Cours EA1 2023

Université Ibn Tofail
Facultés des sciences

Département de physique
Kenitra
Cours d’Electronique analogique 1
1 ère année Master Electronique Embarquée

1 ère année Master Systèmes Télécom
Sommaire
Chapitre 1 : Le transistor bipolaire
Chapitre 2 : Amplification linéaire à transistor bipolaire
Chapitre 3 : Amplificateur en hautes fréquences
Chapitre 4 : Amplificateur de puissance
Chapitre 5 : Montages à plusieurs transistors
Chapitre 6 : Amplificateur différentiel
2
1. Introduction
2. Structure et fonctionnement d’un transistor bipolaire
3. Symboles et courants
4. Montages de base des transistors
5. Réseaux de caractéristique du transistor NPN
6. Polarisation du transistor
7. Transistor Bipolaire en régime dynamique
3
1. Introduction
Bipolaire
Transistor à Effet de champ

jonction bipolaire
4
1. Introduction
Les transistors sont de petits composants électroniques avec deux fonctions principales, ils peuvent :
➤ agir comme un interrupteur commandé ➤amplifier les signaux
Allumer et éteindre les circuits
4
1. Introduction
Les transistors de puissance

Petit, faible puissance, le transistor a supérieure ont un boitier en partie
un boitier en résine métallique
6
1. Introduction
 1947: John BARDEEN et Walter BRATTAIN inventent le transistor à contact ( transistor) au

laboratoire de physique de la société BELL (USA). Cette découverte est annoncée en juillet
1948.
 1948: Herbert MATAR et Heinrich WELKER inventent ( indépendamment de BELL) aussi

le transistor à contact en juin 1948 ( en France). Ce transistor sera appelé le Transistor pour
le distinguer de celui de BELL.
 1948: en janvier William SHOCKLEY invente le transistor à jonction (bipolaire) mais la

technique de fabrication ne sera maitrisée qu’en 1951.
7

 Structure simplifiée
☛ Un transistor bipolaire est constitué de trois zones semi-conductrices différentes, l’émetteur, la base et le collecteur, qui
se distinguent par la nature du dopage.
☛Les deux « jonctions PN » (ou diodes!) émetteur/base et base/collecteur se partagent la région centrale : la « base ». Le
couplage entre les jonctions est à l’origine de l’ « effet transistor »: le courant dans l’une des diodes (généralement dans la
jonction base/émetteur) détermine le courant dans la seconde.
☛ Symétrie NPN/PNP: Les transistors PNP et NPN ont un comportement analogue à condition d’inverser les polarités
des tensions. 8

 Effet transistor
L'effet transistor apparaît lorsqu'on polarise la jonction base - émetteur en direct et la jonction base - collecteur en inverse.
Exemple: Transistor NPN
Remarques :
- La base est faiblement dopée
- La base est très fine
 Conditions de polarisation : Jonction EB : directe (VBE>0)

Jonction BC: inverse (VBC<0)
= MODE ACTIF du transistor
 Les électrons de l’émetteur arrivent dans la base sous forme d'un courant,
 De la même manière les trous de la base diffusent vers l'émetteur,
 Il y’a des recombinaisons électrons-trous dans la base mais comme le nombre d’électrons injectés est très supérieur au nombre
de trous et comme la base est très mince, beaucoup d’électrons échappent aux recombinaisons, sont attirés dans le collecteur
car la polarisation entre la base et le collecteur est inverse,
9
L'émetteur est repéré

par la flèche qui
symbolise le sens
réel du courant
grandeurs positives grandeurs négatives
IB = courant de base
IC = courant de collecteur
IE = courant dans l’émetteur
10
 La loi des nœuds permet d'écrire : IE = IC + IB
 Il existe une relation entre courant de base et courant collecteur due à l'effet
transistor. Cette relation s'écrit :
IC = β . I B (avec b = gain en courant du transistor)
En règle générale b varie de 30 à 300 avec pour valeur courante :

- Transistors classiques: 100 < b < 300
- Transistors de puissance" : 30 < b < 100
IC IC
 IC = α . I E α= = ≈1 Car IB <<IC
I E IC + I B
Donc IE = IC
0,99 transistors classiques

α> 11
0,95 transistors de puissance
4. Montages de base des transistors
Le transistor ayant trois électrodes, l'une d'elles sera commune à l'entrée et à la sortie. Il en résulte trois
montages principaux.
Montage émetteur commun Montage base commune Montage collecteur commun
 Le montage émetteur commun

 Dans ce montage, la base  Comme troisième possibilité il
est le montage d’amplification
sert comme référence, y a le montage collecteur
le plus important dans la
 La tension d’entrée se commun utilisé en adaptation
technique,
 L’émetteur est ici l’électrode situe entre l’émetteur et la d’impédance,
base.  La représentation des
de référence,
 La tension d’entrée ainsi que caractéristiques en
configuration “collecteur
la tension de sortie se réfèrent
commun” est plus rare. 12
à l’émetteur.
5. Réseau de caractéristiques (montage émetteur commun)
13
Caractéristiques IC (VCE) du transistor NPN
En saturation:
Si IB = 0 ; transistor bloqué Interrupteur ouvert
Si IB > 0 ; transistor saturé; V CE ≈ V CEsat Interrupteur fermé

14

Pour un NPN on trace:
 Réseau de sortie
- La caractéristique de sortie : VCE = f(IC) à

IB constant.
 Réseau de transfert en courant
- La caractéristique de transfert : I C = f(IB)

à VCE constante.
 Réseau d'entrée
- La caractéristique d’entrée : IB =
f(VBE) à VCE constante.
 Réseau de transfert en tension
- La caractéristique de transfert : VCE =

f(VBE) à IB constante.
15
a. Polarisation par une résistance de base
La façon la plus simple de polariser un montage de type « émetteur commun » est représentée sur le schéma ci-contre.
Maille base-émetteur: (1) VCC = RB IB + VBE
Maille collecteur-émetteur: (2) VCC = RC IC + VCE
(3) IC = β IB
Droites de charges:
V CC −V BE V CC −V BE
(1) I B= (3) I C =βI B = β
RB RB
V CC − V BE
(2) V CE =V CC − RC I C =V CC − RC β
RB
Point de fonctionnement:
Le point de repos Q dépend beaucoup de .
Or, ce gain en courant varie d’un transistor à
l’autre bien que la référence soit la même et
varie fortement en fonction de la température.
Montage instable
Avec un tel montage, le point de polarisation en température
du transistor n'est pas maîtrisé. 16
b. Polarisation par réaction d’émetteur
Le schéma de polarisation par l’émetteur permet, moyennant le choix adéquat des composants,
de réduire la sensibilité du point de fonctionnement vis-à-vis des variations de température.
Maille collecteur-émetteur: VCC = RC IC + VCE +RE IE

IC
La loi des nœuds: IE = IC + IB I E =I C +
β
V CC =RC I C + R E ( IC+
IC
β )
+V CE
V CC − V CE
I C=
RC + R E 1+ ( 1
β )
1 V CC −V CE
β c’est de l’ordre de 50 à 200 << 1 I C=
β RC+ RE
le courant IC est peu sensible aux variations de β.

17
c. Polarisation par réaction de collecteur
Appelée aussi polarisation automatique, on ramène la résistance de base au collecteur
plutôt qu'à l'alimentation.
Maille base-émetteur: VCC = RC (IC + IB) + RB IB +VBE

V CC − V BE
On déduit I C=
RC +( R C+ R B
β )
Maille collecteur-émetteur: VCC = RC IC + VCE
on en déduit que IC est peu sensible aux variations de si ( β )

RC+ RB
≪ RC
18
d. Polarisation par pont diviseur (polarisation par pont de base et réaction sur E)
En polarisant la base par un "pont" constitué de deux résistance R B1 et RB2
Coté gauche du transistor: VCC = UR1 + UR2

V CC R 2
Et: UR2 = VBE + RE IE ; Pont diviseur de tension: U R 2=
R 1+ R 2
V CC R2
Donc : =V BE + R E I E
R 1+ R 2
Coté droit du transistor: VCC = RC IC + VCE + RE IE
V CC R 2
V CC =RC I C +V CE + −V B E
R 1+ R 2
Donc :
V CC R 2
V CC +V BE − −V CE
R 1 + R2
I C= 19
RC
C. Droite de charge et point de fonctionnement
Sur la caractéristique IC = f (VCE ) du transistor à IB constante, on trace la droite de charge statique donnée par l’équation :
VCE = VCC – RC IC
Le point d'intersection entre la droite de charge statique et la caractéristique de sortie du transistor nous donne le point de
fonctionnement P0, P1 ou P2 du montage.
 Si le point de fonctionnement est en P2 alors le

transistor fonctionne dans la zone linéaire,
transistor est bloqué,
transistor est saturé.
20
7. Transistor Bipolaire en régime dynamique (Modèle petits signaux)
L'étude en régime dynamique consiste à analyser le fonctionnement d'un transistor polarisé lorsqu'on applique de petites
variations à l'une des grandeurs électriques.
a. Rappel du Quadripôle
Un quadripôle peut être décrit par ses paramètres hybrides de la façon suivante :
V1 = h11 i1 + h12 V2
i2 = h21 i1 + h22 V2
21
b. Matrice hybride appliquée au transistor bipolaire (Transistor émetteur commun)
On peut considérer le transistor monté en émetteur commun comme un quadripôle.
Les équations relatives à cette modélisation sont :
22
c. Schéma équivalent (Transistor émetteur commun)
23
d. Evaluation graphique des coefficients hybrides
L'interprétation graphique des différents paramètres peut être lue sur les courbes caractéristiques de la façon suivante :
24
les valeurs des paramètres dépendent du pt de polarisation
d. Evaluation graphique des coefficients hybrides
Remarques :
 θ = 0 ⇒ tan(θ) = 0 donc h12 = 0, (il sera le plus souvent négligé).
 pour de faibles valeurs de IC , τ est très faible ⇒ tan(τ) est très faible donc h22 ≈ 0 on peut donc simplifier le schéma
équivalent :
Si IC augmente, les caractéristiques I C= f(VCE) ne

