ELECTRONIQUE

MASTER EN ELECTROMECANIQUE
IEPSCF - Uccle

Dr. M.L. Hadjili

Transistor
Transistor
MOSFET
JFET

(Métal Oxide Semiconducteur – FET) à appauvrissement (ou à

“déplétion”)

Symboles

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La grille est séparée du canal par un isolant (l’oxide de Si) → IG=0
Elle forme un condensateur avec le canal.
Le canal est conducteur lorsque VGS = 0
MOSFET (N): le semiconducteur est de « type N » →les électrons sont mobiles

• VGS < 0 → charge positive dans le canal →appauvrissement de

porteurs libres →conductivité du canal diminue → ID (à VDS>0, constant)
diminue
• VGS >0 → charge négative dans le canal →accumulation d’électrons
libres → conductivité du canal augmente → ID (à VDS>0, constant)
augmente

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Caractéristique du Transistor MOSFET

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MOSFET à enrichissement

Idem MOSFET à appauvrissement sauf que pour VGS=0 le canal

n’est pas conducteur : « MOS normalement bloqué »

MOSFET (N):
VGS >VS (tension seuil) => apparition d’électrons sous la grille.
Cet « enrichissement » local en électrons forme le canal.
MOSFET (P):
VGS <VS (tension seuil) => apparition de trous sous la grille.
Cet « enrichissement » local en trous forme le canal.
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Caractéristique d’un MOSFET à enrichissement

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Quelques circuits de polarisation

Objectif : fixer le point de fonctionnement au

repos

Polarisation automatique par résistance de

source:

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Polarisation par pont diviseur

meilleure stabilité du point de repos (du point de vu ID)

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Polarisation par réaction de drain (MOSFET à enrichissement)
 Exemple 1

Déterminer VGS et VDS pour le circuit à E-

MOSFET ci-contre .
On suppose que ce MOSFET à une valeur
minimale de ID(on) = 200 mA à VGS = 4 V et
VGS(th) = 2 V.
Exemple 2

Déterminer VDS pour le montage ci-dessous.

Lla fiche technique du MOSFET donne VGS(off) = -8 V et IDSS = 12 mA.

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 Remarques

• Tout FET se comporte comme une source de courant commandée en

tension, avec une transconductance qui varie linéairement avec la tension
grille - source.
• Les différents FET se distinguent par
- leur impédance d’entrée (plus élevée pour un MOSFET que pour un JFET)
- leur point de repos :
• le MOSFET à déplétion peut fonctionner en régime d ’accumulation
(VGS positive ou négative, quelque soit le type du canal)
• le MOSFET à enrichissement ne fonctionne que régime d ’inversion
(VGS>Vs)
• En comparaison avec le transistor bipolaire, les FET ont un domaine de
linéarité réduite (caractéristique quadratique) et un gain en tension plus
faible. Par contre l’impédance d’entrée est beaucoup plus grande.
D’où leur utilisation fréquente en tant que interrupteur.
• Pour des raisons de taille, les MOSFET sont particulièrement bien adaptés
aux circuits intégrés.