Transistor Bipolaire

10/10/2014
Université Abdelmalek Essaâdi

Ecole Nationale des Sciences Appliquées - Tanger
Pr. Ahmed EL OUALKADI

ahmed.eloualkadi@ieee.org
1ière année du cycle d’ingénieur

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Année universitaire : 2014/2015
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Sommaire
Chapitre 1 : Transistor bipolaire (TB)
Chapitre 2 : Transistor à effet du champ (TEC)
Chapitre 3 : Amplificateur opérationnel (AOP)
Chapitre 4 : Oscillateurs
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Sommaire
Chapitre 1 : Transistor bipolaire (TB)
Chapitre 2 : Transistor à effet du champ (TEC)
Chapitre 3 : Amplificateur opérationnel (AOP)
Chapitre 4 : Oscillateurs
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Généralités sur les transistors bipolaires
Structure et constitution
Les transistors bipolaires sont constitués par deux jonctions PN assemblées.
Description de la structure du transistor NPN
La structure du transistor est divisée en 3 régions :
La région I : est constituée de semi-conducteur

extrinsèque de type N fortement dopé. C’est
l’émetteur (E).
Transistor NPN La région II : est constituée de semi-conducteur

extrinsèque de type P faiblement dopée et de surface
mince. C’est la base (B).
La région III : est constitué de semi-conducteur

extrinsèque de type N moyennement dopé et de
surface très étendue. C’est le collecteur (C).
Transistor PNP 4
4
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Symbole du transistor bipolaire
Transistor NPN Transistor PNP
Fonctionnement du transistor bipolaire

La polarisation du transistor et régimes de fonctionnement :
Polariser le transistor c’est de polariser les deux jonctions JBE et JBC par deux
générateurs de tension continue, soit respectivement UBE et UBC suivant la polarisation
des deux jonctions, on définie quatre régimes de fonctionnement du transistor :
Fonctionnement Transistor bloqué :
On obtient ce fonctionnement lorsqu’on polarise JBE et JBC en inverse.
Fonctionnement Transistor saturé :
On l’obtient lorsqu’on polarise JBE et JBC en direct.
Fonctionnement inversé :
Lorsqu’on polarise, la jonction JBE en inverse et JBC en direct.
Fonctionnement normal (linéaire) :
On obtient ce fonctionnement lorsque la jonction JBE est polarisée en direct et la jonction
JBC est polarisée en inverse.
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L’effet transistor :
Il aura lieu en fonctionnement normal, c'est-à-dire lorsque la jonction JBE est
polarisée en direct et la jonction JBC est polarisée en inverse par les
générateurs de polarisation UBE et UBC
Diffusion des charges
majoritaires de E vers C :
Effet transistor
Fonctionnement :
UBE polarise la jonction JBE en direct (courant IB), il y a diffusion des charges
majoritaires de l’émetteur (les électrons libres pour le NPN, les trous libres pour
le PNP) vers la base, trouvant peu de trous dans celle-ci, il y a peu de
recombinaisons (courant IB). La majorité des charges de l’émetteur se trouvant
au niveau de la jonction JBC polarisée en inverse et ou règne un champ
électrique EBC dirigé vers la base qui attire ces charges dans le collecteur. Il y a
naissance d’un courant de collecteur IC dirigé vers le collecteur (sens contraire
du mouvement des électrons). 6
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L’effet transistor :
Il résulte de ce fonctionnement les relations suivantes :
VCE=VBE+VCB
IE=IC+IB
Le gain de courant en émetteur commun
Le gain de courant en base commune
Relations entre α et β :
Dépendance du courant IC de la température T :

Le courant de fuite ICB0 (Emetteur en l’air) dépend de la température T. Il double
tous les 10°C pour le Germanium et tous les 6°C pour le Silicium. Le courant IC
dépend de la température par la relation :
IC = β IB + (β+1) ICB0
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Réseau de caractéristiques d’un transistor bipolaire
Ces caractéristiques paramétriques sont relevées avec le transistor monté en

émetteur commun par le montage suivant :
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On relève le réseau de caractéristiques C1, C2, C3 et C4 :