sont plus horizontales et h22 n'est plus négligeable.
ic = h21 ib
sachant que IC = β IB , donc h21 = β
 On suppose que les paramètres sont réels. Ceci n'est vrai qu'aux basses fréquences. Pour les hautes fréquences, les
capacités parasites qui existent dans le transistor conduisent à des expressions complexes pour les paramètres.
 Les valeurs des paramètres varient avec le point de polarisation du transistor. 25


e. « Petits signaux »
Le point de fonctionnement se déplace entre R1 et R2, Q1 et Q2 et P1 et P2.
Les grandeurs électriques comportent une composante

continue et une composante alternative:
26

e. schéma équivalent basse fréquence du transistor bipolaire
Avec
est l'impédance d'entrée du transistor
27

f. schéma équivalent haute fréquence du transistor bipolaire
En haute Fréquence, il faut tenir compte des capacités intrinsèques du transistor qui sont dues principalement à l'effet de
stockage des porteurs minoritaires dans la base et à la capacité de transition de la jonction Base Collecteur polarisée en
inverse.
Pour les simuler, on introduit les capacités internes C B’E et CB’C .
Pour cela, on introduit un point B' entre base et émetteur qui n'existe pas physiquement.
La résistance rB’B représente la résistance de la zone d'accès à la base intrinsèque. Elle est présente dans tous les transistors et
constitue la principale limitation à l'utilisation HF des transistors bipolaires.
28
Schéma de Giacoletto valable en haute fréquence
Application: Polarisation par pont de base EC
un transistor NPN au silicium est polarisé par pont de

base.
On donne β =100 , VBE = 0,6V, Ip = 10 IB , VCC = 10 V.
RC = 5kΩ, RE = 500Ω, R1 = 10kΩ, R2 = 4,7kΩ
1. Calculer le point de fonctionnement (VCE, IC).
Avec β =100 , VBE = 0,6V, Ip = 10 IB , VCC = 10 V.

VCE = 0,2 VCC, URE = 0,4 VCC, RC = 5kΩ
2. Calculer les résistances RE , R1 et R2
29
Chapitre 2: Amplification linéaire à transistor bipolaire
30
1. Structure générale d’un circuit d’amplification
Un amplificateur est un circuit actif capable d’amplifier un signal d’entrée, amplifier signifiant augmenter la puissance du
signal.
Schéma de principe d’un amplificateur
 Le signal à amplifier : il est peut être une antenne, un circuit électronique ou un capteur qui transforme un phénomène
physique en une énergie électrique.
 La charge : c’est un dipôle passif qui absorbe de l’énergie électrique et la transforme en une autre énergie.
 L’amplificateur et sa source de puissance : l’amplificateur est alimenté par une ou plusieurs sources de tensions
continues. 31
2. Caractéristiques de l’amplificateur
𝑣𝑠
 Amplification en tension: 𝐴𝑣 =
𝑣𝑒
𝑖𝑠
 Amplification en courant: 𝐴 𝑖=
𝑖𝑒
𝑣𝑒
 La résistance (ou impédance) d’entrée: 𝑅𝑒 =
𝑖𝑒
 La résistance (ou impédance) de sortie: 𝑅 𝑠=

𝑣𝑠
𝑖𝑠 |
𝑒𝑔 =0
32
3. Différents types d’amplification
Amplificateur Amplificateur
de tension de courant
Amplificateur de
Amplificateur de transrésistance
transconductance
33
4. Montages fondamentaux du transistor bipolaire
Dans l’étude d’un circuit à transistors, l’application du théorème

de superposition nous permettra de distinguer deux phases :
 Recherche du point de polarisation P, (Etude statique),
 Etude du circuit équivalent en courant alternatif (Etude
dynamique).
En régime "petit signal" ou régime dynamique, on étudie les

différents montages en leur appliquant de petites variations
autour du point de fonctionnement de manière à ce que le
transistor travaille toujours en régime linéaire. Les grandeurs électriques comportent une composante
Dans ce cas, on se plaçait dans les conditions dans lesquelles le continue et une composante alternative:
transistor pouvait être remplacé par son modèle linéaire.
34
a. Etude dynamique du montage émetteur commun
Les petits signaux à amplifier sont injectés par l’intermédiaire

d’un condensateur de liaison C1 qui évite que la polarisation ne
perturbe le générateur d’attaque.
De même la charge Ru est attaquée à travers un condensateur de
liaison C2.
La résistance d’émetteur RE est nécessaire pour stabiliser le point
de fonctionnement du transistor, mais sa présence diminue
beaucoup le gain en régime variable. On place, en parallèle à
cette résistance, un condensateur de découplage C E qui se
comporte comme un court-circuit ce qui permet de rendre
l’influence de RE négligeable en régime dynamique.
En régime statique, les condensateurs sont équivalents à des
circuits ouverts.
En régime dynamique et aux fréquences de travail du montage,
ces condensateurs doivent se comporter comme des courts-
circuits.
35
Schéma équivalent
Pour obtenir le schéma équivalent en régime de petits signaux

variables il faut suivre les étapes suivantes:
a). Remplacer chaque transistor par son schéma équivalent
b). Remplacer chaque source idéale de tension continue par un
court-circuit.
c). Remplacer les condensateurs de forte valeur par un court-circuit
d).Vérifier que chaque nœud est toujours lié aux mêmes
composants
e). Redessiner le circuit pour mieux faire apparaître les éléments
d’entrée et de sortie afin de faciliter le calcul des paramètres de
l’amplificateur
36
En régime dynamique (petits signaux), le transistor peut être Avec :

remplacé par son schéma équivalent :
est l'impédance d'entrée
du transistor
sans dimension, il sera

négligé.
est le gain du transistor
On le décrit par ses paramètres hybrides:

est l'admittance de sortie
du transistor
37
Le schéma équivalent du montage émetteur commun en régime dynamique :
Montage émetteur commun, schéma équivalent en régime

dynamique
38
𝑣𝑠
 Le gain en tension 𝐴 𝑣 =
𝑣𝑒
Le gain en tension peut être défini de deux manières:
 le gain en charge: avec la charge connectée
( 1
)
( )
1 − 𝛽 𝑅𝐶 / ¿ / ¿ 𝑅𝑈
h 22
On a 𝑣 𝑒=h11 . 𝑖 𝐵 et 𝑣 𝑠 =− 𝛽 𝑅 𝐶 / ¿ / ¿ 𝑅𝑈 . 𝑖𝐵 donc 𝐴𝑣=
h 22 h11
Le signe − indique que et sont en opposition de phase.
 le gain à vide : c'est à dire sans charge connectée en sortie du montage (R U = ∞)
𝐴 𝑣 0=
(
− 𝛽 𝑅𝐶 / ¿
1
h 22 )
h 11
39
𝑖𝑠
 Amplification en courant 𝐴 𝑖=
𝑖𝑒
 Le gain en courant à charge
On a 𝑖𝑠 =
𝛽 𝑅𝐶
𝑖
𝑅𝐶 + 𝑅𝑈 𝐵
et 𝑖𝑒= 1+
( h11
𝑅𝐵 )
𝑖𝐵 avec 𝑅 𝐵 =𝑅 𝐵1 /¿ 𝑅 𝐵2
𝛽 𝑅𝐶
donc 𝐴𝑖= (lorsque RB >> h11, et h22 =0)
𝑅 𝐶+ 𝑅 𝑈
 Le gain en courant à court-circuit (RU = ∞):
𝐴 𝑖0= β (lorsque RB >> h11, et h22 =0)
40
𝑣𝑒
 Impédance d’entrée 𝑍𝑒 =
𝑖𝑒
On a 𝑣 𝑒=h11 . 𝑖 𝐵 et 𝑖𝑒= 1+
( h11
𝑅𝐵 )
𝑖𝐵 avec 𝑅 𝐵 =𝑅 𝐵1 /¿ 𝑅 𝐵2
h11 𝑅 𝐵
donc 𝑍𝑒 =
h11 + 𝑅 𝐵 ¿h11 /¿ 𝑅 𝐵
En général, est très grande devant . On a donc qui est de l’ordre du kilo ohm.
L’impédance d’entrée du montage émetteur commun est relativement faible.
41
 Impédance de sortie 𝑍 𝑠=
𝑣𝑠
𝑖𝑠 |
𝑒𝑔 =0 , 𝑅𝑢 =∞
En conservant négligeable
𝑣𝑠
On a 𝑖𝑠 =
𝑅𝐶
+ 𝛽 𝑖𝐵 et ( h11 + 𝑅′𝑔 ) .𝑖 𝐵 =0 𝑖 𝐵=0 avec 𝑅′𝑔 =𝑅 𝐵 /¿ 𝑅 𝑔
𝑣𝑠 𝑣𝑠 𝑣𝑠
𝑅 𝐵 =𝑅 𝐵1 /¿ 𝑅 𝐵2
donc 𝑖𝑠 = + 0= =
𝑅𝐶 𝑅𝐶 𝑍𝑠
donc 𝑍 𝑠 = 𝑅𝐶
est de l’ordre du kilo ohm. L’impédance de sortie du montage peut donc être relativement élevée.
42
a. Etude dynamique du montage collecteur commun
Dans ce montage, C'est le collecteur qui est le point commun entre l'entrée et la sortie. Le transistor est attaqué par la base,
et la charge est placée entre l’émetteur et la masse. Le collecteur sera découplé et il peut même être relié directement à
l’alimentation, la résistance RC devenant inutile.
43
On donne le schéma équivalent en régime dynamique :
𝑅 𝐵 =𝑅 𝐵1 /¿ 𝑅 𝐵2
44
𝑣𝑠
𝑣𝑒
On a 𝑣 𝑒=h11 . 𝑖 𝐵 +𝑣 𝑠 et 𝑣 𝑠 =( 𝑅 𝐸 / ¿ 𝑅𝑈 ) ( 𝛽+1 ) .𝑖 𝐵
𝑣𝑠 ( 𝑅 𝐸 / ¿ 𝑅 𝑈 ) ( 𝛽+1 )
donc: 𝐴𝑣= =
𝑣 𝑒 h11 + ( 𝑅 𝐸 / ¿ 𝑅𝑈 ) ( 𝛽+1 )
45
𝑖𝑠
𝑖𝑒
− 𝑅 𝐸 ( 1+ 𝛽 ) .𝑖 𝐵 𝑣𝑒 [ h11 + 𝑅 𝐵 + ( 𝑅 𝐸 / ¿ 𝑅𝑈 ) ( 1+ 𝛽 ) ] .𝑖 𝐵
On a 𝑖𝑠 = et 𝑖𝑒= +𝑖 =
( 𝑅𝐸+ 𝑅𝑈 ) 𝑅𝐵 𝐵 𝑅𝐵
𝑖𝑠 𝑅 𝐵 𝑅 𝐸 ( 1+ 𝛽 )
donc: 𝐴 𝑖= =−
𝑖𝑒 [ h 11+ 𝑅 𝐵 + ( 𝑅 𝐸 / ¿ 𝑅 𝑈 ) ( 1+ 𝛽 ) ] ( 𝑅 𝐸 + 𝑅𝑈 )
46
𝑣𝑒
𝑖𝑒
On a 𝑣 𝑒=h11 + ( 𝑅 𝐸 /¿ 𝑅 𝑈 ) ( 𝛽+1 ) . 𝑖𝐵 et 𝑖𝑒=

