Avant-propos

Ce présent travail est le fruit d’une collaboration de tous le membre du groupe, il comporte un
bref résumé du sujet qui nous a été attribué c’est-à-dire l’étude des transistors bipolaires et les
transistors à effet de champs ainsi que leurs applications. Il a été élaborer à partir de divers
documents tel que des PDF, des articles et des livres.
Nous tenons à remercier certaines personnes qui ont fait en sortes que
ce cours de matériaux électrotechnique soit intéressant et qu’il puisse se passe dans le calme
et la quiétude.
Avant toute chose nous tenons à remercier notre Dieu et seigneur jésus christ qui nous a
donner le souffle de vie, la bonne santé et la protection durant toute la période où ce cours
s’est tenu. Nous remercions les autorités de la faculté de sciences technologique qui ont initié
le programme de ce cours et leur choix porter sur l’encadreur un expert d’électrotechnique
ainsi que tous professeurs de UNH pour la formation qu’ils nous ont donnés.

Durant toute la période du cours nous avons senti un engagement

sincère de la part du professeur Diambomba Hyacinthe-Stéphane Tungadio qui s’est
beaucoup donnée pour enseigner et nous tenons aussi remercier assistant Joël qui est jeune et
très intelligent.

Enfin nous remercions tous les étudiant de la promotion de G2 et G3 génie électrique pour la
présence manifeste lors de ce cours.
Plan
Introduction générale
1. Les amplificateurs
2. Les transistors Bipolaires
2.1. Définition
2.2. La commutation
2.3. L’amplification
3. Les transistors à effet de champs
3.1. Définition
3.2. La commutation
3.3. L’amplification
4. Comparaison des deux technologies
5. Les applications
5.1. La génération de courant
5.2. La charge active
5.3. La paire différentielle
5.4. L’amplification de puissance
5.5. L’amplificateur opérationnel
5.6. L’alimentation linéaire
5.7. L’adaptation de tension
5.8. Les montages non linéaires
Conclusion.
Introduction générale
Le monde actuel est révolutionné par des nouvelles technologies encore
plus rapides et plus efficaces, ce qui n’était pas le cas avant la découverte et l’utilisation en
masse des semi-conducteurs.
Cette découverte a permis la mis au point des différents composants électriques et
électroniques utilisées dans les technologies modernes tel que les diodes, les transistors, les
thyristors et autres ; mais rappelons que ce grand pas dans l’histoire de la technologie a été
marqué par l’invention du transistor qui est l’un des composants électroniques de base le plus
utilisé au monde grâce aux différentes propriétés qu’il possède.
Les technologies de conception et de fabrication on permis l’élaboration de différents types de
transistor tel que les transistors bipolaires, les transistors à effet de champs, les transistors uni-
jonction, …
C’est ainsi que la suite de ce travail est basée l’étude et les applications de deux transistors à
savoir :

 Le transistor bipolaire et
 Le transistor à effet de champs.
 Chapitre 1 : Les amplificateurs
Un amplificateur électronique (ou amplificateur, ou ampli) est un système électronique
augmentant la puissance d’un signal électrique. L’énergie nécessaire à l’amplification est tirée
de l’alimentation électrique du système. Un amplificateur parfait ne déforme pas le signal
d’entrée : sa sortie est une réplique exacte de l’entrée avec une puissance majorée. C’est donc
un quadripôle actif à base d'un ou plusieurs composants actifs, le plus souvent des transistors.
Un amplificateur idéal est linéaire sur toute sa plage de fonctionnement.
Un amplificateur peut être représenté de façon générale par :
Son impédance d’entrée (Zin), son gain en tension (Av) ou en courant (Ai) et son impédance
de sortie (Zout).

La représentation la plus utilisée pour un amplificateur est la suivante :

Fig. 1

1. 1. Le transistor bipolaire
1.1 .1 Définition

Un transistor bipolaire est un dispositif électronique à base de semi-conducteur de la famille

des transistors. Son principe de fonctionnement est basé sur deux jonctions PN, l'une en direct
et l’autre en inverse. La polarisation de la jonction PN inverse par un faible courant électrique
permet de « commander » un courant beaucoup plus important, suivant le principe de
l'amplification de courant. Il est à noter qu'aucun électron n'est effectivement « créé » : la
polarisation appropriée permet à un réservoir d'électrons libres de circuler différemment.

