14/12/2020

Université Hassan 1er ‫جامعة الحسن األول‬

Faculté des Sciences et Techniques de Settat •
•• ‫كلية العلوم والتقنيات سطات‬
Département de physique appliquée ‫شعبة الفيزياء التطبيقية‬

COURS
ELECTRONIQUE ANALOGIQUE

LST EEA A.U: 2018-2019

AHMED ERRKIK
1

PROGRAMME
ELECTRONIQUE ANALOGIQUE

1. Notions sur les Quadripôles

2. Filtrage analogique
3. Semi-conducteurs & Diodes et applications
4. Transistor bipolaire & Transistor à effet de
champ
5. Amplificateur opérationnel & applications
Contre réaction
6. Oscillateurs
2

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Chapitre III
&
Tr a n s i s t o r à e f f e t d e c h a m p

2
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TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP (TEC)

FET

o Le transistor FET (Field Effect Transistor) est un dispositif

semiconducteur.
o Le transistor FET utilise un champ électrique pour contrôler la
forme et donc la conductivité d'un « canal » dans un matériau
semiconducteur.
o Les transistors à effet de champ sont apparus dans les années 1960.
o Il existe deux familles :
JFET : Junction FET (FET : Field Effect Transistor). ou TEC à
jonction
MOSFET : Metal-Oxyde- Semiconductor FET 5

Familles de transistors à effet de champ

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Fo n ct i on n e me n t J F E T
o Le transistor à effet de champ (JFET ) est un composant
unipolaire constitué d’un canal à semi-conducteur dopé dont la
conduction est commandée par une tension.
o Composant contrôlé par la tension de grille
o Il existe deux types de transistors JFET : canal N et canal P

Transistor TEC («JFET»)

Avantages - Désavantages

o AVANTAGES o DÉSAVANTAGES

 Source de courant commandée

 Sensible à l’électricité statique
par une tension

 Haute impédance d’entrée  Courbes de sortie moins linéaires

 + stable en température
 Réponse en fréquence limitée par la
 + facile à fabriquer
grande capacité à la grille.
 Résistance variable

 Plus efficace en puissance

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Transistor bipolaire & Transistor à ef fet d e

champ FET

o Transistor bipolaire (BJT) o FET (TEC)

 Source de courant  Source de courant
commandée par un commandée par une
courant tension
 NPN et PNP  Canal N et canal P
 Bipolaire ( 2 jonctions )  Unipolaire ( canal P ou N )
 Fonctionne par injection  Fonctionne avec un champ
de charges électrique
 Impédance d’entrée faible  Impédance d’entrée élevée
ou moyenne ( k  ) (M)
 3 terminaux :  3 terminaux :
– Émetteur – Source
– Base – Grille
– Collecteur – Drain

Transistor à effet d e c hamp F ET &

Transistor bipolaire

JFET BJT
2
 V 
I D  I DSS  1  GS   IC   .I B
 V
 GSoff 
ID  IS  IC  I E

IG  0 A  VBE  0, 7V

10

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Transistor à effet de champ FET

& Analogie hydraulique

11

Symboles, tensions et courants :

• SOURCE : électrode par laquelle les porteurs entrent dans le
canal.
• DRAIN : électrode par laquelle les porteurs quittent dans le
canal.
• GRILLE : électrode de commande (IG= 0).

canal N canalP

→Le sens de la flèche représente la diode qui doit être polarisée en inverse. 12

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I. Principe de fonctionnement du JFET à canal N

Symbole du J-FET à canal N

Principe du J-FET à canal N

Le transistor à trois électrodes la grille G, le drain D et source S, peut

être considéré comme un quadripôle en prenant la grille commune
aux circuits d'entrée et de sortie.
• Les grandeurs d'entrée sont la tension VGS et le courant de grille IG.
• Les grandeurs de sortie sont la tension VDS et le courant IDS. 14

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I.1. Régimes de fonctionnement :

On envisage différents cas de figure suivant la valeur de VGS.
a) VGS = 0

➀ Pour VDS > 0, (VD>VS), la tension inverse grille canal sera donc plus
importante du coté du drain. La zone de déplétion s'élargit donc vers le
drain du transistor.
➁ Lorsque VDS augmente, il y a pincement du canal pour VDS = VP , le courant
atteint une valeur maximale (IDSS).
➂ Si VDS atteint une valeur VDSmax (Breakdown) il se produit un effet
d'avalanche et le courant croît très rapidement. ( tension limite à ne pas
dépasser). 15

b) VGS < 0 (pour une valeur de VGSi inférieure à 0)

➀ La conductance maximale est obtenue pour VGS= 0.

