CHAPITRE 1: LES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP

1. Introduction
Le transistor à effet de champ (TEC) ou FET (field-effect transistor) est un transistor unipolaire
où le courant de sortie (Drain) est commandé à partir d’une tension (grille). Il existe
deux types de TEC:
- le TEC à jonction (JFET)
- le TEC à grille isolée (IGFET : insulated gate FET, MOSFET : Métal Oxyde Semi-
conducteur FET
2. JFET
2.1.Constitution and symbol

Le JFET est constitué d’un barreau (appelé canal) en silicium de type N ou P contenant 2
jonctions de type pn aux extrémités.

a). Basic structure b) Symbol

2.2.Reseau de caracteristiques

The JFET is always operated with the gate-source pn junction reverse-biased.

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Lorsque VDS augmente, ID croit linéairement (O) puis atteint la zone du coude due au début
du pincement du canal (C) et atteint finalement une valeur de saturation (S). Si VDS dépasse
VDSmax le semi-conducteur est détruit par effet d'avalanche.

 Réseau de sortie
- pour VGS = 0 , ID est maximal: IDSS
- PourVGS ≤VGSoff: ID =0  le canal est totalement déplété
- Pour VGSoff < V GS < 0: ID = sature lorsque VDS =VP +VGS où VP = tension de
pincement du canal avec :
Dans la zone de saturation on a:

- zone O : zone ohmique, le TEC se comporte comme une résistance :

- zone C : apparition du pincement
- zone S : zone linéaire ou de saturation, le TEC se comporte comme une source
de courant commandée en tension (VDS > VP)
- zone A : zone d'avalanche

2.3.Polarisation du TEC
Objectif :fixer le point de fonctionnement au repos
2.3.1. Polarisation automatique

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meilleure stabilité du point de repos (du point de vuI D )

2.4. Le TEC en régime dynamique

Cette étude consiste à analyser le fonctionnement d'un transistor polarisé en zone
de saturation lorsqu'on applique de petites variations à l'une des grandeurs
électriques.
2.4.1. Modèle en régime dynamique
Dans la zone linéaire, le TEC se comporte comme une source de courant commandée
par la tension VGS ⇒ ID = f(VDS , VGS) .

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Exercice 1. Polarisation automatique d’un FET par résistance de
source

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Exercice 2 Polarisation d’un FET par pont résistif

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2.5.Montage Amplificateur
2.5.1. Amplificateur Source commune

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Exercice 3

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 3. LE MOSFET

The MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET) differs from the JFET in that it has an
insulated gate instead (à la place de) of a pn junction between the gate and channel.

3.1.1. MOSFET as a switch

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