LE TRANSISTOR

Un transistor est un dispositif electronique a base de semi-conducteur. Son principe de

fonctionnement

est base sur deux jonctions PN, l'une en direct et l'autre en inverse. La polarisation de la jonction PN

inverse par un faible courant electrique (parfois appele effet transistor) permet de ≪ commander ≫
un

courant beaucoup plus important, suivant le principe de l'amplification de courant.

1. Présentation

Un transistor est constitue de 2 jonctions PN (ou diodes) montees en sens inverse. Selon le sens de

montage de ces diodes on obtient 2 types de transistors :

Symbole electrique :

Remarques :

L'emetteur est toujours repere par une fleche qui indique le sens du courant dans la jonction entre

base et emetteur. C'est l'effet transistor qui permet a la diode qui est en inverse de conduire quand

une tension est appliquee sur la base.

NPN PNP

On peut considerer le transistor comme l’association de deux diodes dont la representation ci-dessus

peut aider.

2. Polarisation d’un transistor

2.1. Règles

Deux sources d'alimentation sont necessaires pour assurer un fonctionnement correct du transistor.

Elles sont souvent notees :

• VBB : alimentation du circuit Base

• VCC : alimentation du circuit Collecteur

Remarque : L'alimentation VBB est parfois realisee a partir de VCC

2.2. Caractéristiques d’un transistor

Les constructeurs donnent en general les valeurs ci-dessous a ne pas depasser afin d'eviter la

deterioration du transistor :

• VCE0 ou VMAX : tension collecteur/emetteur maxi (a VBB = 0V)

• VBE0 : tension base/emetteur maxi

• IC max : courant maxi dans le collecteur

• P : puissance maxi que peut dissiper le transistor (avec P = VCE.IC)

2.3. Principe

C’est un petit courant dans la base (Ib) qui permet le passage d'un courant

beaucoup plus fort du collecteur vers l'emetteur (Ic). Le courant de base est

multiplie par un coefficient β :

Ic = β.Ib

Dans le cas présent le courant dans le moteur est égal à 200

fois le courant de base.

Remarques :

Ce coefficient β (gain en courant du transistor) est souvent note Hfe dans les catalogues

constructeurs. Il est parfois aussi appele coefficient d'amplification statique en courant.

En regle generale β varie de 30 a 300 avec pour valeur courante :

• Transistors dit "petit signaux" : 100 < β < 300

• Transistors dit de "puissance" : 30 < β < 100

2.4. Calcul de la résistance de base

La resistance de base doit etre calculee pour avoir un courant de base suffisant.

Quand le transistor est utilise en commutation, deux cas sont possibles :

Soit le courant de base est nul et le transistor est

bloque. Il est equivalent a un interrupteur ouvert.

Soit le courant de base est suffisant et le

transistor est sature. Il est equivale

Le point de depart pour le calcul d'une resistance de base Rb est le courant Ic.

Ce courant est calcule en fonction de la resistance de la charge et de la tension a ses bornes.

Attention, la tension Vce sat est proche de 0 V mais pas nulle.

Le courant de base Ib doit etre suffisant pour saturer le transistor : β.Ib ≥ Ic

Si dans notre cas β est au moins egal a 200 d'apres la documentation constructeur, il nous faut

Connaissant Ib, il est maintenant possible de calculer Rb :

V0H est la tension au niveau haut en sortie de la porte NAND : V0H = 3,5V selon la documentation.
Nous pouvons calculer Rb theorique :

Pour garantir une bonne saturation, il est d'usage de choisir une resistance normalisee 2 a 3 fois plus

petite, ou on adopte un coefficient de "sursaturation" compris entre 2 et 3 Ib.