1.1. 2 Historique
La découverte du transistor bipolaire a permis de remplacer efficacement les tubes
électroniques dans les années 1950 et ainsi d'améliorer la miniaturisation et la fiabilité des
circuits électroniques.
Transistor point-contact
Ce transistor est la réplique du premier transistor bipolaire, inventée par deux
chercheurs des laboratoires Bell et testé avec succès le 16 décembre 1947. John Bardeen et
Walter Brattain sous la direction de William Shockley avaient mis en place un groupe de
travail sur les semi-conducteurs dès 1945. Un premier prototype développé par Shockley ne
fonctionna pas correctement et c'est avec l'aide des physiciens Bardeen et Brattain qu'il réussit
à détecterait corriger les divers problèmes liés aux champs électriques dans les semi-
conducteurs. Bardeen et Brattain mirent alors en place un petit dispositif composé de
germanium et de deux contacts en or qui permettait d'amplifier le signal en entrée d'un facteur
100. Le 23 décembre, ils le présentèrent au reste du laboratoire. John Pierce, un ingénieur en
électricité, donna le nom de « transistor » à ce nouveau composant qui fut officiellement
présenté lors d'une conférence de presse à New York le 30 juin 1948.
Transistor avec des jonctions PN
Peu après la découverte de Bardeen et Brattain, Shockley tenta une autre approche
basée sur les jonctions P-N, une découverte de Russell Ohl remontant à 1940. Les travaux de
Shockley ouvrirent la voie pour la réalisation des transistors bipolaires composés d'un
sandwich NPN ou PNP. Toutefois, leurs fabrications posaient de réels problèmes car les semi-
conducteurs étaient insuffisamment homogènes. Un chimiste du laboratoire Bell, Gordon
Teal, mit au point en 1950 un procédé de purification du germanium. Morgan Sparks, Teal et
d'autres chercheurs purent fabriquer des jonctions PN puis un sandwich NPN.
Types de transistor bipolaire
Il en existe de deux types : Le NPN et le PNP.
Il a trois accès (Base (B), Collecteur (C), Emetteur (E)) constitué de 3 couches
semiconductrices (NPN et PNP).

 L’émetteur (E) est fortement dopé. Son rôle est d’injecter des électrons dans la base.
 La base (B) est faiblement dopée et très mince. Elle transmet au collecteur la plupart
des électrons venant de l’émetteur.
 Le collecteur (C) recueille les électrons qui lui viennent de la base d’où son nom.
Le transistor comporte trois accès ; il est caractérisé par 6 grandeurs électriques :
 Trois courant I E , I C et I B
 Trois tensions V CB , V CE et V BE
A savoir que I E =I C + I B et V CB =V CE +V BE .

Le transistor NPN

Fig. 2.a

Le transistor PNP
 Fig. 2.b
1. 2 Le transistor en commutation

Fig. 2.c
On appelle fonctionnement en tout-ou-rien, un mode de fonctionnement du transistor où ce
dernier est soit bloqué, soit parcouru par un courant suffisamment important pour qu'il soit
saturé (c'est-à-dire V CC réduite moins de 1 V). Dans la figure ci-contre, lorsque l'interrupteur
Int est ouvert, I b est nul, donc I c est nul et V c =U CC (point B sur les caractéristiques du
transistor). Par contre, lorsque l'on ferme Int, un courant (U CC −V be )/ R Bcircule dans la base.
Le transistor va donc essayer d'absorber un courant collecteur I c égal à β I b.

Fig. 2.d

Cependant, généralement, la charge RL est choisie pour que I c soit limité à une valeur
inférieure à β I b, typiquement 10 I b. Le transistor est alors saturé (point A sur les
caractéristiques).
Dans un fonctionnement en commutation, la puissance dissipée dans le transistor est
beaucoup plus faible que celle dissipée dans la charge. En effet, lorsque le transistor est
bloqué, I c et I b sont nuls et donc P vaut 0 ; et quand le transistor conduit, I c peut être élevé
(jusqu'plusieurs ampères pour les transistors de puissance) mais V ce est faible, c'est la tension
de saturation (0,2 à 1 V). La puissance dissipée dans le transistor peut être calculée par la
formule :
P=( ( U cc −V ce ) I c )

Où U cc est la tension d'alimentation.

