Cours Electronique de

Puissance

Génie industriel et maintenance

1
 I. Les composants d’Electronique de puissance
I.1 La Diode :

I.1.1 Présentation :

Les diodes sont réalisées par la juxtaposition de deux types de semi-conducteurs sur la structure
d'un cristal de silicium extrêmement pur (figure 2.1). En injectant d'un côté du cristal des atomes
accepteurs d'électrons et de l'autre des atomes donneurs d'électrons, on réalise une jonction
semi-conductrice possédant d'une part des porteurs de charge positifs (semi-conducteur de type
p) et d'autre part des porteurs de charge négatifs (semi-conducteur de type n).

Fig.I.1 La jonction semi-conductrice

A l’équilibre, on peut modéliser ce phénomène par une source de tension dite de seuil. Dans la
pratique, sa valeur est de l’ordre de 0,7V pour des semi-conducteurs basés sur le silicium. Pour
d’autres éléments ou d’autres technologies cette valeur oscille entre 0,4 et 2V environ. Si la
jonction est polarisée de manière à renforcer la barrière de potentiel, la non conduction de
l’ensemble est accentuée. Dans l’autre sens, la barrière est écrasée au delà de 0,7V et la
conduction devient possible.

I.1.2 Le symbole de la Diode :

Le symbole de la diode est comme représenté sur la figure suivante :

Anode (A) Cathode (K)

ID
2
UD
Fig.I.2 Le symbole de Diode
 I.1.3 Fonctionnement de la Diode :

La diode est donc un élément semi-conducteur qui laisse facilement circuler le courant dans un
sens (polarisation directe) et le bloque complètement ou presque en polarisation inverse.

I.1.4 Caractéristique d'une diode :

La diode en polarisation inverse ne laisse circuler qu'un très faible courant que l'on admet nul.
Si la tension négative devient trop grande, le champ électrique devient si fort qu'il peut arracher
des électrons du cristal semi-conducteur et causer par effet d'avalanche le claquage de la
jonction et sa destruction. Les tensions de claquage des diodes redresseuses s'élèvent à plusieurs
centaines de volts.
En polarisation directe, le courant croît exponentiellement avec la tension.

R + Vd -
La figure, ci-contre fig.I.3, illustre la polarisation
directe de la diode. Pour la polarisation inverse, il
+ suffit d'inverser la tension appliquée.
-

Fig.I.3 La polarisation directe de la diode

La figure ci-dessous, représente la caractéristique réelle de la diode.

Id

Polarisation inverse
Polarisation direct
La diode ne conduit pas
La diode conduit

Vd
Courant inverse
Tension inverse
presque nul Tension de seuil
de claquage
Vj ≈ 0,7 V

Fig.I.4 Caractéristiques de la Diode

3
La diode est un composant non linéaire qui donne une tension faible si la barrière de potentiel
n’est pas dépassée mais qui augmente très fortement dès qu’on la dépasse.

 La tension de seuil : C’est la tension Vj à partir de laquelle le courant augmente

brusquement. Elle correspond à la barrière de potentiel. Elle vaut plus ou mois 0.7 V
pour une diode en silicium.
 Résistance de la diode : Au-delà de la tension de seuil, Vj, le courant est limité par la
résistance des régions p et n. Cette résistance est dite aussi la résistance série :

𝑅𝑠é𝑟𝑖𝑒 = 𝑟𝑑 = 𝑅𝑛 + 𝑅𝑝

Sa valeur dépend de la taille et du dopage des différentes régions.

 Le courant continu direct maximal : La diode peut être détruite au delà d’un certain
courant trop important. C’est pourquoi les constructeurs indiquent une limite de bon
fonctionnement de la diode sans altération.
 Le claquage : La tension de claquage d’une diode est la tension maximale inverse qu’on
peut lui appliquer. Si la tension de claquage est atteinte, un grand nombre de porteurs
prioritaires apparaissent dans la zone désertée et la diode conduit fortement. C’est un
phénomène en avalanche.
La tension de claquage d’une diode dépend de son dopage.

I.1.5 Les modèles de la diode :

a. La première approximation : La Diode idéale :

La diode idéale est considérée comme un interrupteur.

 Si Vd >0 => la diode conduit

Donc, la diode se ramène à un interrupteur fermé

 Si Vd<0 => la diode ne conduit pas.

Donc, la diode se ramène à un interrupteur ouvert
Id

En polarisation inverse

En polarisation directe Vd
b. La deuxième approximation : Diode avec seuil :

Fig.I.5 Modèle et caractéristiques d’une diode idéale 4

On a pas de courant pour les tensions inférieures à la tension de seuil, Vj, A cette valeur, la
diode conduit et la tension reste constante quelle que soit le courant qui la traverse.

Id

En polarisation inverse

En polarisation directe
Vj
Vd

Fig.I.6 Modèle et caractéristiques d’une diode avec seuil

c. La troisième approximation : Diode avec seuil et résistance :

Au-delà de la tension de seuil Vj, la diode conduit et sa résistance interne "rd", en série,
provoque une chute de tension Vd variable à ses bornes. Avec :

𝑉𝑑 = 𝑉𝑗 + 𝑟𝑑. 𝐼𝑑

Rd
Id

En polarisation inverse
Rd

En polarisation directe
Vj
Vd

Fig.I.7 Modèle et caractéristiques d’une diode avec seuil et resistance

5
I.2 Le Thyristor (SCR) :

I.2.1 Présentation du Thyristor SCR :

Le thyristor SCR, (Silicon Controlled Rectifier) est un composant qui permet de commander des
puissances relativement importantes avec peu de pertes car ils ne fonctionnent qu’en
commutation. Ce sont plus spécifiquement des composants de l’électronique de puissance, mais
on les trouve aussi en électronique de faible puissance pour quelques applications spécifiques.

Le thyristor est apparu en 1957. Le mot a été formé à partir de thyratron (triode à gaz qui jouait
autrefois un rôle analogue) et de transistor. C’est un redresseur commandé au silicium comme
l’indique son appellation anglo-saxonne SCR (Silicon controlled rectifier).

I.2.2 Constitution

Anode (A) Cathode (k)

Gâchette (G)

Fig.1.8 Constitution de principe d’un thyristor

Le thyristor est formé d’un matériau semi-conducteur sur lequel on a créé trois jonctions : il y
a ainsi deux zones N et deux zones P (comme pour la figure ci-dessus). Trois bornes sont
accessibles : l’anode (A), la cathode (K) et la gâchette (G).

I.2.3 Symbole du Thyristor :

On représente le thyristor par son symbole normalisé (figure 1.9)

Fig.1.9 Symbole d’une diode

I.2.4 Principe de fonctionnement du Thyristor :

Le thyristor se comporte comme une diode dont on commande la mise en conduction. Le

symbole du thyristor ressemble d’ailleurs beaucoup à celui d’une diode. On y retrouve l’anode
(A) et la cathode (K), mais une troisième borne apparaît, la gâchette (G). C’est elle qui permet
la commande du composant.

