 jp 1 jp 1 jp
On pose alors : p ( x) = - x+ wN = - ( x - wN )
2 qD p 2 qD p 2 qD p
On avait : QS = q ∫ pdx = q ∫ p ( x)dx = aire balayé par p ( x) dans [ w2 , B ]
B B
w2 w2
1 jp 1 jp
On a : p ( w2 ) = - ( w2 - wN ) = ( wN - w2 )
2 qD p 2 qD p
( wN - w2 ) 1 j p 1 jp
Ainsi : QS = × × ( wN - w2 ) ⇒ QS = ( wN - w2 ) 2
2 2 Dp 4 Dp
La charge stockée est donc dans ce cas proportionnelle à la densité de courant de trou.
Va Va
2 2 UT
2 2 2 UT
q n D pe 4q n D e
=
i i p
jp = ,
QS j p ( wN - w2 ) 2
Va
2UT
2qni D p e
on a donc : j p = =
( wN - w2 )2
NB : Les résultats sont différents quant au fort niveau de polarisation qu’au faible niveau. Ce
comportement théorique est souvent masqué par des effets secondaires qui sont des parasites.
• Densité des courants des électrons

 UaT   UaT 
V V
q n D p  e − 1 2
q ni D n  e − 1
22 2
  i  
Au faible niveau de polarisation : j p =   , jn =  
QB QBn
− w1
Or QBn = q ∫ pdx
A
Si on compare jp à faible niveau d’injection et jn, du fait que NA >> ND, jn < jp
QBn = q ∫ pdx Comme NA >> ND, QBn > QB
QB = q ∫ ndx ⇒ jn ≪ j p
2.4.1.2 Notion de temps de transit des porteurs

Les caractéristiques théoriques statiques des jonctions qui ont été établies traduisent
dans l’ensemble le comportement des structures sur le plan expérimental. Cependant, certains
phénomènes n’ont pas été pris en compte ; notamment dans les conditions de polarisation

extrême. Ces conditions sont par exemple la valence et l’effet tunnel sous polarisation inverse
prononcée, les effets thermiques en très forte polarisation, les phénomènes de génération
recombinaison dans la zone de transition et les phénomènes de recombinaison en surface. Les
conséquences de ces phénomènes se traduisent à travers les courbes ci-dessous :
n>1
I
Tension de claquage lnI
n=1 Effet des résistances série
VA<0 et thermique
Vz
(a)
Va Génération et recombinaison
dans la zone dépeuplée et en
Théorie
surface
Combinaison
(b) expérimentale Va
(a) génération – recombinaison dans la zone dépeuplée

(b) phénomène de claquage
1) Effet tunnel
Sous polarisation inverse, le champ électrique présent dans la zone dépeuplée s’accroît
avec l’augmentation de Va. Pour certaines valeurs limites, ce champ peut provoquer la
rupture de liaison covalente générant des paires électrons – trous (passage direct des
électrons de l’état lié à l’état libre par l’effet tunnel). Il s’ensuit une augmentation rapide
du courant inverse (zone b) de la caractéristique. La tension Vz correspondant s’appelle
tension de claquage ou break down voltage.
2) Phénomène d’avalanche
Pour les tensions inverses de Va suffisamment élevées et supérieures) Vz, les porteurs
(électrons et trous) sont capturés par le champ électrique à des vitesses tels que leur
énergie cinétique soit supérieure à Eg. lors d’une collision avec le réseau, ils peuvent
briser une liaison covalence et entraîner la génération d’une paire électron – trou qui à leur
tour peuvent briser d’autres liaisons, ce qui entraîne une avalanche électronique, donc le
courant inverse sera élevé et la diode sera ainsi détruite. le phénomène d’avalanche se
produit à une tension :
ε E 2 (N + ND )
VBR = m A pour une jonction abrupte
2qN A N D
3) Mécanisme de génération – combinaison dans la zone de transition

• En direct
La zone de transition est contrairement à ce qui a été pris comme hypothèse, le siége
de recombinaison très active. On montre que le taux net de recombinaison est maximum à
a V
n
la jonction métallurgique, et on aura donc : (U max ) J = i e 2UT
2τ m
Au courant théorique de la diode calculée précédemment, il convient d’ajouter le courant
Va
de recombinaison jr, avec jr ∼ e nU T

et 1 < n < 2 . jr ne joue un rôle qu’au très faible niveau
d’injection.

• En inverse
ni
On montre que si Va < 0, alors U = − , avec τ m = durée de vie des porteurs minoritaires
2τ m
dans la région N. U <0, il s’agit de génération de paires électron –trou et le courant
 Va 
 −1
qn
jg = − i WT . I = ( I S 0 + I G )e  nU 
inverse de génération On aura donc : T
2τ m
⇒ I G = Sjg
Comme WT augmente avec Va, IG variera de même avec Va
2.5 Jonction PN en régime dynamique
Le régime dynamique est un régime ou les courants et les tensions sont rapidement
variables. L’étude d’un composant en régime dynamique se fait sous deux angles :
- les régimes linéaires où les signaux sont de faibles amplitudes et qui entraînent un
développement analytique possible.
- les régimes non linéaires où les signaux sont de fortes amplitudes et dont le
comportement du composant est décrit par les équations intégro-differentielles non
linéaires. Donc seul la simulation numérique permet de décrire ave précision le
comportement du dispositif.
2.5.1 La conductance de la jonction
I
Va
Si on superpose à Va une tension variable va de faible amplitude, on aura :
Va → Va + va et I → I + i
∂i
Aux basses fréquences, on peut écrire : i = gva , avec g =
∂va
g est la conductance de la jonction.
va va va
dI 1 nUT 1 I
I = IS e , g =
nU T
= IS e = I S e nUT =
dva nU T nU T nU T
g est une fonction du courant de polarisation
En polarisation inverse, g est très faible, ce qui entraîne que la résistance dynamique → ∞
2.5.2 Capacité de stockage (ou de diffusion)
On sait que, lorsque la diode est polarisée en direct, le mécanisme de conduction

provoque l’injection de porteurs minoritaires dans les régions quasi-neutres. Considérons la
région N dans une jonction PN.
jp est la première répartition des trous lorsqu’on applique
un potentiel Va et jp’ est la deuxième répartition des trous jp’ > jp
lorsqu’on applique un potentiel Va’ > Va.
La courbe jp’ est obtenue après attente d’un laps de jp
Contact
temps correspondant au régime transitoire. Sous ohmique
polarisation directe, les régions quasi – neutres se
comportent comme des capacités de stockage. W2
W

Dans une région P+N, la zone N joue le rôle prépondérant. Soit CS la capacité de stockage,
alors :
dQS
CS = S
dVa
Où S est la surface de jonction. QS est la charge stockée par unité de surface dans les régions
quasi-neutres par les porteurs minoritaires en excès. Pour une jonction P+N, on sait que :
QS = τ g p # τ j ⇒ fort niveau de polarisation
d (τ j ) dj d ( jS ) dI p dI p
On a donc : CS = S = Sτ =τ =τ , or g =
dva dva dva dva dva
D’où : CS = τ g p
CS = τ g , g = gn + g p
2
On montre que Cs ne contribue pas entièrement au schéma équivalent ; mais seulement au
3
2 2
donc Cs participe. Donc la capacité de diffusion : CD = Cs
3 3
On a donc le schéma équivalent suivant :
Cs
I L’admittance g (ω ) = g p + jCDω
gp
v
Les résultats précédents ne sont valables que si la vitesse d’évolution de la répartition de

porteurs minoritaires est suffisamment élevée devant la fréquence de signaux d’excitation de
1 1 CD 1 gp
pulsation ω. c'est-à-dire que : CD << ⇒ << ⇒ >> ω
gp ω gp ω CD
gp gp 2 2 1
>> ω ⇒ >> ω ⇒ τ >> ω ⇒ τ <<
CD 2
τ gp 3 3 ω
3
3
τ <<
2ω
2.5.3 Capacité de transition
Considérons la zone de transition d’une jonction PN à laquelle on a fait subir une variation de
potentiel dva.
Il en découle une variation de la longueur de cette zone et par la suite, une variation de la
charge qui y est contenue, ainsi que du champ électrique E. il en résulte un courant de
déplacement iT,
di
iT = sε
dt
q 1 q
En effet, E = = ⇒ q = ε sE
4πε r 2
εs
dq dE
Or i = ⇒ i = εs
dt dt
Ce courant iT s’ajoute aux courants ip et in des porteurs, de sorte que le courant dynamique
dE
i = in + i p + ε s
dt

dva ε s dva
Or dE = , ce qui permet d’écrire i T =
WT WT dt
On peut intégrer iT comme composantes réactives générées par la capacité CT définie par :
dq ε s εs
CT = = , dq = dva
dva WT WT
C’est la formule d’un condensateur plan de surface s et d’épaisseur WT. Pour une jonction
P+N abrupte, on a :
qε N A N D C0 qε N A N D
CT = S = , avec C0 = S
2( N A + N D )(φ − va ) 1
2( N A + N D )φ
 va  2
1 −
 φ 
 
C0 est la capacité de transition pour va = 0.
Pour va > 0, CT augmente rapidement et devient infini si va = φ .
En effet, sous polarisation directe, la chute de tension aux bornes de la résistance série
Rs fait que la tension va ne s’applique pas aux bornes de la jonction. Donc CT ≠ ∞ si va = φ .
C0
Dans la pratique, les profils de dopage différent font que la relation CT = 1
devienne
 va  2
1 − φ 
 
C0
CT = 1
, où C0, φ et m sont à adopter à chaque cas étudié. Le schéma complet en
 va  m
1 − φ 
 
régime dynamique linéaire basse et moyenne fréquence est de la forme :
CT
RS g
i
CD
RF
RF est la résistance de fuite dû au courant

En inverse, g ≃ 0 et Cs ≃ 0 ; et en direct CT << CD
2.6 Jonction PN en régime dynamique non linéaire (forts signaux)
Considérons le schéma suivant :

E(t)
R
I E1
E(t) 0 T
va
E2
Pour analyser le comportement de la jonction en régime forts signaux, on la soumet au signal

E
E(t). E(t) est un signal en échelon tel que E1 >> Va ⇒ I = 1
R

Donc la diode est soumise en direct à un échelon de courant.
Voyons comment fonctionne la diode.
• 0 < t < T, la diode est en direct
• t > T, la diode est en inverse
Le passage de l’état passant à l’état bloqué est très court. (C’est ce qui nous intéresse)
On donne E1 >> Va, en pratique Va est voisine de quelque volt (0,6 V )
E (t ) − va E1 − va E1
En direct : I = I F = = # , F : Forward
R R R
Le courant étant établi, la tension Va supportée par la diode est donnée par :
va   pn   contact j
= ln   + ∫ j
n
dx
uT   ni   j qDn
Cette tension va dépend de l’évolution de la distribution pn à jonction métallurgique.
La tension E(t) s’inverse brusquement. Les charges stockées dans les régions quasi-neutre par
les porteurs minoritaires sont présents dans ces régions à l’instant d’inversion de E(t). Par
ailleurs la tension va aux bornes de la jonction reste en direct du fait que la distribution des
porteurs ne se modifie pas instantanément. Va étant faible devant E2, on a E2 >> Va
E −V E
⇒ I inv = 2 a # 2
R R
Jusqu’à ce que le stocke de charge QS s’affaiblisse suffisamment. Soit ts le temps nécessaire à
l’évacuation de ces charges, on a les relations suivantes :
Q
ts = s , Qs = τ I F , τ est le temps de transit
I inv
τI
⇒ ts = F
I inv I
IF
0 t
Iinv
τ
Application de la diode :
Détection AM
En radio diffusion, on ne peut pas émettre correctement un signal audible (20Hz-20kHz)
directement sous forme d'une onde radio-électrique : il faut passer par un signal haute
fréquence (Figure ci-dessous).
Figure. Signal HF modulé en amplitude.

Figure. Détecteur grandes ondes.
Le signal haute fréquence (quelques centaines de kHz), qu'on appelle la porteuse est modulé
en amplitude par le signal audio (basse fréquence) à émettre. A l'arrivée ( le poste à transistors
!), on doit séparer les deux signaux. On le fait très simplement avec une diode et un
condensateur (Figure ci-dessus).
Figure. Signal démodulé.

Sans la résistance R, on aurait un détecteur de crête comme précédemment. On détermine
cette résistance de manière à ce que la constante de temps RC soit petite devant la période de
la porteuse, et grande devant la période du signal à émettre : on arrive ainsi à reconstituer le
signal basse fréquence (BF) : c'est la courbe en gras de la Figure ci-dessus.
Diodes zener
1. Caractéristique.
Figure. Caractéristique d'une diode zéner.
Nous avons déjà parlé de l'effet zéner. Il concerne la caractéristique inverse de la diode.
En direct, une diode zéner se comporte comme une mauvaise diode normale.
En inverse, on fait en sorte que par construction l'effet zéner et / ou d'avalanche se produise à
une tension bien déterminée, et ne soit pas destructif. La caractéristique inverse présente alors
l'allure d'un générateur de tension à faible résistance interne.
En général, les constructeurs spécifient :
- la tension d'avalanche Vzt pour un courant déterminé Izt. (les valeurs de tension sont
normalisées).

- à ce point de fonctionnement Vzt/ Izt, on donne la résistance dynamique de la diode rzt.
- le courant Izm pour lequel la puissance dissipée dans le composant sera le maximum
admissible.
- on indique aussi le coefficient de variation en température de la tension Vzt.
En dessous de Vzt = 5V, c'est l'effet zéner qui prédomine. Au dessus, c'est l'effet d'avalanche.
L'effet zéner est affecté d'un coefficient de température négatif (Vzt diminue quand la
température augmente), et l'effet d'avalanche d'un coefficient positif. Les diodes ayant une
tension Vzt d'environ 5V ont un coefficient de température nul, car les deux phénomènes se
produisent de manière équilibrée, et leurs effets se compensent.
L'effet d'avalanche est plus franc que l'effet zéner, ce qui fait que le coude de tension inverse
est plus arrondi pour les diodes zéner de faible tension.
Les diodes optimales en terme d'arrondi de coude et de résistance dynamique ont des tensions
zéner voisines de 6 à 7V.
2. Schéma équivalent
Pour simplifier les calculs, et comme pour la diode, on va définir un schéma équivalent
approchant la réalité.
Si on utilise le composant suffisamment loin du coude, le schéma suivant modélise bien le
comportement d'une diode zéner :
Figure. Schéma équivalent de la diode zéner
On définit une tension de coude Vzo, et une résistance interne constante Rz.
Ce schéma sera à utiliser avec beaucoup de prudence sur des zéners de faible tension (< 5V) :
leur coude est très arrondi, et la résistance dynamique varie beaucoup avec le courant. Pour
des tensions supérieures à 5V, il n'y aura en général pas de problèmes.
3. Régulation de tension
De par leurs caractéristiques de générateur de tension, ces diodes sont idéales pour réguler des
tensions continues ayant une ondulation résiduelle non négligeable (cas des tensions
redressées filtrées).

Figure. Régulation de tension avec diode zéner.
Il est nécessaire d'intercaler une résistance (ou un générateur de courant) entre le générateur
de tension filtrée et la zéner de régulation : ces deux éléments ayant des caractéristiques de
générateurs de tension à faible résitance interne, on ne peut pas les brancher directement l'un
sur l'autre sans les détruire.
Pour que la zéner fonctionne et assure son rôle de régulateur, il faut qu'un courant Iz non nul
circule en permanence dans ce composant, et ce quelles que soient les variations de la tension
d'entrée Vc et de la charge Ru.
La résistance R assure donc le rôle de polarisation de la zéner, et elle sera calculée pour que la
condition énoncée ci-dessus soit remplie. Il faudra aussi veiller à ce que le courant Iz ne
dépasse pas le courant Izm, sous peine de détruire le régulateur.
Figure. Schéma équivalent du régulateur

Lorsque la polarisation est correcte, on peut faire le schéma équivalent du montage. La
tension d'entrée du régulateur a été scindée en une tension continue (la tension moyenne aux
bornes du condensateur), et une tension alternative (l'ondulation).
On peut définir deux coefficients de stabilisation pour caractériser ce montage. En effet, il est
loin d'être parfait, et la tension de sortie va varier lorsque la tension d'entrée et / ou la charge
vont varier. On distingue deux coefficients :
- Stabilisation amont : ce coefficient est représentatif de la sensibilité du montage aux
variations de la tension non régulée, et ceci à charge constante. Si on utilise les notations de la
Figure de Régulation de tension avec diode zéner 27, c'est le rapport (Vz/Vc)Iu = cte.
- Stabilisation aval : ce coefficient est représentatif de la variation de la tension de sortie
quand le courant dans la charge varie (Ru varie de ±Ru) et ceci à tension d’entrée constante.
C’est le rapport (∆Vz/∆Iu)Vc = cte, soit en fait, l’impedance de sortie du montage. Ce
parametre est très impotant dans tous les rédulateurs de tension
Il est plus simple pour calculer ces coefficients d'utiliser le schéma équivalent alternatif petits
signaux. On retire alors toutes les sources de tension continues.

Fig. 29. Schéma équivalent petits signaux
Pour le coefficient de stabilisation amont, on a :
Comme en général R >> Rz, cette formule devient :

u
On voit le dilemme : plus R est grand, plus la stabilisation amont est bonne, mais en
contrepartie, quel gâchis ! Il faudrait prévoir des tensions filtrées très grandes par rapport aux
tensions régulées pour avoir un bon coefficient de régulation. Cela ferait beaucoup d'énergie
perdue dans R. Pour pallier cet inconvénient, on remplace R par un générateur de courant : la
chute de tension à ses bornes pourra être petite, et par contre, sa résistance interne (celle qui
va servir pour le calcul en remplacement de R) sera très grande : on a les deux avantages, une
très bonne régulation et un bon rendement.
Le coefficient de stabilisation aval est égal à l'impédance de sortie du montage ; c'est la
résistance du générateur de Thévenin équivalent, soit :
Rs = R//Rz
R étant souvent très supérieur à Rz, on obtient :
Rs ≈ Rz
Dans ce cas, il n'y a pas grand chose à espérer d'un artifice quelconque pour améliorer cette
valeur, sauf à rajouter d'autre composants actifs comme des transistors.
En général, on rajoute toutefois un condensateur en parallèle avec la zéner : son impédance
vient diminuer celle du montage aux fréquences élevées. C'est avantageux si le montage
alimenté a une consommation en courant avec des composantes à hautes fréquences. Ce
condensateur diminue aussi le bruit interne de la zéner qui est assez important.
Ce type d'alimentation est appelé régulateur shunt , car le courant de régulation I est dérivé à
z
la masse.
En pratique, ces régulateurs sont utilisés dans des montages simples nécessitant peu de
puissance.
Écrêtage des surtensions.
De par leurs caractéristiques, les diodes zéner sont idéales pour écrêter des surtension
(commutation de selfs ou autres) et sont donc toutes indiquées pour la protection d'autre semi-
conducteurs sensibles a ces surtensions.