Nous choisirons Rb = 1,2 kΩ

Types:

Il existe différents types de transistors : bipolaires, unipolaires (FET, JFET, JUGFET, IGFET),
unijonction UJT. Tous ont des caractéristiques qui leur sont propres, et sont capables de travailler sur
des plages de puissances très variées (de quelques milli-watts à plusieurs centaines de watts), et sur
des plages de fréquences elles aussi très variées (de quelques hertz à plusieurs giga-hertz), selon le
modèle.

La caractéristique principale d'un transistor est de permettre la variation (on dit aussi modulation)
d'un courant entre deux électrodes, quand une tension ou courant est appliqué sur une ou plusieurs
autres électrodes. Les transistors ont remplacé les tubes électroniques, sauf dans certaines
applications où le tube n'a pas encore trouvé de remplaçant .
Lorsque l'on conçoit un montage électronique, on se doit de choisir le transistor qui convient le
mieux à l'application envisagée, en s'aidant des caractéristiques fournies par les constructeurs dans
leurs documents techniques .

Transistor bipolaire :

Il s'agit très certainement du type de transistor le plus employé, aussi bien dans le domaine des
basses fréquences que des hautes fréquences, des faibles puissances que des hautes puissances. On
l'appelle d'ailleurs tout simplement "Transistor". Il en existe des dizaines de milliers de références, de
type NPN ou PNP, mais il est tout de même possible de les classer par ordre de puissance, de
fréquence, de gain. Ce qui avouons-le, permet de choisir plus facilement un remplaçant le jour où on
ne trouve plus l'original... Un transistor bipolaire possède trois électrodes nommées E (émetteur), C
(collecteur) et B (base).. Le transistor bipolaire peut être utilisé en base commune, en émetteur
commun ou en collecteur commun, mais c'est en montage émetteur commun qu'on le retrouve le
plus souvent utilisé (l'émetteur est commun à l'entrée et à la sortie).
Exemples : 2N2222, 2N2907, BC107, BC557, etc...

Transistor à effet de champ (FET):

FET(eng) = Field Effect Transistor, Transistor à effet de champ.

Le transistor à effet de champ est un transistor unipolaire, et est particulièrement employé quand il
est nécessaire d'avoir une très haute impédance d'entrée. Contrairement à l'impédance d'entrée
d'un transistor bipolaire, qui varie selon son mode de branchement mais qui reste tout de même
assez faible dans tous les cas, le FET présente une résistance d'entrée de plusieurs MégaOhms à
plusieurs dizaines de MégaOhms . Cette caractéristique principale le destine tout particulièrement
aux étages d'entrée BF(basse fréquence) ou au étages d'entrée d'appareils de mesure (voltmètre ou
fréquencemètre par exemple), où son influence sur le signal "prélevé" pourra être insignifiante. Le
transistor FET peut également être utilisé en résistance variable : usage dans des VCA ou dans des
régulateurs de niveau (compresseur ou limiteur de modulation). Un transistor FET possède trois
électrodes nommées D (drain), S (source) et G (gate ).
Exemples : 2N3819, 2N5457, J101, etc

Transistors MOSFET:

Il existe des transistors MOSFET de petite puissance et de forte puissance. Ceux de forte puissance
sont capables de supporter des courants de plusieurs ampères à plusieurs centaines d'ampères, ce
qui bien entendu impose une résistance ohmique à l'état passant très faible. On ne peut en effet
envisager d'utiliser un transistor dont la résistance est de 1 ohm pour faire passer 50 ampères.
C'est pourquoi il n'est pas rare de trouver des transistors de cette catégorie qui affichent une
résistance passante de quelques milli-ohms ou quelques dizaines de milli-ohms. par comparaison
aux transistors bipolaires, on arrive à commuter des puissances importantes avec moins de pertes et
moins d'échauffement. Ce type de transistor est souvent préféré pour la commande de charges
importantes ou pour limiter la taille - ou même supprimer complètement - les encombrants
dissipateurs thermiques.
Exemples en faible puissance : BS170.
Exemples en forte puissance : BUZ10, BUZ20, IRF540, IRF840 (8 A / 0,85 ohm), IRFZ44 (49 A / 0,022
ohms), IRF3205 (110 A / 0,008 ohms).