Le blocage se fait comme celui d’une diode, il n’est pas commandé par la gâchette.
6
 I.2.5 Fonctionnement d’un thyristor
I.2.5.1 Etats bloqué du thyristor
L’une au moins des jonctions PN du thyristor est bloquée :
Sous tension inverse : la tension anode cathode notée VAK est négative : la jonction anode JA et
la jonction cathode JK sont polarisées en inverse et donc bloquées le courant de fuite a une
intensité très faible en raison des différences de dopage entre les couches. C’est la jonction
d’anode qui supporte la plus grande partie de la tension inverse.

Sous tension directe : la tension Anode-Cathode est positive VAK > 0 donc
 le courant de gâchette est nul ou très faible
 le thyristor n’est pas amorcé au préalable
La jonction JK est polarisée en inverse et bloquée
I.2.5.2 Amorçage du thyristor :
a. Caractéristiques directes d’un thyristor (SCR) :
L’amorçage d’un thyristor est obtenu par différents phénomènes physiques, dans tous les cas
l’amorçage rend le thyristor conducteur de l’anode vers la cathode (IAK > 0). La tension VAK
est alors faible de l’ordre de quelques dixièmes de volts.
La caractéristique de conduction est représentée en trait épais sur la figure ci-dessous, I est
l’intensité du courant positive entre A et K, IM est la valeur minimale de I qui maintien l’état de
conduction du thyristor d’où le nom de ‘courant de maintien’ ou ‘hypostatique’ qui est donné
par le constructeur.
IL est la valeur minimale de l’intensité I qui assure l’avalanche de la jonction, IL est appelé
courant d’accrochage (IL > IM avec pour ordre de grandeur 10ˉ³xIn, avec In comme courant
nominal du thyristor).

I (A)

R1 + Vd -

R2
+ IL
- IM

VB0 VAK (volt)

Fig.I.10-a Thyristor avec son circuit d’allumage à
bouton poussoir Fig.I.10-b Caractéristiques directes d’un thyristor

7
 b. Les différents modes d’amorçages d’un thyristor (SCR) :

 Dans un amorçage par tension : le courant de gâchette a une intensité Ig nulle. Si la

tension VAK dépasse une certaine valeur VBO toujours élevée il y a amorçage et
conduction du thyristor.
 Amorçage par élévation de température se produit à Ig=0 pour une valeur élevée de
VAK, mais inférieure à VBO c’est une brusque élévation de température qui risque de
provoquer l’amorçage.
 L’amorçage par une variation rapide de la tension : Soit dVAK/dt élevée à l’intensité
Ig=0. L’ordre de grandeur de dVAK/dt est alors de 100 à 300V/μs. Une croissance très
rapide de la tension VAK, soit dVAK/dt positif amorce le thyristor. Ceci s’explique par
le fait que la jonction de commande à l’état bloqué se comporte comme un condensateur,
d’où la naissance du courant d’intensité I=C dVAK/dt. L’intensité I devient supérieure à
IL ce qui provoque l’amorçage.
 L’amorçage par courant de gâchette : En appliquant un courant adéquat entrant dans la
gâchette, le thyristor devient passant, seulement, il faut que le thyristor soit polarisé en
direct comme une diode. Une fois le thyristor amorcé, il est inutile de maintenir la
présence du courant de gâchette. C’est la raison pour laquelle, la plupart du temps, la
commande se fait par une impulsion de courant. Cette dernière doit néanmoins respecter
certaines conditions : minimum de hauteur, minimum de durée.

I.2.5.2 Blocage d’un Thyristor (SCR) :

Pour qu’un thyristor se bloque, il faut que l’intensité du courant d’anode iA devienne inférieure
à une intensité minimale appelée intensité de maintien ou hypostatique notée IH (Holding
current) pendant un temps minimum. Deux solutions sont possibles :

 Soit par extinction naturelle, c’est-à-dire par passage à zéro du courant d’anode (cas des
courants alternatifs),
 Soit par extinction forcée, c’est-à-dire par application d’une tension inverse (UAK < 0)
qui entraîne l’annulation du courant d’anode IA.

L’extinction naturelle est peu perturbatrice à l’ouverture du circuit.

R3 +
R1 + Vd - - C Bt_o

R1 + Vd -
G
R2
G
Vs R2
Bt_f

Bt_f

Fig.I.11-a Thyristor avec extinction

I.2.6 Caractéristiques naturelle du thyristor
Courant/tension : Thyristor avec un circuit d’allumage
Fig.I.11-b
+
- (bt_f) et d’extinction (Bt_o)
(Cas d’une tension d’alimentation alternative)
8
La figure ci-dessous résume l’ensemble des caractéristiques d’un thyristor, on retrouve la
tension directe de claquage UB0. Celle-ci, même avec l’absence de courant de gâchette provoque
le claquage du thyristor. On retrouve, aussi la tension d’avalanche inverse UBR, celle-ci,
provoque la destruction du composant.

Fig.I.12 Caractéristiques Courant/tension du thyristor

I.2.7 Grandeurs caractéristiques des thyristors :

Les principaux critères de choix d’un thyristor sont tout d’abord ses limites absolues,
principalement la tension maximale à l’état bloqué et le courant maximal à l’état passant. Le
courant de gâchette minimal pour assurer l’amorçage à coup sûr est aussi à considérer.

Les thyristors sont, donc, caractérisés par certaines grandeurs qui déterminent leur d'utilisation,
les plus importantes sont :

I1: Courant efficace maximum pendant la conduction;

Icr : Courant de crête admissible pendant un cycle seulement;
E2 : tension inverse de crête;
EP : Tension inverse de crête sur la gâchette;
EG : Tension positive sur la gâchette pour amorcer la conduction;
IG : Courant de gâchette correspondant à la tension EG;
IM : Courant de maintien (Hypostatique)
IL : Courant d’accrochage
TJ : Température maximale de la jonction (à l'intérieur même du thyristor);

9
I.3 Le Thyristor (GTO) :

Le thyristor GTO (Gate Turn Off), ou tout simplement le GTO, est un SCR blocable. Il constitue,
donc, une amélioration du thyristor classique. Le GTO a la propriété de pouvoir être bloqué à l'aide
d’un courant de gâchette, contrairement aux thyristors classiques. Il est, alors, un interrupteur
électronique unidirectionnel à ouverture et fermeture commandées.

I.3.1 Le symbole du Thyristor GTO :

On représente le thyristor GTO par son symbole normalisé (figure 1.9), on constate qu’au
niveau de la gâchette, on a une possibilité de faire passer un courant dans les deux sens.

Fig.1.13 Symbole d’une GTO

I.3.2 Principe de fonctionnement :

I.3.2.1 L’état passant (ON) :

Le thyristor GTO s'amorce par un courant de gâchette, avec une tension de gâchette positive,
(VgK>0) comme un thyristor SCR ordinaire, s’il est polarisé positivement. Le courant de
gâchette peut être de quelques ampères. Une fois la conduction amorcée, elle se maintient.