𝑣𝑒
+𝑖 =
[ h11 + 𝑅 𝐵 + ( 𝑅 𝐸 / ¿ 𝑅𝑈 ) ( 1+ 𝛽 ) ] .𝑖 𝐵
𝑅𝐵 𝐵 𝑅𝐵
𝑍𝑒 =
𝑣𝑒
=
[ h11 + ( 𝑅 𝐸 / ¿ 𝑅𝑈 ) ( 1+ 𝛽 ) ] . 𝑅 𝐵
donc: 𝑖𝑒 [ h 11+ 𝑅 𝐵 + ( 𝑅 𝐸 / ¿ 𝑅 𝑈 ) ( 1+ 𝛽 ) ]
47
𝑣𝑠
𝑖𝑠 |
𝑒𝑔 =0 , 𝑅𝑢 =∞
𝑣𝑠
On a 𝑣 𝑠 =−(h11 +𝑅𝑔 /¿ 𝑅 𝐵). 𝑖𝑏 et 𝑖𝑠 =
𝑅𝐸
− ( 1+ 𝛽 ) . 𝑖𝑏
donc: 𝑍 𝑠=
𝑅 𝐸 ( h11 + 𝑅𝑔 / ¿ 𝑅 𝐵 )
𝑅 𝐸 ( 1+ 𝛽 ) + 𝑅 𝐸 ( h11 + 𝑅𝑔 /¿ 𝑅 𝐵 )
𝑍 𝑠= 𝑅𝐸 / ¿ ( h11 + 𝑅𝑔 / ¿ 𝑅 𝐵
1+ 𝛽 )
Le montage collecteur commun n'est pas un bon amplificateur car il a un gain en tension voisin de l'unité mais il a une grande
impédance d'entrée et une faible impédance de sortie. Ce montage ne sera donc pas utilisé pour amplifier un signal, mais
comme adaptateur d'impédance, situé en amont ou en aval d'un montage émetteur commun,
48
a. Etude dynamique du montage base commun
49
On donne le schéma équivalent en régime dynamique :
50
𝑣𝑠
𝑣𝑒
On a 𝑣 𝑒=− h11 𝑖 𝑏 et 𝑣 𝑠 =− ( 𝑅 𝐶 /¿ 𝑅𝑈 ) . 𝛽 𝑖𝑏
𝑣𝑠 𝛽 ( 𝑅 𝐶/ ¿ 𝑅 𝑈 )
donc: 𝐴 𝑣 = =¿
𝑣𝑒 h11
51
𝑖𝑠
𝑖𝑒
𝑅𝐶 𝛽 𝑖𝑏 𝑣𝑒 −h 11 𝑖𝑏
On a 𝑖𝑠 = et 𝑖𝑒= − ( 1+ 𝛽 ) 𝑖 𝑏= − ( 1+ 𝛽 ) 𝑖𝑏
𝑅𝐶 + 𝑅𝑈 𝑅𝐸 𝑅𝐸
𝑖𝑠 𝛽 𝑅𝐶 𝑅𝐸
donc: 𝐴𝑖= =−
𝑖𝑒 ( 𝑅 𝐶 + 𝑅 𝑈 ) ( h11+ 𝑅 𝐸 ( 1+ 𝛽 ) )
52
𝑣𝑒
𝑖𝑒
𝑣𝑒 −h 11 𝑖𝑏
On a 𝑣 𝑒=− h11 𝑖 𝑏 et 𝑖𝑒= − ( 1+ 𝛽 ) 𝑖 𝑏= − ( 1+ 𝛽 ) 𝑖𝑏
𝑅𝐸 𝑅𝐸
h11 𝑅 𝐸
donc: 𝑍𝑒 =
h11 + 𝑅 𝐸 ( 1+ 𝛽 )
53
𝑣𝑠
𝑖𝑠 |𝑒𝑔 =0 , 𝑅𝑢 =∞
𝑣𝑠
On a 𝑖𝑠 =
𝑅𝐶
+ 𝛽 𝑖𝐵 et [ ( 𝑅𝑔 / ¿ 𝑅 𝐸 ) ( 1+ 𝛽 )+ h11 ] 𝑖𝑏 =0 𝑖 𝐵=0
donc: 𝑣𝑠 𝑣𝑠 𝑣𝑠
𝑖𝑠 = + 0= =
𝑅𝐶 𝑅𝐶 𝑍𝑠
𝑍 𝑠 = 𝑅𝐶
54
 L’étage émetteur commun (le plus utilisé) amplifie de façon importante en courant et en tension,
 L’étage collecteur commun n’amplifie pas en tension, mais présente une très grande impédance d’entrée et
une très faible impédance de sortie, d’où son emploi fréquent en étage adaptateur en tension (suiveur),
 L’étage base commune n’amplifie pas en courant, mais présente une faible impédance d’entrée. Son
utilisation se limite à l’emploi en haute fréquence.
55
5. Association de montages (chaîne d'amplification)
L'association de plusieurs étages est nécessaire :

 soit quand le gain d'un seul étage est insuffisant,
 soit quand les impédances d'entrée ou de sortie sont inadaptées.
On associe généralement :
EC + EC : pour obtenir un gain élevé
CC + EC : si l'impédance interne du générateur d'entrée est trop élevée
EC + CC : si l'impédance de la charge est faible.
CC + CC : pour obtenir un fort gain en courant.
56
5. Association de montages (chaîne d'amplification)
 L’impédance d’entrée Zei de chaque étage intermédiaire joue le rôle de résistance charge R L pour l’étage précédent.
 Gain en tension: GV ou
Il est courant d’exprimer les gains en décibels, ce qui donne la relation :
 la résistance d’entrée est la résistance d’entrée vue par le premier étage alors que la résistance de sortie est la
résistance de sortie du dernier étage.
57
6. Bande passante d’un amplificateur
Impédance d’entrée Ze
Gain en tension Av Impédance de sortie Zs

Amplificateur
Bande passante
[fCH-fCB]
58
 f1<f<f2 BF et MF Av = cte
59
Les condensateurs
 f<f1 TBF externes (liaison
& découplage)
interviennent
60
Les condensateurs
externes (liaison
 f>f2 HF & découplage)
Les condensateurs
internes (de
parasites)
61
interviennent
7. Influence de la capacité de liaison (couplage)
avec On peut donc tracer le diagramme de Bode de cette fonction de transfert, en

prenant
Le système se comporte comme un filtre passe-haut. 62

7. Influence de la capacité de liaison (couplage)
 C’est un filtre passe haut de fréquence de coupure ω 2 .
 Le fonctionnement du transistor est limité en très basses fréquences par les capacités de liaison et de
découplage ce qui implique une diminution du gain.
63
Chapitre 3 : Amplification en hautes fréquences
1. Schéma de Giacoletto
Le comportement d’un amplificateur en basses fréquences dépend des capacités de liaisons et de

découplage, tandis que son comportement en hautes fréquences est lié aux capacités parasites des
éléments actifs (transistors).
Les paramètres universels du transistor ne sont valables qu’en basses fréquences. Le schéma du
transistor en basses fréquences doit être complété en ajoutant les condensateurs internes,
correspondant aux différentes jonctions, qui apparaissent en hautes fréquences.
65
1. Schéma de Giacoletto
Le modèle « petits signaux » en BF du transistor n’est plus satisfaisant en HF. On utilise alors le schéma équivalent de
Giacoletto.
Lorsque le transistor fonctionne à hautes fréquences, on élimine les capacités de liaisons et de découplages (équivalentes
à des court-circuits en haute fréquence), et on tient compte des effets capacitifs.
66
2. Eléments du modèle de Giacoletto
 La capacité CB’E viendra court-circuiter rB’E en haute fréquence (elle est généralement de l'ordre de 30 pF). C’est une
capacité de diffusion analogue à la capacité de diffusion d’une diode polarisée en direct ( capacité de la jonction base
/ émetteur).
 g m = h21 / h11 = β /rB’E : transconductance.
 La capacité CB’C (appelée aussi capacité Miller) est placée entre l'entrée et la sortie du transistor. En haute fréquence,
elle réinjecte le signal amplifié vers l'entrée. L'analyse est dans ce cas particulièrement complexe car cette capacité
intervient à la fois dans le circuit de sortie et d'entrée. Le théorème de Miller permet de fractionner cette capacité
entre le circuit d'entrée et celui de sortie de sorte à simplifier l'analyse.
67
3. Théorème de Miller
Si on place une impédance entre l'entrée et la sortie d'un amplificateur de gain A, cette impédance peut se partager de
part et d'autre de l'amplificateur de cette façon :
Pour différencier les impédances Zem et Zsm des impédances d’entrée et de sortie de l’amplificateur complet, nous avons
mis les indices em et sm au lieu de e « entrée » et s « sortie ». Ces deux impédances équivalentes en entrée et en sortie de
l’amplificateur peuvent être retrouvées à l’aide des relations suivantes :
68
3. Théorème de Miller
1
Si Z est l’impédance d’un condensateur: Z=
jCω
1
Alors: Z em= Cem = C(1-A)
jC (1 − A)ω
A C ( A −1)
Z s m= Csm=
Et: jC ( A −1)ω A
69
4. Montage émetteur commun en HF
 On néglige le condensateur de découplage,
 On élimine les capacités C1 et C2,
 On néglige la résistance de contact r B’B de la base (les points B

et B’ seront confondus),
 Seules les capacités CB’E et CB’C du schéma équivalent

interviennent en hautes fréquences.
70
Schéma de Giacoletto valable en haute fréquence

