Transistors

TRANSISTOR BIPOLAIRE
1
composant électronique actif fondamental
utilisé comme interrupteur commandé et pour

l'amplification, mais aussi pour stabiliser une tension,
moduler un signal ainsi que de nombreuses autres
utilisations
provient de l’anglais transconductance varistor (résistance
variable de transconductance) Bell Labs 1948
dispositif semi-conducteur à trois électrodes actives qui
permet le contrôle grâce à une électrode d'entrée (Base)
d'un courant ou d'une tension sur l'une des électrodes de
sorties (Collecteur).
2
2 types , 3 électrodes, 2 jonctions

Sens des courants imposé
3
3 états
Bloqué
 IB=IC = 0
 VBE < 0.7V
Saturation
 Ic =Icsat<  IB (critère de saturation)
 VCE = 0 à 0.1V (conséquence de la saturation)
Linéaire
 VCE > 1V
 IC =  IB ( donnée constructeur entre 50 et 150)
 VBE = 0.7V (jonction EB passante)
4
Analogique hydraulique
un courant IB assez faible permet
l'ouverture du "robinet" (B), ce qui
provoque via l'émetteur (E)
l'écoulement d'un fort courant Ic
en provenance du réservoir
collecteur (C).
lorsque le "robinet" est

complètement ouvert, le courant
Ic est maximal: il existe donc (on
s'en doutait!) une limite physique
au gain en courant.
5
Étude du point de fonctionnement (T. NPN)
B, E, C
3 courants, 3 tensions
IE= IB+IC et VBC = VBE-VCE
On conserve 4 coordonnées: P (VBE, IB, VCE, IC)
Exemple: déterminer P
+Vcc +Vcc
R1 Rc
R2
6
Caractéristiques d’entrées / sorties
3 régimes de fonctionnement:
Identifier bloqué, linéaire, saturé
0.7
7
Illustration des trois régimes
Vcc =12V
Rc = 1k
Rb = 10k
Déterminer l’état du transistor en fonction de la valeur de E entre 0 et 5V

On donne  = 100
8
Photos:
 Voici différents types de boitiers de transistors bipolaires.
 En général plus les transistors sont gros, plus ils pourront
dissiper une puissance importante, c'est à dire laisser
passer un courant et/ou une tension importante. (Puissance
= Courant * Tension).
 Il existe deux types de transistors bipolaires: PNP et NPN.
Nous verrons plus bas quelle est la différence entre ces
deux types.
9
Transistors CMS (Composants Miniatures de Surface).

Quelques noms de boitier: SOT223, SOT23
Exemples de références courantes: NPN: BC847,
BC817; PNP: BC857, BC807
Transistors à usage général: commutation,
amplification, ... (pour les courants faibles)
Quelques noms de boitier: TO92
Exemples de références courantes: NPN: BC547, BC548,
BC549, BC337; PNP: BC557, BC558, BC559, BC327
Transistors faible bruit (pour l'audio) et haute
fréquence. (Les transistors à boitier métallique ne sont
plus tres courants)
Quelques noms de boitier: TO18, TO72, TO5, TO39,
SOT37
Exemples de références courantes: NPN: 2N2222,
2N2219; PNP: 2N2907, 2N2905
10
Transistors de moyenne puissance (>1W)

Exemples de références courantes: NPN: BD135, BD435;
PNP: BD136, BD436
Transistors de moyenne puissance (Ce type de boitier est
très peu utilise)
Exemples de références courantes: NPN: BF869; PNP: BF870
Transistors de moyenne puissance (ils dissipent un peu plus

que les transistors précédents: quelques dizaines de watts)
Exemples de références courantes: NPN: BD241, TIP31;
PNP: BD242, TIP32
11
Transistors a forte dissipation (de l'ordre de la centaine de

watts)
Quelques noms de boitier: TOP3, TO264, SOT39, ...
Exemples de références courantes: NPN: BD249; PNP:
BD250
Transistor à forte dissipation (plusieurs centaines de watts)
Exemples de références courantes: NPN: 2N3055; PNP:
2N2955
Quelques vieux transistors (celui qui est en haut à gauche

