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Auteur :
Christian Martin
Fabien Sixdenier
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Table des matières
1 TP no 1 : Redresseur triphasé 4
1.1 Préparation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.2 Manipulation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
2
Consignes de sécurité et mode opératoire
1. Il est rappelé que les étudiants doivent venir en T. P. en ayant, au préalable, étudié
et préparé la manipulation qu’ils doivent effectuer. Ils doivent être munis du matériel
d’écriture, de tracé et de calcul nécessaire (calculatrice, papier millimétré, règle graduée,
compas, rapporteur, ...).
2. Prendre connaissance des consignes générales de sécurité affichées dans la salle de T.P. et
des indications particulières pouvant être données sur les appareils.
3. Il est interdit de boire et de fumer dans la salle de T. P. et, surtout, de manipuler avec
des mains humides.
4. Prendre garde aux pièces en mouvement (arbres des moteurs, ...) et aux vêtements flot-
tants (écharpes, cravates, ...). Attention aux bijoux métalliques (bagues et, surtout, chaî-
nettes de tour de cou) pouvant provoquer des brûlures par court-circuit.
5. S’installer devant la manipulation à effectuer et s’assurer qu’aucun circuit n’est sous
tension.
6. Effectuer les montages prévus, hors tension, et ne réaliser aucune mise sous tension, sans
faire vérifier le câblage par un enseignant. Ne pas laisser un système sous tension sans
surveillance. Ne pas arrêter un système sans l’accord de l’enseignant, sauf en cas d’arrêt
d’urgence.
Je soussigné (nom, prénoms) ......................................., déclare être régulièrement inscrit à
l’Université Claude Bernard - Lyon 1, en Master M1 GE. Je déclare avoir pris connaissance des
consignes de sécurité relatives aux travaux pratiques d’électrotechnique, et prend l’engagement
de m’y conformer.
A Villeurbanne, le .................................
Signature :
3
1 TP no 1 : Redresseur triphasé
Actuellement, la distribution d’énergie électrique se fait principalement sous tension al-
ternative (monophasée ou triphasée). Certains dispositifs électrotechniques et notamment les
moteurs à courant continu (moteur de traction, robot, machine-outil) nécessitent une alimenta-
tion en courant continu. On utilise alors des convertisseurs statiques qui permettent de passer
d’une forme d’énergie à l’autre.
Dans ce TP nous allons étudier 3 principaux types de convertisseurs alternatif/continu
débitant sur une charge résistive et inductive. De ce TP nous considérerons une tension triphasé
équilibrée et le phénomène d’empiètement sera négligée (sans inductance de source). Chaque
partie débutera par une préparation à faire avant de commencer.
1.1 Préparation
1.1.1 Pont tout diodes
La structure d’un redresseur à pont de diodes fonctionne en commutation naturelle. L’utili-
sation des diodes comme éléments redresseurs réalise une structure non réversible dite “redres-
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seur non contrôlé”. La charge est suffisamment inductive pour que le courant iC (t) puisse être
considéré comme quasi-continu : iC (t) ∼=< IC >.
Dessiner le schéma d’un pont triphasé à diodes
Dessiner sur le chronogramme de l’annexe 1 les grandeurs suivantes :
— Repérer les tensions simples et composées par leur nom sous chaque courbe
— Donner les intervalles de conduction de chaque interrupteur
— La tension notée uC (t)
— La tension et le courant dans une diode respectivement noté uD1 (t), iD1 (t) et iD10 (t)
— Les courants réseaux à l’entrée du convertisseur respectivement notés i1 (t), i2 (t) et
i3 (t)
Déterminer la relation liant < UC > à U
Calculer la puissance active PC dans la charge et les puissances apparente S et déformante D
du réseau.
En déduire le facteur de puissance FP .
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— Les courants réseaux à l’entrée du convertisseur respectivement notés i1 (t), i2 (t) et
i3 (t)
Déterminer la relation liant < UC > à U et α
1.2 Manipulation
1.2.1 Matériel nécessaire
— 1 platine redresseur DIDALAB EP130000
— 1 Oscilloscope Metrix 4 voies isolées
— 1 inductance variable 1.1 H - 1.5 A
— 1 Rhésotat 50 Ω - 5 A
— 2 multimètres
— 1 sonde de courant Hameg HZ56
— Réseau triphasé 48 V
La figure 2a présente les bornes de connexion de puissance du redresseur et la figure 2b
présent l’écran tactile de commande du pont redresseur.
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1.2.3 Câblage
Dans cette partie, la platine redresseur ne sera pas connectée immédiatement. La charge sera
composée d’une résistance en série avec une inductance afin d’avoir un courant quasi-constant
dans la charge.