1. 3 Le transistor en amplification
Il existe trois montages de base pour le transistor bipolaire.
 Le plus classique est le montage en émetteur commun dans lequel un courant est envoyé
dans la base, commande le courant qui circule dans le collecteur et détermine des
variations de tension aux bornes de la résistance de collecteur (Rc) et produit une tension
de sortie Vout qui est une image amplifiée négativement du signal d'entrée (la tension du
collecteur diminue quand le courant de base augmente).

Fig.3.a
 Les accès d’entrée et de sortie sont 1 et 2
 Les capacités C1 et C2 sont des capacités de découplage
a. Etude en statique (en régime continu)
 La source sinusoïdale est court-circuitée
Les capacités de découplage présentent une impédance infinie
Schéma électrique en continu
 Fig. 3.b
b. Etude dynamique (en régime sinusoïdal)

 La source continue est court-circuitée

Les capacités de découplage présentent une impédance nulle à la fréquence de
fonctionnement.

 Schéma électrique en régime sinusoïdal

Fig.4.a
c. Zone de fonctionnement de l’amplificateur

Fig. 4.b

d. Schéma électrique sinusoidal basses fréquences du transistor en fonctionnement

linéaire
Le transistor peut être considéré comme un quadripôle
 Fig. 4.c

 Pour des raisons liées à la mesure, le quadripôle est décrit en utilisant les paramètres
hybrides

{
v BE =h11 i B +h12 v CE
i C =h 21 i B +h 22 v CE
Avec i B =∆ I B iC =∆ I C

v BE=∆ V BE v CE =∆V CE

Ces grandeurs représentent de petites variations autour du point de fonctionnement.

Fig.5.c

∆ V BE ∆V
h11= ( ∆V CE =0 )= BE ( V CE 0 ) → Résistance différentielle (dynamique)
∆IB ∆IB
de la diode d’entrée = pente de la caractéristique I B=f (V BE )

∆ V BE ∆V
h12= ( ∆ I B=0 )= BE ( I B 0 ) → Gain en tension≈ 0
∆ V CE ∆ V CE

∆ IC ∆I
h21= ( ∆V CE =0 )= B ( V CE 0 ) =β → Gain en courant = pente de la
∆ IB ∆IC
caractéristique I C =g ( I B )
 ∆ IC ∆I
h22= ( ∆ I B=0 )= C ( I B 0 ) → Admittance = pente de la
∆ V CE ∆ V BE
caractéristique I C =h(V ¿¿CE )¿

e. Schéma électrique équivalent en alternatif basse fréquence

 Schéma équivalent général

Fig.5.d

 Schéma équivalent simplifié

1
h12 ≈ 0 et ρ= →∞
h 22

Fig. 6.a
f. Caractéristique électrique de l’amplificateur en fonctionnement alternatif

Fig. 6.b
 Fig. 6.

 Gain en tension
RL RC
A=−β
h11 (R L + RC )
 Gain en courant
Rc R B
G I =−β
( h 11+ R B ) ( R L + RC )
 Impédance d’entrée
h11 R B
Z e=
h11 + R B
 Impédance de sortie

Z s=RC Très fréquent aussi est le montage en collecteur commun appelé également émetteur
suiveur. Dans ce montage, la tension de l'émetteur suit la tension de la base de façon
permettre un courant de base suffisant pour activer le courant de collecteur et faire passer un
courant plus important du collecteur vers l'émetteur. C'est essentiellement un amplificateur de
courant et un abaisseur d'impédance.

Fig. 7.a

Le montage en base commune est plus rare. Il est utilisé (entre autres) pour amplifier des signaux
d'entrée à très basse impédance. Dans ce cas, de toutes petites variations de la tension d'entrée
vont engendrer des variations importantes du courant de base et donc du courant de collecteur et
d'émetteur qui vont s'ajuster de façon que la résistance interne de la source compense la variation
de la tension d'entrée et vont produire des variations importantes de la tension V out.
 Fig. 7.b

Chapitre 2 : Les transistors à Effet de Champs

2.1 Définition

Il existe plusieurs types de transistors à effet de champs. Les deux types les plus utilisés sont :
Les transistors JFET à canal N et P et les transistors MOSFET à enrichissement et à
appauvrissement à canal N ou P. Soit 6 types de transistors.