Certains composants comme les transils ont des caractéristiques similaires aux zéners, mais
peuvent supporter des puissances crête considérables pendant de courts instants. Ils sont
utilisés pour protéger les installations coûteuse contre la foudre et les parasites d'équipements
industriels (gros moteurs, relais de puissance, commutateurs statiques ).

Chapitre 3 : Notion de phénomènes physiques des transistors bipolaires (BJT)
Introduction
E B C E B C
P N P N P N
Parmi les dispositifs à injection, le transistor bipolaire présente la structure la plus

simple. Il est constitué par 3 régions différentes dopées PNP ou NPN d’un même monocristal
semi-conducteur. On a l’émetteur, la base et le collecteur. Il s’agit de deux jonctions PN
présentant une région commune qui est la base. Les différentes séquences technologiques qui
conduisent à la réalisation effective du transistor bipolaire sont à la base de la forme
géométrique en volume du transistor bipolaire.
Il s'utilise soit en amplificateur de courant (fonctionnement linéaire) ou en
commutation comme un interrupteur (fonctionnement non linéaire).
En fonctionnement commuté il joue le rôle d'interface capable de conduire un fort courant
(circuit de puissance) commandé par un faible courant de commande. Pour les transistors
bipolaires on parle d'interrupteur commandé en courant.
Historique et principe physique :
Le transistor bipolaire à jonction a été découvert en 1947 par J BARDEEN, W
BRATTAIN et W SCHOCKLEY. Son apparition est une révolution dans l'électronique qui va
permettre la naissance et le développement de circuits intégrés de plus en plus performants.
Il est constitué d'une très fine couche chimique P entre deux couches chimiques N (ou bien
l'inverse).
Lorsqu'on fait circuler un faible courant entre une couche P et une couche N (modèle
similaire à la diode) un flux d'électrons entraîne une conduction entre les deux couches de
même nature: c'est l'effet transistor. Ce composant va se répandre dans de nombreuse
application grâce à sa faible consommation en énergie et sa petite taille.
Symbole :
3.1 Analyse qualitative
La figure 3.1 représente la structure d’un transistor bipolaire PNP idéalisé, et définit les
notations que nous utiliserons par la suite. Nous raisonnerons en considérant le cas d’un
transistor PNP, mais la transposition au cas d’un transistor NPN s’effectue facilement en
inversant le sens des tensions et courants et en permutant les indices ’n’ et ’p’ relatifs aux
électrons et aux trous.
Un transistor bipolaire comporte trois couches semi-conductrices délimitées par deux
jonctions PN. La couche la plus dopée constitue l’émetteur. La base est suffisamment mince
pour que les recombinaisons n’y jouent qu’un rôle mineur ; elle est également moins dopée
que l’émetteur afin que l’efficacité d’injection de la jonction émetteur base soit importante.
Enfin la région du collecteur doit être profonde et peu dopée, car la jonction collecteur-base
étant normalement polarisée en inverse, c’est là que se développe la majeure partie de la
région dépeuplée.
En régime normal de fonctionnement la jonction émetteur-base est polarisée en direct et la
jonction collecteur-base en inverse. L’émetteur injecte donc dans la base un fort courant de
trous dont la majeure partie atteint la jonction de collecteur par diffusion (la base est courte).

Les trous rencontrent au niveau de la jonction collecteur-base le fort champ électrique de la
zone dépeuplée, ce champ favorise leur passage et les entraîne dans le collecteur. La jonction
collecteur-base étant polarisée en inverse, le courant qui lui est propre est négligeable devant
le courant de trous injecté depuis l’émetteur, c’est donc ce courant de trous qui constitue la
quasi totalité du courant de collecteur.
FIG. 3.1 – Transistor PNP idéalisé
Le courant issu de la jonction base émetteur, qui constitue le courant d’émetteur, se

divise donc en deux ( figure 3.2), le courant de trous qui comme nous venons de le voir
constitue le courant de collecteur, et le courant d’électrons qui constitue le courant de base. Ce
courant qui provient de l’injection des électrons dans la région P+ est toujours très petit par
rapport au courant de collecteur (dans une jonction P+N, on a Jp >> Jn), on a donc les relations
suivantes :
 IE = I p +In

 IC = I p ≈ I n
I = I ≪ I
 B n C
Par ailleurs, la tension collecteur-base qui est une tension inverse, peut être très
supérieure à la tension base-émetteur qui avoisine 0, 6V, on a donc :
I B VBE ≪ I C VCE
Ce qui montre, qu’en utilisant la tension bas-émetteur comme grandeur de commande
et la tension collecteur-émetteur comme grandeur de sortie, on dispose d’une amplification de
puissance conséquente.
FIG. 3.2 – Courants de diffusion et concentrations de minoritaires dans un transistor PNP.


3.2 Modèle équivalent en régime statique
Pour établir ce modèle nous allons calculer le courant de trous qui circule dans la région
quasi-neutre N. Nous nous placerons dans l’hypothèse d’une région courte, ce qui est toujours
le cas pour un transistor bien construit. Ce calcul est semblable au calcul du courant
d’électrons dans la région quasi-neutre N d’une jonction P+N, la seule différence réside dans
le fait que le contact ohmique est remplacé par la jonction collecteur-base. La figure 3.3
définit les notations utilisées.
FIG. 3.3 – Définition des notations utilisées pour les densités de courants
pJ n nJ p ∂ ( pn)
Dans la région quasi-neutre de base, la relation − = se simplifie, et devient :
qDn qDp ∂x
nJ pdpn
− =
qD p dx
En intégrant cette relation entre les frontières E et C de la région quasi-neutre on trouve :
q 2 D p [ pn( J BE ) − pn( J BC )]
jp = C
∫ qn( x)dx
E
L’utilisation de l’approximation de Boltzmann fournit les valeurs du produit pn au voisinage
des jonctions :
VEB
pn( J BE ) = n e 2 UT
i
VCB
pn( J BC ) = n e 2 UT
i
Par ailleurs, la charge des électrons dans la région quasi-neutre de base peut se scinder en
deux contributions, la charge des dopants, et la charge des porteurs en excès :
C C C
qn( x)dx = qN dx + q p( x)dx
∫ ∫ D ∫
E E E
Soit QB = Q B 0 +Q SB
Le courant de trous a donc pour valeur :
q 2 ni2 D pB  UEBT 
V V CB
J p=  e − e UT

Q B  
Le même raisonnement appliqué aux régions quasi-neutres d’émetteur et de collecteur
permettrait de calculer le courant d’électrons qui y transite, on trouverait :
 VUEB 
q 2 ni2 DnE q 2 ni2 DnC  UT
V CB

J nE =  e − 1 et J nC =
T
 e − 1
QE   QC  
Le modèle équivalent du transistor en régime statique est indiqué figure 3.4.

FIG. 3.4 – Modèle équivalent en régime statique
Remarque : Ce schéma est valable quelque soit le signe des tensions VEB et VCB. L’effet des
fortes injections est inclus dans les termes QB, QE, et QC.
3.2.1 Cas des faibles niveaux d’injection
Lorsque le niveau d’injection reste faible, les valeurs de QB, QE, QC, peuvent être
considérés comme constantes en première approximation, et on peut écrire dans ces
conditions :
Sq 2 ni2 DnB  UEBT   VUCB   VUEB   VUCB 
V
Ip =  e − 1  −  e − 1  = I SP  e − 1 − I SP  e T − 1 = I CC − I EC
T T
QB 0   
 

 









Sq 2 ni2 DnE  UEBT   VUEB 
V
I nE =  e − 1 = I SnE  e T − 1
QE 0    
Sq 2 ni2 DnC  UT   VUCB 
V CB
I nC = e − 1 = I SnC e T − 1
QC 0    
Par ailleurs, les rapports entre les courants de saturation étant constants dans ce cadre
d’hypothèse, on peut poser :
I I QE 0 D pB
BF = CC = SP = = γ EB
I nE I SnE QB 0 DnE
I EC I QC 0 D pB
BR = = SP = = γ CB
I nC I SnC QB 0 DnC
où γ EB et γ CB sont les efficacités d’injection des jonctions EB et CB. On obtient alors le
modèle équivalent statique de Gummel-Poon simplifié, qui est représenté sur la figure 3.5.
FIG. 3.5 – Modèle équivalent statique de Gummel-Poon simplifié


Remarque : Dans certains transistors l’effet des recombinaisons n’est pas totalement
négligeable, il s’ensuit un courant de recombinaison qui vaut QSB/τp. Cette composante est
négligeable devant le courant de trous si bien que les valeurs des courants de collecteur et
d’émetteur ne sont pas affectées, en revanche elle peut être supérieure au courant d’électrons
et modifier considérablement le courant de base.
Même dans ces conditions on peut encore définir un gain en courant BF constant qui vaut :
I CC τ durée de vie
BF = = τp =
( QSB τ p ) temps de transit
3.3 Modes de fonctionnement du transistor bipolaire
Selon le signe des tensions VEB et VCB appliquées aux deux jonctions du transistor
bipolaire on peut définir quatre régimes de fonctionnement.
3.3.1 Mode bloqué : VEB < 0 et VCB < 0

Lorsque les deux jonctions sont polarisées en inverse les courants qui traversent le
composant sont de l’ordre de grandeur des courants de saturation des jonctions qui le
constituent. De plus les jonctions étant en inverse elles peuvent supporter des tensions
importantes, le transistor est bloqué, et il se comporte entre émetteur et collecteur comme un
interrupteur ouvert avec un faible courant de fuite.
3.3.2 Mode normal : VEB > 0 et VCB < 0
Comme son nom l’indique le mode normal est le régime de fonctionnement le plus souvent
utilisé et pour lequel sa structure a été optimisée. C’est dans cet état de polarisation que nous avons
décrit le transistor au paragraphe 3.1. Rappelons qu’un courant important traverse le dispositif de
l’émetteur vers le collecteur, et qu’un courant faible est évacué par l’électrode de base. Les répartitions
des porteurs minoritaires dans les régions quasi neutres, responsables des courants de diffusions
observés en régime normal, sont représentées sur la figure 3.6.
FIG. 3.6 – Concentration des minoritaires et sens des courants de diffusion pour le mode
FIG. 3.7 – Concentration des minoritaires et sens des courants de diffusion pour le mode inversé

L’analyse du modèle de Gummel-Poon nous indique que :

I = I
 C CC
 I CC
 IB =
 BF
 I CC  1 
 I C = I CC + BF = 1 + BF  I C
  
Le paramètre BF du modèle peut donc être défini comme le gain en courant en
émetteur commun du dispositif. Sa valeur est égale à l’efficacité d’injection de la jonction EB,
ou au facteur de transport. Une valeur importante est toujours recherchée, et est atteinte en
surdopant l’émetteur par rapport à la base, la centaine est une valeur typique pour un
transistor de type signal.
3.3.3 Mode inversé : VEB < 0 et VCB > 0
Dans cette configuration la symétrie de la structure permet de transposer les résultats du

régime normal en intervertissant les rôles du collecteur et de l’émetteur. Le sens des courants
et les répartitions de porteurs sont représentés sur la figure 3.7.
L’analyse du modèle statique de Gummel-Poon donne :

I = I
 E EC
 I EC
IB =
 BR
 I EC  1 
 I C = I EC + BR = 1 + BR  I E
  
FIG. 3.8 – Concentration des minoritaires et sens des courants de diffusion pour le mode saturé.
On pourrait penser à première vue que le transistor a les mêmes performances en

régime inverse qu’en régime normal. Malheureusement la nécessité d’avoir un collecteur
moins dopé que la base entraîne une faible valeur pour BR, et le rendement du dispositif dans
ce régime est très médiocre, si bien que le transistor n’est jamais utilisé dans cette
configuration.
3.3.4 Mode saturé : VEB > 0 et VCB > 0

En régime saturé les deux jonctions du dispositif sont polarisées en direct, ce qui
entraîne l’existence d’une charge stockée dans chaque région quasi-neutre du transistor. La
figure 3.8 montre alors les répartitions de porteurs minoritaires le long de la structure. Le

collecteur étant profond et peu dopé c’est souvent dans cette région que se concentre la
majeure part de la charge stockée, celle-ci a un effet bénéfique en ce qui concerne les chutes
ohmiques dans la région de collecteur lorsque l’on utilise le transistor en interrupteur, mais
ralentit considérablement la transition vers l’état bloqué lors de la commutation d’ouverture.
Les deux jonctions supportant des tensions directes, l’approximation de Boltzmann montre
que la d.d.p. aux bornes de chaque jonction avoisine leur tension de diffusion. La d.d.p. entre
émetteur et collecteur VEC = VEB − VCB est dans ces conditions faible (< 0, 6 V), et très peu
dépendante du courant collecteur. Le transistor est donc équivalent à un interrupteur fermé.
En régime saturé, le courant de base résulte de l’injection d’électrons dans l’émetteur et dans
le collecteur (figure 3.8),
I CC I EC
I B = S ( J nE + J nC ) = +
BF BR
tandis que le courant de collecteur provient de la différence entre le courant de trous et le
courant d’électrons dans le collecteur,
I C = S ( J p − J nC ) = ( I CC − I EC ) − EC
I
BR
Le gain en courant IC/IB est toujours plus faible qu’en régime normal, et dépend de l’état de
saturation du transistor.
3.4 Caractéristiques statiques du transistor bipolaire
Les caractéristiques statiques dans la configuration émetteur commun sont représentées

sur la figure 3.9.
Ces caractéristiques découlent directement du modèle statique de Gummel-Poon simplifié
que nous avons défini précédemment. La frontière entre le régime saturé et le régime
FIG. 3.9 – Caractéristiques du transistor bipolaire PNP
normal se produit lorsque VBC = 0, on obtient alors une caractéristique du type diode qui est
tracée sur la figure. Dans ce modèle simplifié on doit garder à l’esprit que :
– Le rapport IC/IB est constant quel que soit la d.d.p. appliquée à la jonction en
inverse (la jonction BC en régime normal), si bien qu’aucune pente n’est
relevée sur ces courbes contrairement aux observations expérimentales.
– La pente observée sur les caractéristiques réelles provient de la modulation de
la charge QB par la tension inverse appliquée à la jonction collecteur-base (en

régime normal) qui vient modifier la profondeur de la région quasi neutre.
Dans le modèle de Gummel-Poon complet, cet effet qui porte le nom d’effet
Early, est pris en compte.
– L’effet des fortes injections n’étant pas pris en compte, le rapport IC/IB ne
dépend pas du niveau de courant. Dans la réalité on observe, pour les très forts
niveaux de courant IC un tassement du gain en courant, ce phénomène est dû
au passage en forte injection de la région quasi-neutre de base, ce qui entraîne
une dépendance différente par rapport à la tension de commande des courant
de trous et d’électrons. Cet effet est pris en compte dans le modèle de
Gummel-Poon complet.
3.5 Modèle dynamique du transistor bipolaire
Pour obtenir le modèle dynamique du transistor bipolaire il convient d’ajouter au modèle
de Gummel-Poon statique les effets liés au stockage des charges dans les différentes régions
du dispositif. Une approche simplifiée consiste à ne considérer que les charges stockées dans
la région quasi-neutre de base, et les charges liées aux impuretés dans les régions dépeuplées.
Nous nous limiterons encore dans cette analyse au cadre de l’hypothèse quasi-statique.
3.5.1 Charges stockées dans la région quasi-neutre de base
En régime normal, La charge stockée dans la base est due à l’injection de porteurs par
l’émetteur, elle est donc proportionnelle au courant ICC (pour un transistor PNP, le courant ICC
est le courant de trous, courant qui sera collecté au collecteur, d’où sa dénomination) et au
temps de transit dans la base :
Qs = τ ICC
En régime inversé, La charge stockée dans la base est due à l’injection de porteurs par
le collecteur, elle est donc proportionnelle au courant Iec (pour un transistor PNP, le courant
IEC est le courant de trous, courant qui sera collecté à l’émetteur, d’où sa dénomination) et au
temps de transit dans la base :
Qs = τ IEC
Dans le cas général, la charge stockée dans la base résulte de la superposition des deux
contributions précédentes :
Qs = τ ICC + τ IEC = QsCC + QsEC
La figure 3.10 montre ces deux contributions en régime saturé.
La charge QsCC étant contrôlée par la tension émetteur base il faudra donc ajouter une
capacité non linéaire (appelée CDE, capacité de diffusion émetteur, dans le modèle de
Gummel-Poon) entre les plots d’émetteur et de base. La charge QsEC étant contrôlée par la
tension collecteur-base on ajoutera une capacité non linéaire (appelée CDC, capacité de
diffusion collecteur, dans le modèle de Gummel-Poon) entre les plots de collecteur et de base.
FIG. 3.10 – Contributions à la charge stockée dans la base en régime saturé

3.5.2 Charges stockées dans les régions dépeuplées
Ces charges sont encore contrôlées par les tensions appliquées aux deux jonctions, on
ajoutera donc une capacité de transition CTE entre les plots d’émetteur et de base, et une
capacité de transition CTC entre les plots de collecteur et de base.
FIG. 3.11 – Schéma équivalent petit signal
3.5.3 Modèle équivalent en régime dynamique

Compte tenu des modifications apportées au modèle statique que nous venons de
présenter,on obtient le modèle équivalent représenté sur la figure 3.11, valable pour des
fréquences inférieures au temps de transit des porteurs dans la base. Ce modèle non linéaire
peut être utilisé pour des signaux de forte amplitude, la réponse est obtenue de proche en
proche dans le domaine temporel, en utilisant une discrétisation suffisamment fine pour que
les éléments du modèle puissent être considérés constants dans un intervalle de temps.
3.6 Schéma équivalent dynamique petit signal en régime normal dans la configuration
émetteur-commun
Le schéma équivalent dynamique petit signal résulte de la linéarisation du modèle grand
signal autour d’un point de polarisation. En régime normal la tension VCB étant négative, le
courant IEC est négligeable devant les autres composantes du courant, et il en est de même du
courant réactif qui lui est associé, tout les éléments résultant de la linéarisation de IEC seront
donc négligés (conductance base-collecteur, capacité de diffusion base-collecteur,
transconductance collecteur-émetteur).
3.6.1 Conductance base-émetteur
La conductance base-émetteur relie les variations du courant de base aux variations de
la tension base-émetteur, on a donc la relation :
d  I SP UT 
VEB
dI B I CC I
g BE = =  e = = B
dVEB dVEB  BF  BF U T U T
FIG. 3.12 – Schéma équivalent petit signal d’un transistor PNP


3.6.2 Transconductance
La transconductance relie les variations du courant de collecteur aux variations de la

tension base-émetteur, on a donc la relation :
d   I
VEB
dI I
gm = C =  SP T  = CC = C
I e U
dVEB dVEB   U T U T
3.6.3 Capacité de diffusion

La capacité de diffusion base-émetteur résulte des variations de charge stockée liées
aux variations de la tension base-émetteur :
dQS dτ I CC I
CDE = = =τ C
dVEB dVEB UT
3.6.4 Capacités de transition
Les capacités de transition CTE et CTC ont des expressions identiques à celles obtenues
pour la jonction PN :
ε q NE NB 1
CTE = S
2 N E + N B (φ − VEB )
ε q NC N B 1
CTC = S
2 N C + N B (φ − VCB )
NE, NC et NB sont les dopages des régions d’émetteur, de base, et de collecteur, et S
est la surface de la région active du dispositif. On obtient le schéma équivalent représenté sur
la figure 3.12.
Sur la figure 3.13 est donné à titre de complément le schéma équivalent pour un
transistor NPN.
Les schémas que nous venons de présenter modélisent un transistor idéal. Pour des
calculs plus précis, on utilise souvent le schéma équivalent représenté sur la figure 3.14 (cas
d’un NPN), qui prend en compte :
– l’effet des résistances d’accès RE, RB et RC,
– l’effet de modulation de l’épaisseur de la base par la tension collecteur-base (effet Early) par
l’adjonction de la conductance Ga,
FIG. 3.13 – Schéma équivalent petit signal d’un transistor NPN
– la distribution de la capacité collecteur-base entre la région active et la région passive qui

offre souvent la plus grande contribution.
Remarque : Ces mêmes améliorations apportées au modèle non linéaire, et l’inclusion des
phénomènes de forte injection permettraient d’obtenir le modèle de Gummel-Poon complet
du transistor bipolaire qui est utilisé par la plupart des logiciels de CAO des circuits.