➁ Lorsque la tension VGS devient négative, la zone déplétée s'étend
réduisant la taille du canal et sa conductance.
➂ Lorsque VGS= VGSoff , les zones déplétées se rejoignent, le canal
conducteur a disparu et IDS est quasi nul.
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I.2. Réseau de caractéristiques JFET canal N :

o Réseau des caractéristiques statiques de sortie :

 Grandeurs d ’entrée : VGS , IG

 Grandeurs de sortie : VDS , IDS

o Lorsque VDS augmente, ID croit linéairement (O) puis atteint la zone du coude
due au début du pincement du canal (C) et atteint finalement une valeur de
saturation (S).
o Si VDS dépasse VDSmax le semiconducteur est détruit par effet d'avalanche.
17

o Réseau des caractéristiques statiques de sortie (suite) :

 Pour VGS = 0 , ID est maximal : IDSS
 zone O : (VDS< Vp),
zone ohmique, le JFET se comporte
comme une résistance commandée
par VGS :
 zone C : apparition du pincement
 zone S : zone linéaire ou de saturation, le
JFET se comporte comme une source de
courant commandée en tension (VDS > VP)
→ JFET ≡ générateur de courant commandé
électriquement par la tension VGS.

→ le courant est
proportionnel
à la tension :

VDS
ID 
RDS
 zone A : zone d'avalanche

→ RDS s'accroît lorsque |VGS| croît.

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I.3. Réseau de caractéristiques JFET canal N( suite) :

o Réseau de transfert :
 Les caractéristiques
𝐼𝐷𝑆 = 𝑓 𝑉𝐺𝑆 à VDS=cte peuvent
être modélisées par une relation
parabolique (équation du courant
de drain) :

 VGSoff : tension de blocage (ID = 0, ∀ VDS),

VGSoff = −VP
 grandeurs fondamentales : IDSS , VP .

19

Questions
• Un transistor JFET a Vp=6V et IDSS=100mA, Quelle est la résistance
ohmique? Quelle est la tension de Grille de blocage VGSoff ?

• Un JFET a une tension VGSoff = − 3V et un courant de drain IDS=5mA,.

Calculer sa résistance ohmique et la valeur de Vp,

• Un transistor JFET possède VGSoff =−4V et IDSS=5mA. Quels sont la

tension de grille VGS et le courant de drain IDS à la moitié de la tension
de blocage?

• Un transistor JFET possède VGSoff =−8V et IDSS=16mA. Quel est le

courant de drain IDS à la moitié de la tension de blocage?

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10
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II. Polarisation du transistor JFET canal N :

→ Fixer le point de polarisation (point de repos) VGSQ, IDSQ, VDSQ dans le
réseau des caractéristiques statiques du J-FET;
→ Le choix de la tension EG< 0 fixe la tension VGSQ= EG ;
→ La droite de charge statique est la Relation : IDS= f(VDS)

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 la loi d'ohm sur le circuit de

sortie :
𝑉𝐷𝐷 = 𝑅𝐷 𝐼𝐷𝑆 + 𝑉𝐷𝑆
 l'équation de la droite de charge
statique :
𝑉𝐷𝐷 𝑉𝐷𝑆
𝐼𝐷𝑆 = −
𝑅𝐷 𝑅𝐷
 l'intersection de cette droite de
charge avec la caractéristique de
sortie fournit les valeurs VDS0 et IDS0 :

𝑉𝐷𝐷 𝑉𝐷𝑆
𝐼𝐷𝑆 = −
𝑅𝐷 𝑅𝐷

𝐼𝐷𝑆 = 𝑓 𝑉𝐷𝑆 à VGS = cte

23

 Un JFET peut être polarisé :

