Transistors en régime dynamique

I. Transistors bipolaires
1. Introduction
Après avoir étudié l’état du transistor en régime statique, on se propose de
déterminer son état en régime dynamique pour pouvoir dériver ses propriétés et
ses applications. Le régime dynamique est celui où les variables définissant l’état
du transistor sont dépendantes du temps.

𝑖𝐶 𝑡
𝑖 𝑡
Le point de fonctionnement devient ainsi : 𝑀 𝑡 = 𝑏
𝑣𝑐𝑒 𝑡
𝑣𝑏𝑒 (𝑡

 Notation
 Toute grandeur indépendante du temps est notée en majuscule
 Toute grandeur dépendante du temps est notée en minuscule
Ainsi les points de fonctionnement en régimes statique et dynamique seront notés :

𝐼𝐶 𝑖𝐶
𝐼 𝑖
Point de repos statique : 𝑀 = 𝑉𝐵 Point de repos dynamique : 𝑀 𝑡 = 𝑣𝑏
𝐶𝐸 𝑐𝑒
𝑉𝐵𝐸 𝑣𝑏𝑒

2. Superposition des deux régimes : statique et dynamique

𝑒 𝑡 = 𝐸 sin ⍵𝑡
𝑣𝑒 𝑡 = 𝑒 𝑡 + 𝑉𝐵𝐵
  Point de repos en régime statique : 𝑒 𝑡 = 0
Le montage devient :

Maille d’entrée : 𝑽𝑩𝑩 = 𝑹𝑩 𝑰𝑩 + 𝑽𝑩𝑬 (I)

Maille de sortie : 𝑽𝑪𝑪 = 𝑹𝑪 𝑰𝑪 + 𝑽𝑪𝑬 (II)
En reportant ces deux droites sur les réseaux des caractéristiques du transistor bipolaire,
on obtient le point de fonctionnement statique :
𝐼𝐶
𝐼
𝑀= 𝐵
𝑉𝐶𝐸
𝑉𝐵𝐸
 Point de repos en régime dynamique : 𝑒 𝑡 ≠ 0

Maille d’entrée : 𝑽𝑩𝑩 + 𝒆(𝒕 = 𝑹𝑩 𝒊𝒃 + 𝒗𝒃𝒆 (III)

Maille de sortie : 𝑽𝑪𝑪 = 𝑹𝑪 𝒊𝒄 + 𝒗𝒄𝒆 (IV)

Remarque

 Les droites (II) et (IV) sont identiques, donc la droite de charge statique est
confondue à la droite de charge dynamique.
 Les droites (I) et (III) ont même coefficient directeur, elles sont donc
parallèles.
 La droite (III) se déplace parallèlement à elle-même selon la valeur de :
𝑠𝑖𝑛 ⍵ 𝑡 , elle est limitée par la droite maximale (𝐷1 obtenue lorsque
𝑠𝑖𝑛 ⍵ 𝑡 = 1 et la droite minimale (𝐷2 obtenue lorsque 𝑠𝑖𝑛 ⍵ 𝑡 = −1
 𝑣𝑏𝑒 𝑉𝐵𝐵+ 𝐸
La droite (𝐷1 est donc donnée par : 𝑖𝑏 = − +
𝑅𝐵 𝑅𝐵

𝑣𝑏𝑒 𝑉𝐵𝐵− 𝐸
La droite (𝐷2 est donc donnée par : 𝑖𝑏 = − +
𝑅𝐵 𝑅𝐵

Soit (𝐷0 la droite statique obtenue lorsque : 𝑠𝑖𝑛 ⍵ 𝑡 = 0, (𝐷0 est définit par :

𝑉𝐵𝐸 𝑉𝐵𝐵
𝐼𝐵 = − +
𝑅𝐵 𝑅𝐵

Le tracé des droites statiques sur le réseau des caractéristiques définit le point de repos dynamique.
La projection du point de fonctionnement sur chacun des axes, permet le tracé des signaux coordonnés du point de
repos : 𝑖𝑏 𝑡 , 𝑖𝑐 𝑡 , 𝑣𝑏𝑒 𝑡 𝑒𝑡 𝑣𝑐𝑒 𝑡 .

• La projection orthogonale sur l’axe 𝑉𝐵𝐸

• La projection orthogonale sur l’axe 𝐼𝐵
• La projection orthogonale sur l’axe 𝐼𝐶
• La projection orthogonale sur l’axe 𝑉𝐶𝐸
Remarque :

 Les signaux 𝑖𝑏 𝑡 , 𝑖𝑐 𝑡 , 𝑣𝑏𝑒 𝑡 𝑒𝑡 𝑣𝑐𝑒 𝑡 ne sont sinusoïdaux que si on travaille en régime des
petits signaux, sinon il y aura distorsion des signaux.
 La distorsion est plus marquée lorsque les ponts extrêmes 𝑀1′ 𝑀2′ se trouvent dans la zone de
fonctionnement non linéaire : Zone de blocage et de saturation
Exemple:
3. Modèle dynamique du transistor bipolaire

En régime dynamique et en fonctionnement linéaire les signaux 𝑖𝑏 𝑡 , 𝑖𝑐 𝑡 , 𝑣𝑏𝑒 𝑡 𝑒𝑡 𝑣𝑐𝑒 𝑡 sont

sinusoïdaux et oscillent autour du point de repos statique.

