Université Ferhat Abbas Sétif1 01, Sétif, Algérie

Faculté de Technologie
Département Enseignement de base en Technologie & Electronique
Module : Electronique Fondamentale 01
Niveau : 2ème Année LMD 2020
Dr. L. Guessas
22 février 2021
Table des matières

4 Transistors Bipolaires à jonctions 1

4.1 Constitution d’un transistors bipolaires et effet transistor . . . . . . . . . . . . . . . . 1
4.1.1 Effet transistor et équations mathématiques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
4.2 Polarisation du transistor bipolaire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
4.3 Présentation :Symboles, tensions et courants du transistor . . . . . . . . . . . . . . . . 3
4.4 Transistor bipolaire en tant que quadripôle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
4.5 Caractéristiques électriques d’un transistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
4.5.1 Réseau de caractéristiques statiques (montage emetteur-commun) . . . . . . . 6
4.6 Montages de polarisation du transistor bipolaire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
4.6.1 Polarisation par résitance de base ou polarisation fixe . . . . . . . . . . . . . . 7
4.6.2 Polarisation par résitance de base collecteur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
4.6.3 Polarisation par résitance à l’émetteur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
4.6.4 Polarisation par pont de résitances . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
4.7 droites de charge . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
4.7.1 Droite d’attaque . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
4.7.2 Droite de charge statique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
4.7.3 point de repos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
4.8 Etude des trois montages fondamentaux : EC, BC, CC . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
4.9 Transistor en régime dynamique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
4.9.1 Shéma équivalent du transistor en régime dynamique . . . . . . . . . . . . . . 11

i
TABLE DES MATIÈRES ii

Avant-propos
Ce polycopié peut être utiliser comme un support pédagogique du cours Electronique Fondamentale
1, destiné aux étudiants de 2ieme Année des Licences LMD L2 assurées au département d’électronique.
Ce polycopié regroupe l’analyse des circuits électriques résistifs (calcul des courant et le tensions des
branches) par les lois de Kirchoff, des différent types de matrices représentatives des quadripôles, initia-
tion aux semi-conducteur des études profondes des diodes, des transistors ainsi que les amplificateurs
opérationels.
Le polyopié comporte cinq chapitres :
le premier chapitre, intitulé Réseaux Électriques et Théorèmes Fondamentaux, est consacré aux rela-
tions courant-tensions dans les composants électrique, les lois de Kirchoff, leurs résolutions par des
méthodes pratiques et les théorèmes fondamentaux pour l’analyse des circuits électriques résistifs.
Le deuxième chapitre, intitulé les Quadripôles, est consacré à la représentation des quadripôles par des
différentes matrices ainsi que l’étude des fonctions de transfert pour la classification des filtres.

L.GUESSAS : EF 01 2021
TABLE DES MATIÈRES iii

Pour l’étudiant
Pour comprendre le contenu de ce texte, l’étudiant est supposé avoir une connaissance de base du calcul
mathématique, ainsi que les notions de base sur l’éléctricité.

L.GUESSAS : EF 01 2021
Chapitre 4

Transistors Bipolaires à jonctions

Le transistor bipolaire est le deuxième composant semi-conducteur étudié en électronique fonda-

mentale, il est constitué de deux jonctions PN avec trois bornes Émetteur, Base et Collecteur, le nom
bipolaire vient du fait que le courant est du essentiellement aux deux porteurs de charges électrons et
trous. Á l’inverse des autres composants passifs, le transistor est un composant actif, il peutêtre consi-
déré comme un générateur de courant car avec un faible courant dans la base (courant de commande à
l’entrée), il se produit un courant très fort dans le collecteur (courant de sortie).
Il remplit deux fonctions vitales en électronique :
1. Amplification de courant : généreteur de courant en sortie commandé par un courant en entré.
2. Commutation (marche-arrêt), interrupteur commandé.
Et parconséquent, il est très utilisé dans :
— L’électronique de puissance, les amplificateurs opérationnels.
— Le domaine numérique, les portes logiques.
Il est aussi utilisé comme :
— stabilisateur de tension ,
— modulateur de signal.

4.1 Constitution d’un transistors bipolaires et effet transistor

Le transistor bipolaire est constitué de deux jonctions PN placées ”dos à dos” formant trois bornes.
Dans ce cas il y a deux arrangements possibles et par conséquent il existe deux types de transistor
bipolaire, le PNP et le NPN.
Physiquiement le transistor bipolaire est formé par un monocristal consistant d’une fine region de type
N ou P encadrée de deux epaisses régions de type P ou de type N respectivement Avec :
? B : Base.
? E : Emetteur.

1
4.1 Constitution d’un transistors bipolaires et effet transistor 2

? C : Collecteur.