– En zone ohmique : il est équivalent a une résistance

– En zone active : il se comporte comme une source de
courant
 On a différentes polarisations du JFET :
– Polarisation par la grille
– Polarisation automatique
– Polarisation par diviseur de tension
– Polarisation par source courant

24

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II.1.Polarisation par la grille :

o ID est fixé par VGS

2
 V 
I D  I DSS 1  GS 

 VGSoff 
IG  0

VGS  VGG

o Le point de fonctionnement (ID et VDS)

peut facilement être déterminée à partir
de l'équation :
VDD  VDS  RD .I D
VGS  VGG
VDD  VDS
ID 
RD

25

II.1.Polarisation par la grille (suite):

o Le point Q de polarisation peut se situer n'importe où entre les points où

la droite de polarisation coupe les deux courbes de transconductance

o La valeur Q est très instable à polarisation de grille. C'est le principal

inconvénient de l'utilisation de ce circuit simple.

26

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II.2. Polarisation automatique :

o On a les relations :
2
 V 
ID  I DSS 1  GS 

 VGSoff 
VDD  VDS   RD  RS .I D et
VGS   I D .RS
avec I G  0

o Le montage crée donc sa propre polarisation en utilisant la tension VS

aux bornes de RS pour polariser la grille en inverse.
o Pour différentes résistances de source, il y a Rs moyenne :
𝑉𝐺𝑆𝑜𝑓𝑓 𝐼𝐷𝑆𝑆
𝑉𝐺𝑆𝑄 = → 𝑅𝑆𝑚𝑜𝑦 ≈ 𝑅𝐷𝑆 𝑒𝑡 𝐼𝐷𝑆𝑄 =
2 4
𝑅𝐷𝑆 : résistance ohmique du JFET.
- une polarisation automatique fonctionne correctement si on place une
résistance de source égale a la résistance ohmique du JFET :
- Le point Q n 'est pas très stable en polarisation automatique. (n’est utilisé que
27
dans le cas d' amplification de faibles signaux).

Question
Sur la figure ci-contre, quelle est la valeur approchée de RS? Estimez la tension VD
avec cette résistance particulière.

Une polarisation automatique fonctionne correctement si on place une

résistance de source égale a la résistance ohmique du JFET :
𝑉𝑝 4𝑉
𝑅𝐷𝑆 = = = 400Ω
𝐼𝐷𝑆𝑆 10𝑚𝐴

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14
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II.3 .Polarisation par diviseur de tension:

o La grille est polarisée en inverse :

2
 V 
I D  I DSS 1  GS 

 VGSoff 
IG  0

VDD .R2
VG  V2 
R1  R2
VGS  VG  I D .RS  V2  I D .RS

o Le point de fonctionnement peut être déterminée par :

V2  VGS 
ID 
RS
VDS  VGS  I D  RD  RS 

29

o Si V2 VGS  I D  cte pour tout JFET

o VGS n'est pas négligeable ID varie légèrement

VGS  VG  I D .RS  V2  I D .RS entre le Q2 et Q1

V2  VGS 
ID 
RS
VDS  VGS  I D  RD  RS 

30

15
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II.4. Polarisation par source de courant :

→ Le but est de produire un courant de drain ID indépendant de VGS
 Circuit à deux alimentations:
o Le transistor bipolaire est polarisée en émetteur ;
o Le transistor bipolaire se comporte comme une
source de courant :
VEE  VBE 
IC 
RE
I D  IC

 IC est constante, les deux points de Q ont la même valeur de courant de drain I D
 Même que VGS est différent pour chaque point de polarisation Q, VGS n'influence plus la
valeur de ID . 31

II.4. Polarisation par source de courant (suite):

 Utilisation d’une seule alimentation :
o Le circuit est utilisé pour mettre en place
un courant de drain constant ID.
R2 .VDD VTH  constante  I E  constante
VTH 
R1  R2
VTH  VBE  I  I  I
IE  E C D
RE
I E  IC
o

32

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Questions
o D' après la figure (a), quelle est la valeur du courant drain ?
Quelle est la tension entre le drain et la masse ?
o Sur la figure (b), quelle est la valeur du courant drain ? De la
tension drain ?