3.7 Le transistor en commutation
On étudie ici le cas d’un transistor NPN.
3.7.1 Mise en conduction
Le transistor initialement bloqué, on applique à l’instant t = 0, un échelon de courant

de base. Le circuit électrique correspondant est représenté sur la figure 3.15.
Si l’amplitude de Eb est grande devant la tension de diffusion de la jonction émetteur base,
l’échelon de tension est transformé en échelon de courant de valeur Eb/Rb. La jonction BE
n’injectant des porteurs que lorsque la tension base-émetteur avoisine la tension de diffusion,
le courant de collecteur reste faible durant la première phase du transitoire. Cette phase cesse
au bout de l’intervalle de temps td, qui correspond à la charge de la capacité de transition
émetteur de 0 jusqu’à la valeur de la tension de diffusion, et à la charge de la capacité de
transition collecteur de −Ec jusqu’à la valeur −Ec + φ. On a donc la relation :
E φ − EC +φ
td b = ∫ CTE dVBE + ∫ CTC dVBC
Rb 0 − EC
A partir de l’instant td le courant de collecteur commence à croître. Le courant entrant

par la base peut se scinder en deux composantes :
– une composante permettant l’augmentation de la charge stockée,
– une composante entretenant le passage du courant de collecteur comme en
régime permanent, avec le gain BF,
FIG. 3.14 – Schéma petit signal d’un transistor NPN non idéal
FIG. 3.15 – Transistor NPN en commutation

FIG. 3.16 – Évolution du courant de collecteur à la commutation
– la charge stockée étant reliée au courant de collecteur par le temps de transit

dans l’hypothèse quasi statique, on a donc la relation :
dI I E
τB c + C = b
dt BF Rb
Pendant la deuxième phase du transitoire, le courant de collecteur croit donc
exponentiellement avec une constante de temps BFτB, vers la valeur BF IB.
Remarque : Nous avons négligé dans ce calcul les variations de charge dans les régions
dépeuplées.
Si le courant de base est suffisamment important pour assurer la saturation du
transistor, la fin du transitoire consistera en une phase de stockage où la valeur du courant
collecteur variera peu et lentement vers une valeur très voisine de Ec/Rc. La figure 3.16
montre l’allure des variations du courant collecteur.
3.7.2 Blocage
Le transistor initialement saturé on applique, à l’instant t = 0, un échelon de tension
sur la base de valeur −Eb. Le circuit électrique reste celui de la figure 3.15. La première phase
du transitoire s’appelle la phase de désaturation. Pendant cette phase les deux jonctions sont
saturées de porteurs et ne peuvent donc pas bloquer de tension inverse. La tension collecteur
émetteur étant très faible en régime saturé, le courant collecteur reste sensiblement inchangé
durant toute cette période (Ic = −Ec/Rc). La jonction base-émetteur étant elle aussi saturée, le
courant de base n’est limité que par le circuit extérieur et vaut Ib = −Eb/Rb. Le courant de
collecteur étant constant le gradient des porteurs minoritaires l’est aussi dans la région quasi
neutre de base, et la charge ∆QS qui doit être extraite par le courant de base pour désaturer la
jonction de collecteur apparaît clairement sur la figure 3.17. On a donc la relation :
ts I B = ∆QS

FIG. 3.17 – Variation de la densité de porteur électrons
Une fois la jonction collecteur-base désaturée le transistor se trouve en régime normal

et la situation est identique à celle rencontrée au cours de la mise en conduction. La
décroissance du courant est donc exponentielle avec une constante de temps BFτB. Les formes
d’ondes du courant de base et de collecteur son représentées sur la figure 3.18.
FIG. 3.18 – Évolution de IC et IB au blocage
Fonctionnement du transistor en commutation :

Le transistor en commutation se comporte comme un interrupteur unidirectionnel en
courant commandé par sa base.
Pour conduire le courant dans les deux sens on distingue de 2 types de transistor NPN et PNP
pour inverser sa polarité.
La flèche sur l'émetteur "E" indique le sens du courant de sortie.
Loi de fonctionnement d'un transistor NPN :

Pour rendre le transistor passant il faut appliquer un tension VBE supérieure à 0,6V (la
jonction B – E se comporte comme une diode). Ce qui donne naissance à un courant de base
IB circulant de B vers E commandant ainsi la fermeture progressive "de l'interrupteur" entre C
et E.

Si IB est suffisant élevée la sortie correspond à un interrupteur complètement fermé on parle
alors d'un état saturé avec VCEsat = 0 V en théorique dans la réalité environ 0,8 V.
Pour bloquer le transistor il faut lui appliquer une tension VBE inférieure à 0,6V qui
annule le courant de commande IB et ouvre alors l'interrupteur IC=0 A. On parle d'état bloqué.
Loi de fonctionnement d'un transistor PNP :

Pour rendre le transistor passant il faut appliquer un tension VBE inférieure à -0,6V (la
jonction B – E se comporte comme une diode). Ce qui donne naissance à un courant de base
IB circulant de E vers B commandant ainsi la fermeture progressive "de l'interrupteur" entre C
et E.
Si IB est suffisant élevée la sortie correspond à un interrupteur complètement fermé on parle
alors d'un état saturé avec VCEsat = 0 V en théorique dans la réalité environ -0,8 V.
Pour bloquer le transistor il faut lui appliquer une tension VBE supérieure à -0,6V qui
annule le courant de commande IB et ouvre alors l'interrupteur IC = 0 A. On parle d'état
bloqué.
Relations électriques :
En linéaire quand le transistor n'est pas saturé (interrupteur non fermé complètement) on a IC
= b.IB où b (appelé aussi Hfe) représente le gain entre le courant d'entrée et de sortie.
Si le transistor se sature on a IC=ICSAT quelque soit I B ≥ I Bsa

Chapitre : Les transistors bipolaires : Paramètres et différents montage
Préambule
Il existe une catégorie de composants (qu'ils soient électriques, mécaniques, etc ) très
intéressante : c'est celle qui permet d'obtenir en sortie du dispositif une grandeur de même
nature et proportionnelle au stimuli d'entrée. Les exemples foisonnent :
- le levier, qui permet d'avoir en sortie un effort plus important qu'en entrée, ou bien un
déplacement plus important (ou plus faible) que celui appliqué à l'entrée.
- l'engrenage, qui est la même chose que le levier pour les mouvements rotatifs : il permet de
multiplier ou diviser la vitesse ou bien le couple d'entrée.
- le transformateur, qui permet de multiplier ou diviser la tension d'entrée.
Dans chacun de ces cas, la variable de sortie est de même nature que le stimuli à l'entrée, et il
existe un coefficient de proportionnalité entre les deux, indépendant du stimuli d'entrée, donc
intrinsèque au dispositif.
Il faut toutefois noter que dans tous les cas cités, il y a conservation de l'énergie : l'énergie à la
sortie du composant est la même que celle à l'entrée.
Il existe d'autres dispositifs présentant les mêmes caractéristiques que ceux précédemment
cités, et qui en plus, permettent de multiplier l'énergie : on trouve en sortie du dispositif une
énergie supérieure à celle fournie à l'entrée. Bien entendu, il n'y a pas de génération spontanée
d'énergie, il faudra donc au dispositif une entrée supplémentaire par laquelle une source sera
susceptible de fournir de l'énergie.
Dans ce cas, il n'y a pas seulement transformation de la sortie proportionnellement à l'entrée,
mais transfert d'énergie d'une source extérieure à la sortie du dispositif, ce transfert étant
contrôlé par l'entrée.
Des exemples mécaniques bien connus sont respectivement les freins et la direction assistée.
Dans le premier cas, l'effort de freinage est proportionnel à l'effort exercé sur la pédale, mais
une source d'énergie auxiliaire permet d'avoir à la pédale un effort beaucoup plus faible que
ce qu'il faudrait sans l'assistance.
Dans le deuxième cas, on a la même chose : les roues tournent proportionnellement à l'angle
de rotation du volant, mais la plus grosse partie de l'effort est prise en charge par un dispositif
hydraulique.
Dans les deux cas, le dispositif permet d'amplifier l'effort exercé tout en le conservant
proportionnel au stimuli d'entrée, ce qui facilite la commande.
Un tel dispositif est en fait un robinet de régulation d'énergie : il faut disposer d'un réservoir
d'énergie, on pose le robinet dessus , et on peut disposer de l'énergie proportionnellement à
une commande d'entrée.

En électronique, un tel composant est intéressant, car il va permettre d'amplifier un signal, et de
commander des actionneurs requérant de la puissance (haut parleurs moteurs, etc ) avec des
signaux de faible niveau issus de capteurs (microphone, sonde de température, de pression, ).
Le transistor à jonction va permettre de remplir (entre autres) cette fonction en électronique. Son
domaine d'action est donc particulièrement vaste
A noter qu'avant le transistor, cette fonction était remplie par des tubes à vide (triodes entre
autres).
L'avènement du transistor n'a donc pas apporté la fonction miracle en elle même, mais une
commodité d'utilisation, l'encombrement réduit (les tubes à vide ont besoin d'un système
d'alimentation complexe avec des tension relativement élevée, et nécessitent une adaptation
d'impédance en sortie (transformateur)), et plus tard, la fiabilité, le faible coût
II. PRINCIPE ET CARACTÉRISTIQUES.
A. INTRODUCTION À L'EFFET TRANSISTOR.
Nous avons déjà vu à propos de la diode que si celle-ci est polarisée en inverse, les
porteurs minoritaires (électrons de la zone P et trous de la zone N, créés par l'agitation
thermique) traversent sans problèmes la jonction et sont accélérés par le champ extérieur.
On a vu aussi que lorsque les porteurs majoritaires d'une zone franchissent la jonction, ils
deviennent minoritaires dans l'autre zone, et qu'ils mettent un certain temps à se
recombiner avec les porteurs opposés.
Partant des deux remarques précédentes, on peut déduire que si on injecte dans la zone N
d'une jonction NP polarisée en inverse beaucoup de trous (qui seront dans cette zone des
porteurs minoritaires) en faisant en sorte qu'ils ne se recombinent pas avec les électrons de
la zone N, ils vont traverser la jonction et créer un courant dans le circuit extérieur.
Fig. 1. Injection de trous dans une zone N.
La figure 1 illustre ce propos : il y aura des recombinaisons (charges + et - encerclées),

mais limitées, et la plupart des trous iront dans la zone P et formeront le courant I 2 . A
noter que les recombinaisons correspondent au courant I 1 -I 2 .
B. LE TRANSISTOR RÉEL.
Ce que nous venons de décrire n'est ni plus ni moins que l'effet transistor : il ne manque
que le moyen d'injecter des trous dans la zone N et de faire en sorte que les
recombinaisons soient faibles, pour que la majorité des trous passent dans la zone P.
1. Principe de fonctionnement.
Dans le transistor réel, on va apporter les trous en créant une jonction PN, que l'on
va polariser en direct. On rajoute pour ce faire une zone P sur la zone N du
montage Fig. 1. Cette zone P qui injecte les trous est alors l'émetteur , et la zone
N, faiblement dopée est la base . Comme dans le schéma de la Fig. 1., la jonction
NP est polarisée en inverse. La deuxième zone P est le collecteur (voir Fig. 2.).
Fig. 2. Schéma de principe d'un transistor.
Les trous injectés dans la base par l'émetteur ont une faible probabilité de se
recombiner avec les électrons de la base pour deux raisons :
- la base est faiblement dopée, donc, les porteurs majoritaires (électrons) seront peu
nombreux.
- la base est étroite, et donc les trous émis sont happés par le champ électrique
collecteur-base avant d'avoir pu se recombiner (la largeur de la base est petite
devant la longueur de diffusion des porteurs minoritaires injectés par l'émetteur, qui
sont ici les trous).
On peut observer le phénomène d'un point de vue différent : quand on injecte un

électron dans la base, l'émetteur devra envoyer plusieurs trous dans la base pour
qu'il y en ait un qui se recombine avec l'électron émis. Les autres trous vont passer
directement dans le collecteur.
En première approximation, le nombre de trous passant dans le collecteur est

proportionnel au nombre d'électrons injectés dans la base.
Ce rapport de proportionnalité est un paramètre intrinsèque au transistor et

s'appelle le gain en courant .
Il ne dépend que des caractéristiques physiques du transistor : il ne dépend ni de la

tension inverse collecteur base, ni du courant circulant dans le collecteur. (ceci n'est
qu'une approximation, mais dans les hypothèses de petits signaux, c'est assez bien
vérifié.)
On a les relations suivantes :
2. Constitution et caractéristiques physiques d'un transistor.
Un transistor bipolaire est donc constitué de trois zones de silicium alternativement

dopées N et P, formant deux jonctions PN.
Le transistor décrit au paragraphe précédent comporte deux zones P et une zone N.

C'est une des deux façons d'agencer les jonctions pour fabriquer un transistor :
- soit une zone P, une N et une P : le transistor est dit PNP.
- soit une zone N, une P et une N : le transistor est dit NPN.
Dans les deux cas, la zone centrale (base) est très étroite vis à vis de la longueur de
diffusion des porteurs minoritaires issus de la zone adjacente (l'émetteur).
La base possède en outre la caractéristique d'être très faiblement dopée en

comparaison de l'émetteur.
3. Courants de fuite.
La relation [1] n'est qu'imparfaitement vérifiée pour une autre raison : si on reprend
le schéma Fig. 2. et qu'on coupe la connection de la base (I b = 0), on s'aperçoit que
le courant circulant dans le collecteur n'est pas nul, dû à des porteurs minoritaires
qui passent de la base dans le collecteur. Ce courant est nommé I CEO . La relation
[1] devient donc :
En pratique, aux températures ordinaires, ce courant de fuite sera négligé. On verra

par la suite qu'on s'arrangera pour polariser les montages de telle manière que le
point de polarisation soit quasiment indépendant du courant de fuite.
4. Symboles, tensions et courants.

Dans le symbole du transistor (figures 3 et 4), une flèche désigne l'émetteur ainsi
que le sens de circulation du courant d'émetteur ; c'est le sens de cette flèche qui va
repérer le type de transistor : NPN pour un courant d'émetteur sortant du transistor,
et PNP dans le cas inverse.
La base est représentée par une barre parallèle à l'axe collecteur-émetteur. D'autres
symboles existent, mais celui-ci est le plus usité.
Les transistors sont des composants polarisés : les courants indiqués sont les seuls
possibles pour un fonctionnement correct. En conséquence, il faudra choisir le type
de transistor adapté au besoin (NPN ou PNP) et faire attention au sens de
branchement.
Transistor NPN
Fig. 3. Courants et tensions sur un NPN.
Dans ce type de transistor, les courants de base et de collecteur sont

rentrants, et le courant d'émetteur est sortant. Les tensions V BE et V CE sont
ici positives.
Transistor PNP
Dans ce type de transistor, les courants de base et de collecteur sont

sortants, et le courant d'émetteur est rentrant. Les tensions V BE et V CE sont
ici négatives.
Fig. 4. Courants et tensions sur un PNP.
C. CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES.
Pour ce paragraphe, nous allons étudier les caractéristiques des transistors NPN. Celles des
transistors PNP sont les mêmes aux réserves de signes décrites au paragraphe précédent.
Les transistors NPN sont plus répandus car ils ont de meilleures performances que les PNP
(la conductibilité du silicium N est meilleure que celle du silicium P, ainsi que la tenue en
tension).
1. Montages de base.
Quand on branche un transistor, si on s'arrange pour qu'il y ait une patte commune
à l'entrée et à la sortie du montage, il y a 3 manières fondamentales de procéder :
- la patte commune est l'émetteur : on parle de montage émetteur commun .

L'entrée est la base et la sortie le collecteur.
- La patte commune est la base : on parle de montage base commune . L'entrée est
l'émetteur et la sortie le collecteur.
- La patte commune est le collecteur : on parle de montage collecteur commun .

