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Transistors Bipolaires
1
INTRODUCTION :
Le transistor bipolaire est créé par la juxtaposition de trois couches de semi-conducteur dopé N+ P
puis N pour le transistor NPN ou dopés P+, N puis P pour le transistor PNP. Le Transistor est
l’élément clef de l’électronique il peut amplifier un signal : amplificateur de tension, de courant, de
puissance… être utilisé comme une source de courant c’est-à-dire agir comme un interrupteur
commandé. La flèche qui repère l'émetteur indique le sens passant de la jonction base – émetteur ainsi
que la Loi de Kirchhoff appliquée au transistor bipolaire : IE = IC + IB. L'effet transistor consiste à
contrôler, à l'aide du courant de base IB, relativement faible, un courant de collecteur IC, beaucoup
plus important. Par construction, les jonctions base - émetteur et base - collecteur ne sont pas
identiques. Le transistor ne fonctionne pas de manière symétrique car Le collecteur et l'émetteur ont
des dopages très différents. Base faiblement dopée pour limiter le courant de trous, La base est plus
mince pour éviter les recombinaisons. L'émetteur est beaucoup plus dopé que la base pour favoriser
l’effet transistor. L'effet transistor apparaît lorsqu'on polarise la jonction base - émetteur BE en direct
et la jonction base – collecteur BC.
METHODOLOGIE :
Lors de la réalisation de ce document, nous avons utilisés le logiciel Psim et Peace-spice pour faire les
montages des circuits, pour visualiser la simulation graphique des tensions ainsi que tracer les
oscillogrammes des tensions.
Objectifs :
Ce travail a pour objectif de permettre à l’étudiant d’avoir une connaissance plus approfondie sur les
circuits électroniques ainsi que les composants électroniques particulièrement le transistor, ce qui lui
permettra de concevoir des circuits electroniques à haute fréquence.
2
EXPLICATIONS DES COMPOSANTS
3
Chapitre I : EMETTEUR COMMUN AMPLIFIER AVEC GAIN FIXE.
Ce montage est dit à émetteur commun à Gain fixe, car la résistance de l’émetteur fixe le Gain mais
quand le condensateur de l’émetteur est court-circuité. Contrairement au montage simple émetteur le
condensateur de couplage de l’émetteur est choisi de façon à présenter une impédance assez faible lors
d’une étude en petit signaux, pour court-circuiter la résistance de l’Emetteur. Donc la présence de ce
condensateur permet d’augmenter considérablement le Gain du montage.
Le transistor ne fonctionne qu’en régime linéaire le reste de temps il est off donc il ne fonctionnera
que dans l’intervalle où la ligne est droite à savoir l’intervalle de 15KHZ à 100MHZ .
4
On constate ici que le gain en tension moyen qui a pour bande passante partant de 10HZ à 10MHZ qui
varie avec la tension. Elle a pour équation G= 20Log(A) avec A qui représente l’amplification.
Le signal est atténué pendant les hautes et faibles fréquences ce qui veut dire que ce gain en tension est
un passe-bande.
Remarque faites le gain en courant est élevé et varie dans une bande passante allant de 0HZ à 10 MHZ .
Passant de l’équation Ic= βIb avec β notre coefficient d’amplification et qu’il est dans l’intervalle de
30 à 180, il peut être donc considéré comme un transistor de puissance.
On constate que la fréquence augmente en même temps avec les décibels de 1 Hz à 10 HZ les décibels
partent de 0d à 1.800d et de 10HZ à 1GHZ les décibels augmentent et partent de 200d à 400d.Cette
courbe se comporte comme un passe-bande puis comme passe haut.
5
Figure 7: Schéma de la courbe du capacitors.