33

Réponses :

34

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III. Le JFET en régime dynamique:

o Le transistor polarisé en zone de
saturation (générateur de courant) ;

o On applique de petites variations à

l'une des grandeurs électriques
(générateur BF (eg , rg ) );
 𝑣𝐷𝑆 𝑡 ∶ 𝑡𝑒𝑛𝑠𝑖𝑜𝑛 𝑑𝑟𝑎𝑖𝑛 𝑠𝑜𝑢𝑟𝑐𝑒 𝑣𝑎𝑟𝑖𝑎𝑏𝑙𝑒
𝑣𝑑𝑠 𝑡 ∶ 𝑐𝑜𝑚𝑝𝑜𝑠𝑎𝑛𝑡𝑒 𝑎𝑙𝑡𝑒𝑟𝑛𝑎𝑡𝑖𝑣𝑒 𝑑𝑒 𝑣𝐷𝑆 𝑡
𝑣𝐷𝑆 𝑡 = 𝑉𝐷𝑆𝑄 + 𝑣𝑑𝑠 𝑡
𝑉𝐷𝑆0 ∶ 𝑡𝑒𝑛𝑠𝑖𝑜𝑛 𝑐𝑜𝑛𝑡𝑖𝑛𝑢𝑒 𝑑𝑒 𝑝𝑜𝑙𝑎𝑟𝑖𝑠𝑎𝑡𝑖𝑜𝑛
 𝑣𝐺𝑆 𝑡 = 𝑣𝑒 𝑡 + 𝐸𝐺
𝑣𝐺𝑆 𝑡 ∶ 𝑙𝑎 𝑡𝑒𝑛𝑠𝑖𝑜𝑛 𝑖𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛𝑡𝑎𝑛é𝑒 𝑔𝑟𝑖𝑙𝑙𝑒−𝑠𝑜𝑢𝑟𝑐𝑒
𝐸𝐺 = 𝑉𝐺𝑆𝑄
 𝑖𝐷𝑆 𝑡 ∶ 𝑐𝑜𝑢𝑟𝑎𝑛𝑡 𝑑𝑟𝑎𝑖𝑛 𝑠𝑜𝑢𝑟𝑐𝑒 𝑣𝑎𝑟𝑖𝑎𝑏𝑙𝑒
𝑖𝑑𝑠 𝑡 ∶ 𝑐𝑜𝑚𝑝𝑜𝑠𝑎𝑛𝑡𝑒 𝑎𝑙𝑡𝑒𝑟𝑛𝑎𝑡𝑖𝑣𝑒 𝑑𝑒 𝑖𝐷𝑆 𝑡
𝑖𝐷𝑆 𝑡 = 𝐼𝐷𝑆𝑄 + 𝑖𝑑𝑠 𝑡
𝐼𝐷𝑆𝑄 ∶ 𝑐𝑜𝑢𝑟𝑎𝑛𝑡 𝑐𝑜𝑛𝑡𝑖𝑛𝑢𝑒 𝑑𝑒 𝑝𝑜𝑙𝑎𝑟𝑖𝑠𝑎𝑡𝑖𝑜𝑛
35

 Droite de charge dynamique :

→ Calcul de la tension 𝑣𝑑𝑠 𝑡 :

Loi d’Ohm sur le circuit de sortie

𝑉𝐷𝐷 = 𝑅𝐷 𝑖𝐷𝑆 (𝑡) + 𝑣𝐷𝑆 (𝑡)
Avec
𝑣𝐷𝑆 (𝑡) = 𝑉𝐷𝑆𝑄 + 𝑣𝑑𝑠 (𝑡)
Et
𝑖𝐷𝑆 (𝑡) = 𝐼𝐷𝑆𝑄 + 𝑖𝑑𝑠 (𝑡)

