ELECTRONIQUE

MASTER EN ELECTROMECANIQUE
IEPSCF - Uccle

Dr. M.L. Hadjili

Version 1
2. La jonction PN

1.1 Définition
1.1 Polarisation d’une jonction
2. Les Diodes

2.1 Définition Id Id

Caractéristique courant- Vd
tension d’une diode idéale : sous polarisation “directe”
(“Vd0”), la diode = court-circuit
(i.e. conducteur parfait)

Vd
sous polarisation “inverse” (Vd<0)
la diode = circuit ouvert

Ce type de composant est utile pour réaliser des fonctions électroniques telles que le
redressement d’une tension, la mise en forme des signaux (écrêtage, …).

La diode (même idéale) est un composant non-linéaire

Aujourd’hui la majorité des diodes sont faites à partir de matériaux semiconducteurs

4
2.2 Caractéristiques d’une diode réelle à base de Silicium
hyp: régime statique
(tension et courant I
indépendants du d
140
temps) comportement linéaire
100

60

20
Is
Vo
-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 Vd

◼ Pour Vd <0, la diode se comporte comme un bon isolant : Is ~ 1 pA - 1µA ,

 la diode est dite “bloquée”
 dans ce domaine son comportement est approximativement linéaire
 le courant “inverse”, Is , augmente avec la température

◼ Pour Vd >> ~0.7, le courant augmente rapidement avec une variation à peu près linéaire
 la diode est dite “passante”
 mais Id n’est pas proportionnel à Vd (il existe une “tension seuil”~ Vo)

5
 I
d
140

100

60

20

Vo
-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 Vd

◼ Zone « du coude » : Vd [0,~ Vo] : augmentation exponentielle du courant

Vd avec 1 2 (facteur “d’idéalité”)
[ ( )]
I d =≃ I s exp
η VT
−1
VT = k • T/e
k = 1,38 10-23 J/K= constante de Boltzmann
e= 1.6 10-19Coulomb, T la température en °Kelvin
Is = courant inverse

le comportement est fortement non-linéaire

forte variation avec la température

VT (300K) = 26 mV
6
Limites de fonctionnement :

◼ Zone de claquage inverse Id

Ordre de grandeur :
VdId=Pmax
Vmax = quelques dizaines de Volts Vmax

Vo Vd
peut conduire à la destruction pour une
diode non conçue pour fonctionner dans
cette zone.

Vmax = « P.I. V » (Peak Inverse Voltage) ou claquage par effet

« P.R.V » (Peak Reverse Voltage) Zener ou Avalanche
◼ Limitation en puissance

Il faut que VdId=Pmax

◼ Influence de T : diode bloquée : Id = IS double tous les 10°C (diode en Si)

diode passante : Vd (à Id constant) diminue de ~2mV/°C

7
2.3 Diode dans un circuit et droite de charge

2.3.1 Point de fonctionnement

◼ Comment déterminer la tension aux bornes d’une diode insérée dans un circuit et le
courant qui la traverse?

Id
Val Vd Id , Vd, ?
RL VR

 Id et Vd respectent les Lois de Kirchhoff

 Id et Vd sont sur la caractéristique I(V) du composant

 Au point de fonctionnement de la diode, (Id,Vd) remplissent ces deux conditions

8
2.3.2 Droite de charge
V al −V d
◼ Loi de Kirchoff : ⋯→ I d = RL
= Droite de charge de la diode dans le circuit

Caractéristique I(V)

Id
Val/RL
Q Q= Point de fonctionnement
IQ

« Droite de charge »

Vd
VQ Val

 Connaissant Id(Vd) on peut déterminer graphiquement le point de fonctionnement

 procédure valable quelque soit la caractéristique I(V) du composant !

 On peut “calculer” le point de fonctionnement en décrivant la diode par un modèle simplifié.