Les courbes des condensateurs sont décroissantes en fonction de la fréquence. Elle illustre le comportement
des signaux obtenues après simulation
Le signal en violet est celui du condensateur à l’émetteur CE , qui, lui aussi à la même allure que le
signal en rouge mais est plus inferieur à lui. Le signal est également atténué dans l’intervalle allant de
1HZ
On donne :
VCC = 13 V (1)
RL = 1752 Ω (2)
Av =8 (3)
f = 100 Hz (4)
�� = �� = ���� ٠(5)
AN : = 0.45 × 15 (7)
6
��� = ��� = �. �� � (8)
Trouvons VRE:
VRE = 10% × VCC (9)
AN : = 0.1 × 13 (10)
��� = �. � � (11)
Trouvons IRC:
VRC (12)
IRC = (A)
RC
AN : =
5.85 (13)
1752
��� = �. �� �� (14)
Trouvons la Puissance
P=VRC × IRC W (15)
�=19.539 �� (17)
Trouvons Ib:
7
IRC (21)
Ib = (A)
hfe
AN : = 100
(22)
�� = ��. � �� (23)
��� = � � (26)
AN : = 13 − 2 (28)
��� = �� � (29)
Trouvons R2 et R1 :
VR2 Avec IR2 = 10Ib (30)
R2 = (Ω)
IR2
AN : =
2 (31)
10 ×3.34 10−3
AN : =
11 (34)
11 ×3.34 10−3
Trouvons Ci ; Co et Ce :
8
1 (36)
Ci = f
Rin
2πf 10
An : =2.19⁄⁄1000 (38)
AN : 1 (40)
C1 =
2.19
2π × 100 × 10
�� = �. ��� �� (41)
1 (42)
Co = f
R
2πf 10c
An : 1 (43)
=
765
2π × 100 × 10
�� = ��. �� µ� (44)
1 (45)
Ce = f
R
2πf 10E
1 (46)
=
170.069
2π × 100 × 10
Trouvons Av :
hfe × RL' (48)
Av =
hie
9
�� = ���. � (50)
Mesure
Désignation V. Calculées
V. LAB V. Simulées
��� 13 V X 15 V
��� 5.85 V X 6.72 V
��� 0.7 V X 0.666V
��� 5.85V X 6.7343 V
��� 1.3 V X 1.6 V
��� 11 V X 12.2138 V
��� 2 V X 2.1324 V
��� 3.34 mA X 8.1231 mA
�� 0.0334 mA X 0.02331 mA
��� 36.74 mA X 38.323mA
��� 33.4 mA X 34.9234 mA
�� 389 ٠500 ٠X
�� 1752 ٠1.800 k٠X
�� 1752 ٠1.800 k٠X
�� 299.4011 ٠300 ٠X
�� 59.88 ٠80 ٠X
� 19.539 mW X 58.23489 mW
�� 175.2 X 180.137
�� 7.267 nf 8 µf X
�� 159 µf 22 µf X
�� 93.58 µf 100 µf X
10
Chapitre II : EMETTEUR COMMUN AMPLIFIER
Rc
R1 1.8k
299.4908
Co
159u
Q1
Ci
V2
7.2m
Q2N2222 13
C1 Rl
1.8k
V3 56.8u
VOFF = 0
VAMPL = 10m R3
FREQ = 100 R2 28
AC = 59.8981
11
Figure 10: Schéma de la bande passante.
Bande passante nous montre le comportement des courbes de la tension d’entrée et de sortie, nous
pouvons remarquer que :
12
Figure 13: Schéma de différence de phase.
On constate que la courbe de différence de phase croît en fonction de la fréquence est linéaire entre
10Hz et 10MHz, et qu’à 20 dB le gain est exponentiel.
On donne :
VCC = 13 V (51)
RL = 1752 Ω (52)
Av = 2 (53)
f = 100 Hz (54)
RL = RC = 1752 Ω (55)
Trouvons RE :
13
RL ⁄⁄RC (56)
Av = (A)
RE
RL ⁄⁄RC (57)
RE =
Av
AN : 109.375 (58)
=
2
Trouvons et VRc:
VRc = 45% × VCC (60)
��� = �. �� � (62)
Trouvons IRC :
VRC (63)
IRC = (A)
RC
AN : =
5.85 (64)
1752
Trouvons VRE :
On sait que :
IRC ≈ IE
VRE=RE × IRC V (66)
14
Si VRE < 10% de VCC ; On ajoute une résistance et un capacitor
On constat que VRE est supérieur à 10% de VCC donc on continue les calculs.