→ 𝑉𝐷𝐷 = 𝑅𝐷 [𝐼𝐷𝑆𝑄 + 𝑖𝑑𝑠 (𝑡) ]+𝑉𝐷𝑆𝑄 + 𝑣𝑑𝑠 𝑡

Avec
𝑉𝐷𝐷 = 𝑅𝐷 𝐼𝐷𝑆𝑄 + 𝑉𝐷𝑆𝑄
→ 𝑣𝑑𝑠 𝑡 = −𝑅𝐷 𝑖𝑑𝑠 (𝑡) où bien

𝑣𝑑𝑠 𝑡
𝑖𝑑𝑠 𝑡 = −
𝑅𝐷

Equation de charge dynamique

36

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III.1.Schéma équivalent du JFET en petit signaux :

o Cas du générateur BF délivre une tension sinusoïdale d'expression :
𝑣𝑒 𝑡 = 𝑣𝑔𝑠 𝑡 = 𝑉𝑒𝑚 sin 𝜔𝑡

 On admet que les caractéristiques statiques 𝐼𝐷𝑆 = 𝑓 𝑉𝐷𝑆 à VGS=cte sont

des droites de faible pente positive.

 𝑣𝐺𝑆 𝑡 = 𝑉𝐺𝑆0 + 𝑣𝑔𝑠 = 𝑣𝑒 𝑡 + 𝐸𝐺

𝑣𝐷𝑆 𝑡 = 𝑉𝐷𝑆0 + 𝑣𝑑𝑠 𝑡
𝑖𝐷𝑆 𝑡 = 𝐼𝐷𝑆0 + 𝑖𝑑𝑠 𝑡 𝑒𝑡 𝑖𝐷𝑆 𝑡 = 𝑓 𝑣𝐷𝑆 ; 𝑣𝐺𝑆

37

o Cas du générateur BF délivre une tension sinusoïdale d'expression : (suite)

 Le courant de drain est une fonction de deux variables indépendantes :

→ 𝑖𝐷𝑆 𝑡 = 𝑓 𝑣𝐷𝑆 ; 𝑣𝐺𝑆 𝑎𝑣𝑒𝑐 𝑖𝐷𝑆 𝑡 = 𝐼𝐷𝑆𝑄 + 𝑖𝑑𝑠 𝑡
 la différentielle de 𝑖𝐷𝑆 :
𝜕𝑖𝐷𝑆 𝜕𝑖𝐷𝑆
→ 𝑑𝑖𝐷𝑆 = . 𝑑𝑣𝐷𝑆 + . 𝑑𝑣𝐺𝑆
𝜕𝑣𝐷𝑆 𝑣𝐺𝑆 =𝑐𝑡𝑒
𝜕𝑣𝐺𝑆 𝑣𝐷𝑆 =𝑐𝑡𝑒
∆𝑣𝐺𝑆 = 𝑣𝐺𝑆 − 𝑉𝐺𝑆𝑄 = 𝑣𝑔𝑠
𝜕𝑖𝐷𝑆 𝜕𝑖𝐷𝑆
→ ∆𝑖𝐷𝑆 = . ∆𝑣𝐷𝑆 + . ∆𝑣𝐺𝑆 Avec :
𝜕𝑣𝐷𝑆 𝜕𝑣𝐺𝑆 ∆𝑣𝐷𝑆 = 𝑣𝐷𝑆 − 𝑉𝐷𝑆𝑄 = 𝑣𝑑𝑠
𝑣𝐺𝑆= 𝑉𝐺𝑆 𝑣𝐷𝑆= 𝑉𝐷𝑆
∆ 𝑖𝐷𝑆 = 𝑖𝐷𝑆 − 𝐼𝐷𝑆𝑄 = 𝑖𝑑𝑠

𝜕𝑖𝐷𝑆 𝜕𝑖𝐷𝑆
𝑖𝑑𝑠 = . 𝑣𝑑𝑠 + . 𝑣𝑔𝑠 1 𝜕𝑖𝐷𝑆
𝜕𝑣𝐷𝑆 𝑣 𝜕𝑣𝐺𝑆 𝑔𝑑𝑠 = =
𝐺𝑆 𝑣𝐷𝑆 𝜌 𝜕𝑣𝐷𝑆 𝑣𝐺𝑆= 𝑉𝐺𝑆𝑄
→ 𝑖𝑑𝑠 = 𝑔𝑑𝑠 . 𝑣𝑑𝑠 + 𝑔𝑚 . 𝑣𝑔𝑠 Avec : 𝜕𝑖𝐷𝑆
𝑔𝑚 =
𝜕𝑣𝐺𝑆 𝑣
𝑖𝑔 = 0 𝐷𝑆= 𝑉𝐷𝑆𝑄