Figure 4.1 – Transistor NPN et PNP

Par construction, les jonctions base-émetteur et base-collecteur ne sont pas identiques.

• Le collecteur et l’émetteur ont des dopages très différents.
• L’émetteur est beaucoup plus dopé que la base.
• La base est plus mince.
Si les jonctions ne sont pas soumises a aucune tension externe, les diodes sont bloquées.

4.1.1 Effet transistor et équations mathématiques

La structure du transistor en deux jonctions successives conduit a quatre types de polarisation :
1. Jonction émetteur-base en direct, jonction collecteur-base en inverse : mode de fonctionne-
ment dit normal.
2. Jonction émetteur-base en inverse, jonction collecteur-base en direct : mode de fonctionne-
ment dit inverse.
3. Jonction émetteur-base et collecteur-base en inverse : mode de fonctionnement bloqué.
4. Jonctions émetteur-base et collecteur-base en direct : mode de fonctionnement sature.
L’effet transistor consiste à contrôler, à l’aide du courant de base IB , relativement faible, un courant de
collecteur IC , beaucoup plus important.
Ordre de grandeur des courants dans le transistor bipolaire La majorité des électrons émis par
l’émetteur sont captés par le collecteur et le reste des électrons diffusent dans la base donc on peut
écrire :
IE = IC + IB (4.1)

et si on pose :
IC = α IE (4.2)

avec 0 < α < 1, alors :

IC α IB
= IE = IC + IB , donc IC = (4.3)
α 1−α

L.GUESSAS : EF 01 2021
4.2 Polarisation du transistor bipolaire 3

Figure 4.2 – NPN polarisé

et si on pose
α
β = (4.4)
1−α
Alors :
IC = β IB (4.5)

Si α = 0.99, alors :β = 99. C’est pourquoi les transistors sont utilisés comme des amplificateurs de
courant.
IC >> IB Donc : IE ≈ IC (4.6)

4.2 Polarisation du transistor bipolaire

Parmi les différentes façons de polariser un transistor de type NPN, une seulement présente un
intérêt primordial. Si nous polarisons la jonction émetteur-base en direct et la jonction collecteur-base
en inverse, l’effet transistor apparaît. Des trous sont injectés de la base vers l’émetteur alors que des
électrons passent de l’émetteur vers la base, puis accélérés par le champ interne et propulsés dans le
collecteur.

4.3 Présentation :Symboles, tensions et courants du transistor

Le transistor est constitué de trois pattes(tripôle). L’émetteur est repéré par la flèche qui symbolise
le sens réel du courant, sortant pour un un transistor NPN et entrant pour PNP.
La deuxième Loi de Kirchhoff appliquée au transistor bipolaire donne :

IE = IC + IB et IC = β IB (4.7)

L.GUESSAS : EF 01 2021
4.4 Transistor bipolaire en tant que quadripôle 4

Figure 4.3 – Symboles

Un faible courant de base, IB , permet de commander un courant de collecteur, IC , bien plus impor-
tant.
Ces relations constituent les relations fondamentales qui traduisent l’effet transistor. Elles expriment la
proportionnalité entre les courants IC et IE ainsi que la possibilité de contrôler le courant IC à l’aide de
la quantité d’électrons injectés dans la base.
Le transistor bipolaire NPN est caractérisé par :
1. Un courant de base entrant IB ,
2. Un courant de collecteur entrant IC et
3. un courant d’émetteur sortant IE .
4. Les tensions VBE et VCE sont positives.
Et l’inverse pour le transistor PNP ;
1. Un courant de base sortant IB ,
2. Un courant de collecteur sortant IC et
3. un courant d’émetteur entrant IE .
4. Les tensions VBE et VCE sont négatives.

4.4 Transistor bipolaire en tant que quadripôle

Lorsqu’un transistor (tripôle) est utilisé, il est inséré entre un circuit d’entrée et un circuit de sortie
ayant chacun deux bornes.
Il doit donc être branché comme un quadripôle : l’une de ses trois connexions est alors réunie au circuit
d’entrée et au circuit de sortie (borne commune).
Trois montages sont possibles (combinaisons) :

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4.5 Caractéristiques électriques d’un transistor 5

E
1. Le montage à émetteur commun ;
C E

B
1. Le montage à base commune ;
E

C
1. Le montage à collecteur commun.

— la patte commune est l’émetteur : on parle de montage émetteur commun. Les bornes d’entrée
du transistor sont la base et l’émetteur, les grandeurs d’entrée sont : IB et VBE .
La sortie se fait entre le collecteur et l’émetteur, les grandeurs correspondantes sont IC et VCE
figure (a).
— La patte commune est la base : on parle de montage base commune.
Les bornes d’entrée du transistor sont la base et l’émetteur, les grandeurs d’entrée sont : IB et
VBE .
La sortie se fait entre la base et le collecteur et , les grandeurs correspondantes sont IC et VBC
figure (b).
— La patte commune est le collecteur : on parle de montage collecteur commun.
Les bornes d’entrée du transistor sont la base et le collecteur , les grandeurs d’entrée sont : IB
et VCB .
La sortie se fait entre la base et l’émetteur , les grandeurs correspondantes sont IE et VEC figure
(c).