I.3.2.1 L’état bloqué (OFF) :

Le thyristor GTO reste bloqué s’il est polarisé en inverse, qu’il y ait ou pas de courant de
gâchette.

Comme le GTO est caractérisé, aussi par sa fermeture qui est commandée, donc, son mode de
blocage spécifique consiste à détourner la quasi totalité du courant d'anode dans la gâchette. En
pratique, on applique donc une tension négative sur la gâchette (Vgk<0) pour injecter un courant
négatif dans la gâchette, autrement dit, c’est une façon de détourner le courant Anode Cathode.
Le temps d’application de la tension négative doit avoir une durée minimale pour assurer un
blocage fiable.

10
I.4 Le Triac :

Le triac (TRIode Alternative Current semiconductor) est un interrupteur électronique

bidirectionnel à fermeture commandée, le courant passe dans les deux sens. Quand à sa
fermeture elle est naturelle. Il est équivalent à deux thyristors montés tète-bèche commandés
par une même gâchette. Le TRIAC est plus particulièrement conçu pour fonctionner sur un
réseau alternatif.

I.4.1 Le symbole du Triac :

On représente le triac par son symbole normalisé

(fig.1.14). Les deux triangles représentent les
deux thyristors qui constituent le triac, ce qui
signifie aussi que le courant peut passer dans les
deux sens. Les deux thyristors partagent une
même gâchette.

Fig.1.14 Symbole d’un Triac

I.4.2 Constitution d’un Triac :

Un TRIAC peut être représenté de façon simplifiée

par un schéma électrique équivalent composé de deux
Thyristors S.C.R. connectés tête-bêche, l’un avec une
gâchette de cathode et l’autre avec une gâchette
d’anode. En réalité, les TRIAC possèdent une
structure un peu plus complexe qui améliore leurs
performances

Fig.1.15 Constitution d’un Triac

11
I.4.3 Caractéristique tension/courant d’un Triac :

Le triac étant constitué deux thyristors montés en tête-bêche, ces caractéristiques sont donc liées
à celles des thyristors.

Le montage en tête-bêche permet d’avoir à chaque fois un des thyristors polarisé positivement,
pour chaque alternance de la tension alternative. Ce qui permet de reproduire la caractéristiques
du thyristor SCR polarité en direct pour les deux alternances, positive et négative, de la tension
UA1A2.

I.4.3.1 Polarisation directe (UA2A1>0 et IA>0). La caractéristique du TRIAC est semblable à

celle d’un S.C.R. (S.C.R.2 du schéma simplifié) polarisé en direct.

I.4.3.2 Polarisation inverse (uA2A1 < 0 et iA < 0). La caractéristique du TRIAC est semblable
à celle d’un S.C.R. (S.C.R.1 du schéma simplifié) polarisé en direct.

I.4.4 Amorçage d’un TRIAC

Pour qu’un TRIAC s’amorce, il faut à la fois :

 Que le courant de gâchette IG soit supérieur en valeur absolue au courant de gâchette

d’amorçage, noté IGT (Gate Trigger Current),

12
  que le courant d’anode IA atteigne en valeur absolue une intensité minimale appelée
courant d’accrochage notée IL (Latching current) avant la disparition du courant de
gâchette,
 Que la tension UA2A1 soit positive ou négative.

I.4.5 Blocage d’un TRIAC

Conçu pour fonctionner en courant alternatif, le blocage d’un TRIAC s’effectue par suppression
du courant des anodes (extinction naturelle). Précisément, pour qu’un TRIAC se bloque, il faut
que l’intensité du courant iA devienne inférieure en valeur absolue à une intensité minimale
appelée intensité de maintien ou hypostatique notée IH (Holding current).

I.5 Transistors bipolaires

On retrouve deux types de transistors bipolaires de puissance, les transistors NPN et les
transistors PNP. Le transistor est un composant commandé à l’ouverture et à la fermeture. Il
n’est pas réversible en courant, ne laissant passer que des courants de collecteur Ic positifs. Il
n’est pas réversible en tension.

I.5.1 Le symbole du transistor :

Il existe deux types de transistors bipolaires : le NPN et le PNP. On adopte les sens positifs des
courants et des tensions indiqués (Fig.1.17). La flèche figurant sur l’émetteur (E) indique le
sens passant des jonctions base-émetteur (BE). En conduction directe, les courants sont positifs
pour le NPN et négatifs pour le PNP.
IC>0 IC

IB>0 IB
VCE

VBE=0,6V VBE=0,6V
IE>0 IE

Fig.1.17-a symbole d’un transistor NPN Fig.1.17-b symbole d’un transistor PNP

I.5.2 Constitution des transistors :

Le transistor bipolaire est un composant à semi-conducteur constitué de trois zones, dopées

positivement (P) ou négativement (N), disposées dans l’ordre soit : N, P et N, ou P, N et P.

 NPN
C P N P E

13
  PNP
C N P N E

B
Fig.1.18 Constitution des transistors (NPN et PNP)

La zone du milieu, mince, constitue la base. Les deux extrémités, aux géométries et aux dopages
différents, constituent l’émetteur et le collecteur. Les trois zones ainsi dopées forment deux
jonctions : la jonction base-émetteur (BE) dite jonction de commande, et la jonction base-
collecteur (BC).

I.5.3 Principe de fonctionnement des transistors :

Transistor bloqué : On obtient l’état bloqué du transistor en annulant le courant IB dit signal
de commande, ce qui induit un courant de collecteur nul et une tension VCE égale à celle de la
source. L’équivalent d’un commutateur ouvert.

Transistor saturé : Dans ce cas, le courant IB est tel que le transistor impose une tension VCE
nulle tandis que le courant IC atteint une valeur limite dite de saturation, ICsat. L’équivalent d’un
commutateur fermé.

I.5.4 Caractéristiques électriques du transistor NPN

I.5.4.1 Montage émetteur - commun

Ce montage nécessite deux

sources de tension :
RC
 EB : pour polariser la
jonction base-émetteur IC
 EC : Pour polariser la EC
RB
jonction Collecteur- IB VCE
Emetteur
EB
IE

Fig.1.19 Montage transistor NPN émetteur commun

14
I.5.4.2 Tension et courants :

Le transistor possédant trois bornes, il faut définir trois courants et trois tensions : En
fonctionnement normal, le courant entre dans le transistor NPN par la base et le collecteur et
sort par l’émetteur.

Avec la convention de signe choisie ci-dessus, les courants sont donc positifs. La tension vCE
est normalement positive.

I.5.4.2.1 Relation entre courants :

Selon la loi des nœuds : IE = IB +IC

Le transistor est conçu pour être commandé par la jonction B-E :

• si le courant de base est nul, la jonction B-E est bloquée et on dit que le transistor
est bloqué.

