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Descriptions
Le transistor (inventé en 1948 par les physiciens américains John Bardeen, Walter Houser
Brattain et William Shockley) a remplacé, pratiquement partout, le tube électronique. C’est
celui dont les processus de fabrication ont été les premiers à être dominés industriellement.
Il a pour inconvénient majeur une consommation relativement importante, ce qui limite la
densité d’intégration.
L'invention du transistor pourrait facilement être considérée comme étant l'invention du
siècle.
Le transistor est un composant électronique actif utilisé principalement comme amplificateur ou
comme interrupteur commandé.
Quelle que soit l’application, on distinguera toujours, lors de l’étude du fonctionnement d’un
transistor, la partie commande (base ) et la partie effet de la commande (collecteur, émetteur).
Formé par l'association de deux jonctions P-N placées en opposition (transistor N-P-N ou P-
N-P), il contrôle le déplacement de charges électriques à travers les jonctions, entre un
émetteur et un collecteur, le contrôle étant assuré par une troisième électrode appelée base.
Unités; Formules
Comme une diode, le transistor utilise les propriétés des semi-conducteurs qui le compose
(silicium et anciennement le germanium).
Un transistor comprend 3 éléments:
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Transistors
- l' Émetteur E qui émet les électrons
- le Collecteur C qui recueille les électrons
- la Base B qui contrôle le passage des électrons entre E et C
Pour une tension Vce constante , si Vbe varie alors Ib varie suivant une courbe analogue aux
caractéristiques d' une diode. Cela donne la caractéristique d'entrée Ib (Vbe):
Etat bloqué:
Si le transistor est polarisé en inverse Veb, aucun courant ne circule dans le transistor et il est
bloqué. De même si la tension Vbe est inférieur à la tension de seuil du transistor ou si le
courant de base est à zero, le transistor se comporte comme un circuit ouvert de telle sorte que
le collecteur est isolé de l'émetteur.
Etat saturé:
En saturation, les deux jonctions du transistor conduisent Ib > Ibsat
Vce = Vcesat
Ic > 0
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Transistors
La caractéristique de sortie à Ib constant donne aussi dans sa partie linéaire la caractéristique
de transfert Ic ( Ib ) et permet de déterminer le gain ou l'amplification en courant du
transistor ß ( bêta )
Le transistor est bloqué lorsque ses deux jonctions sont en polarisation inverse.
Le transistor est en fonctionnement normal direct lorsque la jonction de commande BE est en
polarisation directe et que la jonction BC est en polarisation inverse. Le transistor est
en fonctionnement normal inverse lorsque la jonction de commande BE est en polarisation
inverse et que la jonction BC est en polarisation directe. Le transistor est saturé lorsque ses
deux jonctions sont en polarisation directe.
Transistors bipolaires :
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Transistors
Si on branche un générateur Vcc entre le collecteur et l'émetteur:
Aucun courant ne peut circuler puisque le transistor est équivalent à deux jonctions PN en
opposition entre collecteur et émetteur, (figures ci-dessous). Le transistor est bloqué.
Transistor bloqué: + Charge positive libre, - Charge négative libre
Transistor passant :
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Transistors
Si on ajoute un générateur Vbb entre base et émetteur le champ Ebsupérieur à e2 va
permettre de vaincre la barrière de potentiel créée par la jonction et autoriser la circulation des
électrons entre émetteur et base, il va donc se créer un courant Ib (figure ci-dessus).
Ces électrons vont sous l'action du champ électrique Ec (crée par Vcc) rejoindre le collecteur
et ainsi il va se créer un courant Ic. Le transistor devient passant.
On peut remarquer que Ic va augmenter proportionnellement à
Ib .
En résumé:
1) Si Ib = 0, on a Ic = 0, le transistor est bloqué.
2) Si ib circule, on a Ic qui circule entre collecteur et émetteur, le transistor conduit.
La structure du transistor le rend donc apte à amplifier un signal d'entrée. Pour ce faire, le
transistor doit être polarisé ; c'est-à-dire qu'il y aura une différence de potentiel entre base et
émetteur (VBE) et collecteur et émetteur (VCE).
En général, on peut calculer le gain d'un transistor
avec les équations suivantes: IE = IB + IC ;
Où : IE = courant d'émetteur ; IB= courant de base ;
IC= courant de collecteur ;
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Transistors
On remarque que :
- lorsque Ib = 0, Ic est sensiblement égal à 0 quel que soit Vce.
- lorsque Ib augmente, Ic augmente proportionnellement à Ib .
- il existe des valeurs maximales à ne pas dépasser sous peine de destruction de transistor.
Ces valeurs sont Ic maximal, Vce maximal et la puissance maximale que le transistor peut
dissiper (P = Vce · Ic).