C1 : réseau de caractéristique de sortie IC=F(VCE, IB=cte)
C2 : réseau de caractéristique d’entrée VBE=F(IB, VCE=cte)
C3 : réseau de caractéristique de transfert de courant IC=F(IB, VCE=cte)
C4 : réseau de caractéristique de transfert de tension VBE=F(VCE, IB=cte)
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Réseau de caractéristiques d’un transistor bipolaire
Remarque :
D’après les courbes des caractéristiques (C1, C2, C3 et C4) du transistor,

on peut dire que le transistor est un élément actif non linéaire hors son
utilisation nécessite un fonctionnement linéaire.
C’est le rôle de la polarisation du transistor qui fixe un point de

fonctionnement au tour du quel le transistor sera considéré comme un
élément actif linéaire.
Le choix des valeurs de IC et VCE ne doit jamais dépasser la courbe de

puissance PMAX du transistor. Si cela arrive le transistor s’échauffe et se
détériore.
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Polarisation et point de fonctionnement d’un transistor bipolaire
Le transistor est un élément actif non linéaire, pour fonctionner en élément

(quadripôle) linéaire, il est nécessaire de définir et réaliser un point de
fonctionnement défini par des grandeurs continus (ou statiques) (IC0, VCE0, IB0
et VBE0) autour du quel le transistor peut évoluer dynamiquement suivant des
petites variations des grandeurs (tensions, courants) qui le caractérisent.
Point de fonctionnement
Il est fixé par une ou plusieurs sources de signaux continus et des résistances
permettant de donner à VCE, IC, IB et VBE des valeurs constantes et fixes soit :
IC0, VCE0, IB0 et VBE0
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Polarisation à deux sources continues

- La source continue VCC polarise la sortie du transistor
- La résistance RC fixe et limite le courant IC de sortie du transistor
- La maille de sortie du transistor est constituée du transistor T de la source à courant
continu VCC et de la résistance RC. cette maille de sortie définie la droite de charge
statique du transistor tel que IC=F(VCE, RC, et VCC)
- La source continue VBB polarise l’entrée du transistor
- La résistance RB fixe et limite le courant IB d’entrée du transistor
- La maille d’entrée du transistor est constituée du transistor T de la source à courant
continu VBB et de la résistance RB. cette maille d’entrée définie la droite d’attaque
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statique du transistor tel que VBE=F(IB, RB et VBB)
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Calcul et détermination du point de fonctionnement du transistor
Droite de charge (maille de sortie) : IC = (VCC - VCE) / RC
Droite d’attaque (maile d’entrée) : VBE = VBB - RB IB
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Détermination du point de fonctionnement (PF) du transistor : IC0, VCE0, IB0 et VBE0

On dispose du réseau de caractéristiques du transistor et des droites de charge
et d’attaque du transistor le point de fonctionnement est déterminé
graphiquement par le tracé des deux droites sur le réseau de caractéristiques.
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Remarque :
Si on dispose par du réseau de caractéristiques du transistor et c’est

généralement le cas alors on fixe deux paramètres (exemple : VCE0= et
VBE0=) et on calcul IC0 et IB0 en utilisant les droites d’attaque et de charge.
C’est la méthode algébrique.
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Polarisation automatique à une source
Le but est d’utiliser une seule source de polarisation en l’occurrence VCC qui
fournira l’énergie à l’entrée et à la sortie du transistor et de ce fait on
économisera la source VBB.
Les différents schémas de polarisation automatique sont :

- Polarisation automatique avec résistance à la base
- Polarisation automatique avec pont de résistances
- Polarisation automatique avec résistance au collecteur
Remarques :
Quelque soit le schéma de polarisation automatique, on peut toujours retrouver le
schéma de polarisation à deux sources par application du théorème de
Thevenin.
Il existe d’autres variantes des différentes polarisations automatiques obtenues
par l’ajout d’une résistance RE à l’émetteur E et qui jouera différents rôles en plus
de la polarisation..
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Polarisation automatique avec résistance à la base
Equations du circuit :
Maille de sortie : VCC = VCE + RC IC

Droite de charge :IC = (VCC - VCE) / RC
Maile d’entrée : VBE=VCC-RBIB

IC=βIB=αIE
IE=IC+IB
Droite d’attaque : VBE=VCC-RBIB
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Polarisation automatique avec pont de résistances
Maille de sortie : VCC = VCE + RC IC