• S'il y a un courant de base (dans le sens direct : IB > 0), le transistor est dit passant.

Le courant de base est donc un courant de commande.

I.5.4.2.2 Transistor bloqué

La jonction B-E est bloquée : IC=0

• IB= 0 et VBE < VJ (avec VJ ≈ 0,6 à 0,8 V)
IB=0
• Le transistor est bloqué et tous les courants
sont nuls : IB = IC = IE = 0 (en négligeant les
VBE<0,6V
courants de fuite) IE=0
I.5.4.2.3 Transistor passant

La jonction B-E est passante dans le sens direct :

IC>0
• IB > 0 et VBE= VJ (avec VJ ≈ 0,6 V à 0,8 V)

Le transistor est passant et il y a un courant de collecteur IB>0

IC et un courant d’émetteur IE :
VBE=0,6V
• IC > 0 et IE > 0. IE>0

Il existe alors deux régimes de fonctionnement.

a- Fonctionnement en régime linéaire

Le courant de collecteur est proportionnel au courant de base :

15
 IC = β IB

β est le coefficient d’amplification en courant (de quelques dizaines à quelques centaines).

• β >>1 donc IC >> IB IC=β.iB

D’autre part :
IB>0
VCE>VCEsat
• IE = IB + IC

• IE ≈ IC (car IB ≈ 0) VBE=0,6V
IE=(β+1).iB

b- Fonctionnement en régime de saturation :

Au dessus d’une certaine valeur du courant de base (IB sat), le courant de collecteur ‘’sature’’:

• IB > IB sat : IC = IC sat

𝐼𝑐 𝑠𝑎𝑡
• 𝐼𝑏 𝑠𝑎𝑡 =
𝛽

• La tension VCE est alors très proche de zéro :VCE sat ≈ 0,2 V.

iC

R Saturation
iCsat
Régime
linéaire

IC
R EC
IB VCE

EB
IE

iBsat iB
Fig.1.20 Caractéristiques d’un transistor NPN (régime linéaire et Saturation)

I.5.5 Le transistor PNP :

Pour l’étude du transistor NPN, on suit la même logique. L’unique différence réside dans le fait
que le sens des courants et le signe des tensions sont inversés :
16
 RC
IC

IB IC
VCE EC
RB
IB
VBE=0,6V VCE
IE VBE=0,6V
EB
IE

Fig.1.21 Polarisation d’un transistor PNP

I.6 Transistor MOS

La structure Métal-Oxide-Semi-conducteur, que l’on nome plus communément MOS est basé
sur la commande par une polarisation sur une électrode isolée. Et il constitue une variante de
transistor.

I.6.1 Symbole du transistor MOS :

S : Source, D : Drain, G : Grille (Gate), B : Substrat (Bulk). La flèche figurant sur le substrat
(B) des symboles IEEE indique le sens passant des jonctions substrat-source (BS) et
substratdrain (BD). Ces jonctions doivent être bloquées. Les symboles simplifiés ne visualisant
pas les substrats, on suppose que les jonctions BS et BD sont bloquées.

Fig.1.22 Symbole de transistors MOS

Les MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) ou TECMOS (transistor à
effet de champ Métal-Oxyde-Semi-conducteur) doivent leur nom à leur structure en sandwich
: un semi-conducteur, une couche d’oxyde (SiO2), une métallisation (aluminium, silicium
polycristallin) constituant la grille.

17
I.6.2 Principe de fonctionnement des transistors MOS :

Le transistor MOS est un composant totalement commandé : à la fermeture et à l’ouverture. Il

est rendu passant grâce à une tension VGS positive (de l’ordre de quelques volts). La grille est
isolée du reste du transistor, ce qui procure une impédance grille-source très élevée. La grille
n’absorbe donc aucun courant en régime permanent. La jonction drain-source est alors
assimilable à une résistance très faible (interrupteur fermée). On le bloque en annulant la tension
VGS.

 Transistor bloqué : L’absence de tension dans la grille fait que le courant dans le
drain devient nul, donc le MOS est l’équivalent d’un commutateur ouvert.

VGS=0 => ID=0

 Transistor saturé : Avec l’application du tension suffisante dans la grille, fera que le
courant dans le drain prend la valeur de saturation, la valeur max. de suite le transistor
MOS devient l’équivalent d’un commutateur fermé.

VGS >0 => ID >0

I.7 Transistor IGBT :

L’IGBT est une autre variante, encore, du Transistor bipolaire. L’I.G.B.T. (Insulated Gate Bipolar
Transistor) en français : Transistor bipolaire à grille isolée est le mariage du bipolaire et du MOS. Le
transistor bipolaire assure une chute de tension à l’état passant (VCE) plus favorable que le MOS.
Par contre, c’est le MOS qui est plus avantageux en raison de sa commande en tension. Un transistor
hybride, commande MOS en tension et circuit de puissance bipolaire, permet de meilleures
performances.

I.7.1 Symbole de l’IGBT :

L’IGBT est constitué d’une Grille (Gate) ‘G’, d’un

Collecteur (Collector) ‘C’ et d’un Émetteur (Emitter) ‘E’.

Fig.1.23 Symbole de L’IGBT

18
I.7.2 Constitution de l’IGBT :

L’I.G.B.T. est une composition d’un transistor

bipolaire et d’un MOSFET.

I.7.3 Principe de fonctionnement des IGBT :

Si la tension UGE est supérieure à la tension de seuil du NMOS, le NMOS conduit, entraînant
la conduction du PNP par extraction de son courant de base. Si le NMOS est suffisamment
conducteur, le PNP se sature. Au contraire, si la tension UGE est inférieure à la tension de seuil
du NMOS, le NMOS est bloqué, entraînant le blocage du PNP. Le tout se comporte comme un
transistor NPN commandé par une tension (le courant de commande est quasi nul en dehors des
commutations).

19
I.8 Tableau comparatif entre les composants :

Composant Commandabilité La tension de la Réversibilité en

source courant

Diode Non commandable Alternative Non réversible

Thyristor Commande à la Alternative Non réversible

fermeture par
impulsion positive

Thyristor GTO Commande à la : Alternative Non réversible

- fermeture par ou continu
impulsion positive
- l’ouverture par
impulsion négative

Triac Commande à la Alternative Réversible

fermeture par
impulsion positive
ou négative

Transistor bipolaire Commande à la : Continu Non réversible

- fermeture par
un courant positive
- l’ouverture par
annulation du
courant

Transistor MOS Commande à la : Continu Non réversible

- fermeture par une
tension positive
- l’ouverture par
annulation de tension

Transistor IGBT Commande à la : Continu Non réversible

- fermeture par une
tension positive
- l’ouverture par
annulation de tension

20
 II. Le Redressement Non Commandé
II.1 Définitions :

Les redresseurs sont des convertisseurs de l’électronique de puissance. Ils permettent d’obtenir
un courant unidirectionnel de la tension d’une source alternative. On les appelle,
communément, des convertisseurs AC/DC. On retrouve des redresseurs non commandés,
constitués uniquement de diodes, et on retrouve aussi des redresseurs commandés qui doivent
contenir des composants commandables que sont les thyristors.