Régler l’inductance variable et le rhéostat pour avoir un courant moyen de 1 A dans la charge
Câbler le montage avec les appareils de mesure permettant de mesurer le courant moyen dans
la charge (< IC >) et de visualiser u12 (t), uC (t) et iC (t) sans alimenter le redresseur avec
les tensions du réseau 48 V.
Faire vérifier le montage par l’enseignant
Démarrer la maquette (bouton ON sur le coté)
Sélectionner le mode "Triphasé" sur l’écran tactile
Brancher le réseau et la charge sur la platine (en présence de l’enseignant)
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Relever les tensions uC (t) − uT 1 (t) et les courants iC (t) − iT 1 (t) en mode "tout thyristor" pour
α = 36◦
Pour α = 36◦ :
— Visualiser et relever uC (t) > et iC (t)
— Visualiser et relever v1 (t) et i1 (t).
— En déduire le déphasage entre le fondamental du courant if 1 et la tension v1
— En déduire la valeur efficace du fondamental en utilisant la fonction "analyser"
Appuyer sur le bouton run/stop pour éteindre le pont redresseur
Calculer :
— La valeur efficace If de la composante fondamentale de i(t) et vérifier par rapport à
la mesure
— La puissance active P fournie par le réseau
— La puissance active PC dans la charge. Comparer PC à P
— Le facteur de puissance FP .
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2 TP no 2 : Simulation d’un onduleur monophasé et
triphasé
2.1 Objectifs
Le but de ce BE est d’étudier le fonctionnement des onduleurs. Deux convertisseurs se-
ront successivement étudiés (onduleur monophasé et triphasé) avec leur commande associés
(commande pleine onde et MLI).
Connexion informatique : La connexion aux PCs s’effectue avec les identifiants de connexions
au réseau de l’université.
But du TP : Simuler le fonctionnement d’un onduleur.
— Simuler la simulation d’un onduleur
— Visualiser les différentes grandeurs.
— Évaluer les contraintes appliquées sur les différents composants.
— Comparer les résultats avec la théorie (préparation)
2.2.2 Initialisation
1. Lancer LTSPICE File > New > New Schematic
2. Choisir les composants dans la bibliothèque
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3. Placer les composants sur la page (retourner les composants si nécessaire "Alt+R") et
compléter les champs de valeurs des composants.
4. Tracer les liaisons électriques entre les composants (Edit > Wire)
5. Définir la masse ("ground") du montage qui sera utilisé pour définir la référence de tous
les potentiels du montage.
2. Estimer le temps nécessaire pour atteindre quelques périodes après la fin du régime per-
manent.
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4. Rajouter plusieurs courbes en cliquant sur le bouton droit, dans le menu déroulant, sélec-
tionner “Add Traces”. Il est également possible de visualiser des combinaisons de potentiels
et de courants avec les opérateurs mathématique classique (tensions : différence de po-
tentiels).
2.3 Préparation
La structure simulée s’apparente à un réseau de bord d’avion +/- 270 V. Dans la structure
simulée, l’alimentation sera une source de tension continue 270 V qui est connectée à une charge
résistive ou de nature inductive dont le courant maximal
1. Onduleur monophasé
a) Donner le schéma d’un onduleur de tension monophasé alimentant une charge résis-
tive. Préciser sur le schéma la nature des semi-conducteurs utilisés.
b) Représenter sur un chronogramme les formes d’ondes en tension appliquées à une
charge (résistive, inductive, et capacitive) dans le cas d’une commande pleine onde.
Sur ce même chronogramme, représenter les signaux de commande à utiliser pour
commander les transistors.
c) On souhaite désormais commander les transistors par Modulation de Largeur d’Im-
pulsion (MLI). Préparer une proposition pour la réalisation de cette loi de commande.
2. Onduleur triphasé
a) Donner le schéma d’un onduleur de tension triphasé alimentant une charge résistive
composée de 3 résistances couplée en étoile. Préciser sur le schéma la nature des
semi-conducteurs utilisés.
b) Définir les formes d’ondes appliquées à une charge (résistive, inductive, et capacitive)
dans le cas d’une commande pleine onde. En déduire les signaux de commande à
utiliser sur les transistors.
c) Réfléchir aux moyens de réaliser les commandes des transistors à Modulation de
Largeur d’Impulsion (MLI).