1 𝑔𝑚 ∶ 𝑡𝑟𝑎𝑛𝑠𝑐𝑜𝑛𝑑𝑢𝑐𝑡𝑎𝑛𝑐𝑒 𝑎𝑢 𝑝𝑜𝑖𝑛𝑡 𝑄
𝑖𝑑𝑠 = . 𝑣 +𝑔𝑚 . 𝑣𝑔𝑠
𝜌 𝑑𝑠 𝜌 : 𝑟é𝑠𝑖𝑠𝑡𝑎𝑛𝑐𝑒 𝑖𝑛𝑡𝑒𝑟𝑛𝑒 𝑑𝑢 𝑔é𝑛é𝑟𝑎𝑡𝑒𝑢𝑟 𝑑𝑒 𝑐𝑜𝑢𝑟𝑎𝑛𝑡

38

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 Schéma équivalent du JFET en petit signaux : ( 𝑖𝐺=0)

1
→Les paramètres gm et gds = peuvent être déterminés sur le réseau de caractéristiques
𝜌
au point de polarisation Q du JFET ;
→Pour une tension VGS quelconque, le paramètre gm peut aussi être calculé à partir de
l'équation :
2
𝑉𝐺𝑆 𝜕𝑖𝐷𝑆 𝑑𝐼𝐷𝑆 2𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷𝑆 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 1 − 𝑔𝑚 = = =− 1−
𝑉𝐺𝑆𝑜𝑓𝑓 𝜕𝑣𝐺𝑆 𝑣𝐷𝑆= 𝑉𝐷𝑆
𝑑𝑉𝐺𝑆 𝑉𝐺𝑆𝑜𝑓𝑓 𝑉𝐺𝑆𝑜𝑓𝑓

𝑉𝐺𝑆 2𝐼𝐷𝑆𝑆
𝑔𝑚 = 𝑔𝑚0 1 − avec 𝑔𝑚0 = − Pour VGS=0
𝑉𝐺𝑆𝑜𝑓𝑓 𝑉𝐺𝑆𝑜𝑓𝑓

39

III.2.Bilan des puissances :

 La puissance instantanée dissipée dans le canal drain source du transistor est :
→ 𝑝𝑑 𝑡 = 𝑣𝐷𝑆 𝑡 . 𝑖𝐷𝑆 𝑡
avec
𝑣𝐷𝑆 𝑡 = 𝑉𝐷𝑆𝑄 + 𝑣𝑑𝑠
𝑖𝐷𝑆 𝑡 = 𝐼𝐷𝑆𝑄 + 𝑖𝑑𝑠
𝑣𝑑𝑠 = −𝑅𝐷 . 𝑖𝑑𝑠
→ 𝑝𝑑 𝑡 = 𝑣𝐷𝑆 𝑡 . 𝑖𝐷𝑆 𝑡 = 𝑉𝐷𝑆𝑄 + 𝑣𝑑𝑠 . 𝐼𝐷𝑆𝑄 + 𝑖𝑑𝑠
2
𝑝𝑑 𝑡 = 𝑉𝐷𝑆𝑄 𝐼𝐷𝑆𝑄 + 𝑉𝐷𝑆𝑄 𝑖𝑑𝑠 + 𝑣𝑑𝑠 . 𝐼𝐷𝑆𝑄 − 𝑅𝐷 . 𝑖𝑑𝑠

La puissance moyenne dissipée par le transistor :