 Le transistor vu de la sortie

La sortie en régime variable est donnée par :

𝑽𝑪𝑪 = 𝑹𝑪 𝒊𝒄 + 𝒗𝒄𝒆 (IV)

La sortie en régime statique est donnée par :

𝑽𝑪𝑪 = 𝑹𝑪 𝑰𝑪 + 𝑽𝑪𝑬 (II)

(IV) -(II) donne :

0 = 𝑅𝐶 (𝑖𝑐 −𝐼𝐶 + (𝑣𝑐𝑒 −𝑉𝐶𝐸

𝑉𝑎𝑟𝑖𝑎𝑡𝑖𝑜𝑛 𝑎𝑢𝑡𝑜𝑢𝑟 𝑉𝑎𝑟𝑖𝑎𝑡𝑖𝑜𝑛 𝑎𝑢𝑡𝑜𝑢𝑟
𝑑𝑒 𝐼𝐶 𝑑𝑒 𝑉𝐶𝐸
Si on choisit comme origine le point de repos statique ( 𝐼𝐶 = 0 𝑒𝑡 𝑉𝐶𝐸 = 0), on obtient :

0 = 𝑅𝐶 𝑖𝑐 + 𝑣𝑐𝑒 → 𝑣𝑐𝑒 = −𝑅𝐶 𝑖𝑐

Le modèle dynamique de la sortie du transistor est donc donnée par :

 Le transistor vu de l’entrée

L’entrée en régime variable est donnée par :

𝑽𝑩𝑩 + 𝒆(𝒕 = 𝑹𝑩 𝒊𝒃 + 𝒗𝒃𝒆 (III)

La sortie en régime statique est donnée par :

𝑽𝑩𝑩 = 𝑹𝑩 𝑰𝑩 + 𝑽𝑩𝑬 (I)

(III) - (I) donne :

𝑒(𝑡 = 𝑅𝐵 (𝑖𝑏 −𝐼𝐵 + (𝑣𝑏𝑒 −𝑉𝐵𝐸

𝑉𝑎𝑟𝑖𝑎𝑡𝑖𝑜𝑛 𝑎𝑢𝑡𝑜𝑢𝑟 𝑉𝑎𝑟𝑖𝑎𝑡𝑖𝑜𝑛 𝑎𝑢𝑡𝑜𝑢𝑟
𝑑𝑒 𝐼𝐵 𝑑𝑒 𝑉𝐵𝐸

Si on choisit comme origine le point de repos statique ( 𝐼𝐵 = 0 𝑒𝑡 𝑉𝐵𝐸 = 0), on obtient :

𝑒(𝑡 = 𝑅𝐵 𝑖𝑏 + 𝑣𝑏𝑒

Le modèle dynamique de l’entrée du transistor est donc donnée par :

Conclusion

Pour obtenir le schéma équivalent en régime dynamique d’un circuit quelconque la

première étape consiste à court-circuiter toutes les tensions continues.

Pour le cas du circuit de la figure 1, le schéma équivalent devient :

4. Régime des petits signaux et schéma équivalent d’un du transistor bipolaire

Lorsque les variations d’une grandeur par rapport au point de repos sont de faible amplitude, on dit

que le système fonctionne en régime des petits signaux (régime linéaire). Dans ce cas le transistor

peut être assimilé à un quadripôle linéaire et peut ainsi être caractérisé par les quatre grandeurs 𝑖𝑒 ,

𝑖𝑠 , 𝑣𝑒 𝑒𝑡 𝑣𝑠 . Ces variables ne sont pas indépendantes, la connaissance de deux entraine la

détermination des deux autres.

𝑣𝑒 = 𝑓(𝑖𝑒 , 𝑣𝑠
Représentation hybride
𝑖𝑠 = 𝑓(𝑖𝑒 , 𝑣𝑠
Ou encore :
𝑣𝑒 = ℎ11 𝑖𝑒 + ℎ12 𝑣𝑠
𝑖𝑠 = ℎ21 𝑖𝑒 + ℎ22 𝑣𝑠
 Cas du transistor bipolaire à émetteur commun :

𝑣𝑏𝑒 = ℎ11 𝑖𝑏 + ℎ12 𝑣𝑐𝑒

𝑖𝑐 = ℎ21 𝑖𝑏 + ℎ22 𝑣𝑐𝑒
5. Signification physique des différents paramètres
𝑣𝑏𝑒
 ℎ11 = 𝑣𝑐𝑒 = 0 : Impédance d’entrée à sortie court-circuitée.
𝑖𝑏

𝑖𝑐
 ℎ21 = 𝑣𝑐𝑒 = 0 : Gain en courant à sortie court-circuitée.
𝑖𝑏

∆𝐼𝐶
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐶 + (𝛽 + 1 𝐼𝐶𝐵0 → 𝑉𝐶𝐸=𝐶𝑡𝑒 = 𝜷 = 𝒉𝟐𝟏
∆𝐼𝐵

𝑣𝑏𝑒
 ℎ12 = 𝑖𝑏 = 0 : Coefficient de réaction interne à entrée ouverte.
𝑣𝑐𝑒

𝑖𝑐
 ℎ22 = 𝑖𝑏 = 0 : Admittance de sortie à entrée ouverte.
𝑣𝑐𝑒

 Pente d’un transistor

𝑣𝑏𝑒 = ℎ11 𝑖𝑏
Lorsque la sortie est court-circuitée (𝑣𝑐𝑒 = 0 : , la pente du transistor est définit par :
𝑖𝑐 = ℎ21 𝑖𝑏
𝑖𝑐 ℎ21 𝜷
𝑔𝑚 = = → 𝒈𝒎 =
𝑣𝑏𝑒 ℎ11 𝒉𝟏𝟏
 Cas du transistor bipolaire à collecteur commun :

𝑣𝑏𝑐 = ℎ11𝑐 𝑖𝑏 + ℎ12𝑐 𝑣𝑒𝑐

(−𝑖𝑒 = ℎ21𝑐 𝑖𝑏 + ℎ22𝑐 𝑣𝑒𝑐
 Cas du transistor bipolaire à base commune :

𝑣𝑒𝑏 = ℎ11𝑏 (−𝑖𝑒 + ℎ12𝑏 𝑣𝑐𝑏

𝑖𝑐 = ℎ21𝑏 (−𝑖𝑒 + ℎ22𝑏 𝑣𝑐𝑏
6. Relations entre les différentes représentations hybrides

Les paramètres hybrides ℎ𝑖𝑗𝑒 généralement notés ℎ𝑖𝑗 sont donnés par le constructeur, il revient

donc à chaque fois que les représentations hybrides à base commune ou à collecteur commun

sont adoptées d’exprimer les paramètres ℎ𝑖𝑗𝑏 et ℎ𝑖𝑗𝑐 en fonction des paramètres disponibles ℎ𝑖𝑗𝑒 .