L'entrée est la base et la sortie l'émetteur.
Nous reverrons ces trois montages fondamentaux dans un chapitre spécifique.
2. Schéma de mesure des caractéristiques.
Les caractéristiques qui suivent sont données pour un montage émetteur

commun . Le schéma le plus simple est le suivant :
Fig. 5. Montage de base émetteur commun .
Dans ce schéma, la base est polarisée en direct par la résistance de base R b : le

potentiel de la base est alors de 0,7V environ, car l'émetteur est à la masse et la
jonction base émetteur est l'équivalent d'une diode passante.
Le collecteur est lui polarisé par la résistance de collecteur R c de telle manière que
la tension du collecteur soit supérieure à la tension de la base : la jonction base
collecteur est alors polarisée en inverse.
On polarise donc convenablement le transistor avec une simple alimentation et

deux résistances. Dans ce montage, l'entrée est la base et la sortie est le collecteur.
L'entrée est caractérisée par les deux grandeurs I B et V BE , et la sortie par les
grandeurs I C et V CE , soit 4 variables.
3. Caractéristique d'entrée.
La caractéristique d'entrée du transistor est donnée par la relation I B = f (V BE ) @

V CE = cte.
En fait, le circuit d'entrée est la jonction base émetteur du transistor, soit une
jonction diode.
Cette caractéristique va dépendre très peu de la tension collecteur émetteur : on la

donne en général pour une seule valeur de V CE . La courbe est la suivante :
Fig. 6. Caractéristique d'entrée du transistor.
La tension V BE est d'environ 0,7V pour une polarisation normale du transistor

(courant de base inférieur au mA). Cette valeur est donc légèrement supérieure à
celle d'une jonction de diode.
4. Caractéristique de transfert.
La caractéristique de transfert est définie par la relation I C = f (I B ) @ V CE = cte.
Nous avons déjà dit que le courant d'émetteur est proportionnel au courant de base
(formule [1]).
Fig. 7. Caractéristique de transfert du transistor.
La caractéristique de transfert est donc une droite ; le transistor est un générateur de

courant commandé par un courant.
Si on considère le courant de fuite I CEO , la caractéristique ne passe pas par l'origine,
car I C = I CEO pour I B = 0.
Le du transistor va varier grandement en fonction du type de transistor : 5 à 10

pour des transistors de grosse puissance, 30 à 80 pour des transistors de moyenne
puissance, et de 100 à 500 pour des transistors de signal.
5. Caractéristique de sortie.
La caractéristique de sortie du transistor est définie par la relation I C = f (V CE ) @

I B = cte. En pratique, on donne un réseau de caractéristiques pour plusieurs valeurs
de I B .
Fig. 8. Caractéristiques de sortie du transistor.
Sur ces caractéristiques (Fig. 8.), on distingue deux zones :
- une zone importante où le courant I C dépend très peu de V CE à I B donné : cette

caractéristique est celle d'un générateur de courant à résistance interne utilisé en
récepteur. Dans le cas des transistors petits signaux, cette résistance est très
grande : en première approche, on considérera que la sortie de ce montage à
transistor est un générateur de courant parfait.
- La zone des faibles tensions V CE (0 à quelques volts en fonction du transistor) est

différente. C'est la zone de saturation. Quand la tension collecteur-émetteur
diminue pour devenir très faible, la jonction collecteur-base cesse d'être polarisée
en inverse, et l'effet transistor décroît alors très rapidement. A la limite, la jonction
collecteur-base devient aussi polarisée en direct : on n'a plus un transistor, mais
l'équivalent de deux diodes en parallèle. On a une caractéristique ohmique
déterminée principalement par la résistivité du silicium du collecteur. Les tensions
de saturation sont toujours définies à un courant collecteur donné : elles varient de
50mV pour des transistors de signal à des courants d'environ 10mA, à 500mV pour
les mêmes transistors utilisés au maximum de leurs possibilités (100 à 300 mA), et
atteignent 1 à 3V pour des transistors de puissance à des courants de l'ordre de
10A.
6. Limites d'utilisation.
Le transistor pourra fonctionner sans casser à l'intérieur d'un domaine d'utilisation
bien déterminé.
Ce domaine sera limité par trois paramètres :
- le courant collecteur maxi I CMax . Le dépassement n'est pas immédiatement

destructif, mais le gain en courant va chuter fortement, ce qui rend le transistor
peu intéressant dans cette zone.
- la tension de claquage V CEMax : au delà de cette tension, le courant de collecteur

croît très rapidement s'il n'est pas limité à l'extérieur du transistor.
- la puissance maxi que peut supporter le transistor, et qui va être représentée par
une hyperbole sur le graphique, car on a la relation :
Fig. 9. Limites d'utilisation du transistor.
Toute la zone hachurée sur la caractéristique de sortie du transistor (Fig. 9.) est
donc interdite.
7. En bref
Ce qu'il faut retenir d'essentiel dans le transistor , c'est que c'est un

amplificateur de courant : c'est un générateur de (fort) courant (en sortie)
piloté par un (faible) courant (en entrée).
8. Paramètres essentiels des transistors.
Le choix d'un transistor (au premier ordre) se fera en considérant les paramètre
suivants :
- Le V CEMax que peut supporter le transistor.

- Le courant de collecteur maxi I CMax .
- La puissance maxi que le transistor aura à dissiper (ne pas oublier le radiateur !).
- Le gain en courant .
- Si on utilise le transistor en commutation, la tension de saturation V CEsatmax sera

un critère de choix essentiel.
III. MONTAGES DE BASE.
A. PRELIMINAIRE.
1. Mise en œuvre du transistor.
On a vu que le transistor était un amplificateur de courant : on va donc l'utiliser

pour amplifier des signaux issus de sources diverses.
Il va falloir pour cela mettre en œuvre tout un montage autour du transistor pour
plusieurs raisons :
Alimentation.
Le transistor, tout en étant classifié dans les composants actifs, ne fournit

pas d'énergie : il faudra donc que cette énergie vienne de quelque part !
C'est le rôle de l'alimentation qui va servir à apporter les tensions de
polarisation et l'énergie que le montage sera susceptible de fournir en sortie.
Polarisation.
Le transistor ne laisse passer le courant que dans un seul sens : il va donc

falloir le polariser pour pouvoir y faire passer du courant alternatif, c'est à
dire superposer au courant alternatif un courant continu suffisamment grand
pour que le courant total (continu + alternatif) circule toujours dans le
même sens.
Il faudra en plus que la composante alternative du courant soit

suffisamment petite devant la composante continue pour que la linéarisation
faite dans le cadre de l'hypothèse des petits signaux soit justifiée.
Conversion courant/tension.
Le transistor est un générateur de courant. Comme il est plus commode de

manipuler des tensions, il va falloir convertir ces courants en tensions : on
va le faire simplement en mettant des résistances dans des endroits
judicieusement choisis du montage.
Liaisons.
Une fois le transistor polarisé, il va falloir prévoir le branchement de la

source alternative d'entrée sur le montage. En règle générale, ceci se fera
par l'intermédiaire d'un condensateur de liaison placé entre la source et le
point d'entrée du montage à transistor (base pour montages émetteur et
collecteur commun, émetteur pour montage base commune).
De la même manière, pour éviter que la charge du montage à transistor (le

dispositif situé en aval et qui va utiliser le signal amplifié) ne perturbe sa
polarisation, on va aussi l'isoler par un condensateur de liaison.
Ces condensateurs vont aussi éviter qu'un courant continu ne circule dans la
source et dans la charge, ce qui peut leur être dommageable.
Insensibilité du montage aux paramètres du transistor.
Dans la mesure du possible, la polarisation devra rendre le montage

insensible aux dérives thermiques du transistor et elle devra être
indépendante de ses caractéristiques (notamment le gain), ceci pour que le
montage soit universel , et ne fonctionne pas uniquement avec le transistor
dont on dispose pour réaliser la maquette. Cela permet aussi de changer le
transistor sur le montage sans se poser de questions en cas de panne.
2. Méthodologie de calcul.
Nous avons déjà vu lors d'une approche globale de l'électronique qu'il convenait
pour des raisons de simplification des calculs de séparer l'étude de la polarisation
de l'étude en alternatif petits signaux.
La polarisation est calculée dans un premier temps ; on fait alors un schéma

équivalent du montage pour le continu. Le calcul se fait simplement avec la loi
d'Ohm et les principaux théorèmes de l'électricité.
Pour la partie petits signaux alternatifs, on a vu qu'on va devoir linéariser les

caractéristiques du transistor au point de fonctionnement défini par la polarisation.
Il faut donc définir les paramètres à linéariser et en déduire un schéma équivalent
du transistor.
La solution globale (celle correspondant à ce qui est physiquement constaté et
mesuré sur le montage) est la somme des deux solutions continue et alternative
définies ci-dessus.
3. Schéma équivalent alternatif petits signaux du transistor. Paramètres

hybrides.
En pratique, pour simplifier l'exposé, nous allons d'abord donner le schéma

équivalent et les équations qui s'y rapportent, pour ensuite justifier ces éléments à
l'aide des caractéristiques des transistors.
Le transistor est considéré comme un quadripôle ; il a deux bornes d'entrée et deux

bornes de sortie (une patte sera alors commune à l'entrée et à la sortie) et va être
défini par 4 signaux : courant et tension d'entrée, courant et tension de sortie. Ces
variables ont déjà été définies (Fig.5) pour le montage émetteur commun : il s'agit
du courant I B et de la tension V BE pour l'entrée, du courant I C et de la tension V CE
pour la sortie.
En fait, ces signaux se décomposent en deux parties : les tensions et courants

continus de polarisation notés I Bo , V BEo , I Co , et V CEo , et les petites variations
alternatives autour du point de repos qui sont respectivement i b , v be , i c , et v ce .
Nous avons les équations :
Ce sont les petites variations qui vont nous intéresser pour le schéma équivalent
alternatif qui est le suivant :
Fig. 10. Schéma équivalent du transistor NPN.
Il convient de noter que ce schéma, bien que dérivé du montage émetteur commun
(l'émetteur est bien ici la borne commune entre l'entrée et la sortie) est intrinsèque
au transistor et pourra être utilisé dans tous les cas de figure : il suffira de
l'intégrer tel quel au schéma équivalent du reste du montage en faisant bien
attention aux connections des trois pattes du transistor E, B et C.
L'appellation schéma équivalent du montage émetteur commun provient de la

définition des variables d'entrée et de sortie qui sont celle de ce type de montage.
Nota : On peut remarquer ici que les sens des courants sont conventionnels, et non
absolus, et ne servent qu'à effectuer les calculs comme si les sources étaient
continues ; une seule chose est impérative : phaser convenablement i b et i c . On peut
donc choisir un sens opposé pour ces deux courants. En pratique, cela signifie que
les transistors PNP auront strictement le même schéma alternatif petits signaux que
les NPN.
Dans ce schéma, nous avons les relations suivantes :
L'indice e sur les paramètres h ije (qu'on appelle paramètres de transfert) indique
qu'il s'agit des paramètres émetteur commun. On peut mettre le système [10] sous
la forme matricielle suivante :
Nous nous contenterons ici de voir que ça existe , et d'ajouter que ce formalisme
matriciel permet de simplifier les calculs quand on associe plusieurs quadripôles
(en série, en parallèle, en cascade ). Nous n'utiliserons pas ces caractéristiques dans
ce cours.
Si on analyse la première équation du système [10], on y voit l'expression de v be en

fonction de i b et v ce . On a :
- h 11e = v be /i b @ v ce = 0 . Si on se rappelle que v be et i b sont des petites variations

autour du point de repos (V BEo ,I Bo ) et que la caractéristique d'entrée du transistor
est la courbe I B = f(V BE ) @ V CE = cte (donc v ce = 0), alors, on voit que h 11e est la
résistance dynamique de la jonction base-émetteur .
- h 12e = v be /v ce @ i b = 0 . Ce paramètre est en fait la réaction de la sortie sur

l'entrée dans la théorie des quadripôles. Lors de l'étude du principe du transistor, il
a été dit que cette réaction était négligeable . Dans toute la suite de l'exposé, il ne
sera plus fait mention de ce paramètre.
La deuxième équation nous donne :
- h 21e = i c /i b @ v ce = 0 . Ce paramètre est le gain en courant en fonctionnement

dynamique du transistor. Il peut être légèrement différent du gain en
fonctionnement statique déjà mentionné, car il a été dit que la linéarité de ce
paramètre n'est pas rigoureusement vérifiée.
- h 21e = i c /v ce @ i b = 0 . Ce paramètre a la dimension d'une admittance : c'est

l'inverse de la résistance du générateur de courant de sortie du transistor. En
pratique, sa valeur est faible (donc la résistance est élevée), et sauf montage un peu
pointu , on le négligera, car son influence sera modérée vis à vis de l'impédance de
charge du montage.
On voit qu'en fait, les paramètres de transfert issus de la théorie des quadripôles
colle bien aux caractéristiques physiques du transistor :
- une entrée résistive (la résistance différentielle de la jonction base-émetteur), la

réaction de la sortie sur l'entrée étant négligeable.
- une sortie équivalente à un générateur de courant proportionnel au courant

d'entrée , ce générateur étant imparfait, donc avec une résistance interne non
nulle.
B. MONTAGE ÉMETTEUR COMMUN.
Le décor étant entièrement planté, on va pouvoir passer au montage fondamental à

transistor : le montage émetteur commun . Il réalise la fonction amplification de base de
l'électronique.
1. Polarisation. Point de fonctionnement.
Polarisation par une résistance.
Le montage le plus élémentaire tout en étant fonctionnel est le suivant :
Fig. 11. Polarisation par résistance de base.
Le fonctionnement est simple : le courant de base I Bo est fixé par R b , ce qui

entraîne un courant de collecteur I Co égal à I Bo . Le courant collecteur étant
fixé, la tension aux bornes de R c va être égale à R c I Co . Le montage est
entièrement déterminé.
Pour calculer les élément R b et R c , on va procéder à l'envers : on va partir

de ce qu'on désire (le courant I Co et la tension V CEo ), et remonter la chaîne :
- On se fixe un courant collecteur de repos I Co (c'est le courant de

polarisation). Ce courant sera choisi en fonction de l'application, et variera
entre une dizaine de µA (applications très faible bruit), et une dizaine de
mA (meilleures performances en haute fréquence, soit quelques MHz).
- On se fixe une tension de collecteur V CEo , qu'on prend en général égale à
E/2, pour que la tension du collecteur puisse varier autant vers le haut que
vers le bas lorsqu'on appliquera le signal alternatif.
- La résistance de collecteur R c , en plus d'assurer une polarisation

correcte de la jonction base-collecteur, convertit le courant collecteur (et ses
variations) en tension. Elle est déterminée par la formule :
- le courant I Bo est alors imposé par les caractéristiques de gain en courant

du transistor (le ). On note ici qu'il est impératif de le connaître (donc de le
mesurer) :
- La résistance de base R b est alors calculée à l'aide de la formule :
- Pour ce faire, on prendra V BEo = 0,7V, car un calcul plus précis (il faudrait
connaître la caractéristique I B = f (V BE ) pour le faire !) ne servirait à rien.
On peut résumer toute cette étape de polarisation sur un seul graphique :

Fig. 12. Polarisation du transistor.
On reconnaîtra ici les trois caractéristiques du transistor (entrée, transfert,

sortie) jointes sur le même graphique. Attention : il faut bien remarquer
que les axes sont différents de part et d'autre du zéro !
Ce montage assure les diverses fonction vues précédemment : il est

correctement alimenté, polarisé (jonction base-émetteur en direct, jonction
base collecteur en inverse, courants dans le bon sens ), et il possède des
condensateurs de liaison. Il y a une ombre au tableau : bien que fonctionnel,
ce montage ne garantit pas du tout la fonction de robustesse vis à vis de la
dérive thermique et des caractéristiques du transistor. En effet, on peut
remarquer que :
- si I CEO (le courant de fuite) augmente sous l'effet de la température, rien

ne va venir compenser cette variation : V CEo va augmenter et le point de
polarisation va se déplacer.
- Si on veut changer le transistor par un autre dont le gain soit très différent,
vu que I Bo est imposé par E et R b , I Co = I Bo n'aura pas la bonne valeur, et
V CEo non plus. Et il ne s'en faut pas de quelques %, car pour une même
référence de transistor, le gain peut varier d'un facteur 1,5 à 5 ou plus ! On
peut donc se retrouver avec un montage dont le transistor serait saturé, donc
inutilisable pour l'amplification de petits signaux.
Comme il est impensable de mesurer chaque transistor avant de l'utiliser, on

ne peut pas en pratique exploiter le montage décrit Fig. 11. Ce montage n'a
qu'un intérêt pédagogique, et pour des montages réels, on va lui préférer le
montage à polarisation par pont de base.
Polarisation par pont de base.
Ce schéma est un peu plus complexe que le précédent. Nous allons d'abord
analyser les différences, et ensuite, nous suivrons pas à pas la méthode de
calcul de la polarisation.
Fig. 13. Polarisation par pont de base.
Par rapport au schéma Fig. 11, on note que la base est polarisée à l'aide d'un
pont de résistances R b1 et R b2 . Le rôle de ces résistances sera de fixer le
potentiel de base. Comme la tension V BE est voisine de 0,7V, ceci impose
de mettre une résistance entre l'émetteur et la masse. Cette résistance est
découplée par le condensateur C DE , qui va être l'équivalent d'un court-
circuit en alternatif.
A quoi servent ces éléments ? Pour raisonner, on va faire abstraction du

condensateur C DE , qui est un circuit ouvert pour le régime continu.
Les résistances du pont de base vont être choisies de telle manière que le
courant circulant dans ce pont soit très supérieur au courant rentrant dans la
base (au moins 10 fois plus grand), ceci afin que des petites variations du
courant de base ne modifient pas le potentiel de la base, qui restera donc
fixe.
Le potentiel d'émetteur va être égal au potentiel de base moins environ 0,7V

et sera lui aussi fixe, à courant de base donné. Dans ce cas, la tension aux
bornes de R E est déterminé. Le courant d'émetteur (donc celui du
collecteur, et celui de la base, via le ) sera alors fixé par la valeur de la
résistance R E et la tension du pont de base.
Le courant collecteur étant défini, on choisit la résistance de collecteur pour

avoir V CEo au milieu de la plage de tension utilisable.
Quel est l'avantage de ce montage ? Supposons que le courant I CEO

augmente sous l'effet de la température. La tension aux bornes de R E va
alors augmenter. Comme le potentiel de base est fixé par le pont R b1 /R b2 , la
tension V BE va diminuer. Cette diminution va entraîner une baisse du
courant de base, donc du courant de collecteur.
Cet effet vient donc s'opposer à l'augmentation du courant collecteur dû à
l'augmentation du courant de fuite I CEO . Le montage s'auto-stabilise.
L'autre avantage, c'est que le courant de collecteur est fixé par le pont de
base et par la résistance d'émetteur. Ces éléments sont connus à 5% près en
général, donc, d'un montage à un autre, on aura peu de dispersions, et
surtout, le courant collecteur sera indépendant du gain du transistor. On a
dit à cet effet que le pont de base est calculé de manière à ce que le potentiel
de base soit indépendant du courant de base : ce potentiel ne dépendra pas
du transistor, et le courant de base s'ajustera automatiquement en fonction
du gain du transistor sans perturber le pont de base.
On fera les calculs dans l'ordre suivant :
- On fixe le courant collecteur de repos I Co . A noter que le courant

d'émetteur sera quasiment le même car I C = I E - I B # I E .
- On fixe le potentiel d'émetteur V Eo (au maximum à E/3, et en pratique,

une valeur plus faible : 1 à 2V est une valeur assurant une assez bonne
compensation thermique sans trop diminuer la dynamique de sortie).
- On calcule alors la résistance R E par la formule :
- On se fixe la tension collecteur émetteur V CEo : en général, on la

prendra égale à la moitié de la tension disponible qui est égale non plus à E,
mais à E - V Eo . On en déduit la résistance R c :
- On fixe le courant du pont de base (on prendra une valeur moyenne pour
le du transistor, cette valeur n'étant pas critique ici) :
- On calcule R b2 (en règle générale, on prendra V BEo égal à 0,7V) :
- On en déduit R b1 :
Le point de repos du montage étant déterminé, on va passer au
comportement en alternatif.
2. Fonctionnement en petits signaux alternatifs.
Si on applique les règles définies dans le chapitre "Outils pour l'électronique", on

obtient :
Fig. 14. Schéma équivalent en alternatif.
On notera que la résistance d'émetteur a disparu, car elle est shuntée par le
condensateur de découplage C DE .
En quoi va consister l'étude en alternatif ?
Tout d'abord, on va évaluer la capacité du montage à amplifier le signal d'entrée