est un transistor au germanium, matériau maintenant
abandonné au profit du silicium)
Exemples de références: AC181
12
Symboles des transistors bipolaires:
Il faut retenir les noms des pattes. L'émetteur est toujours
repéré par la flèche. Le sens de la flèche indique le type de
transistor.
Les deux types de transistors sont nécessaires et
complémentaires. Pour certaines applications, on peut
utiliser indifféremment les deux types; pour d'autres, on doit
utiliser exclusivement un certain type (notamment pour les
amplificateurs audio de classe B).
Les noms PNP et NPN viennent du type des jonctions à
l'intérieur des transistors. Pour le transistor PNP, on a une
zone dopée P, puis N (la base), puis P.
13
Symboles des transistors bipolaires:
Le transistor PNP est un peu moins courant que son

homologue le NPN. En général, on s'en sert lorsqu'on
ne peut pas mettre un transistor de type NPN. Mais ce
n'est pas une raison pour l'ignorer!
La flèche rentre dans le transistor pour un PNP (c'est
une convention)
Le transistor NPN est généralement celui qu'on utilise

par défaut
La flèche sort du transistor NPN
14
Fonctionnement d’un Transistor bipolaire:
Sens des courants et tension pour un transistor PNP
Sens des courants et tension pour un transistor NPN
Voilà comment tester un transistor bipolaire. Ca permet de

reconnaître si le transistor est de type PNP ou NPN.
15
Les informations que vous trouverez ci-après ont été volontairement
simplifiées pour qu'elles soient compréhensibles.
Par analogie avec la page précédente, on peut différencier trois états
pour le transistor: bloqué, passant, et saturé (le débit est maximum).
 Première chose à savoir: Ic = ß x Ib.
Cela signifie que le courant pouvant circuler dans le collecteur du

transistor est proportionnel au courant circulant dans la base.
(ß est le gain du transistor. Il vaut de l'ordre de 200 pour les
transistors de signal. Plus les transistors sont "gros", plus ce gain est
faible).
16
 Deuxième chose à savoir: Ic = Ie.
En effet, la formule exacte est Ie = Ic + Ib.
Mais comme ß est "grand", le courant de base est négligeable par

rapport au courant de collecteur.
Lorsque Ic < ß x Ib, le transistor est saturé, on a alors:
Vce = Vce_sat.
C'est également un paramètre constructeur qui dépend beaucoup du

transistor. pour les transistors de signal il vaut environ 0.2V.
17
Caractéristiques statiques d’un transistor:
Caractéristique Ic = F(Ib)
Simple illustration de la formule Ic = ß x Ib.

A noter que Ic peut être inferieur à ß x Ib (soit Ib > Ic / ß).
Dans ce cas, le transistor est saturé.
18
Caractéristique Ic = F(Vbe)
Lorsque la tension Vbe est nulle, aucun courant ne circule
dans le collecteur (donc non plus dans l'émetteur). Si on
reprend l'analogie avec la première page, le robinet est
fermé. On dit que le transistor est bloqué.
Lorsque la tension Vbe vaut environ 0.7V (dépend des
transistors), le transistor est passant, et il peut être
saturé.
Pour savoir si le transistor est saturé ou non, il faut
regarder le graphique ci dessous.
Lorsque Vbe est entre 0 et 0.7V, le transistor est
quasiment bloqué, Ic est négligeable.
19
Caractéristique Vce = F(Ib)

Sur cette caractéristique, on distingue bien les trois
zones de fonctionnement du transistor. C'est à mon
avis la caractéristique la plus utile pour comprendre le
fonctionnement du transistor même si elle n'est dans
aucun livre.
~ Ib = 0 => Vce peut prendre les valeurs qu'"il veut".
C'est à dire que le transistor est bloqué et Ic = 0.
~ 0 < Ib < Ib_sat => le transistor est passant mais
non saturé. Vce est supérieur à Vce_sat = 0.2V. Il y a un
courant qui circule.
~ Ib >= Ib_sat => le transistor est saturé. Pour
toute valeur de Ic < ß x Ib, la tension Vce reste constante
et vaut Vce_sat = 0.2V pour un transistor de faible
puissance. 20
Caractéristique Vce = F(Ic)
Cette caractéristique est celle donnée dans tous les livres.
Elle montre que pour une valeur fixée de Ib, si le courant
Ic est faible, on a Vce < 0.7V et le transistor est saturé.
Par contre, si Ic devient trop important, le transistor se
comporte comme un générateur de courant presque
parfait, et on a Ic = ß x Ib.
La droite en bleu représente la "droite de charge" cette