Droite de charge :IC = (VCC - VCE) / RC
Maille d’entrée : VBE=VRB2=RB2I2

VRB1=VCC - RB2I2= RB1I1
I1=I2+IB
I2=10 IB
IC=βIB=αIE
IE=IC+IB
Droite d’attaque : VBE=K VCC-RBIB
avec K=RB2/(RB2+RB1), RB=k RB1
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Polarisation automatique avec résistance au collecteur
Maille de sortie : VCC = VCE + RC I

VCE = VCC - RC I = VCC – (β+1) RC IB
I=IE=IC+IB
Droite de charge :IC = α (VCC - VCE) / RC
Maile d’entrée : VRB=VCE – VBE= RBIB

IC=βIB=αIE
IE=IC+IB
Droite d’attaque : VBE=VCC - ((β+1) RC + RB) IB
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Fonctionnement du transistor bipolaire en régime variable ou dynamique
Le fonctionnement du transistor bipolaire en régime variable ou dynamique,

suppose que le transistor est polarisé en un point de fonctionnement PF défini
par les valeurs de IC0, VCE0, IB0 et VBE0. C’est le régime statique du transistor.
Pour superposer le régime dynamique au régime statique, on applique à l’entrée

du montage un générateur de signaux variables.
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iB(t), vBE(t), vCE(t) et iC(t) sont des grandeurs instantanées (grandeurs continues +
grandeurs variables).
IC0, VCE0, IB0 et VBE0 sont des grandeurs continues de polarisation.
ib(t), vbe(t), vce(t) et ic(t) sont des grandeurs dynamiques qui varient autour des
grandeurs continues correspondantes :
ib(t)=(∆iB(t)/∆t) lorsque IB0=cte iC(t)=IC0+ic(t)
ic(t)=(∆iC(t)/∆t) lorsque IC0=cte iB(t)=IB0+ib(t)
vbe(t)=(∆vBE(t)/∆t) lorsque VBE0=cte vCE(t)=VCE0+vce(t)
vce(t)=(∆vCE(t)/∆t) lorsque VCE0=cte vBE(t)=VBE0+vbe(t) 21
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Droite d’attaque dynamique

C’est une droite qui se déplace parallèlement (pente 1/RB) entre deux limites
fixées par les valeurs max et min de eb(t). Elle est déterminée par la maille
d’entrée du montage
VBE(t)=VBB+eb(t)-RB iB(t)
Droite de charge dynamique

Cette droite de charge dynamique se détermine à partir de l’étude des schémas
en régime dynamique des montages à base du transistor bipolaire.
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Différents types de schémas d’un montage à transistor
Un schéma de montage à transistor se décompose en deux schémas qui se

superposent :
Un schéma statique de polarisation du Un schéma dynamique
transistor: On l’obtient en éliminant le équivalent: On l’obtient en court-
générateur de signaux dynamiques eb(t) du circuitant les générateurs de
montage (on court-circuite un générateur polarisation du montage
de tension et on ouvre un générateur de
courant).
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Comportement dynamique du transistor : schéma équivalent du transistor
Dans le schéma dynamique équivalent on remarque que le transistor est utilisé

comme un quadripôle. Dans les montages électroniques le transistor sera utilisé
suivant trois montages fondamentaux :
Le montage émetteur Le montage collecteur Le montage base

commun (EC) : ou l’entrée commun (CC) : ou commune (BC) : ou
du transistor est la base l’entrée du transistor l’entrée du transistor est
par rapport à l’émetteur et est la base par rapport l’émetteur par rapport à
la sortie est le collecteur au collecteur et la la base et la sortie est le
par rapport à l’émetteur. sortie est l’émetteur par collecteur par rapport à la
rapport au collecteur. base.
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Schéma électrique équivalent du transistor bipolaire
Dans les montages précédentes le transistor est considéré comme un quadripôle

et suite à l’étude des quadripôles différents schémas et matrices associées
peuvent représenter le comportement électrique de ces quadripôles.
Pour le transistor, on utilisera le schéma équivalent hybride et la matrice hybride

associée.
Pour le montage EC dont le schéma et les paramètres hij sont les plus utilisés :
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Schéma électrique équivalent du transistor bipolaire
D’après le schéma de la figure, on a: vbe=h11e ib+ h12e vce