3. Calcul des éléments de filtrage A partir des formes d’onde carrés appliquées aux bornes
de la charge, on souhaite filtrer le signal pour obtenir un courant (et/ou une tension aux
bornes de la résistance de charge) afin de reproduire une tension sinusoïdale en sortie
a) Proposer une structure de filtre à base de composants LC.
b) Donner la formule permettant de fixer la fréquence de coupure en fonction des élé-
ments L et C.
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2.4.1 Onduleur monophasé
1. Bras d’onduleur
— A partir des éléments disponibles dans la bibliothèque de composants, modéliser un
bras d’onduleur (structure de type hacheur avec un rapport cyclique de α = 0.5). Les
interrupteurs seront à choisir dans la famille des NMOS (bibliothèque PowerProducts
> nmos, sélectionner le modèle IXFX90N30 ).
— Visualiser les formes d’ondes dans la charge et les interrupteurs et valider le fonction-
nement.
2. Onduleur monophasé pleine onde
— Modifier le montage précédent afin de réaliser la structure d’un onduleur monophasé
avec les interrupteurs commandés en pleine onde.
— Visualiser les formes d’ondes dans la charge (courant et tension) et dans les interrup-
teurs (courant et tension).
— En déduire les contraintes sur les interrupteurs et conclure sur la forme du courant
dans la charge.
— Valider les résultats de simulation en comparant les formes d’ondes précédentes à la
théorie.
3. Onduleur monophasé MLI
— Refaire ces simulations avec une commande MLI. Comparer ces résultats avec ceux
obtenus avec une commande pleine onde.
2.4.3 Filtrage
Les résultats obtenus lors de la simulation de l’onduleur monophasé avec une commande
pleine onde ont montré que le courant de sortie n’était pas sinusoïdal. De ce point de vue, la
commande MLI a permis d’avoir de meilleurs résultats. L’objectif de cette partie est de mettre
en place un filtre entre l’onduleur et la charge afin d’avoir un courant sinusoïdal dans la charge.
Le filtre sera composé d’un circuit LC placé entre l’onduleur et la charge.
1. Onduleur monophasé "pleine onde" La décomposition en série de Fourier d’un signal
pleine onde donne l’expression ci-dessous :
4·A 1 1
f (t) = sin(ωt) + sin(3ωt) + sin(5ωt) + ...
π 3 5
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— Calculer les éléments du filtre pour conserver l’harmonique fondamental 50 Hz et at-
ténuer les autres
— Simuler la structure "Onduleur + filtre + charge" et comparer les résultats avec la
structure "Onduleur + charge"
2. Onduleur monophasé "MLI" avec un signal de porteuse à 10 kHz La décomposition en
série de Fourier d’un signal MLI donne la représentation spectrale ci-dessous :
2.5 Conclusions
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3 TP no 3 : Étude de la commutation d’un transistor de
puissance
3.1 Préambule
L’objectif de cette séance est d’observer les formes d’ondes (courant et tension) dans un
circuit de puissance. Nous nous placerons tout d’abord à l’échelle de plusieurs périodes de com-
mutation, pour comprendre le fonctionnement du circuit dans son ensemble. Nous descendrons
ensuite à l’échelle de la commutation, pour étudier l’effet des différents éléments du circuit sur
les formes d’onde.
Avant d’aller plus loin, il est important de noter que les phénomènes que nous allons étudier
peuvent être extrêmement complexes. Pour simplifier l’étude et travailler en sécurité, nous
avons réduit les niveaux de tension et de courant, et ralenti les vitesses de commutation. En
conséquence, il faut considérer que nous effectuerons dans cette séance un travail plus qualitatif
que quantitatif : les phénomènes que nous étudierons existent bien dans des convertisseurs réels,
mais leur amplitude peut être largement différente.
3.2 Préparation
P+ KDiode CH+
D
L
CH-
RCH
VIn ADiode
VDriver RG VG Tl
VDR
P- VE
Figure 6: Schéma de principe du circuit étudié dans ce TP. Les noms des points correspondent
aux bornes de mesure de la platine expérimentale.
Le schéma du circuit étudié ici est donné figure 6. Il s’agit d’un convertisseur abaisseur
comprenant un transistor IGBT T1 , son circuit de commande associé (un générateur de créneaux
VDR et la résistance de grille RG ), une diode D et une charge en sortie (L et RCH ).
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— Donnez la valeur de la tension moyenne aux bornes de RCH en fonction de la tension
d’entrée VIN , et de α le rapport cyclique du transistor T1 . On négligera les chutes de
tensions aux bornes de T1 et D lorsqu’ils conduisent.