En exploitant les deux relations suivantes, il est facile de déterminer les paramètres ℎ𝑖𝑗𝑏 et ℎ𝑖𝑗𝑐

en fonction de ℎ𝑖𝑗𝑒 :

𝑖𝑒 = 𝑖𝑐 + 𝑖𝑏
𝑣𝑏𝑒 = 𝑣𝑏𝑐 + 𝑣𝑐𝑒

Ce qui conduit au tableau suivant :

7. Amplificateurs à transistors bipolaires
• Les Condensateurs

La plupart des condensateurs dans les circuits à transistors sont :

- Des condensateurs de liaisons (couplage), leur rôle est de séparer l’étage d’amplification de la
source d’entrée et de la charge en régime statique. Sinon, il y aurait changement de la polarisation
initiale du transistor. Par contre, ils doivent laisser passer les signaux en régime dynamique.
Généralement, ces condensateurs sont choisis assez grands pour que les signaux d’une fréquence
donnée passent à travers eux sans être trop affaiblis.
- Des condensateurs de découplage permettent de lier l’électrode en question directement à la masse
sans changer la polarisation du transistor. Le module de l’impédance du condensateur de découplage
doit être assez petit aux fréquences considérées.
- Un autre type de condensateur peut apparaitre en hautes fréquences, ce sont les condensateurs
parasites.
Pour un domaine de fréquence donné, un condensateur de liaison transmet un signal alternatif d’un point à
l’autre :

Un condensateur idéal arrête totalement le courant continu, il est donc assimilé à un circuit ouvert. En
régime dynamique, il se comporte comme étant un court-circuit.
 Schéma équivalent simplifié du transistor bipolaire

Placé dans un montage en fonctionnement normal, la source de tension ℎ12 𝑣𝑐𝑒 ≪ ℎ11 𝑖𝑏

(ℎ12 ≈ 10−4 → 10−3 ). Si en plus la résistance de charge connectée entre le collecteur et l’émetteur est
1
faible devant , on obtient le schéma simplifié du transistor ci-dessous :
ℎ22
8. Amplificateur Emetteur commun
8.1. Amplificateur émetteur commun sans résistance d’émetteur

1
L’étude sera faite en moyennes fréquences, on suppose que : 𝑅𝐶 ≪ , ℎ12 𝑣𝑐𝑒 ≪ ℎ11 𝑖𝑏 et que
ℎ22

𝑅𝐵 ≡ 𝑅1 //𝑅2
Les condensateurs 𝐶1 𝑒𝑡 𝐶2 sont des condensateurs de liaisons. Ils se comportent comme étant des courts-
circuits, le schéma équivalent devient :

Les paramètres d’amplification sont :

𝑣𝑒 𝑅𝐵 ℎ11
 Impédance d’entrée du montage : 𝑅𝑒 = =
𝑖𝑒 𝑅𝐵 +ℎ11

𝑣𝑒
 Impédance d’entrée du transistor : 𝑅𝑒𝑇 = = ℎ11
𝑖𝑏

𝑣𝑠
 Gain en tension : 𝐴𝑣 =
𝑣𝑒
𝑣𝑠 = −𝛽𝑅𝐶 𝑖𝑏 −𝛽𝑅𝐶
→ 𝐴𝑣 =
𝑣𝑒 = ℎ11 𝑖𝑏 ℎ11
 𝑖𝑠
 Gain en courant : 𝐴𝑖 =
𝑖𝑒

𝑖𝑠 = 𝛽𝑖𝑏 𝑖𝑠 = 𝛽𝑖𝑏 𝛽
𝑖𝑒 = 𝑖𝑏 + 𝑖𝑅𝐵 → ℎ11 𝑖𝑏 → 𝐴𝑖 =
𝑖𝑒 = 𝑖𝑏 + ℎ
1+ 𝑅11
𝑅𝐵 𝐵

8.2. Calcul des condensateurs de liaisons

Lors de cette étude, nous avons supposé que les condensateurs de liaisons 𝐶1 et 𝐶2 se comportaient
comme étant des couts-circuits parfaits en régime variable (Bande passante). Cela signifie que leurs
impédances sont négligeables devant l’impédance totale du circuit dans lequel elles sont insérées.

 Cas de 𝐶1 :
L’impédance totale du circuit d’entrée est donnée par : 𝑅𝑒𝑇 = 𝑅𝑔 + 𝑅𝑒
1
L’impédance en régime sinusoïdale de 𝐶1 est donnée par : 𝑍𝐶1 = où 𝑓 est la fréquence du
2𝜋𝑓𝐶1

signal d’entrée.
1 5(𝑅𝑔 +𝑅𝑒
Nous admettons que : 𝑍𝐶1 ≪ 𝑅𝑒𝑇 → 𝑍𝐶1 < 5%(𝑅𝑒𝑇 → <
2𝜋𝑓𝐶1 100

10
→ 𝐶1 ≥
𝜋𝑓(𝑅𝑔 +𝑅𝑒

 Cas de 𝐶2 :
L’impédance totale du circuit de sortie est donnée par: 𝑅𝑠𝑇 = 𝑅𝐶 + 𝑅𝐿

1 1 5(𝑅𝐶 +𝑅𝐿
𝑍𝐶2 = ≪(𝑅𝐶 + 𝑅𝐿 → 𝑍𝐶2 < 5%(𝑅𝑠𝑇 → <
2𝜋𝑓𝐶2 2𝜋𝑓𝐶2 100

10
→ 𝐶2 ≥
𝜋𝑓 𝑅𝐿 +𝑅𝐶

8.3. Amplificateur émetteur commun avec résistance d’émetteur

Sous les mêmes conditions que l’étude faite sans la résistance d’émetteur, le schéma équivalent est donné par :

Les paramètres d’amplification sont :