4.5 Caractéristiques électriques d’un transistor

La polarisation d’un transistor a pour but de placer le point de fonctionnement du transistor dans la
zone linéaire des caractéristiques. Nous allons étudier les caractéristiques des transistors NPN. Celles
des transistors PNP sont les mêmes. Les transistors NPN sont plus répandus car ils ont de meilleures
performances que les PNP (la conductibilité du silicium dopé de type N est meilleure que celle du
silicium dopé de type P, ainsi que la tenue en tension).

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4.5 Caractéristiques électriques d’un transistor 6

4.5.1 Réseau de caractéristiques statiques (montage emetteur-commun)

— Caracteristique d’entrée :
La caracteristique d’entree du transistor est donnee par la relation IB = f(VBE ) à VCE = cte. En
fait, le circuit d’entree est la jonction base-emetteur du transistor, soit une diode à jonction .

Cette caracteristique va dépendre très peu de la tension collecteur-emetteur : On la donne en

général pour une seule valeur de VCE . La courbe est la suivante :
— Caracteristique de sortie :
La caracteristique de sortie du transistor est definie par la relation IC = f(VCE ) à IB = cte. En
pratique, on donne un reseau de caracteristiques pour plusieurs valeurs de IB . Caracteristique
de transfert.
— La caracteristique de transfert :
Elle est definie par la relation IC = f(IB ) à VCE = cte.
1. La caracteristique de transfert est donc une droite, le transistor est un générateur de courant
commande par un courant. Si on considère le courant de fuite ICE0 , la caracteristique ne
passe pas par l’origine, car IC = ICE0 pour IB = 0.
2. Le gain β du transistor va varier grandement en fonction du type de transistor soit :
5 à 10 pour des transistors de grosse puissance,
30 à 80 pour des transistors de moyenne puissance, et de
100 à 500 pour des transistors de signal

Figure 4.4 – Réseau de caractéristiques statiques

L.GUESSAS : EF 01 2021
4.6 Montages de polarisation du transistor bipolaire 7

4.6 Montages de polarisation du transistor bipolaire

La polarisation d’un transistor a pour but de placer le point de fonctionnement du transistor dans la
zone linéaire des caractéristiques.

4.6.1 Polarisation par résitance de base ou polarisation fixe

1. De la maille de sortie :
RC
RB
VCC = VCE + RC IC (4.8)
Vcc

2. De la grande maille :

VCC = VBE + RB IB (4.9)


VCC = VCE + RC IC



 (4.10)
VCC = VBE + RB IB



et sachant que : IC = βIB , on a :

Ic
VCE + RC IC = VBE + RB (4.11)
β

Donc :
VCE − VBE
IC = RB
(4.12)
RC − β

4.6.2 Polarisation par résitance de base collecteur

1. De la grande maille :
RC
VCC = VBE + RB IB + RC IC (4.13)
Vcc
RB

et sachant que : IB = 1
I ,
β C
on a :

VCC − VBE
IC = (4.14)
RC + RB
β

L.GUESSAS : EF 01 2021
4.7 droites de charge 8

4.6.3 Polarisation par résitance à l’émetteur

1. De la grande maille :
RC
RB
VCC = , RE IE + VBE + RB IB (4.15)
Vcc
1
2. IB = IC ,
β RE
3. IE ≈ IC ,

On a :
VCC − VBE
IC = (4.16)
RE + RB
β

— L’équation Ic = f(VCE ), permet de déterminer le point de fonctionnement.

— Ic peut être influencer par le coefficient β qui a son tour dépend de α et α est dimenssionné par la
diffision des e− , dans le semi-conducteur et la difusion des e− est très sensible à la température.
— Ic dépend de β et β dépend de la température.

4.6.4 Polarisation par pont de résitances

RC RC
R2
RB
Vcc Vcc

R1 VB

Ou :
R1 VCC R1 R2
VB = et RB = (4.17)
R1 + R2 R1 + R2
Alors :
(VB − VBE )
IC = β (4.18)
RB + (β + 1)RE
Dans le dernier montage
— En choisissant RB faible devant (β + 1)RE alors Ic = (VB R−V
E
BE )
devient pratiquement insensible à
β.
— Le point de polarisation est donc stable en température.