9
2.4 Modéles Statiques à segments linéaires  hyp: Id, Vd constants

2.4.1. “Première” approximation: Diode « idéale »

 On néglige l’écart entre les caractéristiques réelle et idéale

Id
⚫ pas de tension seuil Id
⚫ conducteur parfait sous polarisation directe
Vd Vd
⚫ Vd <0: circuit ouvert

◼ Schémas équivalents :
Id Ri
pente=1/Ri diode “passante”
Val ⇔ I d ≥0
Val >0 Vd V al
Ri Val I d= , V d =0
Ri

Val Id Ri
diode “bloquée”
Val ⇔V d <0
Val< 0 Vd
Val I d =0, V d =V al
10
2.4.2 Seconde approximation

⚫ tension seuil Vo non nulle Id

Id
⚫ caractéristique directe verticale
Vd
(pas de “résistance série”)
⚫ Vd <0: circuit ouvert
Vd
Vo
Pour une diode en Si: Vo  0,6-0,7 V

schémas équivalents :
◼ Schémas équivalents Ri
Id diode “passante”
pente=1/Ri
V ⇔ I d ≥0
Val
o
Val >Vo Vd
V al −V o
Ri Vo Val I d= , V d =V o
Ri
Val Id Ri
diode “bloquée”
Val ⇔V d <V o
Val<Vo Vd
I d =0, V d =V al
Val

11
2.4.3 3ième Approximation
Caractéristique réelle
pente = 1/Rf
⚫ tension seuil Vo non nulle Id
⚫ résistance directe Rf non nulle
Vd
⚫ Vd <0: résistance Rr finie pente = 1/Rr~0 Modélisation

 Pour une diode en silicium, Vd

Vo = 0,6-0.7V, Rf ~ q.q. -2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 1
10 Rr >> M Vo

◼ Schémas équivalents
schémas équivalents :
Id
Val >Vo : pente=1/Ri
Ri Vo
diode passante
Vd Val Vd Id ⇔I d ≥0 et V d ≥V o
Vo Val Rf →V d =V o +R f I d
Id
Ri
Val <Vo :
Vd diode bloquée
Val ⇔V d <V o
Val Rr
12
Remarques :

Vd
◼ Rf≠
Id

◼ Le choix du modèle dépend de la précision requise.

◼ Les effets secondaires (influence de la température, non-linéarité de la

caractéristique inverse, ….) sont pris en compte par des modèles plus évolués
(modèles utilisés dans les simulateurs de circuit de type SPICE, Multisim, …).

13
2.4.4 Calcul du point de fonctionnement via l’utilisation des schémas équivalents :

Problème: le schéma dépend de l’état (passante ou bloquée) de la diode.

Démarche (pour débutant...):

a) choisir un schéma (ou état) en vous aidant de la droite de charge

b) trouver le point de fonctionnement Q de la diode

c) vérifier la cohérence du résultat avec l’hypothèse de départ

S’il y a contradiction, il y a eu erreur sur l’état supposé de la diode.

Recommencer le calcul avec l’autre schéma.

Démarche pour étudiants confirmés...

Un coup d’œil attentif suffit pour trouver l’état (passant/bloqué) de la diode !
Le calcul de Q se fait tout de suite avec le bon schéma équivalent...

14
 Exemple : Calcul de Q du circuit suivant, en utilisant la 3ième approximation pour la diode.

hypothèse initiale : diode passante [Vd >Vo , (Id>0)]

>
Val = 5V RL= Vd OK!
1k
Id Vo Rf V al −V o
⋯→I d = =4,33mA
Informations sur la diode:
> R f +R L
Vo = 0.6V ( Si) 5V 1k et V d =V o +R f I d =0,66 V
Rf = 15
Rr =1M

En partant de l’hypothèse d’une diode bloquée: →V d≈5V >V o …

En utilisant la 2ième approximation: (Rf = 0, Rr = ) ⋯→I d =4,4 mA et V d =0,6V

La 2ième approx. est souvent suffisante pour une étude qualitative du fonctionnement d’un circuit