Schéma équivalent
RB = RB1 // RB2
Avec
RCeq = rCE // RC // RL
71

Application le théorème de Miller qui permet de répartir la capacité C BC entre l'entrée et la sortie de l'amplificateur.
Le nouveau schéma équivalent simplifié devient donc :
Pour calculer le gain on suppose comme si les capacités n’existent pas:

VS
A v= =− g m R Ceq
V BE
la capacité CBC peut se décomposer en deux capacités Cem à l’entrée de l’amplificateur et Csm à la sortie de
l’amplificateur suivant les deux relations suivantes :
72
Gain en tension
En calculant le gain en tension Vs /eg , on trouve :
Avec
73
Gain en tension
C’est un filtre passe bas de fréquence de coupure la plus petite fréquence entre fe et fs.
Avec fe = ωe /2π Et fs = ωs /2π
74
Le fonctionnement d’un transistor est limité en très basses fréquences par les capacités de liaison et de découplage
et en hautes fréquences par les capacités parasites.
L’amplificateur à transistors est donc un filtre passe bande. Il est caractérisé par une bande passante BP = ωc2 – ωc1.
75
5. Montage base commun en HF
Le terme de base commune vient du fait que l'électrode « base » du transistor est reliée à la masse.
Dans cette configuration, le signal d'entrée est appliqué à l'émetteur, le signal de sortie étant récupéré au collecteur.
76
5. Montage base commun en HF
Le pont RB1 // RB2 disparaît car il est shunté en alternatif La résistance rB’B d’accès à la base interne du transistor
par le condensateur de découplage CB . peut être négligée devant rB’E .

La base est bien le potentiel commun entrée/sortie. Le En pratique, ce montage sera très peu utilisé.
schéma équivalent, aux petites variations, du montage base Cependant, il apporte un intérêt dans les montages à
commune en HF est donné : haute fréquence, car l’effet de la capacité Miller est
fortement diminué, ce qui permet une bande passante
plus importante à celle du montage émetteur commun.
Il est aussi souvent utilisé dans les amplificateurs à
plusieurs étages car son courant d'entrée dépend très
peu de sa tension de sortie.
77
5. Montage cascode
Une astuce de montage combinant à la fois l'avantage du gain élevé de l'émetteur commun et la bande passante élevée d'un
montage base commune permet d'obtenir un nouveau dispositif, appelé montage cascode, qui améliore de façon significative
le facteur de mérite de l'ensemble.
L'amplificateur cascode est un montage émetteur

commun chargé par un montage base commune : Le
transistor du bas correspond au montage émetteur
commun, celui du haut au montage base commune.
La sortie du premier transistor se fait au niveau du

collecteur, et ce signal est appliqué à l'émetteur du
second transistor qui devient donc la charge de
collecteur de l'émetteur commun. Le condensateur C B
est nécessaire au montage base commune (découplage
de la base).
78
5. Montage cascode
Le premier transistor n'est plus chargé par RC, mais par rBE du second transistor qui est en général plus faible, on peut donc
s'attendre à une légère chute du gain. Ce qui aura cependant une conséquence heureuse sur la valeur de la capacité Miller du
premier transistor, et donc sur la bande passante de l'amplificateur.
La capacité CBC du second transistor n'apparaît plus comme une capacité de contre-réaction, il n'existe donc pas d'effet
Miller pour cette capacité.
La combinaison de ces différents avantages permet au montage cascode d'obtenir une excellente réponse en fréquence, au
détriment cependant d'une légère chute du gain.
79
1. Introduction
Les amplificateurs peuvent être conçus pour augmenter la tension (amplificateur de tension), le courant (amplificateur
suiveur) ou les deux (amplificateur de puissance) d’un signal.
Un amplificateur de puissance est un appareil électronique qui augmente le niveau de puissance d'un signal d'entrée.
Il permet de fournir une puissance beaucoup plus grande que celle fournie par le signal de commande, tout en
gardant la même forme du signal.
La finalité des amplificateurs est la commande d’un actionneur (haut-parleur, moteur, inductance, résistance...) sans
déformation du signal appliqué en entrée.
L’amplificateur de puissance est le dernier étage d’une chaine amplificatrice. Dans la plupart des cas, l’amplification en
puissance est une amplification en courant.
L'amplificateur de puissance joue un rôle central dans "l'organisation et la coordination" de l'ensemble du système audio.
Dans une certaine mesure, cela détermine si l'ensemble du système peut fournir une bonne sortie sonore.
A l’aide d’un amplificateur de puissance, on cherche à transmettre un maximum de puissance à une charge, généralement de
faible impédance, telle un haut-parleur ou un moteur électrique.
81
1. Introduction
Dans ce cas, un microphone est utilisé comme source d'entrée. L'amplitude du signal du microphone n'est pas suffisante pour
l'amplificateur de puissance. Il est donc d'abord préamplifié où sa tension et son courant sont légèrement augmentés.
Ensuite, le signal passe par le circuit de contrôle de la tonalité et du volume qui effectue des ajustements esthétiques à la
forme d'onde audio.
Enfin, le signal passe par un amplificateur de puissance et la sortie de l'ampli de puissance est transmise à un haut-parleur.
Schéma fonctionnel d'un amplificateur audio et l'utilisation d'un amplificateur de puissance.
En pratique, un amplificateur de tension est placé avant l'amplificateur de puissance qui augmente le niveau de tension du
signal. Ce signal de haute tension à l'entrée de l'amplificateur de puissance génère un signal de courant élevé, et dont le
produit fournit un signal de haute puissance à la sortie de l'amplificateur de puissance.
82
1. Introduction
Un circuit typique d'un amplificateur de tension Un circuit typique d'un amplificateur de puissance
83
2. Caractéristique d’un amplificateur de puissance
Bilan de puissance
L’alimentation du montage fournit une puissance totale P a qui se répartit entre la puissance utile Pu dissipée dans la charge et
Pd dissipée, en pure perte, dans l’amplificateur.
La puissance Pe, fournie par le circuit de commande, est en général négligeable devant celle provenant de l’alimentation.
La conservation de puissance implique : Pe + Pa = Pu +Pd
Amplification de puissance
On prend : Pa = Pu +Pd car Pa >> Pe
La puissance moyenne utile
La puissance moyenne fournie par l'alimentation
84
2. Caractéristique d’un amplificateur de puissance
Rendement
Le rendement est une caractéristique très importante pour un amplificateur de puissance. Il caractérise la capacité de
l’amplificateur à fournir à la charge toute la puissance qu’il reçoit
Distorsion
La distorsion mesure la déformation du signal de sortie par rapport au signal d’entrée correspondant amplifié (de manière
parfaite).
85
3. Les classes d’amplification de puissance
On classe les amplificateurs en fonction de l’angle de conduction ou d’ouverture des transistors (l'intervalle angulaire
pendant lequel un transistor conduit),
Les principales caractéristiques de fonctionnement d'un amplificateur sont le gain du signal, le rendement, la puissance
de sortie et le taux de distorsion.
Les classes d'amplificateurs sont principalement regroupées en

deux groupes :
 Les premiers sont les amplificateurs d'angle de conduction à
commande classique formant les classes d'amplificateurs les
plus courantes A, B, AB et C,
 Le deuxième ensemble d'amplificateurs sont les nouvelles
classes d'amplificateurs dits "à commutation" de D, E, F, G,
S, T, etc.
86

Classe A :
– Angle d'ouverture égal à 2π (L’élément actif conduit durant

toute la période du signal)
– Point de repos au milieu de la droite de charge :
– Très faible distorsion
– Mauvais rendement (de l’ordre de 25%)
– Exemples : montages émetteur, base et collecteur commun
– Utilisés en audiofréquence, pour avoir de la haute-fidélité. 87

Classe B :
– Angle d'ouverture égal à π (les composants actifs conduisent

durant une demi période du signal d’entrée)
– Point de repos est à l’extrémité de la droite de charge :
– Distorsion importante
– Bon rendement (environ 78,5%)
– Très utilisé en électronique
88
– Exemples : montage push-pull

Classe AB :
– Angle d'ouverture supérieur à π (Les composants actifs

conduisent durent plus d’une demi période du signal d’entrée)
– Distorsion faible
– Bon rendement
89

Classe C :
– Angle d'ouverture inférieur à π (Les composants actifs

conduisent durent moins d’une
demi période du signal d’entrée)
– Le point de repos se situe largement dans la région bloquée
– L'étage de sortie est constitué d'un seul transistor
– Distorsion très importante
– Très bon rendement
– Peu utilisé : dans les amplificateurs HF, les multiplicateurs de
90
fréquence, etc …