𝑣𝑒 ℎ11 𝑖𝑏 +𝑅𝐸 (𝛽+1 𝑖𝑏
 Impédance d’entrée du montage : 𝑅𝑒 = = ℎ 𝑖 +𝑅 (𝛽+1 𝑖𝑏
𝑖𝑒 𝑖𝑏 + 11 𝑏 𝑅𝐸
𝐵

ℎ11 + 𝑅𝐸 (𝛽 + 1
𝑅𝑒 =
ℎ + 𝑅𝐸 (𝛽 + 1
1 + 11
𝑅𝐵
 𝑣𝑒
 Impédance d’entrée du transistor : 𝑅𝑒𝑇 = = ℎ11 + 𝑅𝐸 (𝛽 + 1
𝑖𝑏

𝑣𝑠
 Gain en tension : 𝐴𝑣 =
𝑣𝑒

𝑣𝑠 = −𝛽𝑅𝐶 𝑖𝑏 −𝛽𝑅𝐶
→ 𝐴𝑣 =
𝑣𝑒 = ℎ11 𝑖𝑏 + 𝑅𝐸 (𝛽 + 1 𝑖𝑏 ℎ11 +𝑅𝐸 (𝛽+1

𝑖𝑠
 Gain en courant : 𝐴𝑖 =
𝑖𝑒

𝑖𝑠 = 𝛽𝑖𝑏 𝑖𝑠 = 𝛽𝑖𝑏 𝛽
𝑖𝑒 = 𝑖𝑏 + 𝑖𝑅𝐵 → ℎ11 +𝑅𝐸 (𝛽+1 → 𝐴𝑖 =
𝑖𝑒 = 𝑖𝑏 + ℎ +𝑅 (𝛽+1
1+ 11 𝑅𝐸
𝑅𝐵 𝐵

Remarque

La présence de 𝑹𝑬 est nécessaire pour stabiliser le montage vis-à-vis de la température mais elle a
considérablement réduit le gain en tension. Pour éviter cet inconvénient, on branche un condensateur de
découplage 𝑪𝑬 en parallèle à 𝑹𝑬 . Dans ce cas, la résistance 𝑹𝑬 sera découplée en régime dynamique.
8.4. Calcul du condensateur de découplage

Le schéma équivalent devient :

Le court-circuit réalisé par le condensateur 𝐶𝐸 ne sera effectif que si la tension à ses bornes est très faible
par rapport à ℎ11 𝑖𝑏 .

𝑅𝐸 𝑍𝐶𝐸
(𝛽 + 1 𝑖𝑏 ≪ ℎ11 𝑖𝑏 → 𝑅𝐸 𝑍𝐸 (𝛽 + 1 𝑖𝑏 ≪ ℎ11 𝑖𝑏 (𝑅𝐸 + 𝑍𝐶𝐸
(𝑅𝐸 +𝑍𝐶𝐸

ℎ11 𝑅𝐸 1 ℎ11 𝑅𝐸
𝑅𝐸 𝛽 + 1 − ℎ11 𝑍𝐶𝐸 ≪ ℎ11 𝑅𝐸 → 𝑍𝐶𝐸 ≪ → ≪
𝑅𝐸 𝛽+1 −ℎ11 2𝜋𝑓𝐶𝐸 𝑅𝐸 𝛽+1 −ℎ11

Ou encore :

1 ℎ11 𝑅𝐸 10 𝑅𝐸 𝛽+1 −ℎ11

≤ 5% → 𝐶𝐸 ≥
2𝜋𝑓𝐶𝐸 𝑅𝐸 𝛽+1 −ℎ11 𝜋𝑓ℎ11 𝑅𝐸

 Application
𝒉𝟏𝟏 = 𝟏𝑲Ω, 𝜷 = 𝟐𝟓𝟎, 𝑹𝑬 = 𝟒𝟕𝟎Ω et à 𝒇 = 𝟏𝑲𝑯𝒛
𝑪𝑬 ≥ 𝟕𝟗𝟐µ𝑭 , On prendra une valeur normalisée, soit : 𝑪𝑬 = 𝟏𝒎𝑭
9. Montage base commune
Soit le montage base commune ci-dessous, on suppose que ℎ12𝑒 = ℎ22𝑒 = 0, l’étude sera faite en
bande passante. Les condensateurs de liaisons 𝐶1 et 𝐶2 se comportent donc comme des courts-circuits,
le condensateur 𝐶𝐵 est un condensateur de découplage dont le rôle est ramener la base à la masse.
Le schéma équivalent devient :

Les paramètres d’amplification sont :

𝑣𝑒
 Impédance d’entrée du montage : 𝑅𝑒 =
𝑖𝑒

𝑣𝑒 = 𝑅𝐸 𝑖𝑒 + (𝛽 + 1 𝑖𝑏
D’autre part :

𝑣𝑒
𝑣𝑒 = −ℎ11 𝑖𝑏 → 𝑖𝑏 = −
ℎ11

𝑣𝑒 𝑅𝐸 (𝛽+1 𝑣𝑒 𝑅𝐸
𝑣𝑒 = 𝑅𝐸 𝑖𝑒 − (𝛽 + 1 → 𝑣𝑒 1 + = 𝑅𝐸 𝑖𝑒 → 𝑅𝑒 = = 𝑅 (𝛽+1
ℎ11 ℎ11 𝑖𝑒 1+ 𝐸
ℎ11

 Gain en tension
𝑣𝑠
𝐴𝑣 =
𝑣𝑒
𝑣𝑠 = −𝛽𝑅𝐶 𝑖𝑏 𝑣𝑠 𝛽𝑅𝐶
→ 𝐴𝑣 = = =𝐴𝑣𝑚𝑎𝑥
𝑣𝑒 = −ℎ11 𝑖𝑏 𝑣𝑒 ℎ11