15
 Autres exemples :
Caractéristiques des diodes :
1) Rf = 30, Vo=0.6V, Is=0 et RR infinie
50 Calcul de Id et Vd

pour :
Val 1M a)Val = -5V
b) Val = 5V

Conseil: simplifier le circuit d’abord avant de vous lancer dans des calculs

2) R1 = 1k Etude du signal de sortie en fonction de l’amplitude du signal d’entrée :

• à fréquence nulle : ventrée = Ve (constant)

ventrée vsortie • avec ventrée signal basse fréquence telque le modèle statique reste
Vref=2V valable (période du signal < temps de réponse de la diode pas
d’effet “capacitif” ou )

16
3) D1 D2

Diodes au Si
2V
100 

50
4)

1V

Diodes au Si

17
2.5 Comportement dynamique d ’une diode

2.5.1 Préambule : Analyse statique / dynamique d’un circuit

L’ Analyse statique

… se limite au calcul des valeurs moyennes des grandeurs électriques

(ou composantes continues, ou encore composantes statiques)

• Analyse complète du circuit si seules des sources statiques sont présentes

L’ Analyse dynamique

… ne concerne que les composantes variables des tensions et courants (ou “signaux” électriques, ou
encore composantes alternatives (AC) )

• N’a d’intérêt que s’il y a des sources variables!

Notation : lettres majuscules pour les composantes continues

lettres minuscules pour les composantes variables

18
Illustration : Etude la tension aux bornes d’un composant inséré dans un circuit.

R1
hypothèses: ve = signal sinusoïdal, à valeur moyenne nulle
ve VE = source statique
R2 V(t)=V+v(t)
VE

Calcul complet

R2 R2 R2
V (t )= V +v t V v (t )
R 1 +R 2 [ E e ] R 1 +R 2 E R 1 +R 2 e
( ) = +

V v(t)
Principe de superposition :
Comme tous les composants sont linéaires, le principe de superposition s’applique
la source statique VE est à l’origine de V , et ve est à l’origine de v

19
 R1
Analyse statique :
R2
v̄ e =0 VE V V̄ = V
R2 R 1 +R 2 E

“schéma statique” du circuit

 En statique, une source de tension variable à valeur moyenne nulle correspond à un court-circuit

R1
Analyse dynamique : VE = 0
R2
v ( t )= v (t )
ve R2 v R 1 +R 2 e

“schéma dynamique”

 Une source de tension statique correspond à un “court-circuit dynamique”

20
Autres exemples:
R1 R2
1)
ve Io R3 V(t)=V+v(t)

Schéma statique R1 R2
R1 R3
V= I
R 1 +R 2 +R 3 o
I o R3 V

Schéma dynamique
R1 R2
R 3 ve (t )
v ( t )=
ve R3 v R 1 +R 2 +R 3

 Une source de courant statique est équivalent en régime dynamique à un circuit

ouvert. [puisque i(t)=0!]
21
2) ▪ C = composant linéaire caractérisé par une impédance qui
Val dépend de la fréquence du signal

R1
C

Rg
vg R2 V (t)


Schéma statique : à fréquence nulle C = circuit ouvert

Val R2
→V= V
R1 R 1 +R 2 al

R2 V

22
 Schéma dynamique :
1
Zc=
iCω

R 2 // R 1 1
→ v= v avec Z g =R g +
R1 R 2 // R 1 +Z g g iCω
ZC

vg Rg
 R2 v

schéma équivalent dynamique

R 2 // R 1
pour  suffisamment élevée : Z g≈Rg et v= v
R 2 // R 1 +R g g

▪ A “très hautes” fréquences (à préciser suivant le cas), le condensateur peut être remplacé par
un court-circuit.

23
 Le principe de superposition n’est plus valable en présence de composants non-linéaires !

Extrapolations possibles:

le point de fonctionnement reste dans un des domaines de linéarité du composant non-

linéaire

l’amplitude du signal est suffisamment faible pour que le comportement du composant

reste approximativement linéaire.

➔ “modèle linéaire petits signaux” de la diode

24
2.5.2 Modèle petits signaux (basses fréquences)

hypothèse: variation suffisamment lente (basse fréquence) pour que la caractéristique “statique” reste
valable.