Classe D :
– Angle d'ouverture égal à 0

– Les éléments actifs fonctionnent comme interrupteur
– Très forte puissance,
– Très bon rendement
– taux de distorsion légèrement supérieur aux amplificateurs de
la classe B ou AB
– Exemples : montages en commutation.
91
On définit la classe d’amplification de puissance, par le temps de conduction des composants actifs.
Classe A Classe B Classe AB Classe C
Polarité amplifié: Polarité amplifié: Polarité amplifié: Polarité amplifié:

Toutes Mono Mono Mono
Distorsion: Distorsion: Distorsion: Distorsion:

Faible Forte Limité Enorme
Courant repos: Courant repos: Courant repos: Courant repos:

Elevé Aucun Moyen Aucun
Usage: Usage: Usage: Usage:

Faible puissance Puissance Puissance Amplification HF,
Doubleur, ect 92
4. Critères de sélection d’une classe d’amplification
De nombreux critères peuvent être pris en compte lors de la sélection d'un amplificateur. Les points importants étant :
− La puissance de sortie.
− Le rendement.
− La puissance maximale que peut dissiper l'élément actif.
− Le gain (en tension, en puissance).
− La distorsion.
− La fréquence maximale de travail.
93
5. Structure de base des amplificateurs de puissance

a. La classe A avec une charge résistive
En classe A, il y a besoin d’un seul transistor pour réaliser un étage amplificateur de signaux alternatifs.
Les derniers étages d'un amplificateur doivent amplifier le courant au lieu de la tension. Pour cela leur courant collecteur se
doivent d'être plus grand parce que les résistances de charge sont plis petites.
Le transistor de puissance conduit en permanence, donc il consomme de l'énergie au repos, ce qui entraîne un faible
rendement pour ce type d’étage, que leur usage est généralement limité aux amplificateurs de très faible puissance.
94

Avec un montage émetteur commun et une charge purement ohmique, le point de fonctionnement idéal est situé au milieu
de la droite de charge.
Tout amplificateur a deux charges: une charge statique (courant continu), une charge
dynamique (courant alternatif). Ce qui correspond à deux droite de charge: une statique
et l'autre dynamique.
 Un régime statique où le courant est limité par la seule résistance R C.

 Un régime dynamique dans lequel la puissance est réparti dans les deux
résistances RL et RC qui se trouvent alors en parallèles.
95

Droite de charge statique : VCC = VCE + RC IC
Etude en régime statique
Le schéma équivalent en continu (DC) est: Le point de repos est généralement choisi au milieu de la droite
de charge (mi-chemin du blocage (IC = 0) et de la saturation
(VCE = 0)) pour permettre une grande variation de tension sans
écrêtage du signal.
Le point de repos est idéalement VCE0 = VCC/2 et IC0 = VCC/2RC.

96

Etude en régime dynamique l'équation de la droite de charge dynamique:
Le schéma équivalent en dynamique sera:
la pente de la droite de charge dynamique:
- 1/ (RC // RL)
Equation de charge en dynamique:
vCE = - (RL // RC ).iC
97
RC//RL : C'est la résistance de charge dynamique.

Puissance utile dissipé par la charge
En effet, L'abscisse du point de

La variation de tension sinusoïdale aux bornes de la charge est définie par :
croisement est:
la nouvelle amplitude de tension maximale applicable à la charge RC//RL :

L'amplitude maximale de la nouvelle
variation de tension est égale à cette
valeur moins
Le courant traversant la charge RL est tout simplement égal à :
Finalement la puissance maximale consommée par la charge est :
98

Puissance fournie par l’alimentation
La puissance délivrée par la source d’alimentation trouvée comme étant la f.e.m V CC du générateur de polarisation
multipliée par le courant délivrée iC. tel que :
L’alimentation fournit un courant ondulé du type sous la tension Vcc, ce qui reste égal à Vcc.Ic0 en valeur
moyenne.
En négligeant IB0 , l’alimentation fournie IC0 sous VCC , soit
V 2CC
P A =V CC . I C 0 =
2 RC
99

Rendement du montage
Pour déterminer le rendement du montage, on fait le rapport entre la puissance utile fournie à la charge et la puissance
fournie par l'alimentation et on trouve finalement :
Il a été démontré que le transfert de puissance est maximal lorsque R C = RL, la répartition de puissance est alors égale dans
RC et RL , ce qui nous donne le rendement maximum de cet étage :
Le rendement d'un tel étage est donc extrêmement faible. Il est clair que ce montage ne peut donc s'adapter au traitement
des puissances importantes. 100

Rendement du montage
Pour augmenter la dynamique de sortie on peut enlever R C et mettre la charge RL directement au collecteur du transistor.
Dans ces conditions les deux droites de charge statique et dynamique seront confondues. Dans ce cas optimal, le bilan des
puissances peut se mettre sous la forme :
Puissance dynamique fournie à la charge :
Puissance fournie par l’alimentation:
Rendement :
Le rendement, dans cette hypothèse, atteint 25% au maximum; ça n’est toujours pas satisfaisant.
La conclusion qui s’impose sur la classe A est la suivante:

Les étages amplificateurs sont de structure simple et apportent très peu de distorsion; par contre, leur rendement médiocre
provient essentiellement de leur forte dissipation thermique.
101

b. La classe B ‘‘Push-Pull’’
Dans un amplificateur de classe B, le transistor reste dans la région active seulement pendant la moitie de la période.
Pendant l’autre moitié, il est bloqué:
Dans cette configuration, un transistor ne peut

Le point de repos Q sur la droite de charge dynamique
qu'amplifier un demi-alternance d'un signal sinusoïdal,
d’un transistor d’un circuit push pull classe B coïncide
il faut donc associer à cette droite de charge une
avec le point de blocage et ses coordonnées sont:
seconde droite symétrique à la première.
102

Un montage push-pull classe B est formé de deux transistors complémentaires dont un amplifie l’alternance positive, et
l’autre amplifie l’alternance négative.
On obtient donc un signal de sortie qui est une onde sinusoïdale complète.
Il est réalisé à partir d’un transistor T1 de type NPN (pour les

grandeurs positives), et d’un transistor T2, (pour les grandeurs
négatives). Les transistors T1 et T2 doivent impérativement être
complémentaires.
103

Pour le transistor NPN:
 Pendant l’alternance positive de la source, la jonction base-
émetteur conduit et le point de fonctionnement Q passe au point de
saturation.
 Pendant l’alternance négative de la source, la jonction base-
émetteur est polarisée en inverse et aucun courant ne circule.
 La tension au borne de RL est donc un signal demi-onde.
Pour le transistor PNP:
 Pendant l’alternance positive de la source, la jonction base-
émetteur en inverse et aucun courant ne circule. Mais pendant
l’alternance négative, la jonction base-émetteur est polarisée en
direct. Le point de fonctionnement Q passe au point de saturation.
 La tension recueillie aux bornes de RL est négative et n’a que des
alternances négatives.
Pour obtenir un circuit push-pull, on combine ces deux circuits

comme l’indique la figure.
Nous allons voir que suivant le signe de Ve, l'un des transistor fonctionne en régime linéaire pendant que 104
l'autre est bloqué.


Caractéristique de transfert :
Analyse de fonctionnement :
On remarque que le courant circulant dans la charge n'est pas purement sinusoïdal mais présente une
distorsion dite de croisement ou de recouvrement (cross-over). Cette distorsion peut être supprimée grâce à 105
des montages appropriés.

Qu'est-ce que la distorsion de croisement ?
La distorsion de croisement est le phénomène observé au moment où la valeur absolue de la tension ve(t) devient
inférieure à 0,6V. A ce moment là, aucun des deux transistors n'est passant, et par conséquent Is(t) = 0, et Vs(t) = 0.
Quelles conséquences cette distorsion engendre-t-elle sur la

tension de sortie ?
Cette distorsion dégrade l'allure de la tension de sortie. Si on a
une tension d'entrée purement sinusoïdale, alors la tension de
sortie est constituée d'arches de sinusoïdes qui se « raccordent
mal » entre elles.
La tension de sortie Vs est nul pour : VBE1 < Ve < VBE2. A la

sortie, il y a une déformation importante du signal. Ceci
correspond à la distorsion de croisement. Compte tenu de la
valeur de la tension de seuil (≈ 0,7 V), la distorsion est très
106
importante, ce qui interdit un fonctionnement en classe B pure.

C. La classe AB ‘‘Push-Pull’’: Correction de distorsion
 Correction de distorsion par diode
Pour éliminer la distorsion de croisement, on ajoute deux diodes, qui sont toujours passantes, et qui jouent le rôle de
générateur de tension.
Pour limiter la distorsion qui apparaît pour les faibles valeurs de V e , on utilise plutôt le montage suivant :
Les deux diodes sont toujours polarisées en direct et passantes

Vd = 0,7V), ce qui compense le VBE des transistors, responsables
de la distorsion.
Pour supprimer ce type de distorsion, On utilise deux diodes

dont les tensions de seuil sont égales à la tension de seuil VBE0
des transistors.
107

Pour éliminer cette distorsion, on applique une légère polarisation
directe à chaque jonction base-émetteur, ce qui revient à placet le
point Q légèrement au-dessus du point de blocage comme on le voit
sur la figure suivante:
108

Si T1 est passant :
Si T2 est passant :
La distorsion de croisement a disparu, et la caractéristique dans

ce cas est proche de la forme suivante :
Ce montage est bien amplificateur de la puissance du signal. En

effet, si la tension d'entrée est presque égale à la tension de
sortie (en zone de fonctionnement linéaire), le courant de sortie 109
est quant à lui beaucoup plus important (is ≈ β.ie ).