On classe, aussi, les redresseurs selon le nombre d’alternances et le nombre de phases. On

retrouve donc :

 Des redresseurs mono-alternance monophasé non commandés.

 Des redresseurs mono-alternance monophasé commandés.
 Des redresseurs double alternance monophasé non commandés.
 Des redresseurs double alternance monophasé commandés.
 Des redresseurs mono-alternance triphasé non commandés.
 Des redresseurs mono-alternance triphasé commandés.
 Des redresseurs double alternance triphasé non commandés.
 Des redresseurs double alternance triphasé commandés.

On plus de ce classement très exhaustif, on retrouve aussi, parmi les redresseurs à double
alternance commandés, des plein thyristors et des mixtes (thyristors +diode).

On utilise des redresseurs non-commandés quand on n’a pas besoin d’une tension de sortie
variable en valeurs moyenne.

On utilise des redresseurs commandés quand on a besoin d’une tension de sortie variable en
valeurs moyenne. On obtient la variation de la tension moyenne par l’action sur l’angle
d’amorçage des thyristors.

On peut représenter les redresseurs par la figure ci-dessus, si le redresseur n’est pas
commandable, la valeur moyenne de la tension de sortie est constante sinon, s’il est
commandable, la valeur de sortie est variable.

Réseau Réseau continu à

monophasé/triphasé Entrée Sortie
valeur moyenne de
sinusoïdale à AC DC tension fixe/réglable
fréquence fixe

Fig.II.1 représentation des redresseurs

21
II.2 Redresseur monophasé simple alternance non commandé :

II.2.1 Débit sur une charge résistible : D

I
Pour un redresseur monophasé simple
alternance, on a besoin d’une seule diode UD
pour sa réalisation. Le montage ci-contre
représente ce montage, dans sa plus simple e(t) R UR
expression.

Fig.II.2 Redresseur monophasé simple alternance NC

II.2.1.1 Analyse du fonctionnement :

La diode D est bloquée quand le courant s’annule et elle conduit quand le courant est positif.
Le courant I est redressé. Quand la diode conduit, la tension de la source se retrouve, en grande
partie, aux bornes de la résistance alors qu’une petite chute de tension apparaitra au bornes de
la diode.

Lors de l’étude du circuit, le calcul des chutes de tension s’effectue en se basant sur un modèle
de la diode. Si on considère que la diode est idéale, quand cette dernière conduit la tension de
la source est représentée entièrement aux bornes de la résistance.

II.2.1.2 Représentation de l’évolution de la tension et du courant :

La tension en fonction du temps aux bornes de la diode et de la résistance se présente comme

suit, et cela en s'appuyant sur le modèle de la diode idéale (on a utilisé e(t) très faible ‘2V’ pour
faire apparaitre Vj et URD, avec Vj=0,6V) :

Fig.II.2-a L’évolution de la tension dans le cas d’une diode idéale

22
  En utilisant sur le modèle de la diode avec seuil :
En considérant que Vj = 0,6V :

Fig.II.2-b L’évolution de la tension dans le cas d’une diode avec seuil

 En utilisant sur le modèle de la diode avec seuil et résistance :

En considérant que Vj = 0,6V :

Fig.II.2-c L’évolution de la tension dans le cas d’une diode avec seuil et résistance
NB : pour tracer les courbes, si on a considéré une tension de la source e(t) très faible, c’est
dans l’objectif de faire apparaitre l’effet de Vj et de UD.

A chaque fois, pour le circuit représenté par la figure fig.II.2, on a :

23
E(t)= UR + UD

Quand la diode conduit :

 Pour une diode idéale, on a : UD=0.

 Pour une diode avec seuil, on a : UD=Vj
 Pour une diode avec seuil et résistance, on a : UD= Vj+RD.I

Quand la diode ne conduit pas :

 UD = E(t)
 UR = 0

L’évolution du courant dans le circuit est exactement à l’image de la tension redressée aux
bornes de la résistance R.

II.2.1.2 La valeur moyenne de la tension redressée :

Dans le cas d’une diode parfaite. La tension redressée prend la valeur de la tension de la source
quand la diode conduit (car Vj=0 et RD=0).

Si la tension de la source est donnée par :

𝑒(𝑡) = 𝐸𝑚𝑎𝑥 sin⁡(𝑤𝑡) de période 2𝜋, de 0 à 2𝜋.

La diode conduit lors de l’alternance positive, donc, la tension redressée aux bornes de la
résistance est :

𝑈𝑟𝑒𝑑 = 𝑒(𝑡) pour 𝑤𝑡 ∈ [0, 𝜋]

Et 𝑈𝑟𝑒𝑑 = 0 pour 𝑤𝑡 ∈ [𝜋, 2𝜋]

Donc :
1 2𝜋
𝑈𝑟𝑒𝑑_𝑚𝑜𝑦 = ∫ 𝑈𝑟𝑒𝑑 𝑑𝜃 avec θ=wt.
2𝜋 0

1 𝜋 𝐸𝑚𝑎𝑥 𝜋
𝑈𝑟𝑒𝑑_𝑚𝑜𝑦 = ∫ 𝑈𝑟𝑒𝑑 𝑑𝜃 = ∫0 𝑠𝑖𝑛𝜃. 𝑑𝜃
2𝜋 0 2𝜋

𝐸𝑚𝑎𝑥 𝐸𝑚𝑎𝑥
𝑈𝑟𝑒𝑑_𝑚𝑜𝑦 = . (−𝑐𝑜𝑠𝜃)|𝜋0 =
2𝜋 𝜋

𝐸𝑚𝑎𝑥
𝑈𝑟𝑒𝑑_𝑚𝑜𝑦 =
𝜋

24
II.2.1.3 La valeur efficace de la tension redressée :

La tension efficace est donnée par :

1 2𝜋
𝑈𝑟𝑒𝑑_𝑒𝑓𝑓 2 = ∫ 𝑈 2 𝑑𝜃
2𝜋 0 𝑟𝑒𝑑

1 𝜋 𝐸𝑚𝑎𝑥 2 𝜋
𝑈𝑟𝑒𝑑_𝑒𝑓𝑓 2 = ∫ 𝑈𝑟𝑒𝑑 2 𝑑𝜃 = ∫ 𝑠𝑖𝑛𝜃 2 . 𝑑𝜃
2𝜋 0 2𝜋 0

2 𝐸𝑚𝑎𝑥 2 𝜋
𝑈𝑟𝑒𝑑_𝑒𝑓𝑓 = ∫ 1 − 𝑐𝑜𝑠2𝜃. 𝑑𝜃
4𝜋 0

𝜋
𝐸𝑚𝑎𝑥 2 1 𝐸𝑚𝑎𝑥 2 𝐸𝑚𝑎𝑥 2
𝑈𝑟𝑒𝑑_𝑒𝑓𝑓 2 = [𝜃 − 𝑠𝑖𝑛2𝜃] = .𝜋 =
4𝜋 2 0 4𝜋 4

𝐸𝑚𝑎𝑥
𝑈𝑟𝑒𝑑_𝑒𝑓𝑓 =
2
Le taux d’ondulation de la tension aux borne de la charge est :

∆𝑈𝑟𝑒𝑑 = 𝐸𝑚𝑎𝑥 − 0 = 𝐸𝑚𝑎𝑥

Donc, le taux d’ondulation pour un redresseur mono-alternance débitant sur une charge résistive
est à 100% de 𝐸𝑚𝑎𝑥

NB :

On calcule le courant moyen et efficace avec la même méthode.