ic=h21e ib + h22e vce
h11e=(vbe/ib) pour vce=0 h11e est l’impédance d’entrée du transistor en ohm (Ω)
h21e=(ic/ib) pour vce=0 h21e est le gain en courant du transistor (sans unité)
h12e=(vbe/vce) pour ib=0 h12e est le taux de réaction de la sortie sur l’entrée (sans unité)
h22e=(ic/vce) pour ib=0 h22e est l’admittance de sortie du transistor en siemens.
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Remarques importantes :
Les paramètres hij sont ainsi définis ci-dessus dépendent du point de

fonctionnement statique du transistor puisque :
vbe=∆VBE varie autour de VBE0 h11e=(∆VBE/∆IB) pour VCE0=cte

vce=∆VCE varie autour de VCE0 h21e=(∆IC/∆IB) pour VCE0=cte
ic=∆IC varie autour de IC0 h12e=(∆VBE/∆VCE) pour IB0=cte
ib=∆IB varie autour de IB0 h22e=(∆IC/∆VCE) pour IB0=cte
Pour les montages CC et BC, on définit respectivement les hijc et les hijb de la
même façon.
Il existe des relations de passage entre les différentes hij.
Dans les fiches techniques qui sont en anglais les hij sont appelés :
h11e hie(input) ordre de grandeur: 500Ω à 5KΩ
h21e hfe(forward) ordre de grandeur 100 à 500
h12e hre(reverse) ordre de grandeur 4 10-4 à 5 10-5
h22e hoe(output) ordre de grandeur 4 10-4 à 5 10-5 siemens
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Schémas équivalents simplifiés
L’influence du paramètres h12e sur le comportement dynamique du transistor est

négligeable cela se traduit par la première simplification du schéma équivalent,
qui devient :
D’après le schéma de la figure, on a: vbe=h11e ib , ic=h21e ib + h22e vce
Le paramètre h22e, l’admittance de sortie est très faible ce qui correspond à une
impédance de sortie très grande et de ce faite l’influence de h22e sur le
comportement dynamique est négligeable et de ce fait on peut opérer une
simplification du schéma équivalent du transistor et dans ce cas le schéma
équivalent du transistor devient :
D’après le schéma de la figure

on a:
vbe=h11e ib
ic=h21e ib 28
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Amplificateurs à transistors
Un amplificateur à transistor est un montage électronique qui amplifie les

amplitudes d’un signal appliqué à son entrée et fourni par un générateur de
signaux.
L’amplificateur ne modifie ni la forme ni les fréquences utiles du signal d’entrée.
On dira que l’amplificateur est linéaire : la structure d’un amplificateur est
donnée par le schéma synoptique de la figure suivante:
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Les paramètres dynamiques d’un amplificateur
Différents paramètres dynamiques caractérisent le comportement dynamique

de l’amplificateur. Leurs connaissances est primordiale pour l’utilisation de
l’amplificateur. Ils sont définis à partir des signaux d’entrée et de sorties
dynamiques de l’amplificateur.
L’amplification en tension (le gain en tension) : AV, AVc

L’amplification en tension de l’amplificateur à vide (AV) ou en charge (AVc) est
définie par le rapport de la tension de sortie vs sur la tension d’entrée ve de
l’amplificateur :
AV=(vs/ve) pour ZL=∞
AVc=(vs/ve) pour ZL finie (connue)
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L’amplification en courant (ou gain en courant) : Ai

L’amplification en courant de l’amplificateur est définie par le rapport du courant
de sortie is sur le courant d’entrée ie de l’amplificateur :
Ai=(is/ie)
L’amplification de puissance (ou gain en puissance) : AP

L’amplification de puissance de l’amplificateur est définie par le rapport de la
puissance de sortie Ps fournie à la charge sur la puissance fournie à l’entrée de
l’amplificateur : Pe
Ps=vsis
Pe=veie
AP=(Ps/Pe)= (vs is/ve ie)= (vs /ve) (is/ie) = AV Ai
L’impédance d’entrée : Ze
L’impédance d’entrée de l’amplificateur Ze est définie par le rapport de la
tension d’entrée ve sur le courant d’entrée ie.
Ze=(ve/ie)
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L’impédance de sortie : Zs
L’impédance de sortie de l’amplificateur Zs est définie par le rapport de la
tension de sortie vs sur le courant de sortie is.
Zs=(vs/is) pour eg=0
Zs est l’impédance vue par la charge ZL
La bande passante fréquentielle de l’amplificateur : BP