𝑖𝑠
 Gain en courant : 𝐴𝑖 =
𝑖𝑒
ℎ11 +(𝛽+1 𝑅𝐸 𝑖𝑏
𝑣𝑒 = 𝑅𝐸 𝑖𝑒 + (𝛽 + 1 𝑖𝑏 =−ℎ11 𝑖𝑏 → 𝑖𝑒 = −
𝑅𝐸
𝑖𝑠 = 𝛽𝑖𝑏
𝛽𝑅𝐸
𝐴𝑖 = −
ℎ11 + (𝛽 + 1 𝑅𝐸
1. Montage collecteur commun

Soit le montage collecteur commun ci-dessous, l’étude sera faite en moyennes fréquences. On
suppose que ℎ11𝑒 = ℎ22𝑒 = 0 et que 𝑅𝐵 ≡ 𝑅1 //𝑅2

Le schéma équivalent en régime dynamique est donné par :

 Les paramètres d’amplification sont :

𝑣𝑒
 Impédance d’entrée du montage : 𝑅𝑒 =
𝑖𝑒

𝑣𝑒 = ℎ11 𝑖𝑏 + 𝑅𝐸 (𝛽 + 1 𝑖𝑏

= ℎ11 + 𝑅𝐸 (𝛽 + 1 𝑖𝑏

D’autre part :

ℎ11 + 𝑅𝐸 (𝛽 + 1 𝑖𝑏
𝑖𝑒 = 𝑖𝑏 +
𝑅𝐵

ℎ11 + 𝑅𝐸 (𝛽 + 1
𝑅𝑒 =
ℎ + 𝑅𝐸 (𝛽 + 1
1 + 11
𝑅𝐵
 Gain en tension

𝑣𝑠
𝐴𝑣 =
𝑣𝑒

𝑣𝑠 = (𝛽 + 1 𝑅𝐸 𝑖𝑏 𝑣𝑠 (𝛽+1 𝑅𝐸
→ 𝐴𝑣 = = = 𝐴′𝑣𝑚𝑎𝑥
𝑣𝑒 = ℎ11 + 𝑅𝐸 (𝛽 + 1 𝑖𝑏 𝑣𝑒 ℎ11 +𝑅𝐸 (𝛽+1

𝑖𝑠
 Gain en courant : 𝐴𝑖 =
𝑖𝑒

ℎ11 + 𝑅𝐸 (𝛽 + 1 𝑖𝑏
𝑖𝑒 = 𝑖𝑏 +
𝑅𝐵
𝑖𝑠 = (𝛽 + 1 𝑖𝑏

(𝛽 + 1
𝐴𝑖 =
ℎ + 𝑅𝐸 (𝛽 + 1
1 + 11
𝑅𝐵
 𝑣𝑠
 Impédance de sortie du montage : 𝑅𝑠 = / 𝑒𝑔 = 0
𝑖𝑠

Le schéma équivalent correspondant au cas où (𝑒𝑔 = 0 est donné par :

On pose: 𝑅′ ≡ 𝑅𝑔 //𝑅𝐵 , le circuit devient :

𝑣𝑠 = 𝑅𝐸 (𝑖𝑠 + 𝛽 + 1 𝑖𝑏 )

D’autre part :

𝑣𝑠
𝑣𝑠 = −(𝑅′ +ℎ11 𝑖𝑏 → 𝑖𝑏 = −
(𝑅 ′ +ℎ11

Ou encore :

𝑣𝑠 𝑅𝐸 𝛽+1
𝑣𝑠 = 𝑅𝐸 𝑖𝑠 − 𝑅𝐸 𝛽 + 1 → 𝑣𝑠 1 + = 𝑅𝐸 𝑖𝑠
(𝑅 ′ +ℎ11 (𝑅 ′ +ℎ11

𝒗𝒔 𝑹𝑬
→ 𝑹𝒔 = = 𝑹 𝜷+𝟏
𝒊𝒔 𝟏+ 𝑬′
(𝑹 +𝒉𝟏𝟏
11. Amplificateur Emetteur commun : Effet de la fréquence

L’objectif de ce paragraphe est l’étude des amplificateurs en dehors de la bande passante. Par définition, la
bande passante (médiane) d’un amplificateur est l’intervalle de fréquence dans lequel les condensateurs
n’ont aucun effet. Dans cette bande de fréquences, le gain en tension est constant puisque le circuit
équivalent en alternatif ne comporte que les résistances. En dehors de cette bande le gain en tension chute en
raison des condensateurs de liaisons, de découplages ou parasites.
 𝐶𝐸 : Condensateur de découplage

𝐶1 et 𝐶2 : Condensateurs de liaisons

−𝛽𝑅𝐶
Si 𝑅𝐸 est découplée, le gain en tension : 𝐴𝑣 = =𝐴𝑣𝑚𝑎𝑥
ℎ11

−𝛽𝑅𝐶
Si 𝑅𝐸 n’est pas découplée, le gain en tension : 𝐴𝑣 = = 𝐴′𝑣𝑚𝑎𝑥 < 𝐴𝑣𝑚𝑎𝑥
ℎ11 +𝑅𝐸 (𝛽+1

Si 𝑅𝐸 augmente, la stabilité augmente mais le gain diminue. Donc 𝑅𝐸 est nécessaire pour stabiliser le
montage vis-à-vis de la température, on place donc en parallèle à 𝑅𝐸 un condensateur 𝐶𝐸 , dans ce cas le
gain devient :