Trouvons la Puissance P :
P=VRC × IRC w (69)
�= 0.619 �� (71)
On sait que :
hfe = 100
Trouvons Ib :
IRC (72)
Ib = (A)
hfe
AN : =
3.39 10−3 (73)
100
�� = ��. � µ� (74)
AN : = 13 − 0.8826 (79)
��� = 12.1174 � (80)
Trouvons R2 et R1 :
VR2 or IR2 = 10Ib (90)
R2 = (Ω)
IR2
15
AN : =
0.8826 (91)
10 ×3.339 10−3
�� = �. ���� �٠(92)
AN : =
12.1174 (94)
11 ×3.339 10−3
�� = �. ��� �٠(95)
Trouvons Ci et Co :
1 (96)
Ci = f
Rin
2πf 10
���= �. �� �٠(99)
AN : 1 (100)
=
1.64 103
2π × 100 × 10
�� = �. � µ� (101)
1 (102)
Co = f
R
2πf 10L
AN : 1 (103)
Co =
651
2π × 100 ×
10
�� = ��� µ�
(104)
Trouvons Av :
16
RC ⁄⁄RL 1 + hfe RE (105)
Av = ×
RE hie + 1 + hfe RE
= 2 × 0.654 (107)
�� = �. ��� (108)
esure
Désignation V. Calculées
V. LAB V. Simulées
��� 13 V X 13 V
�� 3.9 µA X 4.0821 µA
�� 1.3 k٠1.80 K٠X
17
�� 1752 ٠1.800 k٠X
�� 1752 ٠1.800 k٠X
�� 299.49 ٠350 ٠X
�� 59.892 k٠2.2 k٠X
� 0.619 mW X 123.3943 mW
�� 1.308 X 1.8932
�� 7.2 µf 10 µf 7.3425 µf
18
Chapitre III : COLLECTEUR COMMUN AMPLIFIER
R1
22k
Q1
Ci
V
V2
12Vdc
1.5u
Q2N2222
V
Co
8.2u
V1
VOFF = 0
VAMPL = 10m R2 Re Rc
FREQ = 100 27k 1.8k 1.8k
AC =
L’expression, collecteur commun vient du fait que l’électrode <<Collecteur>> du transistor est reliée à
l’alimentation. Dans ce montage, la base du transistor sert d’entrée ; le collecteur est relié à
l’alimentation et ou à la masse ; l’émetteur est à la charge à piloter.
19
Figure 16: Les tensions d’entrées et de sorties.
On constate que le signal du Gain est atténué sur les hautes fréquences dans l’intervalle de 100 MHz à
10 GHz.
20
Figure 19: Schéma du Gain en courant.
La courbe du gain en tension à la même allure que la courbe de la bande passante. Le signal commence à
une valeur de 0mV à la fréquence de 1Hz . Il croit dans l’intervalle de 1Hz à 1KHz où il se comporte
comme une passe haut, ensuite dans la plage de fréquence de 1KHz à 5Mhz le signal est constant à une
valeur de 7mV , après cet intervalle le signal décroit dans la plage de fréquence
de 5Mhz à 1Ghz intervalle dans lequel le signal a l’allure d’une passe basse.
On constate que La courbe des phases est croissante et linéaire entre 1kHz et 1000kHz. Elle croit en
fonction de la fréquence, agissant comme une fonction exponentielle.
21
Figure 21: Schéma des capacitors.