 Correction de distorsion par AO
Une autre méthode utilisée pour annuler les effets de la distorsion de croisement consiste à utiliser un amplificateur
opérationnel avec une contre réaction totale.
Cette contre-réaction de l’amplificateur opérationnel permet une

réduction pratiquement complète de la distorsion de croisement.
110

Rendement de l’amplificateur classe B
On supposera pour les calculs suivants que la distorsion de croisement est compensée.
Le rendement est donc fortement amélioré par rapport à un amplificateur de puissance de classe A. Les amplificateurs
classe B (et surtout leur variante de classe AB) sont de loin les amplificateurs les plus utilisés. Quand on leurs associe une
boucle de réaction négative, leur distorsion tombe à un niveau extrêmement faible. Leur rendement est très bon et ils
peuvent aisément fournir des puissances de sortie élevées.
111
112
1. Définition et intérêt
Constitué par la mise en cascade de plusieurs étages amplificateurs:
Intérêt?
 Obtenir un gain très élevé.

 Assurer une bonne adaptation d’impédance par des étages appropriés à l’entrée et à la sortie.
 Cascader des étages différents, pour assurer différentes performances à une chaine de
traitement (gain en tension, en courant, étage de puissance, etc.)
113
2. Différents modes de couplage des étages
La liaison entre deux étages peut être directe ou capacitive.
a. Amplificateurs à liaison directe
La sortie de l’étage en amont est connectée directement à l’entrée de l’étage en aval.
Conséquence: les points de repos en statique des deux étages sont

dépendants. On ne peut pas séparer l’étude statique des deux étages,
sauf si le courant de liaison est supposé négligeable. Le potentiel de
sortie du premier étage doit assurer la bonne polarisation du
deuxième.
L’avantage de ce type de couplage est qu’il permet d’amplifier une
tension continue.
114
2. Différents modes de couplage des étages
La liaison entre deux étages peut être directe ou capacitive.
b. Liaison par condensateur entre deux étages
La sortie de l’étage en amont est connectée à l’entrée de l’étage en aval à

travers un condensateur.
Conséquence: les points de repos en statique des deux étages sont

indépendants. Le condensateur doit se comporter comme faible
impédance aux fréquences utiles, cela impose l’utilisation de valeurs
élevées des condensateurs. Ce type de couplage n’est possible que
pour les amplificateurs à composants discrets, par ailleurs en circuits
intégrés on opte pour un couplage direct.
115
3. Etude petit signal ( dynamique) d’un amplificateur à plusieurs étages
Deux méthodes sont possibles:

a. Étude globale de l’ensemble des amplificateurs cascadés
 Sa complexité dépendra du nombre d’étages constituant

l’amplificateur global,
 Elle consiste à établir le schéma équivalent petit signal de
l’amplificateur global et chercher ses caractéristiques: impédance
d’entrée, gain en tension, impédance de sortie, etc…
b. Étude séparée de chaque amplificateur élémentaire
Elle consiste à: étudier en petit signal chaque étage amplificateur seul
 Étudier chaque étage à vide et puis considérer la charge de chacun lors

du calcul des caractéristiques de l’amplificateur global.
 Déduire les caractéristiques dynamique de l’amplificateur global en se
116
basant sur les schémas équivalents petit signal de chaque étage.
3. Etude petit signal ( dynamique) d’un amplificateur à plusieurs étages
Comme la charge d’un étage dépend de l’impédance d’entrée de l’étage suivant, il est conseillé de commencer l’étude par le
dernier étage et de remonter vers le générateur d’entrée.
 L’impédance de sortie du premier étage
 L’impédance de sortie du 2 ème
étage est RC2. est donc:
 Son impédance d’entrée est égale à :

 Son gain est
 Son gain en tension est égal à :
 son impédance d’entrée est :
117
4. Montage Darlington
Les transistors bipolaires ont des gains entre 10 et 300 environ,
Plus la puissance est importante, plus le gain est faible,
La résistance d’entrée est relativement faible,
Pour des charges fortes, il faut donc des courants de commandes élevés.
Les transistors fonctionnent en utilisant un petit courant pour contrôler un courant plus important.
Lorsqu'une tension est appliquée à la base, un champ électrique est créé qui permet au courant de passer entre l'émetteur et le
collecteur. Ce flux de courant peut être utilisé pour alimenter d'autres appareils électroniques, comme un haut-parleur ou un
moteur.
La quantité de courant traversant le transistor est déterminée par la tension appliquée à la base, de sorte que les transistors
sont un composant essentiel dans de nombreux circuits électroniques.
118
Les transistors Darlington, également connus sous le nom de paires Darlington, ont été inventés en 1953 par Sidney
Darlington de Bell Laboratoires.
Le transistor Darlington est un dispositif semi-conducteur haut puissance, fonctionne comme un transistor bipolaire ayant une
très forte amplification en courant.
Le transistor Darlington est une association de deux transistors bipolaires de même type ( des paires de transistors Darlington
PNP et NPN standard), résultant en un composant hybride qui a encore des caractéristiques de transistor. Ces deux transistors
peuvent être intégrés dans un même boitier.
Le gain en courant du Darlington est égal au produit des gains de chaque transistor ( vont de 1000 à 10000 environ). Il suffit
de 1 mA pour piloter un courant jusqu’à 10A.
119
Ce montage est constitué par l’association de deux transistors T1 et T2 de même type ( deux NPN ou deux PNP).
120
On peut présenter le schéma du transistors Darlington, NPN et PNP.
 Les collecteurs sont communs et correspondent au collecteur du Darlington.
 L’émetteur du transistor (TR1) est relié à la base du transistor (TR2) (I E1 = IB2).
 La base du transistor de commande (TR1) est relié à la base du Darlington.
 L’émetteur du transistor de sortie (TR2) est relié à l’émetteur du Darlington.
IC = IC1 + IC2
IB = IB1
IE = IE2
121
IC = IC1 + IC2
Gain en courant du transistor équivalent
Pour le transistor T1:
Pour le transistor T2:
IB = IB1
Le gain du transistor équivalent est égal au produit des gains des deux transistors.
Le gain en courant global: IE = IE2
Cela signifie que le gain en courant global, β est donné par le gain du premier transistor multipliée par le gain du deuxième
transistor,
Darlington peut être considérée comme un seul transistor ayant une valeur très élevée de β et par conséquent une résistance
d’entrée élevée. 122
Impédance d’entrée
Schéma équivalent
Et comme
Vbe = Vbe1 +Vbe2
Cela donne :
L’impédance d’entrée du transistor équivalent est sensiblement
égale au double de celle du transistor T1. Elle est beaucoup plus 123
grande que celle d’un transistor de puissance.
Le seuil de conduction Vbe à partir duquel le Darlington commence

à conduire est doublé par rapport à un transistor simple,
Vbe du Darlington est l'addition des deux Vbe .
Vbe = Vbe1 +Vbe2
Tension de saturation Vce sat est plus élevée.
Vce = Vbe2 +Vce1
124
Avantages
 Grand gain: le gain global est le produit des gains de chacun des deux transistors (1000 à 10000),
 Le Darlington permet d’augmenter la résistance d’entrée du montage par rapport à un transistor bipolaire.
Inconvénients
 Le seuil de conduction VBE est doublé par rapport à un transistor simple,

 Tension de saturation Vce sat est plus élevée ,
 La chute de tension (le Vce sat) est donc plus grande qu’un transistor bipolaire simple,
125
5. Pseudo-Darlington (paire de Sziklai)

La fabrication des transistors de puissance PNP est plus complexe que celle des NPN. En reliant un transistor PNP de faible
puissance à un transistor de puissance NPN selon le montage du pseudo-Darlington, on constitue un système équivalent à un
PNP de puissance.
 Composé de 2 transistors de polarité opposées,

 Le gain est sensiblement = à b1xb2,
 La polarité du courant de commande est inversée,
 La tension Vbe sat est environ 0,6 V, comparée à 1,2 V pour le Darlington,
 La tension Vce sat ne peut pas descendre en dessous du VBE sat de T1.
126
6. Miroir de courant
Objectif : Recopier un courant
constitué de plusieurs transistors identiques dont toutes les bases sont reliées entre elles et les
émetteurs entre eux. La tension base-émetteur est donc la même pour tous les transistors, ce
qui entraîne des courants de collecteur égaux pour tous les transistors :
Le premier transistor, dit transistor de commande du miroir, a sa base reliée à son collecteur ;
il travaille comme une diode ayant une tension de seuil BE1 V entre base et émetteur.
127
Exercice 1
Deux transistors T1 et T2 sont montés comme l’indique le schéma de la figure suivante. Le
point de fonctionnement de T2 est défini par : VCE2=5V ; VBE2=VBE1=0,7V ; IC2=10mA.
D’autre part β1=70 ; β2=50 ; h12 =0 et h22 =0.
1. Exprimer puis calculer les courants continus dans les différentes branches.
2. Calculer RC et RB.
3. T1 et T2 formant un transistor équivalent T. Sachant que pour chaque transistor on a : [IC=βIB+(β+1) ICB0], déterminer
l’expression du courant ICB0 de T en fonction de ICB01 de T1 et ICB02 de T2. Exprimer et calculer β du transistor T en fonction
de β1 et β2.
4. Considérant les composantes alternatives des courants, exprimer et calculer les nouveaux paramètres hybrides du
transistor T.
128
5. Calculer la résistance d’entrée du montage, son gain en courant et son gain en tension.
Exercice 2
Le montage de la figure suivante est formé de deux étages à transistor. T 1 et T2 sont deux transistors identiques de
gain en courant β et de même tension base-émetteur.
1. Calculer IB1 en fonction de VE2M, VB1M, RB,
2. Calculer VB1M en fonction de R1, β, IB1 et VB1E1,
3. En supposant IB2 négligeable devant IC1, calculer VE2M en fonction de VCC, R2, β,
IB1 et VB2E2,
4. En déduire l’expression de IB1 en fonction de VCC, VB1E1, VB2E2, β, RB, R2 et R1.
Donner sa valeur numérique sachant que : β= 100, VB1E1= VB2E2= 0,5V, VCC=
12V, RB= 180kΩ, R1= 1kΩ, R2= 8,2kΩ, R3= 3,3kΩ, R4= 4,7kΩ,
5. Calculer : IC1 et IC2,
6. Calculer VCE1, VCE2, VE1M et VE2M.