Quelque soit l’amplificateur considéré, il sera toujours défini par sa bande
passante fréquentielle qui représente l’ensemble des fréquences utiles du
signal d’entrée ve et pour les quelles les différents paramètres définis en sus
restent constants. Dans ce cas l’amplificateur joue le rôle d’un filtre caractérisé
par deux fréquences de coupure FCB (fréquence de coupure basse) et FCH
(fréquence de coupure haute).
D’après la figure, on a :
AV(FCB)dB=AV(FCH)dB=(AV0)dB - 3 dB
La bande passante BP est :

BP= FCH - FCB
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Schéma équivalent de l’amplificateur
Connaissant les paramètres dynamiques AV, Ai, Ze et Zs, on peut représenter

l’amplificateur par un schéma équivalent utilisant ces paramètres.
Le schéma le plus utilisé est celui utilisant les paramètres : AV, Ze et Zs.
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Etude dynamique des amplificateurs à transistor bipolaire
Amplificateur émetteur commun (EC)

Le schéma de l’amplificateur est donné par :
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Schéma statique de l’amplificateur Schéma dynamique de l’amplificateur
Pour les petits signaux et dans la bande passante, les condensateurs ont des
impédances négligeables devant celles du circuit. 35
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Le schéma équivalent dynamique de l’amplificateur est obtenu en arrangeant le

schéma dynamique précédent et en replaçant le transistor par son schéma
simplifié.
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Les relations du montage sont :

Pour le transistor on a :
vbe=h11e ib (1)
ic=h21e ib (h21e=β) (2)
Les autres relations du montage sont :
ie=i’+ib (3)
ve=vbe=RP i’ (RP=Rb1//Rb2) (4)
RL=∞ l’amplificateur n’est pas chargé
eg=Rgie+ve (6)
ib = ie (RP / (Rp + h11e) (7)
is = - ic (RC / (RC + RL) (8)
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Calcul du gain en tension AV
On utilise les relations : [1], [2], [4], [5] et on trouve :
AV=-h21e(RC/h11e)=-β(RC/h11e) pour RL=∞
AVc=-h21e((RC//RL) / h11e)=-β ((RC//RL) / h11e) pour RL finie
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Calcul du gain en courant AI
D’après les relations [2], [7] et [8] :
Le gain AI en charge :
AI=is/ie=(is/ic) (ic/ib) (ib/ie)
Pour RP>>h11e AI = - h21e (RC / (RC + RL)

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Calcul de l’impédance d’entrée Ze
On utilise les relations : [2], [3], [4], et on trouve :
Ze = ve/ie
Ze = RP//h11e
Puisque RP>>h11e donc, Ze = h11e
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Calcul de l’impédance de sortie Zs

On considère le schéma dynamique équivalent alimentée par le générateur (eg,
Rg). on court-circuite le générateur eg (eg=0, générateur de tension, si
générateur de courant en laisser ouvert). On remplace la charge RL par un
générateur qui fournie le courant is, sous la tension vs. On dira que le
générateur (vs, is) voit entre A et B la résistance Rs (impédance de sortie).
A
B
D’après ces conditions :
eg = 0 ie = 0 ib = 0 ic = 0
is = ic + i0
vs = RC i0 = RC is Donc, Rs = RC
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Conclusion
L’amplificateur émetteur commun est :
Un amplificateur inverseur (signe moins du gain AV)
Un amplificateur de tension AV >> 1
Un amplificateur avec une faible impédance d’entrée : Re ≈ h11e
Un amplificateur avec une grande impédance de sortie : Rs ≈ RC
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Amplificateur collecteur commun (CC)