2.1.1 Le JFET

C’est un transistor FET à jonction. Le canal de conduction correspond à la région n, encadrée

par deux région p connectées à l’électrode de grille. Cette grille sert à polariser la jonction pn
en inverse de façon à moduler la largeur du canal. Le JFET conduit si V GS ≥V p, Vp est la
tension de pincement (pinch voltage), c’est une tension inverse négative. Cette tension est très
peu reproductible d’un transistor à l’autre.

(
I D =I DSS 1−
|V GS|
VP )(
² 1+
V DS
V AJ )

Fig. 8.a
Le JFET est né le 5 juillet 1951 lorsque William Shockley dévoile que son équipe du
laboratoire Bell a mis au point un tout nouveau transistor à jonction.

Fig. 8.b
2.2 Les transistors à Effet de Champs en commutation
Le transistor à effet de champs MOSFET est très utilisé en commutation. Son énorme intérêt
d’avoir un courant de grille quasiment nul, donc un courant de commande nul.
Dans ce cas, les paramètres importants sont les temps de commutation à l’ouverture et à la
fermeture ainsi que la résistance en circuit ouvert Roff et en circuit fermé Ron.

Ron : correspond à la résistance du canal en conduction.

Elle dépend donc beaucoup de la technologie utilisée
Elle est de quelque dixième d’ohm à quelque dizaine d’ohm.
Roff : correspond à la résistance du canal hors conduction.
Quelque centaine de mégohms.

2.3 Les transistors à Effet de Champs en amplification

a. Schéma équivalent du transistor

2
I D =K ( V GS−V T ) 1+
( V DS
VA )
Avec VGS > VT et VDS > VGS-VT
∂ID 2 ID
gm = ≈ 2√ K . I D≈
Fig. 9.a ∂ V GS V GS−V T
∂ V DS |V A|+V DS
r ds= ≈
∂ ID ID

Source commune
 Fig. 9.b Fig. 9.c
AV =−gm ( r ds /¿ R L )≈−g m R L 1
AV = ≈1
Z e=∞ 1
1+
gm R L
Z S=R L /¿ r ds ≈ R L
Z e=∞
R 1
 Gain d’amplification en tension S=¿
1
gm
/ ¿ RL ≈
gm
¿

 Impédance d’entrée très grande

 Impédance de sortie élevée  Gain d’amplification en tension unitaire
Impédance d’entrée très grande
Drain commun
 Impédance de sortie faible

Grille commune

Fig. 9.d
gm R L
AV =
1+ g m R S

1
Z e=
gm

Z s=r ds (1+ g m R s)

 Gain d’amplification en tension unitaire

 Impédance d’entrée faible
 Impédance de sortie faible
 Chapitre 3 : Comparaison des deux technologies

3.1 Transistor à effet de champs

3.1.1 Définition

Un transistor à effet de champ (en anglais, Field-effect transistor ou FET)

est un dispositif semi-conducteur de la famille des transistors. Sa particularité est d'utiliser
un champ électrique pour contrôler la forme et donc la conductivité d'un « canal » dans un
matériau semiconducteur.

fig. 10.a
3.2 Transistor bipolaire

Un transistor bipolaire est un dispositif électronique à base de semi-

conducteur de la famille des transistors. Son principe de fonctionnement est basé sur
deux jonctions PN, l'une en direct et l'autre en inverse. La polarisation de la jonction PN
inverse par un faible courant électrique (parfois appelé effet transistor) permet de
« commander » un courant beaucoup plus important, suivant le principe de l'amplification de
courant.
 Fig. 10.b

3.2.1 Différence sur le fonctionnement et la constitution

 Transistor bipolaire

 Le BJT, est un dispositif semi-conducteur qui a remplacé les tubes à vide d'autrefois.
L'appareil est un dispositif à courant contrôlé où la sortie du collecteur ou de l'émetteur est
fonction du courant dans la base.
 Le mode de fonctionnement d'un transistor BJT est essentiellement piloté par le courant à
la base. Les trois bornes d'un transistor BJT sont appelées Emetteur, Collecteur et Base.
Un BJT est en fait un morceau de silicium comportant trois régions.
 Il y a deux jonctions dans ces derniers où chaque région est nommée différemment « le P
et le N. Il y a deux types de BJT, le transistor NPN et le transistor PNP.