𝛽𝑅𝐶 𝑅𝐸
𝐴𝑣 = − avec 𝑅𝑒 =
ℎ11 +(𝛽+1 𝑍𝑒 1+𝑗𝑅𝐸 𝐶𝐸 𝜔

𝛽𝑅𝐶
𝐴𝑣 = − (𝛽+1 𝑅
ℎ11 +1+𝑗𝑅 𝐶 𝐸𝜔
𝐸 𝐸
 −𝛽𝑅
= ℎ11(1+𝑗𝑅𝐸𝐶𝐸𝜔𝐶+(𝛽+1 𝑅𝐸
(1+𝑗𝑅𝐸 𝐶𝐸 𝜔

−𝛽𝑅𝐶 (1+𝑗𝑅𝐸 𝐶𝐸 𝜔
=
ℎ11 +𝑗𝑅𝐸 𝐶𝐸 𝜔ℎ11 +(𝛽+1 𝑅𝐸

−𝛽𝑅𝐶 (1+𝑗𝑅𝐸 𝐶𝐸 𝜔
= × 𝑅 𝐶𝐸 𝜔ℎ11
ℎ11 +(𝛽+1 𝑅𝐸 1+𝑗ℎ 𝐸+(𝛽+1
11 𝑅 𝐸

𝜔
(1+𝑗𝜔 1 ℎ11 +(𝛽+1 𝑅𝐸
=𝐴′𝑣𝑚𝑎𝑥 𝜔
1
avec 𝜔1 = et 𝜔2 =
1+𝑗 𝜔 𝑅𝐸 𝐶𝐸 𝑅𝐸 𝐶𝐸 𝜔ℎ11
2

L’étude dans le diagramme de Bode donne :

𝜔 2 𝜔
𝐴𝑣 𝑑𝐵 = 20𝑙𝑜𝑔 𝐴′𝑣𝑚𝑎𝑥 + 20𝑙𝑜𝑔 1 + ( − 20𝑙𝑜𝑔 1 + ( 2
𝜔1 𝜔2

𝐴𝑣 𝑑𝐵 = 𝑇0 + 𝑇1 + 𝑇2
Si 𝜔 → 0 alors 𝐴𝑣 𝑑𝐵 → 𝐴′𝑣𝑚𝑎𝑥 𝑑𝐵 Si 𝜔 → ∞ alors 𝐴𝑣 𝑑𝐵 → 𝐴𝑣𝑚𝑎𝑥 𝑑𝐵

Lorsque → ∞ , le gain est maintenu maximal et constant comme si 𝑅𝐸 n’existe pas. La diminution du gain est
observée lorsque → 0 .
ℎ11 +(𝛽+1 𝑅𝐸
La pulsation de coupure basse est donnée par : 𝜔𝐶𝐵 = max 𝜔1 , 𝜔2 = 𝑅𝐸 𝐶𝐸 ℎ11
ℎ11 +(𝛽+1 𝑅𝐸
La fréquence de coupure basse est donnée par : 𝑓𝐶𝐵 = 2𝜋𝑅𝐸 𝐶𝐸 ℎ11
Conclusion 1
Le condensateur de découplage intervient en basses fréquences et impose la fréquence de coupure
basse.

 Action du condensateur de couplage : 𝑪𝟏

Si on suppose que 𝑅𝐵 //𝑅𝑒𝑇 ≡ 𝑅, le circuit correspond à celui d’un filtre passe-bas dont la fonction de
transfert est donnée par :
 𝑗𝑅𝐶1 𝜔
𝐴𝑣 =
1+𝑗𝑅𝐶1 𝜔

1
On pose : 𝜔0 =
𝑅𝐶1

𝜔
𝑗𝜔 𝜔 𝜔 2
0
𝐴𝑣 = 𝜔 → 𝐴𝑣 𝑑𝐵 = 20𝑙𝑜𝑔 − 20𝑙𝑜𝑔 1 + (
1+𝑗𝜔 𝜔0 𝜔0
0

𝐴𝑣 𝑑𝐵 = 𝑇0 + 𝑇1

Le tracé sur le diagramme de Bode donne :

Conclusion 2
Le condensateur de liaison intervient en basses fréquences et impose la fréquence de coupure basse.

 Action du condensateur parasite : 𝑪𝒖

Si on désigne par 𝑅𝑢 la charge de sortie, elle peut représenter aussi l’impédance d’entrée de l’étage suivant.
𝐶𝑢 est la capacité équivalente du montage suivant, elle peut être une capacité parasite. L’action de 𝐶𝑢 sera
déduit à partir du circuit de sortie :
 𝑅𝑢
Le gain en tension 𝐴𝑣 =
1+𝑗𝑅𝑢 𝐶𝑢 𝜔

𝜔 2
𝐴𝑣 𝑑𝐵 = 20𝑙𝑜𝑔𝑅𝑢 − 20𝑙𝑜𝑔 1 + (
𝜔0

𝐴𝑣 𝑑𝐵 = 𝑇0 + 𝑇1

Le tracé sur le diagramme de Bode donne :

Lorsque 𝜔 → 0, le gain est maintenu maximal et constant. La diminution du gain est observée lorsque.𝜔 → ∞
1
La pulsation de coupure haute est donnée par : 𝜔𝐶𝐻 = 𝜔0 =𝑅
𝑢 𝐶𝑢
1
La fréquence de coupure basse est donnée par : 𝑓𝐶𝐻 =
2𝜋𝑅𝑢 𝐶𝑢

Conclusion 3
Le condensateur parasite intervient en hautes fréquences et impose la fréquence de coupure haute.
I. Transistors à Effet de Champs
1. Modèle dynamique d’un T.E.C.
Pour obtenir le modèle dynamique, nous considérons le T.E.C comme un quadripôle à source commune
décrit par la représentation admittance

𝑖𝑔 = 𝑦11𝑠 𝑣𝑔𝑠 + 𝑦12𝑠 𝑣𝑑𝑠

𝑖𝑑𝑠 = 𝑦21𝑠 𝑣𝑔𝑠 + 𝑦22𝑠 𝑣𝑑𝑠

 Puisque : 𝑖𝑔 = 0, ∀ 𝑣𝑔𝑠 , 𝑣𝑑𝑠 .

