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BTS Transistor I.G.B.T. O.

Dehaupas

Insulated Gate Bipolar Transistor

1. Présentation
2. Caractéristiques statiques
3. Caractéristiques dynamiques
4. Avantages, inconvénients, application :
BTS Transistor I.G.B.T. O.Dehaupas

Présentation:

C’est un montage Darlington entre un MOS et un Bipolaire


monté sur la même puce de silicium.
Symbole schéma équivalent simplifié
C
Collecteur

Grille ou

G
Emetteur

Exemples d’IGBT :

VCES (V) IC (A) VCESAT (V) tdOFF (ns) f max (kHz) prix (€)
IRGPF40F 700 17 3,2 250 18 12
SKM500GA12 1200 500 3,1 900 15 307
BUK854-800 800 12 3,1 800 15 7
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Caractéristiques statiques:

Commande en tension
comme un MOS

Vg Vce

Vce 3 V ( pertes importantes)


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Pertes par conduction :

Pc= Vce SAT × Ic avec Ic = Courant moyen dans le transistor

Tension de saturation ( courbe constructeur)

Aire de sécurité :

sa forme rectangulaire lui permet de se


passer de circuit d’aide à la
commutation dans certaines
applications.

Il est préconisé de faire circuler le point


de fonctionnement de l’IGBT le plus
prés possible des axes,
pour réduire les pertes de
commutations.
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3. Caractéristiques dynamiques :
Pour un hacheur fonctionnant à 25 kHz sous 8A et 240V

Mise en conduction:

Pointe de courant dû
au recouvrement
inverse de la diode
de roue libre
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Blocage:

phénomène de traînage qui imposera une Queue de courant


augmentation des temps morts dans les
montages en demi-pont
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Pertes par commutation : se référer aux documents constructeurs

240 V
Faire le rapport
8A

Eon = Won= Energie dissipée à


la mise en conduction

Eoff = Woff= Energie dissipée au


blocage

à défaut on peut utilisé la relation très très approché :

Ps = VCE × Îc × ( tr + tf ) × F/4
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4. Avantages, inconvénients, application :

Avantages : Commande en tension (MOS)


Grande densité de courant ( supérieur au bipolaire)

Inconvénients : Pertes importante ( Vce sat ≈ 3 V, traînage en courant)


Augmentation des pertes avec la température
Commutation plus lente que le transistor MOS

Application :

Onduleur et hacheur pour la commande de moteur

discret Gamme actuelle des IGBT :

1000V 500 A
3500V 60 A
module
f max ≈ 40 kHz
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Densité de courant

THYRISTOR

GTO
IGBT

BIPOLAIRE

MOSFET

Rapidité