4.7 droites de charge

C’est l’équation qui donne la relation

L.GUESSAS : EF 01 2021
4.7 droites de charge 9

1. IB = f(VBE ) : droite d’attaque à(l’entrée).

2. IC = f(VCE ) : de charge statique en (sortie).

4.7.1 Droite d’attaque

1. De la maille d’entrée :
VB = , RE IE + VBE + RB IB (4.19) RC

2. Avec : IE = IC + IB = (β + 1)IB , RB
Vcc
(VB − VBE )
3. Donc : IB = β
RB + (β + 1)RE VB
RE

IB A
(V B )
(−VBE ) (VB ) R B +(β+1)RE
IB = + (4.20)
RB + (β + 1)RE RB + (β + 1)RE
VBE V
VB

4.7.2 Droite de charge statique

1. De la maille de sortie : RC

1+β RB
VCC = RC IC + VCE + RE ( )IC (4.21) Vcc
β
VB
1+β RE
2. Avec : IE = IC + IB = ( )IC ,
β
(VCC − VCE )
3. Donc : IC = β
RC + ( 1+β
β
)RE
Et parconséquent on a :
IC A
(−βVCE ) (βVCC ) (βVCC )
IC = + (4.22) 1+β
RC +( β )RE
RC + ( 1+β
β
)RE RC + ( 1+β
β
)RE

VCE V
VCC

4.7.3 point de repos

La droite de charge statique contient tous les points de fonctionnement du transistor :

(V B )
Icsat = RB +(β+1)R


 E
1. Le point de coordonné :  
VCE sat =0


L.GUESSAS : EF 01 2021
4.8 Etude des trois montages fondamentaux : EC, BC, CC 10

Est le point de saturation, le transistor fonctionne en mode de saturation.


Ic =0



2. Le point de coordonné :  
VCE =VB

Est le point de blocage, le transistor fonctionne en mode de blocage.

(V B )
Ic0 = 2(RB +(β+1)R


E)
3. Le point de coordonné milieu de la droite de charge : 


VCE0 = 2B
 (V )

Est le point de repos, le transistor fonctionne en mode d’amplification linéaire.

4.8 Etude des trois montages fondamentaux : EC, BC, CC

Dans le but de faciliter l’étude du transistor dans les circuits électriques, le transistor est considéré
comme un quadripôle, le transistor est un tripôde (3 pattes), la mise en commun d’une borne (patte)
entre l’entrée et la sortie donne trois montages possibles :
C
IC
IB
B VCE
VBE

E
1. Le montage à émetteur commun est caractérisé par :
— Le courant IB et la tension VBE en entrés.
— Le courant IC et la tension VCE en sorties.
C IE

VBC IC E VCE
B
1. Le montage à base commune est caractérisé par :
— Le courant IC et la tension VBC en entrés.
— Le courant IE et la tension VBE en sorties.
1. Le montage à collecteur commun.

— Le courant IB et la tension VCB en entrés.

— Le courant IE et la tension VCE en sorties.

L.GUESSAS : EF 01 2021
4.9 Transistor en régime dynamique 11

4.9 Transistor en régime dynamique

 D’après le théorème de superposition, le courant ou la tension dans une branche est donné par :
alternatif
z}|{continu


 z}|{
= +

i I ib




 B B


vBE = VBE + vbe





iC = IC + ic







vCE = VCE + vce



En régime dynamique (Alternatif), le transistor est caractérisé par sa matrice hybride, tel que en émet-
teur commun : 
  h11 h12   
vbe ic =   ib vce
h21 h22
En
 équations mathématiques on a :
 vbe = h11 ib + h12 vce




iC = h21 ib + h22 vce


Avec :
∇ vbe
1. h11 = Pour ic = cste : h11 est appelée impédance d’entrée du transistor.
∇ib
∇ vbe
2. h12 = Pour ib = cste : h12 est appelée coefficient de transfert inverse.
∇vce
∇ ic
3. h21 = Pour vce = cste : h21 est appelée gain en courant (β).
∇ib
∇ ic
4. h22 = Pour ib = cste : h12 est appelée admittance du transistor.
∇vce

4.9.1 Shéma équivalent du transistor en régime dynamique

On peut schématiser le transistor en régime dynamique utilisant la matrice hybride h comme sui-
vant :
h11
ib ic

vbe h12 vce h21 ib h−1

22 vce

Le circuit équivalent comporte :

— une impédance et un générateur de tension lié en entrée,
— et une admittance et un générateur courant lié en sortie.
22 est infini h22 = ∞, donc le schéma équivalent devient :
En pratique h12 est négligeable h12 ≈ 0 et h−1 −1

L.GUESSAS : EF 01 2021
4.9 Transistor en régime dynamique 12

h11
ib ic

vbe h21 ib vce

L.GUESSAS : EF 01 2021