. La caractéristique représentative de cette fonction est le gain en tension A v , qui
est le rapport entre les tensions de sortie et d'entrée.
Ensuite, il faut regarder en quoi le montage peut s'interfacer avec la source

d'entrée sans la perturber ; il doit rester le plus neutre possible vis à vis de cette
source, surtout s'il s'agit d'un capteur de mesure ! La grandeur représentative est
l'impédance d'entrée .
Même chose vis à vis de la charge branchée en sortie du montage, qui va utiliser le
signal amplifié : il va falloir regarder dans quelle mesure l'étage à transistor n'est
pas perturbé par cette charge . La grandeur représentative est l'impédance de
sortie .
Nous allons calculer ces trois paramètres. On pourrait y rajouter le gain en courant
A i qui est le rapport des courants de sortie et d'entrée, et aussi le gain en puissance.
En amplification petits signaux, ces paramètres sont peu utilisés, nous n'en
parlerons donc pas.
Fonctionnement intuitif .
Avant de faire des calculs compliqués sur un schéma abstrait, il serait bon
de voir comment marche le montage de façon intuitive et qualitative.
On considère que le potentiel d'émetteur est fixe grâce au condensateur de

découplage C DE .
Si on augmente légèrement la tension de base, le courant de base va

augmenter. Le courant de collecteur va augmenter proportionnellement au
courant de base, et donc, la chute de tension dans la résistance R c va
augmenter. Le potentiel du collecteur va alors baisser.
On peut par conséquent s'attendre à un gain en tension négatif (entrée et

sortie en opposition de phase).
On peut aussi voir ce que donnerait le montage sans le condensateur C DE :

si la tension de base augmente, le courant de base, donc de collecteur
augmente. La tension aux bornes de la résistance d'émetteur va augmenter
aussi, et donc, le potentiel de l'émetteur va remonter, ce qui va entraîner une
diminution de la tension V BE , donc du courant de base, donc du courant de
collecteur : il y a une contre-réaction qui s'oppose à l'amplification.
Le gain en tension sera plus faible qu'avec le condensateur C DE . Nous

aurons l'occasion de revoir ce montage (dit à charge répartie) dans un
chapitre ultérieur.
Gain en tension.
Le gain en tension peut être défini de deux manières :
- le gain à vide , c'est à dire sans charge connectée en sortie du montage.
- le gain en charge , avec la charge connectée.
Dans ce paragraphe, nous allons calculer le gain de l'étage à vide. Nous

verrons ensuite qu'il est simple de calculer le gain en charge à postériori.
On va d'abord procéder à quelques simplifications dans le schéma :
- les deux résistances du pont de base sont en parallèle du point de vue

alternatif. Nous allons donc les remplacer par une seule résistance R p dont
la valeur sera égale à R b1 // R b2 .
- la résistance de sortie 1/h 22e du transistor est grande (plusieurs dizaines de

k ). Pour une alimentation E de 12V, un courant I Co de 2mA et une tension
V CEo de 5V, on aura R c = 2500 , soit environ le dixième de 1/h 22e . On va
donc négliger ce dernier terme. On notera que lorsque la tension
d'alimentation est élevée et que le courant de collecteur est faible, cette
simplification est moins justifiée.
- on supprime la charge R u (hypothèse de calcul).

Avec ces hypothèses, le schéma devient :
Fig. 15. Schéma équivalent simplifié.
On a les équations suivantes :
Si on pose h 21e = (le gain dynamique est égal au gain statique), on obtient
l'expression du gain en tension :
Cette expression montre que le gain de l'étage dépend de deux paramètres

du transistor : le gain en courant et la résistance dynamique d'entrée h 11e .
Pour augmenter ce gain, on pourrait se dire qu'il suffit d'augmenter R c

(donc de diminuer le courant I Co pour garder un V CEo constant).
Ce serait une grave erreur : en effet, si on diminue I Co , on diminue aussi

forcément I Bo , et en conséquence, la résistance différentielle de la jonction
base émetteur augmente : le gain risque donc de ne pas trop augmenter.
Les paramètres de cette formule sont donc liés : ils ne sont pas
indépendants, et on ne fait pas ce qu'on veut.
Nous allons essayer de trouver une formulation mettant en œuvre des

paramètres indépendants.
Nous avons déjà dit que la jonction base-émetteur était l'équivalent d'une
diode. Elle satisfait notamment aux mêmes formulations mathématiques.
Dans le chapitre relatif à la diode, l'équation [2] donnait la résistance
différentielle en fonction du courant dans la diode :
Pour le transistor, on a la même chose en remplaçant I d par le courant de

base I Bo et r d par h 11e .
Le terme kT/q est homogène à une tension et vaut environ 26mV à
température ordinaire.
La relation simplifiée entre h 11e et I Bo (h 11e est en et I Bo en A) devient

alors :
Si on réinjecte cette relation dans la formule [24] en tenant compte du fait

que I Co = I Bo , on obtient :
Le terme 38,5 I Co représente la pente du transistor au point de polarisation

I Co . C'est le rapport I C / V BE en ce point. Il ne dépend pas du transistor :
c'est un paramètre intéressant qui permet de calculer le gain d'un étage
indépendamment du composant choisi pour le réaliser.
Cette formulation du gain est beaucoup plus satisfaisante que la précédente,

car elle ne dépend plus des caractéristiques du transistor, et notamment de
son gain (attention toutefois au facteur 38,5 qui est le terme q/kT : il dépend
de la température !). Elle montre aussi que le gain est relativement figé si on
garde pour règle une tension de polarisation V CEo égale à la moitié de la
tension d'alimentation (moins la tension d'émetteur). Le seul moyen de
l'augmenter est d'accroître la tension d'alimentation ; on pourra alors
augmenter le terme R c I Co qui est la chute de tension dans la résistance de
collecteur.
A tire indicatif, pour un montage polarisé sous 12V avec une tension V Eo de
2V et V CEo de 5V, on aura R c I Co égal à 5V, et un gain en tension Av égal à
190.
Schéma équivalent de l'étage amplificateur.
Le schéma équivalent du montage amplificateur émetteur commun peut être

représenté sous la forme donnée figure 16 (voir chapitre I).
En entrée, on y trouve l'impédance Ze (on néglige la réaction de la sortie

sur l'entrée, donc, il n'y a pas d'autres composants)
En sortie, on a un générateur de tension commandé (la tension de sortie est

égale à la tension d'entrée multipliée par le gain Av de l'étage à vide) avec
sa résistance interne qui sera la résistance de sortie de l'étage.
On notera que la représentation de la sortie est celle du générateur de

Thévenin équivalent
Fig. 16. Schéma équivalent de l'étage amplificateur.
On pourra voir ici une contradiction avec notre montage émetteur commun
qui est doté en sortie d'un générateur de courant. Cette objection est balayée
par les deux points suivants :
- on veut calculer le gain en tension de l'étage ! On considère donc notre

montage comme un générateur de tension avec sa résistance interne, si
grande soit-elle.
- la transformation Norton / Thévenin nous permet de passer d'une

représentation à l'autre simplement.
Ce schéma va nous permettre de définir les impédances d'entrée et de sortie

de notre étage.
Impédance d'entrée.
Par définition, et en se référant au schéma Fig. 16., l'impédance d'entrée est

égale à :
Ici, le schéma est simple, le générateur d'entrée débite sur deux résistances
en parallèle. On a donc :
On voit qu'on n'a pas intérêt à prendre un pont de base avec des valeurs trop
faibles. Il faudra donc faire un compromis avec la condition de polarisation
(I p >> I Bo ). En général, h 11e sera petit (1k pour I Bo = 26µA), donc cette
impédance sera bien inférieure à R p , et très souvent, elle sera insuffisante
pour qu'on puisse interfacer des sources de tension (capteurs notamment)
directement sur un étage émetteur commun.
Impédance de sortie.
Fig. 17. Transformation Norton / Thévenin.
Si on transforme la sortie du montage Fig. 15. en celle du schéma Fig. 16.

(transformation Norton / Thévenin), on obtient le schéma de la figure 17.
la résistance R c qui était en parallèle sur le générateur de courant h 21e i b

devient la résistance en série avec le générateur de tension. L'impédance de
sortie est donc ici très simple à identifier :
Cette valeur est assez élevée, et souvent, on ne pourra pas connecter le

montage tel quel sur une charge.
Gain de l'étage en charge.
Il y a deux manières de voir la chose :
- On reprend le schéma équivalent de la Fig. 15. et on rajoute R ch en

parallèle avec R c . La formule du gain devient alors :
- On connaît l'impédance de sortie et la charge. D'après le schéma Fig. 16,

ces deux résistances forment un pont diviseur qui atténue la tension de
sortie à vide. Le gain devient :
- On vérifiera que si on développe R c // R ch dans la formule [31], on tombe

bien sur la formule [32].
Bilan. Utilisation du montage.
Au final, le montage émetteur commun est un montage ayant :

- une bonne amplification en tension (de l'ordre de plusieurs centaines).
- une impédance d'entrée relativement faible (égale à h 11e , soit de l'ordre

de plusieurs k ), variable en fonction de la polarisation (plus I Co est faible,
plus l'impédance d'entrée est élevée).
- une impédance de sortie assez élevée R c qui va aussi dépendre du

courant de polarisation I Co .
Ce montage est l'amplificateur de base à transistor et sera donc utilisé

comme sous-fonction dans des circuits plus complexes (discrets, ou intégrés
comme dans l'amplificateur opérationnel). Par contre, il sera souvent
inexploitable seul, et il faudra lui adjoindre des étages adaptateurs
d'impédance.
C. MONTAGE COLLECTEUR COMMUN.
Dans ce montage, l'entrée est la base et la sortie l'émetteur. C'est le collecteur qui est le
point commun entre l'entrée et la sortie. On notera que c'est faux pour la polarisation, car le
collecteur est relié au +E et l'entrée se fait entre base et masse, et la sortie entre émetteur et
masse. En fait, le collecteur est bien commun en alternatif, car le générateur de polarisation
+E est un court circuit pour ce régime, et donc, le collecteur va se retrouver à la masse
alternative : ce sera donc bien la patte commune entrée sortie.
Comme pour le montage émetteur commun, il y a moyen de polariser le transistor

avec une seule résistance de base, ce qui entraîne exactement les mêmes
inconvénients. Nous passerons donc directement à la polarisation par pont de base,
qui est la plus utilisée. Le schéma complet est donné sur la figure 18.
Par rapport au montage émetteur commun, on remarque que la résistance de

collecteur a disparu. Le condensateur de découplage de R E aussi, ce qui est normal,
car ici, la sortie est l'émetteur : il n'est donc pas question de mettre la sortie à la
masse en alternatif !
Fig. 18. Montage collecteur commun.

Pour la polarisation, on se reportera au paragraphe équivalent du montage émetteur
commun, et on prendra en compte les différences suivantes :
- En général, on fixera le potentiel de repos de l'émetteur à E/2 pour avoir la même

dynamique pour les alternances positives et négatives.
- On n'a pas à se préoccuper du potentiel de collecteur ni de sa polarisation car cette

broche est à +E.
Nous avons ici fait les mêmes simplifications de schéma que pour le montage
émetteur commun. On voit bien sur le schéma résultant que le collecteur est le
point commun entrée / sortie.
Fig. 19. Schéma équivalent collecteur commun.
On pourra remarquer que (en le réarrangeant) le schéma équivalent interne du

transistor est le même que pour le montage émetteur commun.
Par rapport à ce dernier montage, on a rajouté la résistance interne du générateur

d'attaque. En effet, on voit qu'ici, l'entrée et la sortie ne sont pas séparés, et donc, la
charge va avoir un impact sur l'impédance d'entrée et l'impédance interne du
générateur d'attaque influera sur l'impédance de sortie. Il ne faut pas oublier que
cette dernière est l'impédance vue de la charge, donc englobe l'étage à transistor et
le dispositif d'attaque.
Le paramètre h 21e a été remplacé par , les gains statique et dynamique étant
sensiblement les mêmes.
Considérons le schéma de la Fig. 18. Si on augmente la tension de base, la

tension V BE va augmenter, ainsi que le courant I B , donc I C , ce qui va créer
une chute de tension plus grande dans R E . Le potentiel de l'émetteur va
alors remonter, contrariant l'augmentation de V BE , donc du courant I C . Le
potentiel de l'émetteur va ainsi suivre sagement (aux variations V BE près,
qui sont très faibles) le potentiel qu'on impose à la base.
Si on regarde bien le montage, on voit en fait que la tension de sortie est

toujours inférieure à la tension d'entrée de la valeur V BE . Quand on va
appliquer un signal alternatif sur la base, on va le retrouver sur la résistance
d'émetteur diminué de la variation de V BE qui va être très faible.
On voit donc qu'intuitivement, ce montage aura un gain positif mais

inférieur à 1.
Ce n'est pas un montage amplificateur. On va voir que ses caractéristiques

d'impédance d'entrée et de sortie le destinent à l'adaptation d'impédance.
Gain en tension.
Si on applique la loi des nœuds au niveau de l'émetteur (Fig. 19.), on voit

que le courant circulant dans R E est égal à ( +1) i b et va de l'émetteur vers
le collecteur. On peut alors poser les équations suivantes :
On remarquera au passage en analysant l'équation [33] que vu de la base,

tout se passe comme si la résistance R E était multipliée par le gain en
courant.
On déduit le gain à vide des équations [33] et [34] :
Ce gain est légèrement inférieur à 1, et c'est normal, car la tension de sortie

est égale à la tension d'entrée multipliée par le pont diviseur formé par h 11e
et ( +1)R E . En général, R E est du même ordre de grandeur que h 11e , ce qui
fait que le terme ( +1) R E est beaucoup plus grand que h 11e . A quelques
centièmes près, le gain sera quasiment égal à l'unité . Pour cette raison, et
aussi pour ce qui a été dit dans la rubrique fonctionnement intuitif , on
appelle ce montage émetteur suiveur , car le potentiel d'émetteur suit celui
imposé à la base (aux variations V BE près, qui sont très faibles).
Quand l'étage est chargé sur R ch , il convient de remplacer R E par R E // R ch

dans l'équation [35], ce qui change très peu le résultat, même si R ch est
égale ou même un peu inférieure à R E (dans les mêmes conditions, le gain
de l'étage émetteur commun aurait chuté d'un facteur supérieur ou égal à
2 !).
Ceci augure d'une bonne impédance de sortie : il ne faut pas oublier que ce
paramètre mesure l'aptitude d'un montage à tenir la charge.
Le courant i e est égal à i b augmenté du courant circulant dans R p .

L'impédance d'entrée va donc être égale à R p //(v e /i b ). On peut tirer cette
dernière valeur de l'équation [33] :
On en déduit la valeur de l'impédance d'entrée :
On remarque que le premier terme est une valeur très élevée (de l'ordre de
R E , h 11e étant négligeable), et que malheureusement, la valeur du pont de
R
base vient diminuer cette impédance d'un facteur 10 environ. C'est donc la
valeur de R p qui va déterminer l'impédance d'entrée. Cette impédance est
quand même au moins 10 fois supérieure à celle de l'émetteur commun.
On voit toutefois que là encore, la polarisation ne fait pas bon ménage avec
le régime alternatif : tout sera une affaire de compromis, comme bien
souvent en électronique. Il n'y aura jamais la bonne solution, mais une
solution intermédiaire qui sera la mieux adaptée au fonctionnement désiré.
Il faut aussi remarquer que vu de la base, les impédances situées dans le

circuit d'émetteur sont multipliées par le gain du transistor. C'est une
remarque très importante qui est toujours vraie.
L'impédance d'entrée a été ici calculée pour un montage fonctionnant à

vide. Si on le charge par R ch , cette résistance vient se mettre en parallèle sur
R E dans la formule [37]. Dans le cas général, l'impédance d'entrée dépend
R
donc de la charge. Cette dépendance sera faible tant qu'on aura une
polarisation par pont de base, car on a vu que R p est le terme prépondérant.
Il existe néanmoins des astuces pour éliminer l'effet du pont de base
(montage bootstrap ou couplage direct de deux étages à transistor), et dans
ce cas, il faudra tenir compte de la charge.
Le calcul va être plus compliqué que pour l'émetteur commun. On

remarquera qu'ici la sortie n'est pas séparée de l'entrée, ce qui fait que tout
le circuit d'entrée va influer sur l'impédance de sortie, y compris la
résistance interne du générateur d'attaque R g . Comme dans le cas général
cette impédance n'est pas nulle, nous l'avons faite figurer sur le schéma Fig.
19.
Là aussi, il faut calculer les caractéristiques du générateur de Thévenin

équivalent.
On peut écrire les équations suivantes :

Si on considère le générateur de Thévenin équivalent au générateur d'entrée
plus R p , on peut écrire :
Si on pose :
en injectant [40] et [41] dans [39], on obtient :
En remplaçant i b par cette valeur dans [38], on a :
Après un développement laborieux, on peut mettre Vs sous la forme A e g +

Z s i s : ce sont les caractéristiques du générateur de Thévenin de sortie de
l'étage. Le terme Z s est le suivant :
R E , R g et h 11e étant du même ordre de grandeur, le terme divisé par ( +1)

R
va être le plus petit, et R E va avoir un effet négligeable. On pourra aussi

souvent négliger R p par rapport à R g . Z s devient :
Cette impédance de sortie est relativement faible : le montage pourra tenir

des charges plus faibles que le montage émetteur commun.
On peut faire une remarque similaire a celle qui a été dite dans le
paragraphe sur l'impédance d'entrée : vu de la sortie, l'impédance du
montage est égale à tout ce qui est en amont de l'émetteur divisé par le gain
en courant.
Un montage collecteur commun présente donc les caractéristiques

suivantes :
- gain en tension quasiment égal à l'unité .