droite représente les valeurs des couples (Ic,Vce)
lorsqu'on fait varier Ib. C'est un cas particulier, en fait on
obtient une droite de pente 1/R.
Cet exemple sert uniquement à illustrer le graphique
précédent. Ainsi on constate à nouveau que le fait
d'augmenter Ib permet d'augmenter Ic, et entraine une
diminution de Vce.
21
Le transistor en petits signaux ou
régime dynamique
HYPOTHESE: REGIME LINEAIRE
Modélisation:
on exprime vbe = f(ib, vce) et ic = f(ib, vce)
en linéarisant les caractéristiques autour du
point de fonctionnement
Soit vbe = h11 ib + h12vce
et ic = h21ib + h22 vce
H matrice hybride
22
régime dynamique
Donner les définitions des hij et leurs dimensions
23
régime dynamique
Expérimentalement: h12 est très faible (10-4)
 h11 et 1/h22 de l’ordre du k
 h21 noté dans les doc hFE de l’ordre de 
(attention la valeur de  est une valeur statique)
24
Préparation du TP
Le montage
Déterminer le point de
fonctionnement
 Régime statique ?
f = 1kHz
 Eq dte d’attaque ?
 Eq dte de charge ?
Montage en petits
signaux: redessiner le
montage en régime
dynamique avec valeurs
de C : supposées >> 10
µF
25
Préparation du TP
Déterminer A0 = vRL /e
si RL =infini
Même question si RL est
finie
En déduire l’impédance de
sortie du montage
Déterminer l’impédance
d’entrée du montage
Gain en courant et en
puissance
Quel est le rôle de ce
montage, quelles sont ses
limitations ?
26
Transistor bipolaire en commutation:
Introduction
 Nous allons maintenant étudier le transistor en

commutation. C'est à dire qu'il ne peut prendre que deux
états: bloqué ou saturé. Il faut savoir que ce mode de
fonctionnement est le plus courant.
 On peut assimiler le transistor à un interrupteur commandé

électriquement. La commande étant la base, et
l'interrupteur étant entre le collecteur et l‘émetteur.
27
~ Ainsi pour un transistor NPN, lorsque Vbe = 0, le transistor est bloque.
Ca signifie que Ic = Ie = 0, et Vce est quelconque positif (Inferieur à

Vcemax tout de même, sinon le transistor grille). La valeur de Vce dépend
du montage.
~ Et lorsque Vbe = 0.7V (tension de seuil de la diode base émetteur), le

transistor est passant. Pour qu'il soit saturé, on a vu qu'il fallait que Ib >
Ic/ß
Cela signifie que Vce = Vcesat = 0.2V pour un transistor de faible

puissance. Le courant peut alors circuler dans le transistor du collecteur
vers l‘émetteur. Ce qu'il faut bien voir c'est que le transistor se comporte
comme un interrupteur.
~ Pour le transistor PNP, c'est exactement le même principe:
~ Lorsque Veb = 0, le transistor est bloqué, on a Vec quelconque,

et Ic = Ie = 0
~ Lorsque Veb = 0.7V (donc Ib > 0), alors Vec = Vec_sat

et 0 <= Ic = Ie < ß x Ib.
28
Un exemple du transistor en commutation
29
Etude d’un relais à partir d’un signal logique
Le but est de commander un relais à l'aide d'une
porte logique, d'une sortie du port parallèle, .... On
ne peut pas brancher directement le relais sur cette
sortie, car il consomme trop de courant. Il faut donc
mettre un transistor qui va servir d'interrupteur
commandé électriquement. Le transistor se contente
de laisser passer un fort courant qui vient de
l'alimentation, et non de la porte logique, entre son
collecteur et son émetteur lorsqu'on lui envoie un
petit courant sur la base.
On va calculer la valeur de R. Notez que cette
résistance est obligatoire. En effet, la jonction base -
émetteur se comporte comme une diode. C'est à dire
que Vbemax = 0.7V environ. Sans cette résistance,
on forcerait Vbe à 5V, ce qui aurait pour effet de
griller le transistor et/ou la sortie de la porte
logique.
30
Données:
~ T: transistor NPN, ß = 200, Vcesat = 0.2V, Vbesat =
0.7V, Vcemax = 45V
~ REL: relais, Rrel = 310 Ohms, relais prévu pour être
alimente en 12V
~ D: diode de roue libre. Cette diode sert uniquement
à protéger le transistor lorsqu'on le bloque (supprime
le pic de tension du au relais).
~ R: ce qu'on cherche.
~ Vcc = +12V
~ Ve vaut 0 ou 5V. Lorsque Ve = 0, on veut que le
relais ne soit pas alimenté (soit Urel = 0), et lorsque
Ve = 5V, on veut que le relais soit alimenté (soit Urel
= 12V environ).
31
Résolution du probleme:
On commence par vérifier pour Ve = 0:

~ Si Ve = 0, alors Vbe = 0, et Ib = 0 (la "diode" base
émetteur est bloquée).
Donc le transistor est bloque, Ic = Ie = 0. Donc Urel
= Rel x Ic = 310 x 0 = 0.
~ On a bien obtenu ce qu'on voulait.
~ Remarque, dans ce cas là, Vce = Vcc = 12V. (c'est
bien inferieur à Vcemax)
32
On fait le calcul de R pour Ve = 5V:
~ Calcul de Ic:
On a Vcc = Vce + Urel
Or il faut que le transistor soit saturé. Donc Vce = Vcesat. D'autre
part, Urel = Rrel x Ic . Donc Vcc = Vcesat + Rrel x Ic
Soit Ic = (Vcc - Vcesat) / Rrel = (12 - 0.2) / 310 = 0.038A
~ Calcul de Ibmin:
Ibmin = Ic / ß = 0.038 / 200 = 0.19mA (= 0.00019A)
~ On prend un coefficient de sécurité de 1.5 pour être sur que le

transistor sera bien saturé: Donc Ibsat = Ibmin x 1.5 = 0.28mA
~ Enfin, calcul de R
Il faut se souvenir que la jonction base émetteur se comporte
comme une diode (voir cours sur les diodes).
On a Ve = Ur + Vbe. Or Vbe = Vbesat = 0.7V (diode).
Donc Ve = R x Ibsat + Vbe_sat
Soit R = (Ve - Vbesat) / Ib_sat = (5 - 0.7) / 0.00028 = 15062 Ohms
33
R= 15kOhms
Montages fondamentaux
Introduction
Nous allons étudier les caractéristiques essentielles des trois
principaux montages à transistor:
- Emetteur commun
- Collecteur commun
- Base commune
Il s'agit d'amplificateurs de signaux alternatifs que l'on

représentera en modèle petit signal. Nous calculerons pour ces
trois montages l'amplification en tension, l'impédance d'entrée,
l'impédance de sortie.
34
Comment calculer les tensions et courants de repos?
Pour calculer les points de repos de ce montage, nous allons
tout d'abord calculer Ib. On considérera que le transistor est en
fonctionnement linéaire et que l'on a bien Ic = ß.Ib.
(Ib + Ic).Re + Vbe = Vb et Vb/R2 + Ib = (Vcc -
Vb)/R1 d’où Vb(1/R1 + 1/R2) = Vcc/R1 - Ib
D'où Vb = (R1//R2).(Vcc/R1 - Ib)
On obtient alors: (Ib + Ic).Re + Vbe = (R1//R2).(Vcc/R1 - Ib)
Soit Ib[(1+ß).Re + R1//R2] = Vcc.(R1//R2)/R1 -Vbe
Donc Ib = [Vcc.(R1//R2)/R1 -Vbe]/[(1+ß).Re + R1//R2]
A partir de cette relation, il est très simple de calculer
numériquement Ib, on en déduit le potentiel de l'emetteur:
Ve = Ib.(1 + ß).Re
De même, le potentiel du collecteur:
Vc = Vcc - Ib.ß.Rc
Enfin, le potentiel de la base:
Vb = Ve + Vbe = Ib.(1 + ß).Re + Vbe
35
Emetteur commun
Le montage émetteur commun est très
intéressant pour son gain en tension (Vs/Ve). Il
possède en revanche une impédance de sortie
assez élevée. Nous étudierons ces paramètres à
partir du schéma "petit signal".
Le schéma ci-contre est la représentation dite

"grand signal", c'est à dire que le schéma est
encore entier, sans simplification due au
comportement dynamique du circuit.
Pour ce circuit, on a une tension d'alimentation de
30V, on pose Ic = Ie=10mA, I1=I2=1mA. On
néglige le courant de base Ib (Ib = Ic/ß). Tous
ces paramètres sont calculables à partir des
valeurs résistances mais le principal n'est pas là.
36
Emetteur commun
On remarque que le point de repos du transistor
est placé environ à la moitié de la tension
maximale de sortie du montage. En effet, le
potentiel du collecteur du transistor peut varier de
1.4 à 30V et son niveau de repos est 15V.
Ce circuit présente un intérêt pour l'amplification
de signaux alternatifs et il ne faut prendre en
compte que le caractère alternatif de la tension
e. Les condensateurs Ce, C1 et C2 ne sont que
des condensateurs de liaison, ils n'interviennent
dans aucun calcul et sont supposés maintenir une
tension constante à leurs bornes. Ces
condensateurs ne laissent passer que la
composante alternative et bloquent la
composante continue du signal. Ils sont
indispensables pour le fonctionnement du
montage. 37
Emetteur commun
Par exemple, si la tension e est purement

