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III-1 Définition :
Un transistor bipolaire est un dispositif constitué de trois zones différemment dopées
d’un même cristal qui forment deux jonctions pn montées en opposition avec une zone commune. Les
trois zones sont appelées émetteur, base et collecteur. Le transistor bipolaire est caractérisé par le fait
que l’épaisseur de la zone base est très faible (typiquement de l’ordre de µm ; très inférieur à la
longueur de diffusion des porteurs minoritaires) ce qui permet un fort couplage entre la jonction
constituée de l’émetteur -base et celle de base-collecteur et qui est à l'origine de l'effet transistor.
Il existe deux types de transistors bipolaires : comme le montre la figure1.
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Chapitre III- Transistor bipolaire.
Dans les trois régions dopées, les concentrations en porteurs ne sont pas les mêmes. La
largeur de la zone de déplétion côté émetteur (fortement dopé) est donc beaucoup moins large
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Chapitre III- Transistor bipolaire.
que celle du côté base qui est très peu dopée. La largeur de la zone de déplétion du côté
collecteur est presque la même que celle de la base.
La concentration des porteurs minoritaires injectés dans l'une des régions reste
faible devant celle des majoritaires, (hypothèse de faible injection).
Dans les zones de charge d'espace, les phénomènes de génération-recombinaison
sont très faibles et considérés négligeables.
La région de base est très étroite et très peu dopée.
La région de base, la durée de vie des porteurs minoritaires est importante et leur
temps de transit est réduit. C’est-à-dire la longueur de diffusion de ces porteurs est beaucoup
plus grande que la largeur de la base.
II-4 : L’amplification :
En électronique, un dispositif amplificateur permet d’augmenter l’amplitude d’un signal
.Ainsi un courant est amplifié lorsque sa valeur de sortie est supérieure à sa valeur d’entrée
.Ceci ne se fait pas sans apport d’énergie extérieure. Il faut un dispositif qui
Puisse fournir de l’énergie c’est l’alimentation extérieure du dispositif amplificateur. Le
courant de sortie peut être modulé soit par un courant, comme nous le voyons pour un
Transistor bipolaire, soit par une tension comme c’est le cas des transistors à effet de
Champ que nous étudierons plus loin.
Le transistor bipolaire fonctionne, en mode active, comme un amplificateur dans lequel
un faible courant de base iB contrôle un grand courant sur le collecteur iC. le courant iC
provient essentiellement du courant de trous. Le courant de base correspond à des
électrons qui sont injectés dans la base. L’origine de processus d’amplification provient
De ce que la neutralité électrique est préservée.
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Chapitre III- Transistor bipolaire.
La figure représente les densités des minoritaires en fonction des tensions appliquées aux
deux jonctions.
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Chapitre III- Transistor bipolaire.
EXCERCISES SUPPLIMENTAIRES :
EXERCICE 1 :
On considère une jonction p+n en silicium à 300k.la zone n est dopé à 1016atomes cm-3et la
zone p à 1018atomes cm-3.On supposera que le nombre de porteurs du silicium intrinsèque est
ni=1.45*1010cm-3et que la constante diélectrique relative du silicium vaut εr = 11.9.
2-Calculer le nbre d’électrons dans la zone p et le nbre des trous dans la zone n.
4-Que deviennent ces épaisseurs lorsque la diode est polarisée en inverse avec une tension de
5V et lorsqu’elle est polarisée en direct avec une tension de 0.5V.
EXERCICE 2 :
On considère un transistor silicium npn à 300k. La base, qui a une épaisseur de 1µm, est dopé
avec Na=5.1015atomes cm-3 et le collecteur avec Nd=5.1016atomes cm-3.
SOLUTIONS :
EXERCICE 1 :
2-Le nombre des électrons dans la zone p et le nombre des trous dans la zone n vaut :
les donneurs sont complètement ionisées donc, ne(n)=Na= 1016cm-3, nh(p)=Nd= 1018 cm-3
3-La largeur des zones de déplétion en absence de polarisation dans les régions n et p est
calculée à partir des équations suivantes :
AN:
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Chapitre III- Transistor bipolaire.
4- Pour une tension de polarisation Va= 5V en inverse, la barrière devient V0+ Va=5,816 V.
-Pour une tension de 0,5 V dans le sens direct (passant), la barrière devient V0-Va=0,316 V cela
nous donne ;
EXERCICE 2 :
-Le calcul est analogue à celui d’une jonction pn, la largeur de la zone de déplétion vaut :
Lb=√ (2.11,9.8,854.10-12(0,72+5).5.1022)/(1,6.10-19.5.1021(5.1021+5.1022))
Lb = 1,17 µm.