Transistors haute tension:

La majorité des transistors classiques acceptent de travailler sans dommage avec des tensions de
quelques dizaines de volts. Quand on veut travailler avec des tensions supérieures à 80 V, il faut
commencer à regarder de près le type de transistor qui convient le mieux à l'application envisagée.
Pour des tensions de plusieurs centaines de volts, il faut employer des transistors vraiment faits pour.
Exemples : BU508 (bipolaire classique de la déviation horizontale dans les téléviseurs cathodiques),
IRGS14 (transistor IGBT / 400 V).

Transistors IGBT:

IGBT(eng)= Insulated Gate Bipolar Transistor = Transistor bipolaire à grille isolée.

Un transistor IGBT est un transistor de forte puissance, on ne le choisit pas pour allumer une LED ou
commander un petit relais. Côté "conduction" il se comporte comme un transistor bipolaire classique
avec deux jonctions B (base) et E (émetteur), et côté "commande" il se comporte comme un
transistor à effet de champ (MOSFET pour être plus précis), avec une grille de commande (G, Gate).
Comme ce composants est structuré sur deux principes différents, il est considéré comme hybride.
Comme la commande se fait sur grille, le courant de commande est négligeable et la commande se
fait donc en tension. La tension max entre collecteur et émetteur peut atteindre plusieurs milliers de
volts, le courant max peut atteindre plusieurs centaines d'ampères (selon modèle ) et la fréquence de
commutation peut grimper à quelques kHz. La tension de saturation (Vcesat) dépend beaucoup des
modèles, comme c'est le cas aussi avec les transistors MOSFET. Elle peut être inférieure à 2 V comme
elle peut être supérieure à 5 V, et dépend toujours de la valeur du courant collecteur (comme pour
les autres types de transistors). Du fait de ces caractéristiques particulières, un transistor IGBT se
prête à un usage direct sur le secteur 230 V ou plus, et peuvent être utilisés par exemple dans des
onduleurs ou des hacheurs. Le transistor IGBT est plus souvent utilisé en tout ou rien (commutation)
mais on peut aussi l'utiliser dans le domaine de l'amplification linéaire en basse fréquence.
Exemple : GT40WR21 (1800 V / 40 A / 375 W).

Transistors RF:

Il s'agit de transistors spécialement conçus pour des applications "rapides". Les capacités parasites
entre les jonctions d'un transistor limitent la fréquence de fonctionnement d'un transistor, et si ces
capacités parasites sont élevées, le transistor ne peut pas fonctionner rapidement. On ne se pose pas
trop la question quand on veut utiliser un transistor en commutation lente, par exemple pour piloter
un relais. Mais quand on veut qu'il suive la cadence, il faut bien regarder tout ça de près.
Notez que même pour une commutation lente, la vitesse de passage de l'état bloqué à l'état passant
est importante, surtout si les courants à commuter sont importants. Plus le transistor commute vite,
et moins on perd de puissance.

Transistor Unijonction (UJT et PUT):

UJT(eng)= UniJonction Transistor, Transistor unijonction.

PUT(eng) = Programmable Unijonction Transistor, Transistor unijonction programmable.
Appelé aussi "Diode à double base", le transistor unijonction est un transistor bipolaire un peu
particulier, qui possède trois connexions mais une seule jonction (d'où son nom). Ses trois électrodes
sont nomées E (émetteur), B1 (base 1) et B2 (base 2).
L'UJT est principalement utilisé pour la réalisation d'oscillateurs (à relaxation, pour être précis) car il
possède la particularité d'offrir une résistance négative dans une partie de sa courbe de
caractéristiques.
Exemples : 2N2646, ...
 Brochage :