II.2.2 Débit sur une charge résistible avec lissage de la tension, charge RC :

Pour le lissage de la tension, on place une D

IS
capacité en parallèle avec la résistance
(la charge).
UD

e(t) C R UR

Fig.II.3. Redresseur mono-alternance

avec lissage de la tension

25
II.2.2.1 Analyse de fonctionnement du circuit :

Le redresseur, quand la diode conduit, va en même temps charger la capacité et alimenter la

charge. Quand la tension redressée baisse, la diode va se bloquer à l’instant où la tension aux
bornes de la capacité devient supérieure à celle de la source. A cette instant, c’est la capacité
qui va se décharger sur la résistance jusqu’à ce que de nouveau la tension de la source redevient,
lors de l’alternance suivante, encore supérieure à celle de la capacité, qui va recommencer à se
recharger.

Le taux d’ondulation va s’améliorer. Très souvent, ce dernier est fixé au préalable, ce qui nous
amène à choisir ou à calculer la valeur de la capacité qui permet de maintenir le taux
d’ondulation dans les valeurs admises.

II.2.2.2 Représentation de l’évolution de la tension et du courant :

La figure ci-dessous représente l’évolution de la tension de la source puis celle aux bornes de
la capacité qui elle-même. On constate que la capacité se charge quand sa tension est inferieure
à celle de la source et puis, elle se déchargera sur la résistance une fois sa tension passe au-
dessus de la tension sinusoïdale de la source, quand cette dernière décroit de sa valeur
maximale.

La Source débité seulement quand la diode conduit. Et cette dernière ne conduit que quand elle
est polarisée positivement, donc quand la tension de la source est supérieure à celle de la
capacité.

Admettant qu’à l’état initial, la capacité est totalement déchargée, donc lors du premier
rechargement, le courant sera plus important que lors des autres recharges qui vont suivre.

26
 La tension Max
V de la source La tension de la La tension aux
Emax=UCmax source e(t) bornes de la charge

Recharge de la capacité t

Recharge de la capacité
1ere recharge de la

Décharge de Décharge de
capacité

la capacité la capacité

ID

Fig.II.4 Evolution de la tension de la source, de la capacité et le courant de la

source pour redresseur monophasé avec lissage de la tension

Pour l’évolution du courant dans la résistance, elle est à l’image de la tension aux bornes de la
capacité. Quand la capacité se charge, le courant dans la résistance provient de la source.

II.2.2.3 II.2.1.2 La valeur moyenne de la tension redressée :

Pour le calcul de la voleur moyenne et efficace de la tension de sortie, on procède à sa

simplification en l’assimilant à une succession de rampes décroissantes dont la pente dépend
de des valeur de la résistance de la charge et de la capacité. La pente est définie par rapport à la
constante du temps τ. Avec τ= RC. L’expression de la tension aux bornes de la résistance UR et
de la capacité UC est elle-même la tension de sortie US, elle est donnée par :
𝑡
𝑈𝑅 = 𝑈𝐶 = 𝑈𝑆 = 𝐸𝑚𝑎𝑥 (1 − )
𝜏

27
 ID
T T

Fig.II.5 Simplification de la tension de sortie d’un redresseur monophasé simple

alternance avec lissage de la tension

Pour le calcul de la valeur moyenne, on peut procéder par le calcul de l’intégrale de la fonction
qui exprime l’évolution de la tension US en considérant l’origine du temps comme l’instant pour
le quel US prend la valeur max. Ou, parce que la US est une droite, on calculant :

𝑈𝑆𝑚𝑎𝑥 + 𝑈𝑆𝑚𝑖𝑛
𝑈𝑆𝑚𝑜𝑦 =
2

Sachant que la tension US va prendre sa valeur min pour t= T, selon la figure figII.5, donc :

𝑈𝑆𝑚𝑎𝑥 = 𝐸𝑚𝑎𝑥

𝑇
𝑈𝑆𝑚𝑖𝑛 = 𝐸𝑚𝑎𝑥 (1 − )
𝜏
On calcul USmoy :

𝑈𝑆𝑚𝑎𝑥 + 𝑈𝑆𝑚𝑖𝑛 1 𝑇
𝑈𝑆𝑚𝑜𝑦 = = (𝐸𝑚𝑎𝑥 + 𝐸𝑚𝑎𝑥 (1 − ))
2 2 𝜏

28
 1 𝑇
𝑈𝑆𝑚𝑜𝑦 = 𝐸𝑚𝑎𝑥 (1 + (1 − ))
2 𝜏

𝑇
𝑈𝑆𝑚𝑜𝑦 = 𝐸𝑚𝑎𝑥 (1 − )
2𝜏
Comme τ = RC et T=1/f

On écrire :

1
𝑈𝑆𝑚𝑜𝑦 = 𝐸𝑚𝑎𝑥 (1 − )
2𝑅𝐶𝑓

II.2.2.4 II.2.1.2 La valeur efficace de la tension redressée :

Pour le calcul de la valeur efficace, on considère les mêmes simplifications que pour le calcul
de la valeur moyenne. Et on écrit :
2
2
1 𝑇 𝑡
𝑈𝑆𝑒𝑓𝑓 = ∫ (𝐸𝑚𝑎𝑥 (1 − )) 𝑑𝑡
𝑇 0 𝜏

2
𝐸𝑚𝑎𝑥 2 𝑇 𝑡 2
𝑈𝑆𝑒𝑓𝑓 = ∫ (1 − ) 𝑑𝑡
𝑇 0 𝜏

2 2 𝑇 𝑇2
𝑈𝑆𝑒𝑓𝑓 = 𝐸𝑚𝑎𝑥 (1 − + )
𝜏 3𝜏 2

Donc, on peut écrire :