 Les types diffèrent dans leurs porteurs de charge, où NPN a des électrons comme son
porteur principal, tandis que PNP a des trous. Les principes de fonctionnement des deux
transistors PNP et NPN, sont pratiquement identiques, la seule différence étant la
polarisation et la polarité de l'alimentation pour chaque type. Beaucoup préfèrent les BJT
pour les applications à faible courant, comme par exemple pour la commutation,
simplement parce qu'ils sont moins chers.

 Un BJT est en réalité un morceau de silicium avec trois régions. Il y a deux jonctions dans
lesquelles chaque région est nommée différemment '' le P et le N. Il existe deux types de
BJT, le transistor NPN et le transistor PNP. Les types diffèrent par leurs porteurs de
charge, dans lesquels, le NPN a des trous comme porteur principal, tandis que le PNP a
des électrons.
 Les principes de fonctionnement des deux transistors BJT, PNP et NPN, sont
pratiquement identiques ; la seule différence réside dans la polarisation et la polarité de
l'alimentation pour chaque type. Beaucoup préfèrent les BJT pour les applications à faible
courant, comme pour la commutation par exemple, simplement parce qu'ils sont moins
chers...

 Transistor à effet de champs

 Un transistor à effet de champ est un transistor unipolaire : son fonctionnement est basé
sur l'action d'un champ électrique sur un canal composé d'un seul type de porteurs de
 charges mobiles. Ce canal est un semi-conducteur avec un excédent d'électrons
(dopage de type N), ou de trous (dopage de type P). La présence d'un champ électrique
peut autoriser la conduction électrique dans ce canal (transistor à enrichissement,
ou enhancement) ou la réduire (transistor à appauvrissement, ou depletion).

 Par rapport à un transistor bipolaire (NPN ou PNP), il présente l'intérêt d'avoir une grande
impédance d'entrée (supérieure au mégaohm), ce qui le rend intéressant dans certains
montages (étage d'entrée d'un radiorécepteur, détecteur d'électricité statique...). Plus
précisément, cette résistance d'entrée est la résistance de fuite de la jonction grille-source
(GS) polarisée en inverse. La capacité d'entrée du transistor est faible (quelques
picofarads). Cette résistance d'entrée élevée et cette faible capacité d'entrée donnent aux
transistors à effet de champ des caractéristiques proches de celles des tubes à vide.

 La classification des transistors FET est assez complexe, avec de nombreux sous-types
assez précis. Dans les grandes lignes, il en existe deux types principaux, appelés
transistors JFET et IGFET, eux-mêmes subdivisés en de nombreuses sous-classes. Ce
chapitre va surtout se concentrer sur les transistors dits JFET et MOS (Metal Oxyde
Silicium), qui sont de loin le plus utilisée

Fig. 11.a

 Le transistor à effet de champ à semi-conducteur en oxyde de métal, ou simplement

MOSFET, et parfois le transistor MOS, est un dispositif à tension contrôlée.
Contrairement au BJT, il n'y a pas de courant de base présent. Cependant, il y a un champ
produit par une tension sur la porte. Cela permet un flux de courant entre la source et le
drain. Ce flux de courant peut être pincé ou ouvert par la tension sur la porte.

Résumé

1. BJT est un transistor à jonction bipolaire, tandis que MOSFET est un transistor à effet de
champ à oxyde de métal.
2. Un BJT a un émetteur, un collecteur et une base, tandis qu'un MOSFET a une porte, une
source et un drain.

3. Les BJT sont préférés pour les applications à faible courant, tandis que les MOSFET sont
destinés aux fonctions à forte puissance.

4. Dans les circuits numériques et analogiques, les MOSFET sont considérés comme étant
plus couramment utilisés que les BJT de nos jours.
5. Le fonctionnement du MOSFET dépend de la tension à l'électrode de grille isolée de
l'oxyde, tandis que le fonctionnement du BJT dépend du courant à la base.

6. Le BJT est beaucoup moins cher que le transistor à effet de champs

7. Comme les transistors MOS et MOSFET, les transistors à effet de champ sont plus fragiles
que les transistors à jonction, notamment parce qu'ils peuvent claquer à la suite d'une
décharge d'électricité statique. C'est pourquoi on doit les protéger contre les surtensions
d'origine statique ou dynamique afin d'éviter leur destruction :

 En court-circuitant les connexions externes pendant leur stockage, leur manipulation ou

leur soudure ;
 En les piquant dans des mousses conductrices.