On constate que la courbe en violet Croît entre 0Hz vers 1kHz, elle décroît entre 1Hz et 1kHz et les
courbes des condensateurs sont décroissantes en fonction de la fréquence. Elle illustre le comportement des
signaux obtenues après simulation Le signal en rouge illustre le comportement du condensateur à la
sortie, le condensateur commence à fonctionner à 1Hz, à la tension de 1V et le signal est entrain de
varier dans l’intervalle de 1Hz à 10Hz . Le signal en violet est celui du condensateur à l’émetteur CE ,
qui, lui aussi à la même allure que le signal en rouge mais est plus inferieur à lui. Le signal est
également atténué dans l’intervalle allant de 1HZ
On donne :
VCC = 13 V (109)
RL = 1752 Ω (110)
Av = 1 (111)
f = 100 Hz (112)
RE = RL = 1752 Ω (113)
22
AN : VCE = VRE = 0.5 × 13 (117)
��� = �. � � (118)
��� = �. � � (119)
Trouvons IRE:
VRE (120)
IRE = (A)
RE
AN : =
6.5 (121)
1752
��� = �. �� �� (122)
Trouvons la Puissance PT :
P=VRE × IRE w (123)
�= ��. �� �� (125)
On sait que :
hfe = 100
Trouvons Ib :
IRE (126)
Ib = (A)
hfe
AN : =
7.42 10−3 (127)
100
�� = ��. �� µ� (128)
23
AN : = 6.5 + 0.7 (130)
��� = �. � � (131)
AN : = 13 −7.2 (133)
��� = �. � � (134)
Trouvons R2 et R1 :
VR2 Avec IR2 = 10Ib (135)
R2 = (Ω)
IR2
AN : =
7.2 (136)
10 ×7.42 10−3
�� = �. � �٠(137)
AN : =
5.8 (139)
11 ×7.42 10−3
�� = �. � �٠(140)
Trouvons Ci et Co :
1 (141)
Ci = f
R
2πf in2
10
24
����' = ��. ���� �٠(144)
���� = �. �� �٠(147)
AN : 1 (148)
=
2.80. 103
2π × 100 × 10
�� = �. �� µ� (149)
1 (150)
Co = F
R
2πf 10L
1 (151)
Co =
765
2π × 100 × 10
�� = �. �� µ�
(152)
Trouvons Av :
hfe . RE⁄⁄RL (153)
Av =
hie + hfe RE⁄⁄RL
�� = �. �� (155)
25
V. LAB V. Simulées
��� 13 V X 13V
�� 74.42µA X 76.45 mA
�� 1752 ٠1.8 k٠X
�� 1752 ٠1.8 k٠X
�� 7.2 K٠8 k٠X
�� 5.8 K٠10 k٠X
� 48.23 mW X 52.4242 mW
�� 0.98 X 1.08
�� 5.68 µf 8 µf X
�� 24.44 µf 22.22 µf X
26
Chapitre IV : Base commune
IV.1 : Réalisation du circuit.
R1 Rc
290 1.8k
Co
159u
Q1 V4
13*
Q2N2222
Ci
13u
R2
C 60
55u Re
V5 389
VOFF = 0 RL
VAMPL = 10m 1.8k
FREQ = 100
AC =
27
On a la courbe en rouge qui est la courbe de sortie et la verte qui est la courbe d’entrée. On a une
tension maximale de 20 mvet une tension de crête à crête de 40 mvet une période de 10ms.Si on a un
décalage entre l’entrée et la sortie c’est à cause de la valeur des condensateurs. On aussi constate que
la courbe de sortie est amplifiée et en opposition de phase. On constate que la tension de sortie a une
grande amplitude que celle d’entrée.
Nous remarquons que entre 1Hz et 1MHz le fonctionnement est linéaire et que entre 10MHz
et 10GHz le signal est aténué.
28
Figure 26: Schéma de la différence de phase .
On constate que la courbe de différence de phase croît en fonction de la fréquence est linéaire entre
10Hz et 10MHz, et qu’à 20 dB le gain est exponentiel.
On constate que la courbe en violet Croît entre 0Hz vers 1kHz, elle décroît entre 1Hz et 1kHz et les
courbes des condensateurs sont décroissantes en fonction de la fréquence. Elle illustre le comportement des
signaux obtenues après simulation Le signal en rouge illustre le comportement du condensateur à la
sortie, le condensateur commence à fonctionner à 1Hz, à la tension de 1V et le signal est entrain de
varier dans l’intervalle de 1Hz à 10Hz . Le signal en violet est celui du condensateur à l’émetteur CE ,
qui, lui aussi à la même allure que le signal en rouge mais est plus inferieur à lui. Le signal est
également atténué dans l’intervalle allant de 1HZ
29
IV.3 : Partie Numérique.