On retrouve ces valeurs maximales sur les fiches techniques éditées par les constructeurs telle
la fiche technique du transistorBC237 (figure suivante). Link: www.alldatasheet.com
Fiche technique du transistor BC237:
Modèles de boîtiers:
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Transistors
Cette figure souligne l'importance de l'identification des bornes B, C et E, qui sont très
rarement inscrites directement sur le transistor.
Il est donc important de vérifier la position de chaque patte avant de brancher le transistor.
Les divers boîtiers sont conçus de façon à ce que les impuretés comme les poussières, les gaz
ou l'humidité contenus dans l'air ne puissent atteindre les matériaux semi-conducteurs.
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Transistors
MONTAGE DARLINGTON:
On peut grouper des transistors ensemble. On fait ceci dans le but d'avoir un gain en courant
plus grand.
En effet, on se sert du courant amplifié de l'un
(IET1) pour commander la base de l'autre (IBT2).
T1
Ceux-ci se branchent comme illustré. T1
T2 T2
Le courant d'émetteur du premier transistor (IET1)
est le courant de base du deuxième transistor
(IBT2) qui le multiplie à son tour par son facteur ß.
On retrouve :
- IC = 0 en fonctionnement bloqué
- IC = β IB en fonctionnement linéaire
- IC = ICsat en fonctionnement saturé
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Transistors
Quelques fonctions élémentaires à base de transistors bipolaires:
• Amplificateurs en classe A
– Paramètres caractéristiques des montages les plus courants
• Darlington ou super-transistor
• Amplificateurs en classe B
• Miroir de courant
• Paire différentielle
• Amplificateur opérationnel
Au temps , on admet que est bloqué et que est saturé. En , on suppose que la
base de devient légèrement positive : se sature et son potentiel de collecteur diminue
brutalement. Une impulsion de tension négative est générée sur ce collecteur. Comme le
potentiel passe de à , le potentiel passe de (voisin de )
à car la charge du condensateur n'a pas le temps de varier pendant
la durée de la transition.
Le potentiel de la base de devenant négatif, celui-ci se bloque.
Le potentiel de son collecteur croît vers .
Le condensateur se charge à travers et l'espace base émetteur du transistor (qui
est alors saturé) avec une constante de temps égale à .
Le potentiel de la base de reste légèrement positif ce qui assure le maintien de sa
saturation.
Après le blocage de , le potentiel de sa base croît de à avec une
constante de temps car le condensateur se charge à travers et l'espace
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Transistors
collecteur émetteur de qui est saturé. Quand dépasse la tension de seuil le
système bascule vers son autre état.
Le système oscille en permanence entre ces deux états instables. La figure 74 représente
l'évolution des potentiels des collecteurs et des bases des deux transistors en fonction du
temps.
La saturation est très rapide mais le blocage est progressif à cause de la durée de charge des
condensateurs à travers les résistances de collecteurs.
Sur chaque collecteur, on obtient un signal de sortie qui est pratiquement rectangulaire. La
période et le rapport cyclique (rapport entre les durée des états hauts et des états bas) sont des
fonctions des valeurs des résistances des bases et des condensateurs de couplage.
C C
C C
B B B B
E E
E E
NPN PNP
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Transistors
Afin de vérifier qu’un transistor est en état de fonctionner, la procédure habituelle consiste à
vérifier l’état des jonctions base-émetteur et base collecteur. Il s’agit ainsi de vérifier si les
jonctions bloquent dans un sens et conduisent dans l’autre.
Le multimètre, étant en position diode, fait passer un courant dans la jonction sous test. En
direct, on retrouve à l’affichage du multimètre la tension de la jonction. Elle devrait se situer
entre 0,4V et 0,7V. La borne rouge du multimètre indique alors le côté P et la borne noire
indique le côté N.
Mesure le gain. Un certain nombre de multimètres disposent de la fonction "hfe" qui permet
de tester un transistor bipolaire. Il faut respecteur les connexions et savoir si c'est un NPN ou
un PNP. La valeur qui s'affiche représente le gain en courant (qui s'appelle hfe) du transistor.
Ce gain est compris entre 100 et 1000 pour la plupart des transistors. Il est plus faible pour les
transistors de puissance (10 à 50).
Ub = 0,7V
Ib = U/R = (5V – 0,7V) / (330k + 100k) =
330k 100 = 4,3V / 430k = 0,01 mA
5V
Gain en courant est Ic / Ib
Ampèremètre
100k Si Ic = 1 mA
Transistor
Gain I = 1 mA / 0,01 mA = 100
sous test
Le circuit de la Figure qui nous permet d’évaluer le gain en courant (ß) de nos transistors.
Une lecture de 1mA sur le multimètre (ampèremètre) indiquera un ß de 100.
De même, une lecture de 2mA indiquera un ß de 200; etc...
Amplificateur de signal:
Fonction amplification linéaire, en modulant le courant base autour d'une valeur, on contient
une modulation plus importante du courant collecteur
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Transistors