1 1
𝑈𝑆𝑒𝑓𝑓 = 𝐸𝑚𝑎𝑥 . √1 − +
𝑅𝐶𝑓 3. (𝑅𝐶𝑓)2

29
II.2.3 Débit sur une charge résistible avec lissage du courant, charge RL :

Le montage d’une
inductance en série avec la L
D
charge résistive, permet de IS
lisser le courant et pour
UD
d’éviter l’apparition de
tensions négatives aux e(t) R UR
DRL
bornes de la charge, il faut
aussi placer une diode de
roue libre en parallèle avec
cette dernière.
Fig.II.3. Redresseur mono-alternance
avec lissage du courant

II.2.3.1 Analyse de fonctionnement du circuit :

 Sans diode de roue libre :

Sans la diode de roue libre DRL le courant qui est déphasé de la tension (il est en retard) va
poursuivre son passage à travers la diode même si la tension de la source devient négative (la
diode est polarisée en inverse). Cela va provoquer l’apparaissions d’une tension négative aux
bornes de la charge (la résistance et l’inductance) voir figure fig.II.4

 Avec diode de roue libre :

La diode de roue libre sera traversée par le courant résiduel emmagasiné dans la bobine. Ce qui
fait que la tension négative de la source n’a plus de raison d’être. A l’instant où cette dernière
apparaitra, c’est la diode de roue libre qui va conduire ce qui va bloquer la diode de
redressement.

Donc la diode de roue libre va conduire quand la tension de la source devient négative et elle
sera traversée par le courant emmagasiné dans la bobine. Voir la figure fig.II.5

II.2.3.2 Représentation de l’évolution de la tension et du courant :

Ayant une charge inductive, le courant est en retard par rapport à la tension. La diode de
redressement va se bloqué quand le courant s’annule pour le circuit sans diode de roue libre.
Avec cette dernière, la diode va se bloquer quand la tension s’annule.

Et elle ne redeviendra conductrice que quand la tension de la source est positive. Voir la figure
fig.II.5

30
 Le courant dans la Tension redressée
charge ICH et de la (en gras) Tension de la source
source IS

Fig.II.4 L’évolution de la tension de la source et celle redressée ainsi que le

courant pour une charge inductif sans diode de roue libre

Tension redressée
Le courant dans la (en gras) Tension de la source
charge ICH

IS

IDRL

31
Fig.II.4 L’évolution de la tension de la source et celle redressée ainsi que le courant
pour une charge inductif avec diode de roue libre
Sans la diode de roue libre, la courant dans la charge est le même que celui dans la source. Avec
la diode la diode de roue libre, il y aura un courant qui va circuler a travers cette dernière, c’est
IDRL, de telle sorte à ce que ICH, le courant dans la charge soit égal à la somme de IS et de IDRL,
le courant dans la source et dans la diode de roue libre.

Avec la diode de roue libre, la tension négative aux bornes de la charge disparait. Le courant
emmagasiné dans l’inductance de la charge et qui devrait forcer son passage à travers la diode
de redressement, va donc circuler à travers la diode de roue libre. La tension aux de la charge
va se réduire à la tension aux bornes de la DRL.

II.3 Redresseur double alternance monophasé non commandé :

II.3.1 Débit sur une charge résistive :

On obtient un redresseur double alternance soit à l’aide d’un transformateur à point milieu, ou
avec un montage en pont.

II.3.1.1 Montage à point milieu :

Dans ce type de montage, on utilise des transformateurs dont le secondaire dispose d’un point
milieu. Ce dernier permet de disposer de deux tensions en opposition de phase.

D1
e1(t) UR
e(t) R

e2(t)

D2

Fig.II.4 Redresseur double pont, montage point milieu

 L’évolution des tensions dans un redresseur double alternance à point milieu

Dans un redresseur double alternance à point milieu, on dispose de deux tension (e1(t)
et e2(t)) avec une amplitude e1max = e2max=1/2 emax. Les diodes D1 et D2 vont jouer le
rôle de redresseur mono-alternance pour chacune des deux tensions e1(t) et e2(t).

32
 Tension au primaire du Tension au secondaire Tension au secondaire
transformateur e(t) du transformateur e1(t) du transformateur e2(t)
V
emax
e1max= e2max

Fig.II.5 L’évolution des tensions au primaire (e(t)) et au secondaire

(e1(t) et e2(t))

La tension e1(t) redressée par la La tension e2(t) redressée par la

diode D1 aux bornes de R diode D2 aux bornes de R

t
URmax=e1max= e2max= emax /2

Fig.II.6 La tension redressée aux bornes de la résistance R pour Redresseur

double alternance à point milieu

33
La résistance (la charge) va avoir une tension à ses bornes pour les deux alternances positive et
négative de la tension d’alimentation, la tension au primaire du transformateur. La tension est
périodique, sa période est la moitié de la période de la tension au primaire du transformateur
e(t).

II.3.1.2 Montage en pont :

Appeler aussi pont de Graëtz, et c’est une autre manière de faire du redressement double
alternance, ne nécessitant pas de transformateur. On utilise 4 diodes montées en pont.

D1 D2
UR
e(t)

D3 D4

Fig.II.6 Redresseur double alternance, montage en pond

 L’évolution des tensions dans un redresseur double alternance, montage à pont :

La différence entre un redresseur double alternance à montage point milieu et à montage à pont
est la valeur de la tension maximale redressée. La valeur de la tension maximale redressée pour
le montage à pont est le double de celle des montages à point milieu pour une même tension
d’alimentation.

Tension de la source Tension redressée

V

Fig.II.7 L’évolution de la tension de la source et de celle redressée pour un

redresseur double alternance, montage à pont
34
II.3.1.3 II.2.1.2 La valeur moyenne de la tension redressée :

Pour un redresseur double alternance, montage à pont, on à la période de la tension redressée

qui est égale à la moitié de tension obtenue par les redresseur simple alternance. Donc, la
méthode de calcul reste la même. Il suffit de changer la période qui passe de 2𝜋 à 𝜋.

Donc, avec θ=wt, on écrit :

1 𝜋 𝐸𝑚𝑎𝑥 𝜋
𝑈𝑟𝑒𝑑_𝑚𝑜𝑦 = ∫0 𝑈𝑟𝑒𝑑 𝑑𝜃 = ∫0 𝑠𝑖𝑛𝜃. 𝑑𝜃
𝜋 𝜋

𝐸𝑚𝑎𝑥 2. 𝐸𝑚𝑎𝑥
𝑈𝑟𝑒𝑑_𝑚𝑜𝑦 = . (−𝑐𝑜𝑠𝜃)|𝜋0 =
𝜋 𝜋
2. 𝐸𝑚𝑎𝑥
𝑈𝑟𝑒𝑑_𝑚𝑜𝑦 =
𝜋
II.3.1.4 La valeur efficace de la tension redressée :

Pareil pour la tension efficace. Donc cette dernière est donnée par :