On donne :
VCC = 13 V (156)
RL = 1752 Ω (157)
Av = 14 (158)
f = 100 Hz (158)
On sait que :
RC = RL = 1752 Ω (160)
��� = �. �� � (163)
��� = �. �� � (164)
Trouvons IRC :
VRC (165)
IRC = (A)
RC
AN : =
5.85 (166)
1752
Trouvons VE :
VE = 10% × VCC V (168)
30
AN : VE = 0.1 × 13 (169)
�� = �. � � (170)
Trouvons RE :
VE (171)
RE = (Ω)
IRC
AN : =
1.3 (172)
3.339 10−3
�� = �. ���� ٠(173)
Trouvons la Puissance P :
P=VRC × IRC w (174)
On sait que :
hfe = 100
Trouvons Ib :
IRC (177)
Ib = (A)
hfe
AN : =
3.339 10−3 (178)
100
�� = ��. � µ� (179)
��� = � � (182)
31
VR1=Vcc − VR2 V (183)
AN : = 13 − 2 (184)
��� = �� � (185)
Trouvons R2 et R1 :
VR2 Avec IR2 = 10Ib (186)
R2 = (Ω)
IR2
AN : 2
= 10 × 3.33910−3 (187)
�� = �. �� �٠(188)
AN : =
15.5 (190)
11 ×3.339 10−3
�� = �. �� �٠(191)
Trouvons Ci ; Co et C:
1 (192)
Ci = f
Rin
2πf 10
h
ie
Rin = RE ⁄⁄ 100 Ω (193)
An : = RE ⁄⁄10 (194)
AN : 1 (196)
Ci =
7.3456
2π × 100 ×
10
�� = �� �� (197)
32
1 (198)
Co = f
R
2πf 10L
1 (199)
Co =
651
2π × 100 × 10
�� = ���. �� µ� (200)
1 (201)
C= F
Rc'
2πf 10
��' = �. �� �٠(204)
AN : 1 (205)
C=
1.52 103
2π × 100 ×
10
� = �� µ� (206)
Trouvons Av :
hfe . RC ⁄⁄RL (207)
Av =
hie
33
IV.4 Tableau récapitulatif des valeurs :
Mesure
Désignation Valeurs Calculées
V. LAB V. Simulées
��� 13 V X 13 V
��� 5.85 V X 5.434 V
��� 0.7V X 0.647 V
��� 5.85 V X 4.95 V
�� 1.3 V X 1.1982 V
��� 11 V X 10 V
��� 2V X 2.12434 V
��� 3.339 mA X 3.334 Ma
�� 33.9 µA X 33.134 µA
��� 36.952 mA X 35.657 mA
��� 33.39 mA X 35.233 mA
�� 389 ٠402.870 ٠X
�� 1752 ٠1.8125 ٠X
�� 1752 ٠1.8 k٠X
�� 0.29 K٠0.798 ٠X
�� 0.06 K٠0.08 K٠X
� 100.764 mW X 99.3536 Mw
�� 10.9375 X 11.03
�� 13mF 14.22mF X
�� 159 µf 15.2 µf X
� 10.47 µf 10 X
34
IV.5 Conclusion
Cee projet a été apuyer par plusieurs simulation, et sera finalisé par la pratique au laboratoire Est-
Littoral. Ce min.
Retenons que cette étude a développé aussi l’esprit de recherche et d’analyse nécessaire pour
l’étudiant.
Elle nous a aussi permit de comprendre que la fonction principale du transistor est d’amplifié la
tension d’entrée à la sortie et même de savoir comment se fait la réalisation (la conception) d’un
circuit electronique)
35
IV.6 BIBLIOGRAPHIE
36