8. Le transistor à effet de champs a un meilleur facteur de bruit (car la bande passante du

circuit est réduite, du fait d'un amortissement moindre) Que les transistors bipolaires.

Avantages du MOSFET

 Les transistors à effet de champ tels que le MOSFET sont utilisés depuis des décennies.
Ils comprennent les transistors les plus couramment utilisés, dominant actuellement le
marché des circuits intégrés. Ils sont portables, utilisent peu d'énergie, ne consomment pas
de courant et sont compatibles avec la technologie de traitement du silicium.
 Leur manque de courant de grille entraîne une impédance d'entrée élevée. Un avantage
majeur supplémentaire du MOSFET par rapport à BJT est qu'il constitue la base d'un
circuit avec des commutateurs de signaux analogiques. Ils sont utiles dans les systèmes
d'acquisition de données et permettent plusieurs entrées de données. Leur capacité de
commutation entre différentes résistances contribue au rapport d'atténuation ou modifie le
gain des amplificateurs opérationnels.

 Les MOSFET forment la base des dispositifs de mémoire à semi-conducteurs tels que les
microprocesseurs.
 En réception radio, l'intérêt des transistors à effet de champ est :

 Une meilleure sélectivité des circuits associés ;

  Un meilleur facteur de bruit (car la bande passante du circuit est réduite, du fait d'un
amortissement moindre).
C'est pourquoi on les trouve souvent dans les schémas de préamplificateurs d'entrée,
d'oscillateurs, de mélangeurs.

Chapitre 5 : Applications

5.1 Génération de courant

5.1.1 Générateur de courant à transistor bipolaire

Le générateur de courant constant dont le schéma suit permet de fournir un courant de
quelques mA dans une charge dont une borne est relié côté positif de l'alimentation.

La valeur du courant circulant dans la charge (charge représentée ici par la résistance RC) est
définie par la valeur de la tension de zener de D1, et de la valeur de la résistance Rx. La
tension aux bornes de la diode zener est relativement constante, tant que le courant qui y
circule ne varie pas trop. Et il en est de même pour la tension de la jonction Base-Émetteur du
transistor Q1. On peut donc en déduire que la tension aux bornes de la résistances Rx est tout
autant constante. Et comme la résistance Rx est une résistance dont la valeur ohmique ne
varie pas trop en temps normal, nous pouvons constater un courant relativement constant dans
cette dernière. Si le transistor Q1 présente un gain assez important (disons supérieur à 100),
on peut négliger la valeur du courant de base par rapport au courant circulant dans la jonction
émetteur. En admettant cela, le courant collecteur est sensiblement égal au courant émetteur.
Et comme le courant collecteur est celui circulant dans la charge, on en conclue que le courant
dans la charge ne dépend pas de la charge, dans certaines limites d'utilisation faut-il tout de
même préciser.
Dans l'exemple précédent, le courant dans la charge, nommé Irc, est défini par la formule
suivante :

Irc=(Vz−0,7 V )/ Rx Irc=(5,1−0,7)/1000

Irc=4,4mA où Vz est la tension de zener de la diode zener D1.

Si l'on veut simplifier le calcul, il est possible d'insérer une diode silicium classique de type
1N4148 en série avec la diode zener, de façon à compenser la "perte" de 0,6V de la jonction
base-émetteur de Q1, comme le montre le schéma suivant.

5.1.2 Générateur de courant à FET (Transistor à effet de champ)

Un transistor à effet de champs (FET en anglais ou TEC en français), peut être utilisé seul -
sans aucun autre composant - ou en couple, pour réaliser un générateur de courant constant.
Ce premier exemple, qui n'utilise qu'un seul FET, permet de générer un courant d'environ 10
mA :

5.1.3 Génération de courant (Miroir de courant)

Le montage ici présenté permet la réalisation d’un générateur de courant constant simple et
efficace. Pour pallier aux dérives thermiques observés on utilise deux transistors identiques à
grand gain pour avoir des courants bases très faible.
Pour le transistor de gauche (T1) on relie le collecteur à la base. Ce transistor se comporte
comme une diode de tension de seuil V S . Dans cette branche on a donc :

' V cc−V S
V cc =R p I c +V S + R e I e et I c =I e d ou I e =
R p + Re

Le potentiel de
l'émetteur de T1 est donc égal à V e =R e I e .Les bases des deux transistors étant reliées le potentiel
d'émetteur de T2 est aussi égal à V e =R e I e . Les résistances d'émetteur étant égales, le courant
d'émetteur de T2 est égal à I e.