2 1 𝜋 2 𝐸𝑚𝑎𝑥 2 𝜋
𝑈𝑟𝑒𝑑_𝑒𝑓𝑓 = ∫ 𝑈𝑟𝑒𝑑 𝑑𝜃 = ∫ 𝑠𝑖𝑛𝜃 2 . 𝑑𝜃
𝜋 0 𝜋 0

2 𝐸𝑚𝑎𝑥 2 𝜋
𝑈𝑟𝑒𝑑_𝑒𝑓𝑓 = ∫ 1 − 𝑐𝑜𝑠2𝜃. 𝑑𝜃
2𝜋 0
𝜋
𝐸𝑚𝑎𝑥 2 1 𝐸𝑚𝑎𝑥 2 𝐸𝑚𝑎𝑥 2
𝑈𝑟𝑒𝑑_𝑒𝑓𝑓 2 = [𝜃 − 𝑠𝑖𝑛2𝜃] = .𝜋 =
2𝜋 2 0 2𝜋 2

𝐸𝑚𝑎𝑥
𝑈𝑟𝑒𝑑_𝑒𝑓𝑓 =
√2

II.4 Redresseur triphasé non-commandés :

II.4.1 Fonctionnement des redresseurs triphasés simple alternance : montage P3

Nous utilisons l'adjectif "parallèle" (P) pour ce type de montage car entre les deux bornes de
sortie, on trouve en parallèle les trois phases formées chacune par une phase et une diode.

Les figures Fig.II.8.a et Fig.II.8.b représente le montage P3, avec le commutateur à trois diodes.
Seul le secondaire en étoile du transformateur est représenté. Le neutre "N" est branché au point
neutre du secondaire du transformateur.

La figure Fig.II.8.a représente un montage P3 avec la cathode commune, donc la tension de

sortie est positive. Alors que la figure Fig.II.8.b représente un montage P3 avec l’anode

35
commune, donc la tension de sortie est négative. Pour tout le reste les deux montages sont
identiques.

D1 ID1
e1(t)

UR
D2 ID2
e2(t) R

D3 ID3
e3(t)

FigII.8.a Redresseurs triphasés simple alternance : montage P3 à

cathodes communes

D1
ID1
e1(t)

D2 UR
ID1 ICH
e2(t) R

D3
ID1
e3(t)

FigII.8.b Redresseurs triphasés simple alternance : montage P3 à anodes communes

II.4.2. L’évolution des tensions dans un redresseur P3 :

36
Nous considérant pour ce qui suit, les montages P3 à cathodes communes qui débitent sur des
charges résistifs.

Dans ce cas, on aura une seule la diode dont l'anode est au plus haut potentiel qui peut conduire.

Supposons qu'à un instant donné t1, e1(t) devient la tension la plus élevée. Si c’est la diode D2
conduisait, avant t1, donc pour t≤t1 on a (VD2=0, Ud =UR= e2(t)), Pour la diode D1, quand t≥t1
on a :

𝑉𝐷1 = 𝑉1 − 𝑈𝑅 = 𝑉1 − 𝑉2 > 0

Donc, la diode D1 devient passante.

On a alors :

𝑉𝐷1 = 0

Et

𝑉𝐷2 = 𝑉2 − 𝑉1 < 0

Donc la diode D2 se bloque. On a donc :

𝑈𝑑 = 𝑈𝑅 = 𝑉1 ⁡⁡⁡𝑞𝑢𝑎𝑛𝑑⁡⁡⁡⁡𝑉1 > 𝑉2 ⁡𝑒𝑡⁡𝑉3

𝑈𝑑 = 𝑈𝑅 = 𝑉2 ⁡⁡⁡𝑞𝑢𝑎𝑛𝑑⁡⁡⁡⁡𝑉2 > 𝑉1 ⁡𝑒𝑡⁡𝑉3

𝑈𝑑 = 𝑈𝑅 = 𝑉3 ⁡⁡⁡𝑞𝑢𝑎𝑛𝑑⁡⁡⁡⁡𝑉3 > 𝑉1 ⁡𝑒𝑡⁡𝑉2

On obtient en définitive le graphe ci-dessous :

Ainsi chaque diode conduit pendant un tiers de la période. On a représenté dans le tableau sous
le graphe les intervalles de conduction des diodes (0 : diode bloquée ; 1 : diode passante) ainsi
que les expressions des tensions Ud et vD1.

Avec Ud = UR

Soit :

𝑉𝐷1 = 0 lorsque D1 conduit,

𝑉𝐷1 = 𝑉1 − 𝑉2 lorsque D2 conduit

𝑉𝐷1 = 𝑉1 − 𝑉3 lorsque D3 conduit

37
Voir figure fig.II.9

Avec :

V1 = e1(t), V2 = e2(t) et V3 = e3(t)

Ud = UR

Fig.II.9 Montage P3 : la tension redressée

2.2 Redressement parallèle double ou en pont : montage PD3

La figure ci après représente le redresseur PD3. Seul le secondaire du transformateur est

représenté. Ce montage est à comparer au pont de Graëtz en monophasé et à ce titre il peut
également être appelé triphasé double alternance.

Le secondaire du transformateur est couplé en étoile et connecté à deux groupes de diodes : un

commutateur à cathode commune (D1, D2, D3) et un commutateur à anode commune (D4, D5,
D6).

38
 D1 D2 D3
e1(t)
e2(t) UR
e3(t)

D4 D5 D6

Fig.II.10 Redresseur double alternance. Montage PD3

L'existence d'un courant continu dans la charge exige la conduction de deux diodes à tout
instant, une de chaque commutateur.

La règle pour déterminer les diodes passantes est la même que pour le montage P3 :

 Pour le commutateur à cathode commune, la diode dont l'anode est au potentiel le plus
élevé conduit, d’où la dénomination « + positif » ;
 Pour le commutateur à anode commune, la diode dont la cathode est au potentiel négatif
le plus faible conduit, d’où la dénomination « + négatif ».

Donc :

Lorsque : 𝑒1 (𝑡) > 𝑒3 (𝑡) > 𝑒2 (𝑡), D1 et D5 conduisent : 𝑈𝑑 = 𝑈𝑅 = 𝑒1 (𝑡) − 𝑒2 (𝑡)

Lorsque : 𝑒1 (𝑡) > 𝑒2 (𝑡) > 𝑒3 (𝑡), D1 et D6 conduisent : 𝑈𝑑 = 𝑈𝑅 = 𝑒1 (𝑡) − 𝑒3 (𝑡)

Lorsque : 𝑒2 (𝑡) > 𝑒1 (𝑡) > 𝑒3 (𝑡), D2 et D6 conduisent : 𝑈𝑑 = 𝑈𝑅 = 𝑒2 (𝑡) − 𝑒3 (𝑡)

Chaque diode conduit ainsi pendant un tiers de période, tandis que la tension redressée se
compose de six portions de sinusoïdes par période T; ces deux indices avaient des valeurs égales
dans le cas des montages parallèles simples.

Sur la figure qui suit, on a représenté l'allure de la tension redressée ud ainsi que la tension aux
bornes de la diode D1 ( vD1 ).

39
Fig.II.11 Montage PD3 : la tension redressée

40