Le schéma de l’amplificateur est donné par:
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simplifié.
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vbe=h11e ib (1)
ic=h21e ib (h21e=β) (2)
ie=iP+ib (3)
ve=vbe + vE=RP ip (RP=Rb1//Rb2) (4)
vs = vE (5)
RL=∞ l’amplificateur n’est pas chargé
eg=Rgie+ve (6)
vs = vE = RE iE = RE (β+1) ib (7)
iE= ic + ib=(β+1) ib (8)
iE= is + ic + ib (9)
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vs = - vce (10)
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On utilise les relations : [1], [4], [5] et [7] et on trouve :
Approximation de AV :
AV = 1 pour h11e << β RE et β >> 1
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Remarques :
L’amplificateur collecteur commun est non inverseur
Le gain en tension est pratiquement égal à l’unité (vs=ve). on dira que
l’amplificateur collecteur commun est suiveur (puisque la sortie suit l’entrée)
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Ze = ve/ie
Ze = RP // [h11e + (RE//RL) (β+1)]
Ze = [h11e + (RE//RL) (β+1)] pour RP >> [h11e + (RE//RL) (β+1)]

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On utilise les relations : [1], [3], [4], [7] et [9] et on trouve :
eg=0
//
Soit : Rs = h11e / β pour RP//Rg<<h11e et RE>>(h11e + Rg) / β
L’impédance de sortie Rs de l’amplificateur collecteur commun est relativement

faible (c’est un avantage).
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Conclusion
L’amplificateur collecteur commun est :
Un amplificateur non inverseur.
Un amplificateur suiveur car AV≈1
Un amplificateur avec une grande impédance d’entrée : Re ≈ h11e + (RL // RE) (β+1)
Un amplificateur avec une faible impédance de sortie : Rs ≈ h11e / β
Remarque :
L’amplificateur collecteur commun dont l’impédance de sortie Rs est faible et
l’impédance d’entrée est grande est un amplificateur adaptateur d’impédance.
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Amplificateur base commune (BC)
Le schéma de l’amplificateur est donné par:
La capacité CB met la base à la masse.

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simplifié.
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vbe=h11e ib (1)
ic=h21e ib (h21e=β) (2)
iE=ic+ib+ie (3)
ve=vE (RP=Rb1//Rb2) (4)
vs = vE + vce = - RC ic (5)
RL=∞, (is= 0) l’amplificateur n’est pas chargé
eg=Rgie+ve (6)
vE = -vbe (7)
is = ic – i0 Lorsque l’ampli est chargé (is >0) (8)
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AV=h21e RC/h11e=β RC/h11e pour RL=∞
AVc=h21e (RC//RL)/h11e=β (RC//RL)/h11e pour RLfinie (is≠0)
Approximation de AV:
On peut écrire AVc en fonction de AV
AVc= K AV K=RC/(RC+RL)<1
Remarques:
- L’amplificateur BC est non inverseur
- Le gain en tension est le même que l’amplificateur EC
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Ze = ve/ie
Ze = Rs = RE // [h11e /(β+1)]
Soit :
Ze = h11e/ (β+1) car RE >> [h11e /(β+1)]
L’impédance d’entrée de l’amplificateur BC est faible
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On utilise les relations : [1], [3], [4], [7] et [9] et on trouve :
eg=0 ie = 0 ib = 0 ic = 0
is = ic + i0
vs = RC i0 = Rs is
Donc, Rs = RC
L’impédance de sortie Rs de l’amplificateur base commune est relativement
importante.
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Conclusion:
L’amplificateur BC est:
- Un amplificateur non inverseur
- Un amplificateur de tension comme l’EC
- L’impédance d’entrée est faible: Re ≅ h11e/(β+1)
- L’impédance de sortie est grande: Rs ≅ RC
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Etude des amplificateurs à plusieurs étages
Dans les applications électroniques il est rare de trouver un amplificateur à un

seul étage car les gains apportés sont insuffisants et il y a nécessité d’avoir des
amplificateurs à plusieurs étages.
Les types d’amplificateurs multi-étages
Suivant la connexion entre les étages on définit deux types d’amplificateurs:
Amplificateurs à liaison continue ou amplificateurs continus
Amplificateurs à liaison capacitive ou amplificateurs dynamiques
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Amplificateurs à liaison continue ou amplificateurs continus
Dans ces amplificateurs, les signaux continus et dynamiques sont amplifiés par
le montage, les points de fonctionnement sont interdépendants et leur étude est
de ce fait plus difficile à faire.
Amplificateur continu multi-étages
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Amplificateurs à liaison capacitive ou amplificateurs dynamiques
Dans ces amplificateurs seul les signaux dynamiques sont amplifiés par le
montage, les points de fonctionnement sont indépendants et leur étude est de
ce fait plus facile à faire.
Amplificateur dynamique multi-étages
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Procédure d’étude et d’analyse d’un amplificateur multi-étages
- Etude statique de l’amplificateur multi-étages:
Les étages sont indépendants en statique et le point de fonctionnement des