129
Exercice 3
On considère le montage amplificateur suivant où les transistors T 1 et T2 sont complémentaires tels que , β= 250, h22 = 0 S.
On donne V= 15V.
On rappelle l’équation du courant collecteur pour un transistor en zone linéaire :
IC = IS exp(VBE/UT) avec IS courant de saturation et UT = 25mV le potentiel thermodynamique.
On prend un point de fonctionnement des deux

transistors tel que IC1 = IC2 = IC0 = 1mA.
130
Exercice 3
Etude statique :
1. Préciser le type de transistor T1 et de transistor T2,
2. Déterminer la valeur des courants traversant les résistances
R1, R2, R3, R4, R5,
3. Chercher les valeurs à donner aux résistances R5, R4, R3 pour
obtenir une tension de sortie vS nulle et une tension de
VC2E2= -7V,
4. Déterminer l’expression de la résistance d’entrée rbe =
(dVBE / dIB) point de repos en fonction de β, IC0 et UT, et calculer sa

valeur,
5. Déterminer la pente du transistor gm = (dIC / dVBE) point de repos
131
en fonction de IC0 et UT, et calculer sa valeur,
Exercice 3
Etude dynamique :
1. Dans quelle configuration sont montés les transistors T1 et
T2. Justifier votre réponse,

2. Dessiner le schéma équivalent du montage en régime
dynamique. (Pour un calcul plus facile utiliser gmvbe au
lieu de βib),
3. Déterminer l’expression de la résistance d’entrée R E2 du
2ème étage en fonction de R, R4 et gm , (avec R= rbe // R3),

4. Déterminer l’expression du gain en tension du 2 ème étage
AV2 en fonction de RE2, R, R5 et gm,
5. Déterminer l’expression du gain en tension du 1er étage
AV1. 132
133
1. Introduction
 L’amplificateur différentiel (ou de différence) est un dispositif destiné à fournir un signal de sortie Vs(t)
proportionnel à la différence de deux signaux d’entrée,
 Il est donc destiné à amplifier la différence de deux signaux et ainsi élimine le bruit du aux signaux
d’entrée.
134
2. Montage de base
Le schéma du montage de base d’un amplificateur différentiel est donné par la figure suivante:
L’amplificateur différentiel est un dispositif électronique à

deux entrées et deux sorties.
Il est alimenté par deux sources d’alimentations de tensions
opposées +VCC et -VCC .
La sortie peut se faire:
 Sur l’une des bornes de sortie VS(t)=VS1(t) ou VS(t)=VS2(t) et porte le nom de « sortie en mode commun » puisque
la sortie et les deux signaux d’entrée admettent la même référence de potentiel (la masse) ,
 Entre les deux bornes de sortie: VSD(t)= VS1(t)-VS2(t) et porte le nom de sortie différentielle (ou tension
différentielle). 135
3. Gain en mode différentiel et commun
On définit aussi l’entrée différentielle par :
VED(t)= VE1(t)-VE2(t)
L’amplificateur différentiel a pour fonction principale l’amplification de la tension différentielle V ED. On parle alors du
mode différentiel caractérisé par le gain en mode différentiel Ad définit par:
V S 1 −V S 2 V SD
A d= = (1)
V E 1 −V E 2 V ED
Cependant le montage est aussi sensible à la somme des tensions continues d’entrées: (V E1+VE2). En effet, les entrées
VE1 et VE2 peuvent varier tout en conservant une différence constante. On parle alors du mode commun caractérisé par
le gain en mode commun AC définit par:
V S 1+V S 2
AC =
V E 1+V E 2 (2)
136
4. Taux de Rejection en Mode Commun
 On définit un coefficient de qualité de l’amplificateur « Taux de Rejection en Mode Commun » (TRMC) par:
Ad
TRMC dB=20 log
AC
 C’est une valeur numérique quantifiant la capacité d’un amplificateur différentiel à rejeter la tension commune de ses
deux entrées,
 Plus ce paramètre sera élevé, plus l’amplificateur se rapproche d’un fonctionnement idéal (A C= 0).
137
4. Tension en mode commun
Calculons à l’aide des relations (1) et (2), l’expression des tensions V S1 et VS2 :
1 1
V S 1= A d ( V E 1 − V E 2 ) + AC ( V E 1 +V E 2 )
2 2
1 1
V S 2=− A d ( V E 1 −V E 2) + A C ( V E 1+V E 2)
2 2
On définit aussi la tension en mode commun:

V E 1+ V E 2
V EC =
2
Il s’ensuit:
V ED
V E 1=V EC +
2
V ED
V E 2=V EC −
2 138
5. Amplificateur différentiel à transistors bipolaires
Le circuit d’un amplificateur différentiel à transistors bipolaires est donné par le schéma de la figure suivante:
139

• Le point de repos des deux transistors est P0(I0, VCE0),
• En l’absence de signaux d’entrée (V1= V2 =0), les transistors doivent

être dans une zone linéaire de fonctionnement.
• Droite de charge statique:
On a: VCC = RCIC1 + VCE1 +RE (IE1 +IE2) – VCC
Or: IE1 = IE2 = IC1 = IC2 = IC0 et VCE1 = VCE2 = VCE0
Et: VBE1 = VBE2 = VBE0

140

Alors: 2VCC = VCE0 + (RC +2RE) IC0
De plus: 0 = VBE0 +RE I0 – VCC =VBE0 +2RE IC0 – VCC
D’où le point de repos:
V CC − V B 0
I C 0=
2 RE
V CE 0= 2V CC − ( RC +2 R E ) I C 0 = 1 −
( RC
2 RE )
V CC + 1+
( RC
2 RE )
V BE 0
141

Etude en régime statique: Analyse du montage en mode différentiel
Caractéristiques de transfert:
Les courants IC1 et IC2 sont liés à la tension d’entrée différentielle VED , en effet: VED = V1 – V2 = VBE1 – VBE2
V BE 1
Sachant que: I C 1 ≈ I E 1=I S 1 exp
VT
V BE 2 KT
I C 2 ≈ I E 2 =I S 2 exp , IS1 = IS2 et VT=
VT q
IC1 V BE 1 −V BE 2 V 1− V 2 V ED
On a: =exp =exp =exp
IC2 VT VT VT
IC2 + IC1 = I0
I0 I0
I C 1= , I C 2=
On en déduit:
(
1+ exp −
V ED
VT ) 1+ exp
( )
V ED
VT 142

La caractéristique de transfert, IC1, IC2 = f (VED):
La caractéristique de transfert, IC1, IC2 = f (VED), est représentée par le schéma de la figure suivante:
143

IC1 = f (VED) dans la zone linéaire:

Déterminons l’expression représentative de I C1 en fonction de VED dans la zone linéaire:
( )
)
Le courant IC1 est donné par: V ED
exp −
)
d IC1 I0 VT
=
( ))
dV ED VT
(
2
V ED =0 V ED
1+ exp −
VT V ED =0
dI C 1 I0
VED =0  =
dV ED 4 V T
L’expression linéaire du courant IC1 s’écrit donc:
I0 I0
I C 1= V +
4 V T ED 2 144

IC2 = f (VED) dans la zone linéaire:

De même pour le courant IC2 on obtient:
I0 I0
I C 2=− V ED +
4VT 2
On a: VSD = VS1 – VS2

= (VCC – RCIC1) - (VCC – RCIC2)
= - RC (IC1 – IC2)
En remplaçant IC1 et IC2 on obtient:
I 0 RC V SD I0 RC
V SD =− V AD= =−
2 V T ED  V ED 2 VT
145

Etude en régime statique: Analyse du montage en mode commun
𝑉 1+𝑉 2
Dans ce cas les deux bases sont attaquées par la même tension:𝑉 𝐸𝐶 =
I0 2
On a: VBE1 = VBE2 = VBE et I C 1=I C 2=
2
RC I 0
V S 1=V S 2=V CC −  VS1 + VS2 = 2VCC – RCI0
2
V 1 +V 2
V CC + −V BE
Sachant que 2
I 0=
RE
il vient : V S 1+V S 2 =2V CC −

RC
RE (
V CC +
V 1 +V 2
2
−V BE )
RC V 1 +V 2
( V S 1+V S 2 ) =f ( V 1+V 2) =− +Cte
RE 2
La somme des tensions de sortie est donc proportionnelle à la RC

tension commune d’entrée. Le coefficient de proportionnalité AC =−
2 RE
représente le gain de mode commun : 146

Etude en régime statique:
𝐀𝐝
𝐓𝐑𝐌𝐂=𝟐𝟎 𝐥𝐨𝐠
𝐀𝐂
I 0 RC RC
A D =− AC =−
2 VT 2 RE
• Le TRMC dépend donc de la résistance RE puisque I0 en dépend,
• Pour améliorer le TRMC on remplace la résistance R E par un générateur de courant qui

délivre un courant constant I0.
147

Etude en régime dynamique:
Le fonctionnement de l’amplificateur peut être considéré comme la superposition de deux régimes:

mode commun et mode différentiel. Nous allons étudier les deux régimes séparément.
Nous avons:
V ED
V 1=V EC +
2
V ED
V 2=V EC −
2
148

Etude en régime dynamique:
Schéma dynamique:
On utilise le schéma hybride simplifié pour les deux transistors. Les transistors sont identiques:
β1 = β2 = β et (h11)1 = (h11)2 = h11
Le schéma dynamique de l’amplificateur est donné par la figure suivante:
149