Le courant base pouvant être négligé devant les courants d'émetteur et de collecteur, on a donc
I c =I e=constante . Le courant qui circule dans la résistance de charge (résistance de collecteur  Rc  de
T2 donc indépendant de la valeur de celle-ci.
Le courant qui circule dans les deux branches est identique d'où le nom de miroir de courant
donné à ce montage.
! Attention Il faut respecter la symétrie parfaite des transistors, utiliser des composants
spécifiques, utiliser des  élevés

5.1.4 Génération de courant (modulation)

La modulation d'amplitude peut être réalisée à partir d'un transistor bipolaire, le procédé le
plus simple consistant à utiliser un amplificateur à gain commandé par le signal modulant.
Dans ce cas, le signal amplifié n'est autre que la porteuse dont l'amplitude va ainsi être
modifiée. Les modulateurs les plus employés utilisent des amplificateurs à transistors
bipolaires montés en émetteur commun. Le courant de polarisation est ainsi modulé par le
signal s(t).
5.2 La charge active
Elle est utilisée dans la majeure partie du temps pour limiter l’utilisation des résistances qui
sont très difficilement intégrables dans les circuits intégrés. Elles augmentent également le
gain d’amplification en jouant sur la résistance dynamique.
Ici le gain est limité par la tension de polarisation. Il faut que l’impédance vue du collecteur
soit très forte, avec une polarisation identique.
β V
AV ≈− ( R /¿ r ) ≈ g m . R c ≈−40. R c I c si R c I c ≈ 2 ≈ 6 V ; I c ≈ 2mA
r be c be

⇒ AV ≈−240 et r S ≈ Rc ≈ 3 Ω

5.2.1 Utilisation en polarisation

Dans ce montage, l’amplificateur en émetteur commun réalisé par le transistor T1. La
résistance dynamique vu par T1 au niveau du collecteur est la résistance dynamique du
collecteur du transistor T2, soit r ce 2 . Le courant de polarisation est réalisé grâce au miroir de
courant
V −V be 3
T2 et T3 vaut : I c ≈
R1
On peut donc évaluer le gain en tension de cet amplificateur :
Ic I V V
AV ≈ ( R c /¿r ce )= c A = A ≈ 3000
VT V T 2 I C 2V T

On peut donc charger une branche d’amplification sans résistance en améliorant le gain
d’amplification. Ceci, en pilotant la polarisation de la branche d’amplification en intégrant un
miroir de courant.
5.3 Paire de différentielle
Elle est utilisée pour amplifier la différence deux tensions d’entrée. C’est un élément essentiel
en électronique.
Les transistors T5 et T6 sont montés en miroir de courant. Le courant I du collecteur T5 vaut :
V −V be6
I ≈ cc
RI
Les transistors T3 et T4 sont montés en miroir de courant. Ils imposent l’égalité des courants
I C 3 et I c 4 et I 1=I out de plus, le montage impose que : I =I 1+ I 2 . Les transistors T1 et T2
composent la paire différentielle

SiV E 1=V E 2et V be 1 =V be 2 , donc I 1 et I 2 sont identiques, Alors I out =0

SiV E 1 ≠ V E 2 (V E 1+V e1=V E 2 ); V be1 ≠ V be 2 donc I 1 ≠ I 2 car :i c =gm .V be

Comme I 1=I out + I 2 Alors I out =gm (V E 1−V E 2 )

! Attention ! Ceci n’est vrai que pour de très petites variations autour du point de
polarisation V E 1−V E 2 <V T

5.4 L’amplificateur de puissance

C’est un montage amplificateur classe B. C’est-à-dire qu’une demi période est amplifié par le
transistor correspondant monté en collecteur commun. Le gain est unitaire, il permet surtout
une amplification de la puissance en sortie.
Les diodes éliminent l’effet de la distorsion due à la jonction base émetteur. (Fonctionnement
en classe AB).