transistors d’un étage peut être fixer indépendamment des autres étages
- Etude dynamique d’un amplificateur multi-étages:
Pour mener à bien cette étude dynamique il est préférable de commencer

l’étude de la sortie en allant vers l’entrée de l’amplificateur multi-étage pour tenir
compte des charges des différents amplificateurs de la chaîne.
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Cours Electronique Analogique
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Transistor Bipolaire

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10/10/2014

Université Abdelmalek Essaâdi

Pr. Ahmed EL OUALKADI

1ière année du cycle d’ingénieur

Chapitre 1 : Transistor bipolaire (TB)

Chapitre 2 : Transistor à effet du champ (TEC)

Chapitre 3 : Amplificateur opérationnel (AOP)

Chapitre 1 : Transistor bipolaire (TB)

Chapitre 2 : Transistor à effet du champ (TEC)

Chapitre 3 : Amplificateur opérationnel (AOP)

Généralités sur les transistors bipolaires

Description de la structure du transistor NPN

La structure du transistor est divisée en 3 régions :

La région I : est constituée de semi-conducteur

Transistor NPN La région II : est constituée de semi-conducteur

La région III : est constitué de semi-conducteur

Généralités sur les transistors bipolaires

Symbole du transistor bipolaire

Transistor NPN Transistor PNP

Fonctionnement du transistor bipolaire

Généralités sur les transistors bipolaires

Généralités sur les transistors bipolaires

Le gain de courant en émetteur commun

Le gain de courant en base commune

Dépendance du courant IC de la température T :

Réseau de caractéristiques d’un transistor bipolaire

Ces caractéristiques paramétriques sont relevées avec le transistor monté en

On relève le réseau de caractéristiques C1, C2, C3 et C4 :

Réseau de caractéristiques d’un transistor bipolaire

D’après les courbes des caractéristiques (C1, C2, C3 et C4) du transistor,

C’est le rôle de la polarisation du transistor qui fixe un point de

Le choix des valeurs de IC et VCE ne doit jamais dépasser la courbe de

Polarisation et point de fonctionnement d’un transistor bipolaire

Le transistor est un élément actif non linéaire, pour fonctionner en élément

Polarisation et point de fonctionnement d’un transistor bipolaire

Polarisation à deux sources continues

Polarisation et point de fonctionnement d’un transistor bipolaire

Calcul et détermination du point de fonctionnement du transistor

Droite de charge (maille de sortie) : IC = (VCC - VCE) / RC

Droite d’attaque (maile d’entrée) : VBE = VBB - RB IB

Polarisation et point de fonctionnement d’un transistor bipolaire

Détermination du point de fonctionnement (PF) du transistor : IC0, VCE0, IB0 et VBE0

Polarisation et point de fonctionnement d’un transistor bipolaire

Si on dispose par du réseau de caractéristiques du transistor et c’est

Polarisation automatique à une source

Les différents schémas de polarisation automatique sont :

Polarisation automatique avec résistance à la base

Maille de sortie : VCC = VCE + RC IC

Maile d’entrée : VBE=VCC-RBIB

Polarisation automatique avec pont de résistances

Maille de sortie : VCC = VCE + RC IC

Maille d’entrée : VBE=VRB2=RB2I2

Polarisation automatique avec résistance au collecteur

Maille de sortie : VCC = VCE + RC I

Maile d’entrée : VRB=VCE – VBE= RBIB

Fonctionnement du transistor bipolaire en régime variable ou dynamique

Le fonctionnement du transistor bipolaire en régime variable ou dynamique,

Pour superposer le régime dynamique au régime statique, on applique à l’entrée

Fonctionnement du transistor bipolaire en régime variable ou dynamique

Fonctionnement du transistor bipolaire en régime variable ou dynamique

Droite d’attaque dynamique

Droite de charge dynamique

Différents types de schémas d’un montage à transistor