— Donner l’expression du courant de charge en fonction de α, VIN et RCH
— En faisant l’hypothèse que la tension aux bornes de la résistance reste constante durant
la période de commutation (et donc qu’elle reste égale à sa valeur moyenne), donnez
l’expression de l’ondulation de courant de sortie en fonction de la fréquence de commu-
tation F , du rapport cyclique α, de la tension d’entrée VIN et de l’inductance de charge
L.
— Calculez les valeurs de VCH , ICH , et ∆ICH correspondantes pour VIN = 20 V, F = 1 kHz,
L = 10 mH, RCH = 6 Ω et α = 0, 5
— Tracez un chronogramme représentant deux ou trois périodes des signaux suivants :
— VCH
— ICH
— VCE
— IIN
— ID
Alimentation
de laboratoire
Charge
RCH, L
Figure 7: Les différents éléments de la platine (cadre pointillé), et les deux éléments externes
(alimentation de laboratoire et charge R,L).
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— une carte de conditionnement de signal et d’alimentation pour les capteurs de courant
placés sur la carte de puissance.
Pour faire fonctionner la platine, il faut ajouter une alimentation de laboratoire, qui va jouer
le rôle de la source VIN , une inductance (L) et une résistance (RCH ).
P+ LC KDiode CH+
D
L
CH-
CDC RCH
VIn ADiode
CGC
RG
VDriver VG Tl CCE
VE
CGE
VDR
LE
P-
Figure 8: Schéma du circuit de puissance incluant : les inductances de câblage LD et LS , les
capacités intrinsèques CGS , CGD et CDS , la capacité de découplage CDC .
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À l’aide du stylet de l’oscilloscope, appuyez délicatement sur le bouton de réinitialisation
de la carte de commande. Mesurez le signal de commande à l’oscilloscope (entre les terminaux
Ve et Vdriver ). Réglez-le à F = 1 kHz, α = 0, 5.
Branchez l’alimentation, l’inductance et le rhéostat pour réaliser le circuit de la figure 6.
Réglez le rhéostat à sa plus grande résistance. Faites vérifier votre circuit avant de mettre
l’alimentation de laboratoire en marche.
Réglez le rhéostat pour atteindre un courant moyen délivré par l’alimentation de 0.8 A.
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4. Fin de la décharge de la capacité d’entrée de T1
— Mesurez la durée de la commutation (durée des étapes 2 et 3) à l’aide des curseurs,
en prenant comme limites de mesure le début de la commutation en tension (fin de
l’augmentation de VCE ) et la fin de la commutation en courant (fin de l’augmentation
de ID ).
— Sans enregistrer les signaux, basculez le sélecteur de résistance de grille sur 100 Ω. Me-
surez la durée des commutations à l’ouverture et à la fermeture
— Comparez avec les valeurs obtenues pour 1000 Ω. Conclusions ?
La platine permet d’utiliser deux diodes : une diode à barrière de Schottky (MBR10100)
et une diode PiN de redressement (1N4007). Ces deux diodes ont été choisies parce qu’elles
ont des comportements très différents : la MBR10100 est une diode très rapide, la 1N4007, une
diode très lente.
— Relevez les formes d’ondes du courant ID (à l’aide du shunt) à la fermeture du transistor
T1 (avec RG = 100 Ω), pour les deux positions du sélecteur de diode.
— Rappelez brièvement ce qu’est le phénomène de recouvrement à l’ouverture d’une diode,
et comment il se manifeste ;
— Conclusion ? quelle diode vaut-il mieux utiliser ici ?
Chaque connexion électrique génère une inductance parasite, habituellement de faible valeur
(quelques nH ou dizaines de nH, qui peuvent néanmoins avoir un effet important durant la
commutation (en s’opposant aux variations de courant). Sur la platine de TP, deux inductances
ont volontairement été exagérées de façon à mettre leur effet en évidence : LC et LE . Nous allons
ici étudier l’effet de LC
— Pour les deux positions de l’interrupteur LC , relevez les formes d’ondes (à l’ouverture
du transistor) de :
— VGE
— VCE
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— ID
— Discutez les effets de cette inductance.