◼ Variation de faible amplitude autour du point de fonctionnement statique Q :

➔ la caractéristique Id(Vd) peut être approximée par la tangente en Q

pente : dI d
 id =≃ | ⋅v
dI d dV d Q d
|
Id dV d Q
schéma équivalent dynamique
correspondant au point Q :

I Qd 2|id| Q
Vd dI d −1
 | = “résistance dynamique”
Vo
dV d Q de la diode
 v|

V Qd

▪ Ce schéma ne peut être utilisé QUE pour une analyse dynamique du circuit !
25
◼ Notation :
dI d −1
rf = |V >0 = résistance dynamique pour VdQ> 0
dV d d

dI d −1
rr = |V <0 = résistance dynamique pour VdQ < 0
dV d d

Pour Vd >> Vo, rf  Rf

−1
V

Pour Vd  [0, ~Vo] , dI d −1 d

r f = |V
dV d dV d
d [
Ise ( ηV
d
T
−I s )] =η
VT
Id
Pour Vd < 0 , rr  Rr

▪ à température ambiante : rf=25/Id(mA) [Ω]

▪ proche de Vo la caractéristique I(V) s’écarte de la loi exponentielle

rf ne devient jamais inférieure à Rf (voir courbe expérimentale,)
26
Exemple :
diode: Si, Rf = 10 , Vo = 0,6V ,
Rb Température : 300K
1k C 2k
Ra 10µF D v e =0,1⋅sin (10 3⋅2π⋅t )
5V Ve ve Vd(t)

5−0,6
Analyse statique : I D≈ =2,2mA, V D≈0,62V
2000

Analyse dynamique : rf=25/2,2=12Ω Zc=16 Ω<<Ra

Schéma dynamique :

→ v d ≈1,2⋅10−3 sin ( 10 3⋅2π⋅t )

2k
1k
Amplitude des ondulations résiduelles : 1,2 mV
vd
ve ~ 12

27
2.6 Quelques diodes spéciales

2.6.1 Diode Zener

Diode conçue pour fonctionner dans la zone de claquage inverse, caractérisée par une tension
seuil négative ou « tension Zener » (VZ)

Caractéristiques
VZ : tension Zener (par définition: VZ >0)
Id
Imin : courant minimal (en valeur absolue) au delà
-Vz Vd duquel commence le domaine linéaire “Zener”
-Imin
Imax : courant max. supporté par la diode
(puissance max:Pmax ~VZImax)

-Imax

Ordre de grandeur : VZ ~1-100 V , Imin ~0,01- 0,1mA, Pmax  régime de fonctionnement

28
◼ schémas équivalents
 Modèle statique :
hyp : Q  domaine Zener

Rz
Vd
Id

Id
Vz
+
-Vz Vd
-Imin
Q  Modèle dynamique, basses fréquences, faibles
pente signaux :
1/Rz
−1
dI d
-Imax r z=
[ ]|
dV d Q
≃ =R z pour |Id| >Imin

29
2.6.2 Diode électroluminescente (ou LED)

◼ Principe : La circulation du courant provoque la luminescence

 Fonctionnement sous polarisation directe (V > Vo)

 L’intensité lumineuse  courant électriqueId

▪ Ne marche pas avec le Si, plutôt avec l’Arsénure du Gallium

 Vo  0.7V ! (AsGa: ~1.3V)

30
 3. Applications des Diodes

3.1 Limiteur de crête (clipping)

◼ Fonction : Protéger les circuits sensibles (circuits intégrés, amplificateur à grand gain…) contre
une tension d’entrée trop élevée ou d’une polarité donnée.

Clipping parallèle
(diode // charge) droite de charge
Id
Rg Vg
circuit à R g // Z e Q
Vg Ve Ze protéger Vd=Ve
Vo
Vg
Limite d’utilisation : Puissance maximale tolérée par la diode.