5.5 Amplificateur opérationnel.

Les amplificateurs opérationnels sont véritablement nés au début des années 60 au niveau de
la recherche et il a fallu attendre les années 70 pour le voir dans le grand public , quand on a
commencé à intégrer plusieurs transistors et résistances sur le même substrat de
silicium .Cette technologie a permis de bâtir des montages complexes, et de les faire tenir sur
une petite plaquette de silicium en capsulée dans un boîtier (généralement à 8 broches) .Le
plus connu étant le µA 741 .L' ampli-op est un circuit qui amplifie la différence de tension
appliquée au bornes de ses entrées avec de meilleurs performances qu' un ampli classique à
transistor .
A. Amplificateur : c'est la fonction de base de ce composant ; on va étudier plusieurs
montages amplificateurs de base.
B. Opérationnel : les caractéristiques de cet ampli nous donnent la possibilité de créer des
fonctions mathématiques telles que dérivée, intégrale, Log... Ces fonctions ont autrefois été
utilisées dans des calculateurs analogiques, et permettaient notamment de résoudre des
équations différentielles, et ainsi de simuler des réponses de systèmes physiques divers
(mécaniques, acoustiques...). D'où le nom "opérationnel". Nous étudierons les fonctions
opérationnelles de base.
Caractéristiques
Impédance d’entrée 10⁶ à 10¹² Ohms
Bande passante 1MHz à 250 MHz
Tension d’alimentation < 5volts à quelques dizaines de volts
Consommation 100µA à >10mA
Courant de sortie 10mA à 2A
Tension d’offset. 10 µV à 10mV
Symbole de l’AOP

5.6 L’alimentation linéaire

 Le montage en ballast
5.7 Adaptation en tension

 Avec un transistor bipolaire :

La figure 1 montre deux étages à transistor remplissant une fonction d'inverseur : un

exemplaire à base de transistor NPN, l'autre utilisant un transistor PNP. Comme on le voit :
faire un inverseur est une affaire de trois fois rien ! La ligne de base du transistor bipolaire
comporte une résistance de valeur relativement élevée (10 kW dans nos exemples) chargée de
limiter le courant de base. À la sortie on voit une résistance de forçage d'une valeur
sensiblement moins grande (2,2 kW) prise, sous forme de charge, dans la ligne du collecteur.
Aux bornes de cette résistance on aura présence de la tension de sortie. II suffit donc de trois
composants seulement pour réaliser un inverseur discret à l'aide d'un transistor bipolaire.

 Avec un transistor MOSFET :

Par le simple remplacement du transistor bipolaire par un exemplaire MOSFET le circuit à

inverseur en devient encore plus simple. Du fait qu'un transistor MOSFET peut être
commandé quasiment sans courant, la résistance de limitation du courant, prise dans la ligne
de base, devient superflue. L'inverseur ne comporte donc plus que deux composants.
La figure 2 montre les schémas de deux inverseurs MOSFET : à gauche un exemplaire à
canal-N, à droite la variante à canal-P. On peut comparer le premier avec la version NPN de la
figure 1, le second avec la version PNP de cette même figure. II s'agit ici de transistors
MOSFET autobloquants, également connus sous le nom de "transistor à déplétion ", "
transistor à appauvrissement " ou " transistor à enrichissement ". Le schéma de la figure 2
comporte les noms de quelques types classiques de ce genre de transistor.
5.8 Alimentation non linéaire

 Amplificateur logarithmique

Comme rappel, le courant d'un transistor est donné par : Ic=Is e(Vbe /VT ) qu'on peut transformer
pour isoler Vbe :Vbe VT Vbe=VT ln( Ic/ Is) ou VT est la tension thermique, 26mV a la
temperature de la piece. Selon le circuit la tension de sortie est : vo=−Vbe

Et le courant qui traverse le transistor est : Ic=vi/Ri On obtient donc, à la sortie, vo=−VT
ln (vi/ RsIs).

Pour l'amplificateur anti- logarithmique on permute la résistance et le transistor

Et on obtient à la sortie Vo=−Ri Ise (qVi / KT ).

Conclusion
Ce présent travail nous aura permis d’en apprendre encore plus sur les transistors bipolaires et
ceux à effet de champs, nous aurons vu deux différents modes de fonctionnement à savoir :
L’amplification et la commutation, ainsi que diverses utilisations de ces composants aussi
importants utilisés dans la quasi-totalité des applications électrotechniques.