- impédance d'entrée élevée : environ fois plus grande que celle de
l'émetteur commun si on ne considère pas le pont de base (on verra qu'on
peut l'éviter). La valeur typique est de plusieurs dizaines à plusieurs
centaines de k en fonction du montage.
- impédance de sortie faible (divisée par environ par rapport à l'émetteur

commun). Sa valeur est de l'ordre de quelques dizaines d' .
Ce montage ne sera donc pas utilisé pour amplifier un signal, mais comme
adaptateur d'impédance, situé en amont ou en aval d'un montage émetteur
commun, qui, nous l'avons vu, n'a pas de bonnes caractéristiques d'entrée /
sortie.
On pourra donc intercaler un tel montage entre un capteur à haute

impédance de sortie et un montage émetteur commun sans que celui-ci ne
perturbe le capteur.
On pourra aussi le mettre en sortie d'un montage émetteur commun que l'on
doit interfacer avec une faible charge, et ceci, sans écrouler le gain en
tension de l'étage.
D. MONTAGE BASE COMMUNE.
Fig. 20. Montage base commune.
Le montage commence à nous être familier : en effet, mis à part l'emplacement du

générateur d'attaque et le condensateur de découplage qui est ici situé sur la base, le
montage est le même que celui de l'émetteur commun.
La procédure de calculs des éléments de polarisation est donc identique, car seuls
les éléments liés au régime alternatif changent.
La raison en est simple : l'amplification est basée sur une augmentation de I C due à
une augmentation de V BE . Pour augmenter V BE , on a le choix entre deux solutions :
- soit on augmente la tension de base à potentiel d'émetteur constant : c'est le
montage émetteur commun.
- soit on abaisse la tension d'émetteur à potentiel de base constant : c'est le montage

base commune.
On va donc étudier ici le montage base commune. On voit tout de suite le défaut
que va présenter ce montage : vu qu'on attaque côté émetteur, il faudra faire varier
un courant important, donc, l'impédance d'entrée sera sûrement beaucoup plus
faible que pour l'émetteur commun, qui n'était déjà pas brillant sur ce point. En fait,
ce montage sera peu utilisé, sauf dans des applications hautes fréquences où il
trouvera son seul avantage.
Le schéma équivalent est le suivant :
Fig. 21. Schéma équivalent base commune.
Le pont R b1 / R b2 disparait car il est shunté en alternatif par le condensateur de

découplage C DB . La base est bien le potentiel commun entrée / sortie, et le schéma
du transistor est le même que pour l'émetteur commun.
Le fonctionnement intuitif a déjà été ébauché dans le paragraphe relatif à la

polarisation : il est rigoureusement le même que pour l'émetteur commun
sauf qu'on attaque l'émetteur pour imposer les variation V BE , avec un
potentiel de base fixe.
On aura juste une différence de signe provenant du fait que quand on

augmente la tension de base à potentiel d'émetteur constant, la tension V BE
augmente, et quand on augmente la tension d'émetteur à potentiel de base
constant, elle diminue : une tension d'entrée positive dans les deux cas aura
donc des effets contraires.
Gain en tension.
Du schéma Fig. 21., on tire les équations suivantes :

D'où l'expression du gain en tension à vide :
Ce gain (au signe près) est le même que pour l'émetteur commun, ce qui est
normal, vu que le fonctionnement est identique.
On peut bien entendu faire les mêmes remarques que pour l'émetteur
commun et mettre le gain sous la forme donnée dans l'équation [27], au
signe près.
Pour le gain en charge, rien de différent non plus, R ch vient se mettre ne

parallèle sur R c dans la formule du gain à vide.
Du circuit d'entrée, on tire l'équation suivante :
Si on tire i b de l'équation [47] et qu'on le remplace par sa valeur dans [49],

on obtient :
On en tire l'impédance d'entrée :
R E étant du même ordre de grandeur que h 11e , le terme prépondérant est

R
h 11e / ( +1). Cette impédance d'entrée est très faible, environ fois plus
faible que celle de l'émetteur commun : ce montage, sauf cas très spécial,
est inexploitable tel quel, il faudra un étage adaptateur d'impédance en
entrée pour l'utiliser.
On peut remarquer que cette impédance d'entrée est quasiment la même que
l'impédance de sortie du montage collecteur commun : si on se rappelle de
ce qui a été dit à ce propos, l'impédance vue de l'émetteur est égale à tout ce
qui est en amont divisé par le gain en courant : c'est exactement le cas ici, et
on aurait donc pu prévoir facilement la valeur de l'impédance d'entrée sans
calculs.
Pour éviter de longs calculs inutiles, on ne tiendra pas compte de la

résistance du générateur d'attaque R g .
Du circuit de sortie, on peut tirer l'équation suivante :
L'équation [47] nous donne i b en fonction de Ve ; en le remplaçant par sa

valeur dans [52], on obtient :
C'est l'équation du générateur de Thévenin de sortie : on en déduit que Z s =

Rc.
R
Si on fait le calcul en tenant compte du générateur d'entrée, on démontre

que le résultat reste le même, seul le terme multiplicatif de e g va changer
dans l'expression de la tension de sortie du générateur de Thévenin, et le
terme multiplicatif de i s reste R c .
On a donc :
On aurait pu prévoir ce résultat, car l'entrée est séparée de la sortie par un

générateur de courant qui présente une impédance infinie (en pratique égale
à 1/h 22e , qui est très grand) : du point de vue des impédances, on se retrouve
avec l'entrée séparée de la sortie.
Les caractéristiques sont donc les suivantes :
- même gain en tension que pour l'émetteur commun (plusieurs

centaines).
- impédance d'entrée très faible : quelques dizaines d' .
- impédance de sortie moyenne : quelques k , la même que pour

l'émetteur commun.
En pratique, ce montage sera très peu utilisé, sauf en haute fréquence où il

va présenter une bande passante supérieure à celle du montage émetteur
commun.
E. REMARQUES FONDAMENTALES.
Il faudra garder à l'esprit ces deux remarques fondamentales , qui permettront d'évaluer
grossièrement mais sans calculs les impédances des montages à transistors :
- tout ce qui est vu de la base et situé en aval de l'émetteur est multiplié par le gain en
courant .
- tout ce qui est vu de l'émetteur et situé en amont de celui-ci est divisé par le gain en
courant .
Ces remarques sont fondamentales par le fait qu'on peut évaluer très rapidement les
potentialités d'un montage sans faire de calculs sur le schéma alternatif petits signaux, qui,
on l'a vu, sont particulièrement pénibles, et ne donnent pas beaucoup plus de précision que
ce que l'on peut déterminer très simplement.
Cette façon d'appréhender les choses permet à l'électronicien de bâtir un schéma

rapidement sans se noyer dans les calculs, et aussi, permettent de mieux comprendre le
fonctionnement d'un étage à transistor, autrement que par le biais d'équations.
F. FONCTIONNEMENT EN HAUTE FRÉQUENCE
Tout ce qui a été dit jusqu'à présent ne concerne que le fonctionnement à faible fréquence
(inférieure à quelques centaines de kHz). Pour des fréquences plus élevées, on utilise un
schéma équivalent du transistor différent, rendant mieux compte de ce qui se passe
physiquement.
Ce modèle introduit des capacités parasites, et donc, les paramètres du transistor

deviennent complexes (au sens mathématique du terme !).
Dans ce cours, on se contentera de présenter le schéma équivalent en HF, et on exposera le

théorème de Miller, qui est très important pour la compréhension des limitations du
transistor en haute fréquence.
1. Schéma équivalent de Giacoletto.
Fig. 22. Schéma de Giacoletto.
Le schéma ci-dessus présente en plus des éléments du montage basse fréquence :
- une base B' virtuelle et interne au transistor. L'équivalent de h 11e est r BB' + r B'C .
r BB' sera faible (moins de 100 en général), inférieure à r B'E .
- Une capacité base-émetteur C B'E qui viendra shunter r B'E en haute fréquence. Pour
des petits transistors standards (2N2222 par exemple), elle est de l'ordre de 30pF.
- Une résistance r B'C (très grande, qui sera souvent négligée) en parallèle avec C B'C
qu'on appelle capacité Miller, situées entre l'entrée et la sortie (pour un montage
émetteur commun) du montage. L'ordre de grandeur pour C B'C est de 10pF
(2N2222). Elle est prépondérante dans la limitation en fréquence du
fonctionnement du transistor.
- la résistance r CE tient la place de 1/h 22e .
- le gain en courant est remplacé par la pente g m du transistor : elle est équivalente
au terme 38,5 I Co qu'on a défini dans le calcul du gain de l'émetteur commun.
Ce schéma est plus délicat à manipuler que celui utilisé jusqu'à présent dans ce
cours, donc, on ne l'utilisera que quand ce sera nécessaire, soit pour des fréquences
supérieures à 100 kHz.
Il permet de démontrer notamment la supériorité du montage base commune par

rapport à l'émetteur commun en haute fréquence, ce qui était infaisable avec le
schéma simplifié.
2. Théorème de Miller.
Définition.
Si on place une impédance entre l'entrée et la sortie d'un amplificateur de

gain négatif -Av (inverseur, comme l'émetteur commun), alors, vue de
l'entrée, cette impédance est multipliée par -(Av + 1).
Fig. 23. Effet Miller.
Application au schéma de Giacoletto.
On voit l'application immédiate au schéma de Giacoletto : la capacité C B'C

située entre la base et le collecteur du transistor, donc entre l'entrée et la
sortie d'un montage émetteur commun sera multipliée par le gain de l'étage :
vue de l'entrée, elle vaudra plus d' 1nF !
Elle devient alors prépondérante devant C B'E et c'est elle qui va limiter le
fonctionnement en HF.
Autres applications.
Une autre application importante consiste à utiliser cette propriété dans la

conception de circuits intégrés. On fabrique des capacités avec deux
surfaces métallisées en regard et séparées par de l'isolant. La capacité est
proportionnelle à la surface, et en pratique, elle sera très petite (impératifs
de coûts du silicium, donc des composants).
On peut multiplier une capacité par effet Miller sur ces circuits, et gagner
au choix de la surface de silicium ou augmenter la valeur de la capacité.
Chapitre 4 : Phénomènes physiques des transistors à effet de champ
4.1 Le transistor à effet de champ de jonction (JFET)
4.1.1 Principe de fonctionnement et structure
La structure idéalisée d’un transistor à effet de champ de jonction (JFET) est

représentée sur la figure 4.1. Le principe de ce composant est la modulation de l’épaisseur
d’un canal conducteur par la zone dépeuplée d’une jonction PN, la commande s’effectue en
tension par l’intermédiaire de l’électrode de grille.. Sur la figure, le canal de type N est
constitué par la région N, et la grille par la région P+. Lorsque l’on polarise en inverse la
jonction P+N Grille Source, une région dépeuplée envahit une partie du canal qui voit son
épaisseur diminuer et donc sa résistance augmenter au fur et à mesure que la DDP inverse
grille canal augmente. Si l’autre extrémité du canal appelé Drain est polarisé par rapport à la
source, le courant Drain Source sera modulé en intensité par la DDP inverse Grille Source.
FIG. 4.1 – Structure d’un transistor à effet de champ
4.1.2 Caractéristiques statiques

La figure 4.2 indique les notations utilisées pour le calcul de la caractéristique courant
tension du JFET.
FIG. 4.2 – Extension de la zone dépeuplée
Cas des faibles tensions Vds : régime ohmique

Lorsque la valeur de la tension Drain Source Vds est faible devant la valeur de la
tension Grille Source, l’épaisseur Wt de la région dépeuplée est constante tout le long du
canal et n’est fonction que de la valeur de Vgs :
2ε
Wt = C te =
qN D
(φ − Vgs )
φ est la tension de diffusion de la jonction Grille canal, Nd est le dopage du canal. La
conductance
du canal a pour expression :

qN D µnb qN µ ab  2ε 
2 (
G= ( a − Zt ) = D n 1 − φ − Vgs ) 
L L  qN D a 
On peut réécrire l’expression précédente en faisant apparaître la conductance du canal sans
région de charge d’espace G0 :
qN D µnb
G0 =
L
et la tension Vp au delà de laquelle tout le canal est déplété et aucun courant Id ne circule :
qN a 2
Vp = φ − D
2ε
on obtient alors :
 φ − Vgs 
G = G0 1 − 
 φ − V p 
Dans ces conditions (Vds << −Vgs), le courant de Drain Id croît linéairement avec la tension
Vds :
ID = GVds
Tensions Vds intermédiaires

Si la tension Vds n’est pas trop élevée, il existe partout entre source et drain une
portion de canal d’épaisseur Wt(x) donnée par la relation :
2ε 2ε
Wt ( x) = φ − (V (G ) − V ( x) )  = φ − Vgs + V ( x) 
qN D qN D 
et la conductance d’une tranche de canal dx vaut :

qN D µnb  2ε 
G ( x) = a − φ − Vgs + V ( x)  
dx  qN D 
 2ε  L
= G0 1 − φ − V + V ( x ) 
  dx
qN D a 2 
gs
 
L  Wt ( x) 
= G0 1−
dx  a 
L  φ − Vgs + V ( x) 
= G0 1 − 
dx 
 φ − V p 

Si dV est la DDP supportée par la tranche dx, on a :

ID = G(V )dV
et en intégrant entre la source où V (x) = 0, et le drain où V (x) = Vds, on obtient :
L Vds
∫0
I D dx = ∫ G (V )dV
0
Le courant de drain ID étant constant, on obtient :
 2  2 2 

I D = G0 Vds − 
  ds
V + φ − V 
gs 
3 − φ − V  3 
 gs  
 3 φ − Vp   
Lorsque Vds atteint la valeur Vdsat, le canal se pince au niveau du drain, on a alors les
relations :

2ε
a=
qN D
(φ − Vgs + Vdsat )
qN D a 2
Vdsat = − φ + Vgs = Vgs − V p
2ε
 3

Vgs − V p 2 2  φ − Vgs 2 
et I dsat = G0 (φ − V p )  − +   
φ − Vp 3 3  φ − Vp  
 
Vds > Vdsat : régime saturé
Lorsque la tension Vds est supérieure à la valeur Vdsat le canal est pincé à partir d’une
certaine abscisse x = Lef, la différence de potentiel entre ce point et la source vaut alors Vdsat.
La disparition du canal n’entraîne pas pour autant la disparition du courant de drain, en effet
la différence de potentiel existant dans la zone pincée (Vds−Vdsat) implique la présence d’un
champ électrique dans la direction des x favorable au transfert des électrons vers le drain. La
figure 4.3 montre l’allure de la région dépeuplée en régime saturé. L’équation
2ε
a=
qN D
(φ − Vgs + Vdsat ) qui nous a servi à calculer le courant de drain pour Vds = Vdsat
reste valable en régime saturé en remplaçant la longueur L du canal par sa longueur effective
Lef . Il s’ensuit donc une augmentation progressive de G0 et donc du courant ID lorsque Vds
croit. En effet, l’abscisse de pincement se rapproche de la source au fur et à mesure que la
tension drain croit. Cet effet entraînant une valeur non nulle de la conductance de sortie sera
d’autant plus marqué que la longueur initiale du canal est court. Au premier ordre cet effet
peut être négligé et on peut approximer la valeur du courant de drain Id en régime saturé par la
valeur Idsat qui ne dépend que de Vgs et des caractéristiques physiques du composant. La
frontière marquant la limite du régime saturé sur les caractéristiques statiques s’obtient en
portant la valeur Vdsat dans la relation donnant ID :
 2  2 2 

I D = G0 Vdsat − 
  dsat
V + φ − V 
gs 
3 − φ − V  3 
  
3 φ − Vp 
gs
  
FIG. 4.3 – Transistor FET en régime saturé

La figure 4.4 montre les caractéristiques statiques calculées à partir des relations que nous
venons d’établir.

FIG. 4.4 – Caractéristiques statiques
4.1.3 Caractéristiques dynamiques
Nous nous limiterons au modèle équivalent petit signal en régime saturé qui découle
de la linéarisation des équations précédemment établies pour ce régime, et de l’effet capacitif
dû aux variations de la région dépeuplée avec les tensions de commande Vgs et Vds. Le
schéma équivalent du transistor intrinsèque (sans éléments parasites) est représenté sur la
figure 4.5 dans la configuration source commune.
La transconductance Gm se calcule à partir de l’expression du courant de drain en régime
qN D a 2
saturé, à savoir Vdsat = − φ + Vgs = Vgs − V p :
2ε
∂I  φ − Vgs 
Gm = D = G0  1 − 
∂Vgs  φ − V p 

La conductance de sortie est nulle si l’on ne prend pas en compte les variations de la
longueur effective du canal comme c’est le cas dans
2
qN D a
l’expression Vdsat = − φ + Vgs = Vgs − V p . Les capacités Cgs et Cgd résultent des variations
2ε
de charge de la région dépeuplée Q, qui sont commandées par les tensions Vgs et Vds. On a
les relations :
∂Q Q
C gs + C gd = et C gd =
∂Vgs Vds Vgs = Cte
Vds =Cte
L’expression de la charge Q en fonction des tensions de commande étant difficile à

établir, nous ne développerons pas le calcul et nous nous bornerons à des résultats qualitatifs :
en régime saturé Cgs est généralement bien plus grande que Cgd, et ces capacités sont en
première analyse proportionnelles à la surface bL de grille et inversement proportionnelles à
l’épaisseur a du canal.

FIG. 4.5 – Schéma équivalent petit signal
4.2 Le transistor mos (metal oxyde semi-conducteur)
Nous limiterons notre étude au transistor MOS à enrichissement, le fonctionnement des

MOS à déplétion étant proche de celui du transistor JFET.
4.2.1 Principe de fonctionnement et structure
La structure d’un transistor MOS est représentée sur la figure 4.6.
En l’absence d’une polarisation Vgs adéquate, il existe toujours une jonction polarisée en
inverse entre la source et le drain, par conséquent aucun courant significatif ne peut circuler
entre ces deux électrodes et le transistor est bloqué. Lorsqu’on applique une tension grille
source positive la capacité métal oxyde semi-conducteur se charge et une charge négative
apparaît dans le semi-conducteur, cette charge est fournie pour les faibles valeurs de Vgs par
les charges des accepteurs ionisés d’une région dépeuplée qui apparaît sous l’oxyde. Lorsque
la tension Vgs dépasse une certaine valeur appelée tension de seuil Vt, il apparaît sous la grille
une charge de porteurs mobiles concentrée à la surface du semi-conducteur.
Cette charge d’électrons permet alors le passage d’un courant entre source et drain.
4.2.2 Inversion des populations de porteurs en surface d’une structure MOS idéale
La figure 4.7(a) représente le schéma des bandes d’énergie d’une structure MOS à
l’équilibre en l’absence de charges piégées dans l’oxyde et aux interfaces, dans une structure
idéale où le travail de sortie du métal φm serait tel que le niveau du vide E0 serait constant
dans toute la structure. On est alors dans la situation de "bandes plates".
Si l’on applique une d.d.p. VG positive, il y a décalage des niveaux de Fermi et apparition
d’une charge positive sur l’électrode métallique et négative dans le semi-conducteur. Malgré
la polarisation, la présence de l’isolant permet de considérer le niveau de Fermi constant dans
le semi-conducteur ainsi que d’utiliser les expressions des densités de porteurs établies pour
l’équilibre thermodynamique :
EC − EF
−
N = NC e KT
EF − Ev
−
P = NV e KT

FIG. 4.6 – Structure d’un transistor MOS
On constate alors, en utilisant ces expressions, la présence d’une région dépeuplée

dans le semi-conducteur sur la figure 4.7(b). Si l’on augmente VG au delà d’un certain seuil,
la différence énergétique Ec − EF à la surface du semi-conducteur devient comparable à la
différence EF −Ev en volume, et la concentration en minoritaires à la surface devient égale à la
concentration en majoritaires dans le volume ; on dit que l’on a atteint le seuil d’inversion. La
d.d.p. supportée par le semi-conducteur vaut alors :
N2
1
q
( ECvolume − ECsurface ) = kT ln a2
Ni
Au delà de ce seuil, la dépendance exponentielle des distributions de porteurs avec

l’énergie, fait que l’on peut approximer ces régions inversées par des distributions surfaciques
de charges et négliger leur chute de potentiel. La tension supportée par le semi-conducteur est
alors constante et vaut φ .