𝑦11𝑠 = 𝑦12𝑠 = 0
 y21s vgs représente un générateur de courant contrôlé par vgs donc vue l’entrée, le T.E.C est un C. O. Avec
1
les notations suivantes : 𝑦21𝑠 = 𝑔𝑚 et 𝜌 = 𝑦 le schéma équivalent du TEC en régime dynamique devient :
22𝑠

Schéma équivalent du TEC en régime dynamique

2. Amplificateur à T.E.C. source commune

 Cas ou 𝑹𝑺 est découplée par 𝑪𝑺

 Pour obtenir le modèle dynamique, on court-circuite les tensions continues et les condensateurs. En
considérant le T.E.C comme un quadripôle, il sera décrit par les paramètres admittance

1
On suppose que 𝑟𝑑𝑠 = >> 𝑅𝐷
𝑦22𝑠
 Gain en tension

𝑣2 𝑣1 = 𝑣𝑔𝑠
𝐴𝑣 = → 𝐴𝑣 = −𝑔𝑚 𝑅𝐷
𝑣1 𝑣2 = −𝑅𝐷 𝑖𝑑𝑠 = −𝑅𝐷 𝑔𝑚 𝑣𝑔𝑠

 Gain en courant

𝑖𝑠 = 𝑔𝑚 𝑣𝑔𝑠
𝑖𝑠
𝐴𝑖 = 𝑣𝑔𝑠 → 𝐴𝑖 = 𝑔𝑚 𝑅𝐺
𝑖𝑒 𝑖𝑒 =
𝑅𝐺

𝑣𝑒
 Impédance d’entrée : 𝑅𝑒 = = 𝑅𝐺 (∼ 10𝑀𝛺
𝑖𝑒
 Cas ou 𝑹𝑺 est découplée par 𝑪𝑺
Le schéma équivalent devient :

𝑣𝑠
 Gain en tension : 𝐴𝑣 =
𝑣𝑒
−𝑣𝑠
𝑣𝑠 = −𝑅𝐷 𝑖𝑑𝑠 → 𝑖𝑑𝑠 = (1)
𝑅𝐷
D’autre part :

𝑣𝑠 = 𝑅𝑠 𝑖𝑑𝑠 + 𝑣𝑑𝑠 (2)

𝑅𝑠
L’équation (1) dans (2) ⇒ 𝑣𝑑𝑠 = 𝑣𝑠 1 + (3)
𝑅𝐷

Or, on sait que 𝑖𝑑𝑠 = 𝑔𝑚 𝑣𝑔𝑠 + 𝑦22 𝑣𝑑𝑠

⇒ L’équation (1) devient : 𝑣𝑠 = −𝑅𝐷 𝑖𝑑𝑠 = −𝑅𝐷 𝑔𝑚 𝑣𝑔𝑠 + 𝑦22 𝑣𝑑𝑠 (4)

𝑅𝑠
L’équation (3) dans (4) ⇒ 𝑣𝑠 1 + 𝑅𝐷 𝑦22 1 + = −𝑔𝑚 𝑅𝐷 𝑣𝑔𝑠
𝑅𝐷

𝑅
𝑣𝑠 1+𝑅𝐷 𝑦22 1+𝑅 𝑠
𝐷
𝑣𝑔𝑠 = − (5)
𝑔𝑚 𝑅𝐷

A partir du circuit d’entée :

𝑣𝑒 = 𝑣𝑔𝑠 + 𝑅𝑠 𝑖𝑑𝑠 (6)

 Les équations (1) et (5) dans (6) donne

𝑅𝑠 1 𝑅𝑠 𝑔𝑚 𝑅𝐷
𝑣𝑒 = − + 1 + 𝑅𝐷 𝑦22 1 + 𝑣𝑆 ⇒ 𝐴𝑣 = − 𝑅
𝑅𝐷 𝑔𝑚 𝑅𝐷 𝑅𝐷 1+𝑔𝑚 𝑅𝑠 +𝑦22 𝑅𝐷 1+𝑅 𝑆
𝐷

𝑅𝑠
Comme 𝑦22 est très faible, on peut négliger le terme : 𝑦22 𝑅𝐷 1 + devant (1 + 𝑔𝑚 𝑅𝑠
𝑅𝐷

𝑔𝑚 𝑅𝐷
⇒ 𝐴𝑣 = −
1+𝑔𝑚 𝑅𝑠

3. Réponse en fréquences
Considérant maintenant les effets des condensateurs de liaison et de découplage (C1 et Cs) on
suppose que : 𝑦22 = 0. Le schéma équivalent devient :
Le gain en tension va dépendre de la fréquence du signal d’entrée. On se propose de le
𝜔
1+𝑗
𝜔1
calculer et de le mettre sous la forme canonique : 𝐴𝑣 = 𝐴0 𝜔
1+𝑗𝜔
2

ω1 et ω2 sont les pulsations de coupure.

𝑅𝑠
𝑍𝑐 = 𝑅𝑠 //𝑅𝑐 , 𝑍𝑐 =
1+𝑗𝑅𝑠 𝐶𝑠 𝜔
 𝑔𝑚 𝑅𝑠
𝑣𝑒 = 𝑣𝑔𝑠 + 𝑍𝑐 𝑔𝑚 𝑣𝑔𝑠 = 𝑣𝑔𝑠 1 + 𝑔𝑚 𝑍𝑐 = 𝑣𝑔𝑠 1+
1 + 𝑗𝑅𝑠 𝐶𝑠 𝜔

𝑣𝑠 = −𝑅𝐷 𝑔𝑚 𝑣𝑔𝑠

𝑣𝑠 −𝑔𝑚 𝑅𝐷 −𝑔𝑚 𝑅𝐷 1 + 𝑗𝑅𝑠 𝐶𝑠 𝜔

⇒ 𝐴𝑣 = = =
𝑣𝑒 1 + 𝑔 𝑅
𝑚 𝑠 1 + 𝑔𝑚 𝑅𝑠 + 𝑗𝑅𝑠 𝐶𝑠 𝜔
1 + 𝑗𝑅𝑠 𝐶𝑠 𝜔

−𝑔𝑚 𝑅𝐷 1 + 𝑗𝑅𝑠 𝐶𝑠 𝜔
𝐴𝑣 = ×
1 + 𝑔𝑚 𝑅𝑠 1 + 𝑗𝜔 𝑅𝑠 𝐶𝑠
1 + 𝑔𝑚 𝑅𝑠

−𝑔𝑚 𝑅𝐷
𝐴0 =
𝜔 1+𝑔𝑚 𝑅𝑠
1+𝑗 𝜔 1
⇒ 𝐴𝑣 = 𝐴0 𝜔
1
avec 𝜔1 =
1+𝑗 𝜔 𝑅𝑠 𝐶𝑠
2 1+𝑔𝑚 𝑅𝑠
𝜔2 =
𝑅𝑠 𝐶𝑠
Le gain en tension en bande passante a été déjà calculé : 𝐴𝐵𝑃 = −𝑔𝑚 𝑅𝐷
𝐴𝐵𝑃
⇒ 𝐴0 = < 𝐴𝐵𝑃
1+𝑔𝑚 𝑅𝑠