2
→ 𝑃𝑑 = 𝑝𝑑 = 𝑉𝐷𝑆𝑄 𝐼𝐷𝑆𝑄 + 𝑉𝐷𝑆𝑄 . 𝑖𝑑𝑠 + 𝑣𝑑𝑠 . 𝐼𝐷𝑆𝑄 − 𝑅𝐷 . 𝑖𝑑𝑠
Or
2 2
𝑖𝐷𝑆 = 0 ; 𝑣𝑑𝑠 = 0 ; 𝑖𝑑𝑠 = 𝐼𝐷𝑆𝑒𝑓𝑓
2 2
→ 𝑃𝑑 = 𝑝𝑑 = 𝑉𝐷𝑆𝑄 𝐼𝐷𝑆𝑄 − 𝑅𝐷 . 𝐼𝐷𝑆𝑒𝑓𝑓 = 𝑃𝑑𝑄 −𝑅𝐷 . 𝐼𝐷𝑆𝑒𝑓𝑓
PdQ : puissance statique dissipée pour le pt.polarisation (VDSQ, IDSQ).
La puissance maximale dissipée sur le drain
pour (VDSQ, IDSQ) donné : → 𝑃𝑑𝑚𝑎𝑥 = 𝑃𝑑𝑄 =𝑉𝐷𝑆𝑄 𝐼𝐷𝑆𝑄 40

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III.3.Applications à l ’amplification du JFET

(petits signaux)

o Il existe trois montages types pour le JFET (TEC) :

 source commune
 drain commun
 grille commune
o Schéma équivalent en AC du transistor JFET :

o La relation de phase entre l'entrée et la sortie dépend de la configuration du

circuit amplificateur :
 Source-commune ~ 180°
 Grille-commune ~ 0°
 Drain-commun ~ 0°

41

III.3.1.Amplificateur à source commune :

o M o n t a g e s o u rc e c o m m u n e , p o l a r i s a t i o n p a r d iv i s e u r d e te n s i o n :

C1 et C2 : capacités de couplage
Cs : capacités de découplage
 Schéma équivalent dynamique du
montage à vide :

 En négligeant l'effet de ρ
ρ est grand devant les autres résistances du
montage (ρ → )

42

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 Amplification en tension à vide :  Impédance de sortie :

vds   RD .ids   RD .g m .vgs v 

Z s   s 
vgs  ve  is  ve 0
vds R .g .v
Av 0    D m gs   RD .g m  ve  0 entrée court - circuitée
ve vgs vs
is   g m 0 .v gs
Av 0 0  vds et ve sont en opposition RD
de phase vs  vds et ve  v gs
 Impédance d'entrée : vs
Si ve  v gs  0  is 
RD
 vs 
Zs 
i 
  RD
 s  ve 0

43

o Montage source commune, polarisation par la grille :

L’entrée est sur la grille, sortie sur le drain

 Amplification en tension à vide :

v   R .i  ( R / /  ).g .v
ds D ds D m gs

v v
gs e

A  vv   ( R / /v ).g .v  ( R
v0
ds D m gs
D / / ) .g m
e gs

pour   R   D 

v0
v
A  v   R .gds
D m
e

A 0  v et v sont en opposition de phase

v0 ds e

 Impédance d'entrée :  Impédance de sortie :

ve v 
Ze   RG Z s   s   RD //   RD
ie  is  ve 0
pour   RD
44

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o Montage source commune, polarisation automatique :

 Amplification en tension à vide :
v ( R / /  ).gm.vgs
Av0  vds   D v  ( RD / /  ).gm
e gs
pour   RD    
v
Av0  vds   RD.gm
e
Av00  vds et ve sont en opposition de phase

 Impédance d'entrée :

ve
Ze   RG
ie

 Impédance de sortie :
v 
Z s   s   RD //   RD
 is  ve 0
pour   RD 45

o Montage source commune, polarisation automatique (sans Cs) :

 Si Cs est retiré, il affecte le gain du circuit.
 Amplification en tension à vide :
pour   RD    
vs   RD .ids   RD .g m .vgs
vgs  ve  vRs  ve  RS .g m .vgs
 ve  v gs 1 RS . gm 

vs R .g .v R .g
Av 0    D m gs   D m
ve vgs 1 RS . gm  1  RS .g m
RD .g m
Av 0  
1  RS .g m
Av 0 0  vs et ve sont en opposition de phase

 Impédance d'entrée :
ve
Ze   RG
ie

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 Impédance de sortie :
u
i  g m .v gs
RD
Si ve  0  v gs  0
u
i 
RD
v  u
Z s   s     RD
 s  ve 0  i  ve 0
i

 L’étage amplificateur peut être modélisé

par le quadripôle de la figure suivante :