FIG. 4.7 – Schéma des bandes
4.2.3 Calcul de la caractéristique courant tension d’un MOS idéal

La figure 4.8 indique les notations utilisées pour le calcul de la caractéristique courant
tension. On notera Wt(x) l’épaisseur de la région dépeuplée à l’abscisse x, φ la tension de
diffusion de la jonction N+P, Vsc(x) la ddp supportée par le semi-conducteur à l’abscisse x, et
Vsb la polarisation source substrat.

FIG. 4.8 – Structure du transistor MOS
La différence de potentiel entre la grille G et le substrat B est supportée pour partie par
l’oxyde et pour partie par le semi-conducteur :
VG − VB = Vox(x) + Vsc(x)
La densité de charge Q portée par le semi-conducteur à l’abscisse x vaut :
Q(x) = −CoxVox(x) = −Cox[VG − VB − Vsc(x)]
Cox = εox/Wox est la capacité d’oxyde par unité de surface, εox la permittivité de l’oxyde, et
Wox son épaisseur. La région dépeuplée supportant la quasi totalité de la ddp dans le semi-
conducteur on peut écrire :
2ε Vsc ( x)
Wt ( x) =
qN a
La charge dans le semi-conducteur se décompose en une charge fixe Qf due aux impuretés
dans la région dépeuplée :
Qf(x) = −qNaWt(x)
et en une charge mobile d’électrons Qmob :

 2ε qN aVsc ( x) 
Qmob = Q − Q f = −Cox VG − VB − Vsc ( x) − 
 Cox 
Cette charge mobile existe au niveau de la source, où la ddp supportée par le semi-conducteur
vaut φ − Vsb, si la tension grille source Vgs est supérieure à la valeur seuil Vt :
2ε qN a (φ + Vsb )
Vgs = VT = φ − Cox +
Cox
On constate sur cette expression que la ddp source substrat Vsb permet de moduler la tension
de seuil d’un transistor MOS. La résistance élémentaire du canal à l’abscisse x a donc pour
expression :
dx
dR =
µnWQmob ( x)
Si W est la largeur du canal. Un calcul similaire à celui effectué pour le JFET conduit à
l’expression du courant de drain. Dans le cas particulier où la source et le substrat sont reliés,
on obtient :
µ WC  V  2 ε qN a  3 3 

I D = n ox  Vgs − φ − ds  −  ( φ + Vds ) 2 −φ 2 

L  2  3Cox   

cette expression étant valable en régime non pincé, c’est à dire si le canal existe partout entre
grille et drain. Lorsque Vds est égale à la valeur Vdsat :
ε qN  2Cox2 
VDsat = Vgs − φ + 2 a 1 − 1 + Vgs 
Cox  ε qN a 
le canal se pince en x = L, et pour les valeurs de Vds supérieures à Vdsat le courant sature à la
valeur Idsat = Id(Vdsat). L’allure des caractéristiques de sortie Id(Vds, Vgs) est représentée sur
la figure 4.9.
FIG. 10.9 – Caractéristiques statiques
4.2.4 Modèle équivalent simplifié

Régime statique
On peut simplifier les équations établies précédemment avec un bonne approximation en
utilisant les expressions suivantes :
- Pour les très faibles valeurs de Vds (Vds ≪ φ et Vvds ≪ Vgs − VT )

µnWCox
ID ≈
L
(V
gs − VT ) Vds
C’est le régime linéaire
- Pour les faibles valeurs de Vds (Vds ≪ φ )
µnWCox  Vds 
ID ≈  Vgs − VT −  Vds
L  2 
- En régime saturé (Vds > Vdsat = Vgs − VT )

µnWCox
(V − VT )
2
ID ≈ gs
2L
Schéma équivalent dynamique
Le schéma équivalent du MOST est représenté sur la figure 4.10. La topologie est
semblable à celle obtenue pour le JFET, avec en plus une capacité drain source Cds dont
l’origine est en grande partie liée à la région dépeuplée de la jonction drain substrat. La
transconductance Gm s’obtient facilement à partir des expressions précédentes, tandis que les
valeurs des capacités sont difficiles à obtenir analytiquement en raison du caractère
bidimensionnel de phénomènes physiques mis en jeu dans ce composant. Toutefois on peut
obtenir l’ordre de grandeur des capacités Cgs et Cgd en négligeant la capacité due au semi-
conducteur qui se trouve en série avec la capacité d’oxyde :
CoxWL = Cgs + Cgd

4.2.5 Structure MOS réelle
Dans une structure MOS réelle, il faut tenir compte des charges piégées dans l’oxyde
et aux interfaces, ainsi que de la différence des travaux de sortie entre le métal et le semi-
conducteur. Lorsque la tension Vgs est nulle on n’est plus dans la situation des "bandes plates"
comme c’était le cas pour une structure idéale. Pour retrouver cette situation, on doit
appliquer entre grille et source la ddp VFB. On peut tenir compte de ces défauts en modifiant
l’expression de la tension de seuil :
2ε N a (φ + Vsb )
VT = VFB + φ +
C0 x
Remarque : Dans le procédé de fabrication d’un TMOS, on ajuste toujours la tension de seuil
à la valeur désirée par une implantation précise de charges.
FIG. 4.10 – Schéma équivalent petit signal du MOST
Comme pour le transistor bipolaire il est possible de faire fonctionner le transistor à effet de
champ en commutation mais à la grande différence que ces transistors ne sont pas commandés
par un courant mais par une tension en entrée.
Transistor MOS à canal N (N : comme négatif)

Le canal N ou P indique la polarité de la broche source du transistor
Symbole
Loi de fonctionnement :
Pour rendre le transistor passant il faut lui appliquer une tension VGS supérieure à sa tension de
pincement environ 1V. Pour conduire la tension VGS doit être positive

A l'état saturé la sortie du transistor (entre D et S) se comporte comme une résistance RDSON
de très faible valeur.
En appliquant une tension VGS inférieure à sa tension de pincement on bloque le transistor.
Transistor MOS à canal P (P : comme positif)
Loi de fonctionnement :
Pour rendre le transistor passant il faut lui appliquer une tension VGS inférieure à sa tension de
pincement environ -1V. Pour conduire la tension VGS doit être négative
A l'état saturé la sortie du transistor (entre D et S) se comporte comme une résistance RDSON
de très faible valeur.
En appliquant une tension VGS supérieure à sa tension de pincement on bloque le transistor.

Chapitre : Les transistors à effet de champ : Caractéristiques et paramètres de
fonctionnement
I. Introduction
Nous avons vu au chapitre précédent que le transistor à jonction était une source de courant
commandée par un courant. Cette caractéristique permet à ce type de composants d'amplifier
des signaux alternatifs.
Du point de vue théorique, on peut imaginer d'autres dispositifs similaires, mais caractérisés
par un mode d'attaque différent : par exemple, une source de courant commandée par une
tension. Le principe reste le même (une source commandée), seule la nature du signal de
commande change.
Cet objet théorique existe : la famille des transistors à effet de champ (Field Effect Transistor
en anglais, FET) répond à la définition précédente : ce sont des sources de courant
commandées en tension.
De ce point de vue, on conçoit aisément que l'étude des FET va être en tous points similaires à
celle des transistors à jonction, et ce, malgré un fonctionnement microscopique complètement
différent.
Il ne faudra donc surtout pas se polariser sur les différences de structure et de fonctionnement
prises du point de vue cristallographique, mais voir au contraire toutes les similitudes existant
avec le transistor à jonction : polarisation, conversion courant / tension, amplification en
régime des petits signaux
Ces similitudes sont dues aussi en grande partie au fait qu'on utilise les mêmes outils de
modélisation pour les deux composants.
II. Le transistor FET à jonction

A. Principe de fonctionnement
1. Constitution d'un FET.
De même qu'il existe deux types de transistors bipolaires (NPN et PNP), le FET à jonction (ou
JFET) est décliné en deux versions : le canal N et le canal P.
Le FET à jonction canal N est constitué d'une mince plaquette de silicium N qui va former le
canal conducteur principal. Cette plaquette est recouverte partiellement d'une couche de
silicium P de manière à former une jonction PN latérale par rapport au canal (Fig. 1.).

Fig. 1. FET à jonction à canal N (principe).
Le courant circulera dans le canal, rentrant par une première électrode, le drain et
sortant par une deuxième, la source . L'électrode connectée à la couche de silicium
P sert à commander la conduction du courant dans le canal ; on l'appelle la grille ,
par analogie avec l'électrode du même nom présente sur les tubes à vides.
Le transistor FET fonctionnera toujours avec la jonction grille-canal polarisée en

inverse.
2. Phénomène de pincement.
Tension drain-source nulle.
Pour simplifier le raisonnement, nous allons considérer dans un premier

temps un montage (Fig. 2.) où le canal est court-circuité (V DS = 0) et où la
grille est à un potentiel négatif par rapport au canal (jonction polarisée en
inverse).
Nous avons vu dans le chapitre consacré à la diode que le fait de polariser la

jonction en inverse créait une zone vide de porteurs, appelée zone de
déplétion : les trous de la zone P se recombinent avec les électrons de la
zone N, créant ainsi une zone neutre (il n'y a plus de porteurs pour assurer
la conduction électrique) d'épaisseur w = k|V GS |.
Fig. 2. Modulation de conductivité à V DS = 0.
Il reste dans le canal N une zone conductrice d'épaisseur (h-w). La

résistance entre drain et source sera alors égale à :
où b est la largeur du canal et sa résistivité. La résistance R DS varie donc
avec la tension (inverse) appliquée sur la jonction grille-canal. A la limite,
pour V GS = V P , appelée tension de pincement, la zone de déplétion ferme
le canal : il n'y a plus de porteurs, et la résistance entre source et drain tend
vers l'infini (Fig.3.) : c'est le phénomène de pincement.
Fig. 3. Phénomène de pincement.
Tension drain-source non nulle.
Si on reprend le montage précédent, et qu'en plus on applique une tension

positive entre le drain et la source, le gradient de potentiel présent tout le
long du barreau de silicium constituant le canal va modifier le profil de la
zone de déplétion. Vers le drain, la tension grille-canal sera supérieure (en
valeur absolue) à ce qu'elle est vers la source. En effet, on a la relation
(attention, tous les termes sont négatifs) :
En conséquence, la zone isolante présente une forme similaire à celle

donnée sur la figure 4.
Fig. 4. Modulation de conductivité pour V DS non nul.
Sur cette figure, le canal n'est pas complètement bouché. Si on augmente la

tension V DS , à V GS donnée, l'épaisseur isolante w 2 va augmenter ; à partir
d'une certaine tension V DS , correspondant à une largeur du canal très
faible, le courant va tendre vers une valeur constante, car deux phénomènes
contradictoires vont s'équilibrer :
- une augmentation de V DS devrait entraîner un accroissement du courant

dans le canal (loi d'ohm),
- mais cette augmentation de V DS va accroître la tension VDG, qui aura

pour effet d'agrandir la zone de déplétion et entraîner une diminution de la
largeur du canal, donc, de sa résistivité.
Un accroissement de la tension V DS ne va donc pas entraîner une

augmentation du courant dans le canal (le courant de drain), mais une
augmentation de la résistivité de ce canal. Le courant de drain va tendre
vers une valeur constante.
B. CARACTÉRISTIQUES.
A partir de ce qui a été dit dans le paragraphe précédent, on peut déjà deviner trois choses :
- Si V GS = V P , dans tous les cas, quelle que soit la tension V DS , le courant dans le canal
sera nul. En effet, une tension V DS non nulle ne fera que renforcer le phénomène de
pincement.
- Le courant de drain deviendra d'autant plus vite constant que la tension |V GS | sera plus
élevée.
- Le courant constant maximum sera obtenu pour une tension grille-source nulle.
Les caractéristiques du FET s'en déduisent aisément.
1. Caractéristique d'entrée.
Nous avons vu que le FET sera toujours utilisé avec une polarisation grille-canal
négative, soit V GS < 0. La caractéristique correspondante est donc celle d'un
interrupteur ouvert : courant nul quelque soit la tension appliquée. En pratique, on
aura un très léger courant de fuite caractéristique d'une jonction diode polarisée en
inverse. Ce courant double tous les 6°C pour le silicium. A température ambiante,
il sera inférieur au µA, et plutôt de l'ordre de quelques nA.
2. Caractéristiques de sortie et de transfert.
La figure 5 représente les caractéristiques de transfert I DS = f (V GS ) à gauche, et de

sortie I DS = f (V DS , V GS ) à droite.
Fig. 5. Caractéristiques du FET à jonction.
La caractéristique de sortie peut être décomposée en deux grandes zones :
- la partie correspondant au fonctionnement à courant constant (zone de

pincement), et qui servira à l'amplification de petits signaux de la même manière
que pour le transistor bipolaire.
- la zone ohmique (en grisé sur la figure 5.) : dans cette zone, le FET est
assimilable à une résistance dont la valeur est fonction de la tension V GS . On ne
représente que la partie positive de la caractéristique, mais en fait, le canal
conducteur peut laisser passer le courant dans les deux sens (c'est juste un barreau
de silicium conducteur, ce n'est pas une jonction. Le seul défaut qui limite les
valeurs négatives de V DS est le fait qu'au delà d'une certaine tension négative de
drain, la tension grille-drain devient positive, la jonction grille-canal étant alors
polarisée en direct ; le FET ne fonctionne plus correctement. Néanmoins, et à
condition de rester dans le domaine des petits signaux (quelques dizaines à
quelques centaines de mV), on peut considérer le FET comme une résistance dont
la valeur est pilotée en tension.
On notera que les caractéristiques de sortie ont une allure connue : on retrouve
celles du transistor bipolaire. La principale différence provient du mode d'attaque,
comme indiqué en introduction : le FET est commandé en tension, et non en
courant, comme l'est le bipolaire.
Ce réseau de courbes est borné en bas (I D = 0, V GS = V P ), et en haut (I D = I DSS ,

V GS = 0). I DSS est la valeur maxi de courant de drain qui pourra circuler dans le
composant. Cette valeur est de l'ordre de quelques mA à quelques dizaines de mA
pour les FETs courants. La tension de pincement V P est de l'ordre de quelques
volts (typiquement de -2 à -8V).
La zone ohmique est sensiblement différente de la zone de saturation du transistor

bipolaire. La fonction résistance commandée est spécifique au FET et ne peut pas
être réalisée de cette façon avec un transistor bipolaire.
Pour une même référence de FET (2N3819 par exemple), la dispersion de I DSS et
V P sera très importante, plus encore que la dispersion observée pour les
caractéristiques des transistors bipolaires. Ceci fait que ces transistors ne pourront
pas être utilisés sans précautions dans des montages pointus, ni à plus forte raison,
dans des montages de précision.
La caractéristique de transfert I DS = f (V GS ) résume bien les limites du FET :
courant de drain nul pour une tension V GS égale à la tension de pincement V P , et
courant maxi I DSS pour une tension V GS nulle. La courbe est assez bien approximée
par une parabole d'équation :
La dérivée de cette loi va nous renseigner sur l'aptitude du transistor à amplifier :

en effet, pour un courant I DS donné, la dérivée (qu'on appelle judicieusement la
pente du FET) va être égale à :
Cette pente est le rapport de la variation du paramètre de sortie (I DS ) et du

paramètre d'entrée (V GS ) ; elle est bien représentative de l'amplification d'un signal
d'entrée. La valeur maximum, atteinte pour V GS = 0, vaut :
On peut alors exprimer l'équation [4] sous la forme condensée suivante :
La pente du FET est en moyenne relativement faible, soit quelques mA/V, au

mieux quelques dizaines de mA/V. Elle dépend de la tension V GS (la tension de
polarisation) : comme pour le transistor bipolaire, l'amplification ne sera pas
linéaire ; on fera là aussi des hypothèses de fonctionnement en petits signaux.
On peut d'ailleurs faire un parallèle avec l'amplification du transistor bipolaire. A

elle seule, la caractéristique de transfert du FET correspond à la caractéristique
globale entrée + transfert du bipolaire. En effet, dans ce dernier, la vraie
caractéristique de transfert est une transformation courant-courant I C =f (I B ), la
caractéristique d'entrée opérant la conversion tension-courant. De ce point de vue,
on peut considérer le bipolaire comme un générateur de courant commandé en
tension (la différence avec le FET est qu'il consomme du courant). La pente du
transistor bipolaire (le rapport I C / V BE ) vaut alors :
Pour un courant collecteur de 1,3mA et un de 150, le h 11e vaut 3k , ce qui fait une
pente d'environ 50mA/V.
La pente du transistor bipolaire est environ 5 à 10 fois plus élevée que celle d'un
FET typique. L'amplification qu'on pourra attendre d'un FET sera plus faible que
celle obtenue dans les mêmes conditions avec un bipolaire.
C. REPRÉSENTATION. SCHÉMA ÉQUIVALENT.
1. Symboles des FETs.
Le FET est représenté par les symboles suivants :
Fig. 6. Symboles électriques des FETs.
La flèche représente la jonction grille / canal, et son sens indique quel serait le sens
du courant si la jonction était passante.
Pour le FET canal N, le courant I D circulera dans le sens représenté sur la figure 6,
la tension V DS sera positive et la tension V GS négative.
Pour le FET canal P, la tension V DS sera négative et la tension V GS positive. Le

courant de drain circulera de la source vers le drain.
2. Schéma équivalent en petits signaux.
Ce schéma, comme pour le transistor bipolaire, concerne un composant

convenablement polarisé : le fonctionnement se fera dans la zone de pincement.
On construit le schéma équivalent de la même manière que pour le transistor

bipolaire.
Fig. 7. Schéma équivalent alternatif petits signaux.
Le schéma fig. 7. est celui relatif au FET canal N. L'entrée se fait sur la grille. On
note un trou entre grille et source : l'impédance grille-source est très élevée, on la
considère en première approximation comme infinie. En sortie, on retrouve les
mêmes éléments que pour le transistor bipolaire : une source de courant
(commandée par la tension V GS , et non par un courant), et sa résistance parallèle .
Comme pour le transistor bipolaire, cette résistance est très élevée (plusieurs
centaines de k ), et on la négligera dans toutes les applications courantes.
D. MONTAGE SOURCE COMMUNE.
Ce montage est le pendant du montage émetteur commun pour le bipolaire. Le

fonctionnement sera donc totalement similaire. Un montage drain commun existe aussi,
qui est le pendant du montage collecteur commun du bipolaire ; ce montage n'a toutefois
que peu d'intérêt, car le FET est un composant à très forte impédance d'entrée, et ce, on va
le voir, même lorsqu'il est utilisé en source commune.
Nous allons voir le montage source commune pour le FET de type N. Le montage à canal
P s'en déduit aisément.
1. Polarisation.
Il faut tout d'abord noter que la zone ohmique est relativement étendue, surtout vers
les fortes valeurs de I DS . On veillera à polariser le composant pour que la tension
de repos V DSo ne soit pas trop faible, de manière à ce qu'il fonctionne dans la zone
générateur de courant .
Fig. 8. Montage source commune.
Nous avons vu lors de l'explication du principe de fonctionnement du FET que le

bon fonctionnement nécessitait une alimentation positive pour polariser le canal
drain-source, et une alimentation négative pour polariser la grille par rapport à la
source. Ce raisonnement est valable si on place la source à la masse.
En pratique, on va relier la grille à la masse par une résistance de forte valeur ;

comme le courant qui circule dans la grille est très faible (courant de fuite), le
potentiel de la grille va être pratiquement nul. Il reste à trouver une astuce pour
mettre la source à un potentiel positif, ce qui fera V SG positif, donc V GS négatif.
Pour ce faire, on intercale une résistance entre la source et la masse. Le courant de
drain va circuler dans cette résistance et élever le potentiel de la source par rapport
à la grille. Deux phénomènes vont alors se contrarier :
- Le courant de drain est maxi pour V GS = 0 ; au démarrage, on aura donc un fort

courant dans la résistance de source, donc une forte tension.
- mais, au fur et à mesure que la tension va augmenter, la tension |V GS | va
augmenter aussi, ce qui va avoir pour effet de limiter le courant de drain.
Les deux phénomènes vont s'équilibrer. La valeur du courant de drain va dépendre

des caractéristiques du FET (I DSS et V P ), et de la résistance de source : c'est cette
dernière qui nous permettra d'ajuster le courant de drain.
La tension de polarisation sur R S sera de l'ordre de quelques volts (typiquement 1 à