La majorité des transistors - qu'ils soient bipolaires ou à effet de champs - possèdent trois pattes,
avec parfois une quatrième patte raccordée au boîtier (ce dernier étant métallique). La
correspondance entre schéma électronique et brochage physique n'est pas toujours la même selon
le type de transistor employé. Prenons l'exemple du transistor très répandu portant la référence
2N2222 et qui est un transistor NPN présenté dans un boîtier métallique. On trouve pour ce dernier
un équivalent appelé PN2222 qui est en boîtier plastique TO92. Pour connaître le brochage de ce
dernier il convient de se référer aux indications fournies par le fabricant dans ses documents
techniques .
Un transistor de type BC237, également NPN et également en boîtier plastique TO92, présente un
brochage inversé par rapport à celui du PN2222 (les connexions E et C sont interverties). Trois pattes
suffisent pour disposer d'un nombre suffisant de configurations de câblage dangereuses et brancher
un transistor de façon incorrecte et le griller. Il faut donc bien faire attention et toujours vérifier leur
câblage avant mise sous tension. Pour faciliter la chose, certains boîtiers intègrent deux transistors,
portant le nombre de pattes à 6. Mais cela n'est finalement pas plus compliqué, dans tous les cas il
faut se référer au document constructeur correspondant à la marque et au modèle de composant
que vous avez.

Il existe plusieurs types de brochages, et un composant de même référence peut même parfois
exister avec différents brochages (ce genre de cas n'est heureusement pas majoritaire) ! Vous devez
donc impérativement vous renseigner pour savoir comment se branche tel ou tel transistor.

Principe de fonctionnement:

Les transistors MOS et bipolaires fonctionnent de façons très différentes :

Le transistor bipolaire est un amplificateur de courant, on injecte un courant dans l’espace

base/émetteur afin de créer un courant multiplié par le gain du transistor entre l’émetteur et le
collecteur.
Les transistors bipolaires NPN (négatif-positif-négatif) qui laissent circuler un courant de la base (+)
vers l’émetteur (–), sont plus rapides et ont une meilleure tenue en tension que les transistors PNP
base (–) émetteur (+), mais peuvent être produits avec des caractéristiques complémentaires par les
fabricants pour les applications le nécessitant.

Le transistor à effet de champ. Son organe de commande est la grille (gate en anglais). Celle-ci n’a
besoin que d’une tension (ou un potentiel) entre la grille et la source pour contrôler le courant entre
la source et le drain. Le courant de grille est nul (ou négligeable) en régime statique, puisque la grille
se comporte vis-à-vis du circuit de commande comme un condensateur de faible capacité.

Emplois et applications :

Les deux principaux types de transistors permettent de répondre aux besoins de l'électronique:

 analogique.

 numérique.

Et à ceux de l'électronique de puissance et haute tension.

La technologie bipolaire est plutôt utilisée en analogique et en électronique de puissance.

Les technologies FET et CMOS sont principalement utilisées en électronique numérique . Ils peuvent
être utilisés pour faire des blocs analogiques dans des circuits numériques ( par exemple :régulateur
de tension). Ils sont aussi utilisés pour faire des commandes de puissance (moteurs) et pour
l'électronique haute tension (automobile).
Ils offrent une meilleure linéarité dans le cadre d'amplificateurs Hi-Fi, donc moins de distorsion.

Un mélange des deux technologies est utilisé dans les IGBT.

Sauf dans le domaine des fortes puissances, il est devenu rare de n’avoir qu’un seul transistor dans
un boîtier .

Les circuits intégrés ont permis d’en interconnecter d’abord des milliers, puis des millions.
L'intégration de plus d'un milliard de transistors sur un seul composant a été atteinte en juin 2008
par Nvidia avec la GT200. La puce, utilisée comme processeur graphique (GPU) atteint 1,4 milliard
de composants électriques gravés en 65 nanomètres, sur une surface d'environ 600 mm².