LC est également causée par les fils reliant la platine à l’alimentation de laboratoire. Pour
limiter cet effet, on utilise habituellement des capacités dites de « découplage » qui constituent
une source de tension locale sur la platine. Nous allons observer l’effet de ces capacités :
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R8
R3 1K
1K
I CH+ +5V
REF CH+ GND
I IN+ +5V
REF IN+ GND
11
12
13
14
U4
11
12
13
14
PT4
Vref
Vout
GND
Vc
J4
U1 3 8 charge+
Vref
Vout
GND
Vc
S3 L1 1
Kdiode 2 9
3 8 1uH 1 10 CH+
J1 2 9
1
P+ 1 10
INTER Lc
CASR 6-NP
P+ CASR 6-NP S5
INTER DIODE
S1
INTER DECOUPLAGE
D2 D3
1N4007
1N4007
D1
PT2 MBR10100
Adiode
C2
C1 220uF/50V
1uF/50V
10
8
9
R4 U2
1K 14
+5V Vc
13
GND
P- I DIODE 12
Vout
REF DIODE 11
Vref
CASR 6-NP
3
2
1
JP2
GND
1 +5V
REF IN+
2
I IN+
3
REF CH+ J3
4
I CH+
5 R7
REF DIODE
6 0,27R/3W
I DIODE
7
REF TRANS MesI
8
I TRANS J5
9
10
charge- 1
Liaison courant CH-
GND
3
2
1
U3
REF TRANS 11
Vref
I TRANS 12
Vout
13
R5 GND
14
1K +5V Vc
CASR 6-NP
8
9
10
GND
PT1 R1_2
PT3
Vdriver 100Rcms
R1 Vg
100R S2
JP1 driver g inter Q1
STGF7NC
1 R2
2 R6
1K INTER GRILLE
GRILLE R2_2 10K
PT5
1Kcms
Ve
S4 INTER Le
+5V
L2
1uH
GND
Découplage capteurs
Title:
INSA-AMPERE
COMMUTATION TRANSISTOR/DIODE POUR TP 21, Avenue Capelle
bât. Léonard de Vinci
Document number: Date: 28/11/2014
Size: A4 69621 VILLEURBANNE
Revision: Time: 12:05:49
File: Hacheur-Commut V2.SchDoc Sheet 0 of 0 Pascal BEVILACQUA
4 TP no 4 : Caractérisation de composants passifs
4.1 Préambule
Au cours de ce TP, vous caractériserez et modéliserez l’impédance d’un composant passif
en fonction de la fréquence à l’aide d’un RLCmètre ou impédancemètre. Le nombre total de
composants à caractériser est au nombre de 3 (2 condensateurs et 1 inductance).
A Inductance
B Inductance
C Inductance
D Condensateur film
E Condensateur film
F Condensateur film
G Condensateur électrolytique
H Condensateur électrolytique
D Condensateur électrolytique
(a) Schéma équivalent d’une inductance (b) Schéma équivalent d’un condensateur
Le TP se déroule en 2 parties :
1. une partie mesure sur le RLCmètre
2. une partie identification de schéma équivalent à l’aide d’Octave
Pendant qu’un binôme mesure sur le RLCmètre, l’autre binôme travaille sur l’identification
avec Octave. A la moitié du TP, les rôles s’inversent. Les binômes doivent absolument mention-
ner quels composants il ont caractérisé dans leur compte-rendu. Les bînomes d’un même TP
ne doivent pas caractériser le même composant.
22
4.2 Préparation
4.2.1 Mesure sur impédancemètre
1. Sur Claroline, télécharger le fichier décrivant techniquement le RLCmètre "FI 81xx".
2. Lire impérativement les pages 3, 6, 7, 10, 11,
3. lire le chapitre concernant le mode graphique (5), page 39.
4. lire le chapitre concernant la calibration (7), page 50.
5. De cette lecture, rédiger un petit protocole pour préparer la configuration de l’appareil
telle que demandé par les questions de la section 4.3
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4.3.2 Travail sur Octave
1. sur Claroline, télécharger les fichiers 1 :
— « composant_virtuel.txt »
— « test_condensateur_virtuel_etudiant.m »
2. A partir de votre protocole d’identification, changer les valeurs des paramètres RLC pour
modéliser le composant virtuel, donner les valeurs des erreurs. Détailler comment vous
appliquez votre protocole à ce cas concret.
3. Chercher par tâtonnement si une meilleure combinaison de paramètres est possible (Les
deux erreurs doivent être plus faibles que précédemment).
4. Renommer le fichier afin de l’utiliser pour identifier les schémas équivalents des conden-
sateurs films et électrolytiques
5. Créer un fichier semblable aux précédents afin traiter le cas des inductances.
6. Faire une synthèse des paramètres identifiés dans un tableau en donnant systématique-
ment les erreurs sur le module et la phase pour chaque jeu de paramètres.
1. Ces fichiers permettent de tracer le module de l’impédance et la phase d’un composant. Il trace également
le module et la phase de l’impédance équivalente d’un circuit RLC et calcule une erreur sur le module et la
phase entre les mesures et l’impédance calculée.
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