3V).
Il ne reste plus qu'à alimenter le drain à l'aide d'une source de tension, en

intercalant une résistance R D qui aura pour fonction (comme pour le montage
émetteur commun du bipolaire) la conversion courant / tension permettant
d'exploiter le signal de sortie.
On choisira le courant de drain (ou la résistance R D ) de manière à ce que la chute

de tension dans cette résistance soit égale à la tension de polarisation V DSo , ceci
pour assurer un maximum de dynamique au signal alternatif.
On rajoute un condensateur de découplage C D sur R S pour que la source soit

effectivement à la masse en alternatif. Sans ce condensateur, on aurait un effet de
contre réaction qui affaiblirait beaucoup le gain en tension.
Vu que la grille est au même potentiel que la masse (autant dire zéro !), le
générateur d'entrée, s'il délivre uniquement un signal alternatif, peut être couplé
directement à la grille, sans condensateur de liaison. La sortie se faisant sur le
drain, en revanche nécessite un condensateur de liaison pour ne pas perturber les
étages avals.
2. Fonctionnement en petits signaux.
Nous avons vu que la caractéristique de transfert du FET n'est pas linéaire : nous
allons donc être obligés de travailler en petits signaux pour pouvoir linéariser le
montage et utiliser les lois fondamentales de l'électricité.
Schéma équivalent.
Le schéma équivalent se construit de la même manière que pour les

montages à transistors bipolaires. On utilise le schéma équivalent du FET
de la figure 7, et on obtient :
Fig. 9. Schéma équivalent en alternatif petits signaux.
Ce schéma est très similaire à celui de l'émetteur commun du transistor

bipolaire. La différence essentielle est que le générateur de courant est
commandé par la tension V GS , et non pas par un courant i b .
Gain en tension.
Les équations sont quasiment triviales. En entrée, on a :
En sortie, si on néglige , dont la valeur est très élevée vis à vis de R D , on a

:
On en tire aisément le gain en tension à vide :
Ce gain a une valeur relativement faible, due au fait que g ne dépasse guère
la dizaine de mA/V : on aura des valeurs comprises entre 10 et 50 environ.
On peut faire l'analogie avec le montage émetteur commun en bipolaire,

dont le gain était égal à -38,5 I Co R C . Le terme 38,5 I Co avait été appelé la
pente du transistor. R C a la même fonction que le R D du montage à FET,
R
et pour des valeurs identiques de tension d'alimentation et de courant de

drain / collecteur (par exemple 1mA), leur valeur sera la même. La
différence se fera donc sur la pente, soit 38,5 mA/V pour le bipolaire contre
5 mA/V en typique pour le FET.
La solution est triviale :
On veillera à ne pas choisir une valeur trop élevée tout de même pour que la
chute de tension occasionnée par le courant de fuite de la grille soit
négligeable. On choisira typiquement une valeur de l'ordre de quelques M
. L'avantage sur les montages à bipolaires est évident.
On se retrouve exactement dans le même cas de figure que pour le montage
émetteur commun du bipolaire. En opérant la même transformation norton-
thévenin que pour ce dernier montage, on trouve :
Cette valeur est moyenne, R D valant typiquement quelques k . On ne

pourra généralement pas utiliser ce montage sans un étage adaptateur
d'impédance en aval.
E. UTILISATION EN RÉSISTANCE COMMANDÉE.
Si on utilise le FET dans la zone ohmique, on peut faire varier la résistance du canal en
modifiant la tension V GS . Le FET est utilisé dans un montage potentiométrique (diviseur
de tension) mettant en jeu la résistance R DS du canal et une résistance additionnelle R.
Sur le schéma figure 10, on remarque un réseau r-r-C reliant le drain à la grille et à la
commande. On pourrait appliquer directement la tension V C sur la grille, mais en rajoutant
ce réseau, on améliore la linéarité, notamment pour des tensions V E , donc V S négatives :
en effet, on a déjà vu que dans ce cas, la jonction grille-canal est polarisée en direct, et le
FET ne travaille pas convenablement. En appliquant sur la grille la moitié de la tension
alternative présente sur le drain, on améliore sensiblement la linéarité et la tension maxi
d'utilisation du FET en résistance commandée. Cette tension maxi demeure faible
(quelques dizaines à quelques centaines de mV).
Fig. 10. Utilisation en résistance commandée.
Cette fonction est utilisée en particulier dans des amplificateurs à commande automatique
de gain (CAG), qui permettent de garantir un niveau de sortie constant avec un niveau
d'entrée fluctuant (exemple : réglage automatique du niveau d'enregistrement des
magnétophones à cassette audio bon marchés).
Une autre application déduite de la fonction résistance commandée est le commutateur

analogique : si on applique une tension supérieure ou égale en valeur absolue à la tension
de pincement V P sur la commande, la résistance de drain va devenir très grande (quelques
M ). Si on choisit pour R une valeur moyenne (quelques dizaines de k ), la tension V S
sera quasiment égale à la tension V E : tout le signal passe.
Si on applique maintenant une tension nulle sur la grille, la résistance du FET sera
minimum (quelques centaines d'ohms), et la tension V S sera quasiment nulle.
On a ainsi réalisé un commutateur analogique. Cette fonction est très utilisée sous forme
de circuits intégrés et permet le multiplexage de signaux analogiques, une fonction
indispensable pour les dispositifs d'acquisition de données.
F. SOURCE DE COURANT.
Fig. 11. Source de courant à deux bornes.
On a vu lors de la polarisation du montage source commune comment procéder pour

obtenir un courant de polarisation de drain constant. L'ajustage de la résistance de source
définit le courant de drain. Si on retire du montage source commune la résistance de drain,
on se retrouve avec un dispositif à deux bornes susceptible de garantir un courant constant
dans le circuit sur lequel il sera branché.
Des circuits intégrés existent, qui comprennent le FET et sa résistance de polarisation (la
résistance de grille est ici inutile), et qui peuvent servir de sources de courant préréglées.
Des restrictions limitent toutefois leur usage :
- le composant est polarisé : le courant ne peut circuler que dans un seul sens.
- ce dispositif ne génère pas de courant, il le régule (comme la zéner régule une tension).
- la tension appliquée entre les deux bornes du composant doit être au moins supérieure à
la tension V GS de polarisation permettant le fonctionnement du FET dans sa zone de
pincement.
G. DOMAINE D'UTILISATION.
De par sa constitution, le FET à jonction n'est pas adapté du tout aux forts courants. Il va
rester cantonné aux applications d'amplification et de traitement des petits signaux.
Il est utilisé dans des montages à haute impédance d'entrée et faible bruit :
préamplificateurs pour signaux de faible niveau par exemple.
La fonction résistance commandée est beaucoup utilisée. Il y a bien sûr des restrictions
d'utilisation : la portion de caractéristique ohmique est linéaire pour des faibles variations
de tension (guère plus de 100mV), ce qui nécessite des précautions de mise en œuvre .
Mais, le JFET, de par la dispersion de ses caractéristiques d'un composant à l'autre reste
difficile à maîtriser dans des montages à composants discrets. On a intérêt à les trier si on
désire un résultat fiable et répétable.
Dans ces conditions, l'utilisation la plus importante qui est faite de ces transistors est
l'intégration dans des composants tels les amplificateurs opérationnels : la très forte
impédance d'entrée des JFET leur donne un avantage décisif par rapport aux bipolaires, et
aujourd'hui, la plupart des ampli-op de qualité possèdent au minimum un étage d'entrée en
JFET.
Pour ce qui est du volet puissance, il existe un autre composant très bien adapté : le
MOSFET.
III. LE TRANSISTOR MOS FET.
Les transistors à MOSFET reprennent plusieurs caractéristiques de FETs à jonction : ils se

déclinent en deux versions, le canal N et le canal P, et les électrodes vont aussi s'appeler drain,
source et grille, leur fonction étant la même que pour les JFETs.
A. LE MOSFET À CANAL INDUIT.
1. Description.
Dans un substrat faiblement dopé P, on insère deux zones N fortement dopées. Ces
deux zones seront la source et le drain du MOSFET ; elles sont distantes d'une
dizaine de µm (séparées par le substrat P). La source est généralement reliée au
substrat.
La grille n'est pas directement reliée au substrat P ; elle en est isolée par
l'intermédiaire d'une très fine (quelques nm) couche d'isolant (de l'oxyde de
silicium). Cette caractéristique donne son nom au MOSFET : Metal Oxyde
Semiconductor.
La grille est ainsi isolée du substrat : le courant de grille sera nul en continu.
Fig. 12. Schéma de principe d'un MOSFET canal N.

2. Principe de fonctionnement.
Si V GS = 0, aucun courant de drain ne passera, car le circuit source-drain est

composé de deux jonctions en série, l'une PN, l'autre NP : il y en aura toujours une
en inverse.
Lorsqu'on applique une tension V GS positive, l'électrode de grille, l'isolant et le

substrat P forment un condensateur.
Fig. 13. Phénomène d'inversion.
Les électrons (porteurs minoritaires du substrat P) sont alors attirés vers la grille.
Pour une tension V GS suffisamment élevée (tension de seuil), la concentration en
électrons dans le substrat est supérieure à la concentration en trous au voisinage de
la grille ; on a alors une couche N dite couche d'inversion entre les zones N de la
source et du drain. Les deux jonctions disparaissent, on n'a plus qu'un canal N, et le
courant peut passer entre drain et source.
Mais, pour une tension V DS supérieure à V GS , on annule la tension grille-drain, et

donc l'effet condensateur : on a un phénomène de pincement du canal induit N
comme pour le JFET. Le courant de drain tend alors vers une valeur constante, de
la même manière que pour le JFET.
Ce mode de fonctionnement est appelé à enrichissement , car une tension V GS

positive enrichit le canal en porteurs minoritaires, permettant le passage du
courant.
3. Caractéristiques.
Fig. 14. Caractéristique de sortie du MOS canal N.
La caractéristique de sortie est similaire à celle d'un JFET, sauf que le courant de
drain pourra atteindre plusieurs ampères pour des composants de puissance. On
note la zone en fonctionnement ohmique, tout à fait similaire à celle des JFETs, et
permettant les mêmes applications.
La caractéristique de transfert a la forme suivante :
Fig. 15. Caractéristique de transfert du MOS canal N.
Cette caractéristique de transfert est appelée la transconductance du MOS, et est

exprimée en siemens (S). Pour des MOS de puissance, elle vaut plusieurs siemens
(1 à 10 typiquement), soit des valeurs beaucoup plus importantes que pour les
JFETs (quelques mS).
La tension de seuil atteint plusieurs volts (1 à 3 typique). Ce seuil varie avec la

température.
B. LE MOSFET À CANAL INITIAL.
1. Description du principe de fonctionnement.
Le MOSFET à canal initial a la même structure que le MOS à canal induit, avec en
plus, un canal faiblement dopé N entre la source et le drain.
Pour V GS nulle, Ce transistor fonctionne comme un JFET : un courant de drain

pourra circuler ; quand V DS augmente, un phénomène de pincement se produit, qui
obstrue le canal : le courant de drain devient constant.
Si V GS est inférieure ou égale à 0, on accélère le pincement (le condensateur formé

par la grille, l'isolant et le canal attire des trous dans le canal initial qui neutralisent
les électrons de cette zone N) : on fonctionne en régime d'appauvrissement.
Au contraire, pour V GS supérieure à 0, on retrouve le fonctionnement du MOS à

canal induit, et le courant de drain va croître.
Fig. 16. MOSFET N à canal initial..
2. Caractéristiques.
La caractéristique de transfert est la suivante :
Fig. 17. Caractéristique de transfert d'un MOS à canal initial
C. UTILISATION DES MOSFETs.
De par leur constitution, les transistors MOS sont très fragiles, notamment au niveau de la
grille. Les décharges électrostatiques sont à proscrire, car elles peuvent casser le
composant, ou pis, l'endommager sans que ses caractéristiques ne changent : c'est la
fiabilité qui est compromise.
1. MOSFET de puissance.
Les MOS servent beaucoup en commutation de puissance, car ils sont très rapides
et commandables en tension. On notera toutefois qu'à fréquence élevée, la grille
formant un condensateur avec le substrat, elle ne présente plus une impédance
infinie, comme en statique !
Quand ils sont passants, ils fonctionnent dans la zone ohmique, et leur
caractéristique essentielle est, avec la tension V DS maxi, la résistance R DS , qui peut
être aussi basse qu'une dizaine de m .
2. Intégration dans les composants numériques.
La technologie MOS se prête très bien à l'intégration à grande échelle : elle permet
de réaliser des composants logiques consommant très peu de courant, et permet
ainsi un très grand niveau d'intégration (exemple : mémoires, microprocesseurs,
circuits logiques divers ) Les transistors MOS sont utilisés ici en commutation.

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Cours d’Electronique Analogique

Dr. Pascal NTSAMA ELOUNDOU

Octobre 2011 1 Pascal NTSAMA ELOUNDOU

Université de Ngaoundéré - Département de Physique – Faculté des Sciences

1.1 Nature et origine des porteurs de charges

Octobre 2011 2 Pascal NTSAMA ELOUNDOU

Université de Ngaoundéré - Département de Physique – Faculté des Sciences

a) Définition du concept de trou

b) Métaux semi-conducteurs et isolants

Octobre 2011 3 Pascal NTSAMA ELOUNDOU

Université de Ngaoundéré - Département de Physique – Faculté des Sciences

Octobre 2011 4 Pascal NTSAMA ELOUNDOU

Université de Ngaoundéré - Département de Physique – Faculté des Sciences

et p=∫ N ( E ) [1 − f ( E ) ] dE p : nombre moyen des trous

Nv représente la densité effective dans la bande de valence et NC la densité effective dans la

On pose n p = ni2 , on a : ni2 = N C N v e KT

Octobre 2011 5 Pascal NTSAMA ELOUNDOU

Université de Ngaoundéré - Département de Physique – Faculté des Sciences

D’après les équations (9) et (10), on vérifie que :

Equation de neutralité – Calcul de n et de p

Université de Ngaoundéré - Département de Physique – Faculté des Sciences

Octobre 2011 7 Pascal NTSAMA ELOUNDOU

Université de Ngaoundéré - Département de Physique – Faculté des Sciences

1.3.4 Relation d’Einstein

1.3.5 Equation d’équilibre d’un cristal semi-conducteur

D p u

Octobre 2011 8 Pascal NTSAMA ELOUNDOU

Université de Ngaoundéré - Département de Physique – Faculté des Sciences

Octobre 2011 9 Pascal NTSAMA ELOUNDOU

Université de Ngaoundéré - Département de Physique – Faculté des Sciences

Il existe essentiellement deux types de jonctions : la jonction abrupte et la jonction graduelle.

Dans une jonction graduelle, le passage de la région P ou N à la région N ou P est graduelle et

2.1 La jonction P-N en équilibre thermodynamique

2.1.1 Tension de diffusion

Octobre 2011 10 Pascal NTSAMA ELOUNDOU

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Octobre 2011 11 Pascal NTSAMA ELOUNDOU

Université de Ngaoundéré - Département de Physique – Faculté des Sciences

2.2 Générations – recombinaison

Deux principaux mécanismes sont à l’origine de l’apparition et de la disparition des porteurs

Université de Ngaoundéré - Département de Physique – Faculté des Sciences

La génération à une paire d’électron – trou correspond à la rupture d’une liaison de

2.3 Semi-conducteurs hors équilibre

Boltzmann, on admet que ( np ) j = n e e UT

Durée de vie des porteurs minoritaires

Octobre 2011 13 Pascal NTSAMA ELOUNDOU

Université de Ngaoundéré - Département de Physique – Faculté des Sciences

2.4 Caractéristiques courant – tension des jonctions P-N

Hypothèses pour une jonction hors équilibre

Université de Ngaoundéré - Département de Physique – Faculté des Sciences

Université de Ngaoundéré - Département de Physique – Faculté des Sciences

2.4.1 Jonction P+N sans recombinaison

2.4.1.1 Calcul des caractéristiques courant – tension

Octobre 2011 16 Pascal NTSAMA ELOUNDOU

Université de Ngaoundéré - Département de Physique – Faculté des Sciences

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La région N étant supposée quasi-neutre, la concentration totale n = ND + P

En général, D p dépend peu de x ⇒ Dp = D p

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Pour une jonction de surface S, le courant réellement observé est : I = jS = I S (e − 1) .

Si Va < 0, alors I = -IS, on dit que la diode est en inverse.

b) Cas des forts niveaux de polarisation

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