𝜔 2 𝜔 2
𝐴𝑣 𝑑𝐵 = 20𝑙𝑜𝑔 𝐴0 + 20𝑙𝑜𝑔 1 + ( − 20𝑙𝑜𝑔 1 + (
𝜔1 𝜔2

 Si 𝜔 → 0 → 𝐴𝑣 = 𝐴0 ⇒ 𝐴0 𝑑𝐵 = 20 𝑙𝑜𝑔 𝐴0 est une asymptote horizontale.

 Si 𝜔 → ∞ → 𝐴𝑣 = 𝐴𝐵𝑃 ⇒ 𝐴𝐵𝑃 𝑑𝐵 = 20 𝑙𝑜𝑔 𝐴𝐵𝑃 est une asymptote horizontale
𝜔 𝜔
 Si 𝜔1 < 𝜔 < 𝜔2 ≫ 1 et ≪1
𝜔1 𝜔2

𝜔 𝐴0
𝐴𝑣 𝑑𝐵 = 20 𝑙𝑜𝑔 𝐴0 + 20 𝑙𝑜𝑔 = 20 𝑙𝑜𝑔 + 20 𝑙𝑜𝑔 𝜔
𝜔1 𝜔1

𝐴0
𝐴𝑣 𝑑𝐵 = 20 𝑙𝑜𝑔 + 20 𝑙𝑜𝑔 𝜔 Asymptote oblique de pente 20 dB/dec.
𝜔1
 1+𝑔𝑚 𝑅𝑠
La pulsation de coupure basse est donnée par : 𝜔𝐶𝐵 = max 𝜔1 , 𝜔2 =
𝑅𝑠 𝐶𝑠

1+𝑔𝑚 𝑅𝑠
La fréquence de coupure basse est donnée par : 𝑓𝐶𝐵 = . Cette fréquence est imposé par le
2𝜋𝑅𝑠 𝐶𝑠

condensateur 𝐶𝑠 .
4. Montage Drain Commun

On suppose 𝑦22𝑠 = 0, dans la bande des moyennes fréquences, les condensateurs 𝐶1 et 𝐶2 se

comportent comme des courts-circuits parfaits, le schéma équivalent devient :
 Gain en tension :

𝑣𝑠 = 𝑔𝑚 𝑅𝑠 𝑣𝑔𝑠 𝑣𝑠 𝑔𝑚 𝑅𝑠
→ 𝐴𝑣 = = ≤1
𝑣2 = 𝑣𝑔𝑠 1 + 𝑔𝑚 𝑅𝑠 𝑣𝑒 1+𝑔𝑚 𝑅𝑠

 Gain en courant :

𝑖𝑠 = 𝑔𝑚 𝑣𝑔𝑠
𝑖 𝑔𝑚 𝑅𝐺
1 + 𝑔𝑚 𝑅𝑠 𝑣𝑔𝑠 → 𝐴𝑖 = 𝑠 =
𝑖𝑒 = 𝑖𝑒 1 + 𝑔𝑚 𝑅𝑠
𝑅𝐺
 Impédance d’entrée : 𝑅𝑒 = 𝑅𝐺
5. Montage Grille Commune

On suppose 𝑦22𝑠 = 0, dans la bande des moyennes fréquences, les condensateurs 𝐶𝐺 , 𝐶1 et 𝐶2 se

comportent comme des courts-circuits parfaits, le schéma équivalent devient :
 Gain en tension :
𝑣𝐺𝑀 = 0 → 0 = 𝑣𝑔𝑠 + 𝑣𝑒 → 𝑣𝑒 = −𝑣𝑔𝑠

𝑣𝑠 = −𝑔𝑚 𝑅𝐷 𝑣𝑔𝑠

→ 𝐴𝑣 = 𝑔𝑚 𝑅𝐷 .
 Gain en courant :
𝑖𝑠 = 𝑔𝑚 𝑣𝑔𝑠
𝑣𝑒 = 𝑅𝑆 (𝑖𝑒 + 𝑔𝑚 𝑣𝑔𝑠 ) , d’autre part : 𝑣𝑒 = −𝑣𝑔𝑆

1 + 𝑔𝑚 𝑅𝑠
⇒ −𝑣𝑔𝑆 = 𝑅𝑆 𝑖𝑒 + 𝑔𝑚 𝑅𝑆 𝑣𝑔𝑠 ⇒ 𝑖𝑒 = − 𝑣𝑔𝑠
𝑅𝑠

𝑖𝑠 𝑔𝑚 𝑅𝑆
→ 𝐴𝑖 = = −
𝑖𝑒 1 + 𝑔𝑚 𝑅𝑠

 Impédance d’entrée :
𝑣𝑒
𝑅𝑒 = 𝑖𝑒
𝑣𝑒 = 𝑅𝑠 𝑖𝑒 + 𝑔𝑚 𝑣𝑔𝑠
𝑣 1
→ 𝑖𝑒 = 𝑅𝑒 − 𝑔𝑚 𝑣𝑔𝑠 = 𝑣𝑒 + 𝑔𝑚
𝑠 𝑅𝑠

1 𝑅 1
→ 𝑅𝑒 = 1 = 1+𝑔 𝑠 𝑅 = 𝑅𝑠 //
𝑔𝑚 +𝑅 𝑚 𝑠 𝑔𝑚
𝑠