Clipping série :
Rg

circuit à
Vg Ve(t) Ze protéger
31
3.2 Alimentation
◼ Objectif: Transformer un signal alternatif en tension continue stable
(ex: pour l’alimentation d’un appareil en tension continue à partir du secteur)

Les fonctions effectuée par une alimentation :

Redressement Filtrage passe-bas Régulation

V>0

V<0

33
Redressement simple alternance
Vs V m −0.7

220V
50Hz Vs Rc
(cf avant)
t
Ri =résistance de sortie du transformateur
Vm =amplitude du signal du secondaire

Redressement double alternance (pont de Graetz)

R
D1 Vs V
,i ~1.4V
D2

Vi Vs Rc
t
D3 D4 |V i|<1.4V

34
avec filtrage : 50 
R

Rc=10k
D1 D2
Vi Vs
200µF
D3 D4

ondulation résiduelle

Charge du condensateur à travers R

et décharge à travers Rc
➔ RC << RcC

sans condensateur
avec condensateur

Régulation: utilisation d’une diode Zener 35

Autres configurations possibles :

◼ Utilisation d’un transformateur à point milieu :

 mauvais rendement, puisqu’à

secteur
chaque instant seule la moitié du
~
bobinage secondaire est utilisé

transformateur à
point milieu

◼ Alimentation symétrique :

+Val

secteur
~ masse

-Val

36
3.3 Restitution d’une composante continue (clamping) ou « circuit élévateur de tension »

◼ Fonction : Décaler le signal vers les tensions positives (ou négatives)

 reconstitution d’une composante continue (valeur moyenne) non nulle

Exemple : Rg C

Vg(t) Vc Vd
D

Fonctionnement : (hyp: diode au silicium)

Lorsque Vg - Vc > ~0.7V , la diode est passante Lorsque Vg - Vc < 0.7, la diode est bloquée
Rg C Rg C
I

Vc Vc
Vg Vd ~0.7V Vg Vd

C se charge et Vc tend vers Vg – 0.7 Vc = constant (C ne peut se décharger!)

Vd ~ 0.7 Vd = -(Vg +Vc )=-2Vg +0,7

~ composante continue
37
 Cas particulier : Rg C
V g =V m sin ( ω⋅t ) pour t>0
Vg(t) Vc Vd
V c =0 pour t<0 (C déchargé) D
Phase transitoire au cours de laquelle le condensateur se charge

C=1µF
Simulation Rg =1k
Vg f= 100hz
Vm =5V
Vc
charge du condensateur

Vd 0.7V

Vd
t (s)

38
Charge de C avec une constante de temps de RgC à chaque fois que la diode est passante

Décharge de C avec une constante de temps RrC

 le circuit remplit ses fonctions, si pour f >>1/RrC (105hz dans l’exemple) :

 en régime permanent: Vd  Vg - Vm

composante continue

39
Circuit élévateur ou abaisseur avec charge:
3.4 Multiplieur de tension
◼ Fonction : Produire une tension de sortie continue à partir d’un signal d’entrée variable. La
tension continue est généralement un multiple de l’amplitude du signal d’entrée.
Exemple : doubleur de tension
Rg C V g =V m sin ( 2πf⋅t ) pour t>0
Vm=10V, f=50Hz, C=10µF
Vg ~ VD1 VRc Rc>> Rg
Cl
Rc=100k.

clamping redresseur monoalternance avec filtre RC

VD1 ,VRc
• En régime établi, le courant d’entrée du
redresseur est faible (~ impédance
d’entrée élevée)

→V R =≃ 2⋅V m −1,4≈2⋅V m
c

t • Il ne s’agit pas d’une bonne source de

tension, puisque le courant de sortie (dans
Rc) doit rester faible (~ résistance interne
régime transitoire / permanent élevée) 41
 3.5 Activité de simulation
Simuler sous MULTISIM, les montages suivants:

▪ Limiteur de tension (écrêteur),

▪ Redresseur à pond de Graetz,

▪ Elevateur et abaisseur de tension (clamping),

C=1µF Rg C
Rg =1k
f= 100hz Vg(t) Vc Vd
Vm =5V D