47

III.3.2.Amplificateur Drain commun(montage suiveur) :

→ polarisation automatique
→ Le montage drain commun : l'électrode de drain
est commune à l'entrée et à la sortie.
 Amplification en tension à vide :
vs  RS //  .g m vgs
ve  vgs  vs  vgs  RS //  .g m vgs
 ve  vgs 1  RS //  .gm 
vs RS //  .g mvgs RS //  .g m
Av 0   
ve vgs 1  RS //  .gm  1  RS //  .gm 
RS //  .g m
 Av 0 
1  RS //  .gm 
 pour   RS   
RS .g m
 Av 0 
1  RS .gm 

48

24
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 Impédance d'entrée :
v
Z e  e  RG
ie
 Impédance de sortie :

vs  v gs
vs
is   g m v gs 
 Rs //  
vs
is  g m v s 
 Rs //  
v   1 
 Z s   s    // Rs //  
 is  ve 0  g m 
pour   Rs
 1  Rs
 Z s   // Rs  
g
 m  1  Rs .g m

49

III.3.3.Amplificateur JFET; grille commune:

 Amplification en tension à vide :
ve  v gs
 RD   
ve   .ids
1   .g m
vs   RD .ids

vs  RD .ids R .1   .g m 
Av 0    D

ve  D R    .ids  RD   
1   .g m
R 
. D  RD .g m 

 Av 0   
 RD 
1  
  
 pour   RD    
 Av 0  g m .RD

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 Impédance d'entrée :
ve  v gs
ie  i 'ids
 1   .g m 
avec : ids  ve   
   Rs 
𝐷
ve  1   .g m 
 ie  i 'ids   ve  
Rs    RD 
 Impédance de sortie :
v     RD  v 
 Z e   e   Rs //   Z s   s   RD
i
 e 1   .g m   is  ve 0
pour   RD
 1  Rs
 Z e   // Rs  
g
 m  1  Rs .g m

51

I V. L e J F E T e n c o m m u t a t i o n a n a l o g i q u e :
o L e J F E T c o m m e u n i n te r r u p t e u r :
 d e u x va l e u r s p o u r V G S : z é r o o u 𝑉𝐺 𝑆 < 𝑉𝐺 𝑆 𝑜 𝑓 𝑓 .
 J F E T f o n c t i o n n e e n ré g i o n o h m i q u e o u e n b l o c a g e .
 L o r s q u e l e T E C e s t b l o q u é , l e c o u ra n t I D S e s t n u l , o n p e u t
d o n c c o n s i d é r e r q u e l e t ra n s i s to r e s t é q u iva l e n t à u n c i rc u i t
o uve r t .
 L o r s q u e l e T E C fo n c t i o n n e e n ré g i o n o h m i q u e , l e
t ra n s i s to r s e c o m p o r t e c o m m e u n e ré s i s t a n c e d e va l e u r R D S
( à c o n d i t i o n q u e V D S re s te fa i b l e ) .

o Le JFET est donc équivalent au montage suivant :

 Pour VGS = 0 , l'interrupteur est fermé.

 Pour VGS < VGSoff , l'interrupteur est ouvert. 52

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I V. 1 . L'interrupteur shunt :

o Pour VGS < VGSoff , l'interrupteur est ouvert : Vout = Vin

o Pour VGS = 0 , l'interrupteur est fermé. Si RD >> RDS , VDS reste faible donc
le transistor fonctionne bien en zone ohmique : Vout ≈ 0.

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I V. 1 . L'interrupteur série :

oPour VGS < VGSoff , l'interrupteur est ouvert : Vout ≈ 0.

oPour VGS = 0 , l'interrupteur est fermé. Si RD >> RDS , VDS reste faible donc
le transistor fonctionne bien en zone ohmique : Vout = Vin .
 Le rapport on-off de l'interrupteur série est supérieur à celui de
l'interrupteur shunt.

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Autres applications du JFET

• Multiplexage :
Multiplex signifie « plusieurs en un »
Chaque JFET se comporte comme un interrupteur série, les signaux de
commande (V1, V2 et Vi) font basculer les JFET entre les états passant et
bloqué.

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