Etude en régime dynamique: Etude en régime mode commun (vED=0)
v1 = v2 , ib1 = ib2 = ib , ic1 = ic2 = ic et vs1 = vs2
• Gain en mode commun

v1 = h11 ib + 2RE (β+1) ib
vs1 = - RC β ib
𝑣 𝑠 1 +𝑣 𝑠 2 𝛽 𝑅𝐶
𝐴𝐶 = =−
𝑣 1 +𝑣 2 h11+ 2 𝑅 𝐸 ( 𝛽+1 )
• Impédance d’entrée
𝑣1
𝑍𝑒 = = h11 +2 𝑅 𝐸 ( 𝛽+1 )
𝑖𝑏
150

Etude en régime dynamique: Etude en régime mode différentiel (vEC=0)
𝑣 𝑒𝑑
𝑣 1=− 𝑣 2= , ib1 = - ib2 = ib , ic1 = - ic2 et vs1 = - vs2
2
• Gain en mode différentiel

vsd = vs1 – vs2 = 2vs1 = - 2 RC β ib
𝑣 𝑒𝑑
𝑣 1= h11 𝑖𝑏 =
2
𝑣𝑠d 𝛽 𝑅𝐶
𝐴𝑑 = =−
𝑣 ed h11
• Impédance d’entrée
𝑍 𝑒 =h11
151
𝐀𝐝
𝐓𝐑𝐌𝐂=𝟐𝟎 𝐥𝐨𝐠
𝐀𝐂
Si on remplace AC et Ad par leurs expressions on trouve:
𝐴 𝑑 𝛽 𝑅 𝐶 h11+2 𝑅 𝐸 ( 𝛽+1 ) 2 𝑅 𝐸 ( 𝛽+1 )

= =1+
𝐴𝐶 h11 𝛽 𝑅𝐶 h11
152
Exercice
On considère l’amplificateur de la Figure suivante :

 Les transistors Q1 et Q2 sont identiques de paramètres β=100,
VA=∞ (Tension Early) et VBE= 0,7V,
 Les transistors Q3 et Q4 sont également identiques et admettent la
tension VA=50V, VBE=0,7V,
 On donne : VT= 26 mV, VCC= 15V, RB= 10KΩ, I3= 400μA et VCE1
= VCE2 = 10V.
Rappel : , ,
Etude statique
1. Déterminer les valeurs des résistances R1 et RC (on néglige
les courants des bases Q3 et Q4),
153
Exercice
Etude dynamique
Dans la partie étude dynamique, nous souhaitons remplacer le générateur de courant (miroir de courant) par sa
résistance interne Ri.
2. Etablir le schéma dynamique faibles signaux du miroir de courant,
3. Déterminer la valeur de la résistance interne R i,
154
Exercice
Etude dynamique
4. Etablir le schéma dynamique faibles signaux du montage,
5. Déterminer :
a. Le gain différentiel Ad,
b. Le gain en mode commun AC,
c. Le taux de réjection en mode commun TRMCdB,
d. La résistance d’entrée différentielle,
e. La résistance d’entrée en mode commun.
155
6. Amplificateur différentiel à 1 AOP

Etude du montage à 1 AOP:
VB VS
+ V A R2
− R3 R4 R 4 V B+ R 3 V S +¿= ¿
V = = R1 + R 2
1
+
1 R 3 + R4 V
R3 R 4
V+ = V-
R 4 V B + R3 V S V A R2
=
R 3 + R4 R 1+ R 2
V S=
R3 [
R3 + R 4 V A R 2
−
V B R4
R 1 + R 2 R 3 + R4 ] V+ = V -
i + = i- = 0
156

Identification du Mode commun:
R 3+ R 4 R2 R4
V S = A 1 [ V A A 2 −V B A 3 ] Avec: A1 = A2 =
R 1+ R 2
A3 =
R3+ R4
R3
Vd
On a: V 1=V A =V M C +
2
Vd
V 2=V B =V M C −
2
Donc:
[(
V S = A 1 V MC +
Vd
2 ) (
A 2 − V MC −
Vd
2
A3 ) ]
V S= [
A1 A2 A1 A3
2
+
2 ]
V d + [ A1 A 2 − A 1 A 3 ] V MC
Gd GMC 157

Circuit avec résistances égales:
R1 = R2 = R3 = R4 = R
Donc : A1 = 2, A2 = 1/2 et A3 = 1/2
V S=
[ ]
1 1
+ V + [ 1 −1 ] V MC
2 2 d
V S =V d
158
6. Amplificateur différentiel d’instrumentation à 3 AOP

Présentation du montage:
Montage différentiel à trois amplis

159

Etude du 1er Etage: Calcul de VS1 ed
e 1=e M C +
2
U R =e1 −e 2=R 1 i V+ = V- e
1 V S 1 −e 1 𝑒1 −e 2 e 2=e M C − d
UR V S 1 − e1 = 2
i= = 2
R2 R1
R2 R2
e1 R2 e2 R2
V S 1= − + e1
R1 R1
(
V S 1=e 1 1+
R2
R1
−
)e2 R 2
R1
V S 1=
ed
2 (
1+
2 R2
R1
+ e MC
)
160

Etude du 1er Etage: Calcul de VS2 ed
e 1=e M C +
2
U R =e1 −e 2=R 1 i V+ = V- e
1 e2 −V S 2 𝑒1 −e 2 e 2=e M C − d
UR e2 − V S 2 = 2
i= = 2
R2 R1
R2 R2
e 2 R 2 e1 R2
V S 2= − +e 2
R1 R1
(
V S 2=e 2 1+
R2
R1)−
e1 R2
R1
V S 2=−
ed
2 (
1+
2 R2
R1 )
+e MC
161

Etude du 3ème Etage
Vsd = VS1 – VS2 (

V sd =e d 1+
2 R2
R1 )
= A d ed
1
V S 1+V S 1
V MC = V MC =e MC
2
Donc: V S = A d × A d × e d + A MC ×e MC
1
Ad × Ad
TRMC = 1
A MC
Cela revient à dire qu’on multiplie le TRMC 2 du deuxième étage par le gain du
premier étage.
Le TRMC du montage global vaut :

TRMC= A d TRMC 2
1
162
Le TRMC global aura alors une valeur élevée,

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Université Ibn Tofail

Facultés des sciences

Cours d’Electronique analogique 1

1 ère année Master Electronique Embarquée

Chapitre 1 : Le transistor bipolaire

Chapitre 2 : Amplification linéaire à transistor bipolaire

Chapitre 3 : Amplificateur en hautes fréquences

Chapitre 4 : Amplificateur de puissance

Chapitre 5 : Montages à plusieurs transistors

Chapitre 6 : Amplificateur différentiel

Transistor à Effet de champ

➤ agir comme un interrupteur commandé ➤amplifier les signaux

Allumer et éteindre les circuits

Les transistors de puissance

 1947: John BARDEEN et Walter BRATTAIN inventent le transistor à contact ( transistor) au

 1948: Herbert MATAR et Heinrich WELKER inventent ( indépendamment de BELL) aussi

 1948: en janvier William SHOCKLEY invente le transistor à jonction (bipolaire) mais la

2. Structure et fonctionnement d’un transistor bipolaire

2. Structure et fonctionnement d’un transistor bipolaire

 Conditions de polarisation : Jonction EB : directe (VBE>0)

L'émetteur est repéré

grandeurs positives grandeurs négatives

 La loi des nœuds permet d'écrire : IE = IC + IB

IC = β . I B (avec b = gain en courant du transistor)

En règle générale b varie de 30 à 300 avec pour valeur courante :

0,99 transistors classiques

4. Montages de base des transistors

Montage émetteur commun Montage base commune Montage collecteur commun

 Le montage émetteur commun

5. Réseau de caractéristiques (montage émetteur commun)

5. Réseau de caractéristiques (montage émetteur commun)

Caractéristiques IC (VCE) du transistor NPN

Si IB > 0 ; transistor saturé; V CE ≈ V CEsat Interrupteur fermé

5. Réseau de caractéristiques (montage émetteur commun)

- La caractéristique de sortie : VCE = f(IC) à

- La caractéristique de transfert : I C = f(IB)

- La caractéristique de transfert : VCE =

Maille collecteur-émetteur: VCC = RC IC + VCE +RE IE

le courant IC est peu sensible aux variations de β.

Maille base-émetteur: VCC = RC (IC + IB) + RB IB +VBE

on en déduit que IC est peu sensible aux variations de si ( β )

Coté gauche du transistor: VCC = UR1 + UR2

Coté droit du transistor: VCC = RC IC + VCE + RE IE

 Si le point de fonctionnement est en P2 alors le

7. Transistor Bipolaire en régime dynamique (Modèle petits signaux)

7. Transistor Bipolaire en régime dynamique (Modèle petits signaux)

b. Matrice hybride appliquée au transistor bipolaire (Transistor émetteur commun)

On peut considérer le transistor monté en émetteur commun comme un quadripôle.

Les équations relatives à cette modélisation sont :

7. Transistor Bipolaire en régime dynamique (Modèle petits signaux)

c. Schéma équivalent (Transistor émetteur commun)

7. Transistor Bipolaire en régime dynamique (Modèle petits signaux)

d. Evaluation graphique des coefficients hybrides

7. Transistor Bipolaire en régime dynamique (Modèle petits signaux)

d. Evaluation graphique des coefficients hybrides

Si IC augmente, les caractéristiques I C= f(VCE) ne

 Les valeurs des paramètres varient avec le point de polarisation du transistor. 25

7. Transistor Bipolaire en régime dynamique (Modèle petits signaux)

Les grandeurs électriques comportent une composante

7. Transistor Bipolaire en régime dynamique (Modèle petits signaux)

est l'impédance d'entrée du transistor

7. Transistor Bipolaire en régime dynamique (Modèle petits signaux)

Application: Polarisation par pont de base EC

un transistor NPN au silicium est polarisé par pont de