alternative, sa composante continue est nulle. Par
contre, la composante continue de la base du
transistor vaut 1.6V, Le condensateur C1 a donc à
ses bornes 1.6V qui proviennent de la différence
des composantes continues de la tension e et de
la tension de la base.
On peut à partir de l'hypothèse précédente
simplifier le schéma en remplaçant tous les
condensateurs par des courts circuits, il s'agit de
la modélisation petit signal.
38
Collecteur commun Le schéma ci-contre est la représentation "grand
signal" du transistor câblé en collecteur commun.
Les courants et potentiels de repos ont été
calculés pour ß = 200 avec la méthode indiquée
dans le rappel précédent. Les valeurs des
résistances R1 et R2 ont été choisies pour
simplifier les calculs.
Comme pour l‘émetteur commun, ce circuit
présente un intérêt pour l'amplification de
signaux alternatifs et il ne faut prendre en
Le montage collecteur commun compte que le caractère alternatif de la tension
est très intéressant pour son e. Les condensateurs C1 et C2 ne sont que des
gain en courant (Is/Ie). condensateurs de liaison, ils n'interviennent dans
aucun calcul et sont supposés maintenir une
Il possède en revanche un gain tension constante à leurs bornes.
en tension nul puisqu'il se On simplifie donc le schéma en remplaçant tous
comporte comme un suiveur. les condensateurs par des courts circuits pour
passer en modélisation petit signal. 39
Base commune
Le montage base commune se caractérise par son

gain en tension (Vs/Ve) important et son
impédance d'entrée assez faible. Nous étudierons
ces paramètres à partir du schéma "petit signal".
Ce circuit ne présente qu'un intérêt pour

l'amplification de signaux alternatifs.. Les
condensateurs C1, C2 et Cb ne sont que des
condensateurs de liaison, ils n'interviennent dans
aucun calcul et sont supposés maintenir une
tension constante à leurs bornes.
On simplifie donc le schéma en remplaçant tous
les condensateurs par des courts circuits pour
passer en modélisation petit signal.
40
En résumé
Voici un tableau rappelant les résultats à retenir concernant ces trois
montages fondamentaux:
Emetteur commun Collecteur commun Base commune

Amplification - s.(Rc//RL) 1 + s.(Rc//RL)
A = Vs/Ve Forte, quelques 100 Suiveur Forte, quelques 100
r//R1//R2
Impédance d'entrée R1//R2//[ß.(Re//RL)] Re//r//(1/s)
Moyenne, quelques 100
Ze = Ve/Ie Moyenne, quelques kOhms Faible, quelques ohms
d'ohm
Impédance de sortie Rc Re//r//(1/s) Rc
Zs = Vs/Is Quelques kOhms Faible, quelques ohms Quelques kOhms
41
microprocesseurs Intel :
1971 : 4004 : 2 300 transistors

1978 : 8086 : 29 000 transistors
1982 : 80286 275 000 transistors
1989 : 80486 : 1,16 millions de transistors
1993 : Pentium : 3,1 millions de transistors
1995 : Pentium Pro : 5,5 millions de transistors
1997 : Pentium II : 27 Millions de transistors
2001 : Pentium 4 : 42 millions de transistors
2004 : Pentium Extreme Edition : 169 millions de
transistors
42

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TRANSISTOR BIPOLAIRE

composant électronique actif fondamental

utilisé comme interrupteur commandé et pour

2 types , 3 électrodes, 2 jonctions

lorsque le "robinet" est

Déterminer l’état du transistor en fonction de la valeur de E entre 0 et 5V

Transistors CMS (Composants Miniatures de Surface).

Transistors de moyenne puissance (>1W)

Transistors de moyenne puissance (ils dissipent un peu plus

Transistors a forte dissipation (de l'ordre de la centaine de

Quelques vieux transistors (celui qui est en haut à gauche

Exemples de références: AC181

Le transistor PNP est un peu moins courant que son

Le transistor NPN est généralement celui qu'on utilise

La flèche sort du transistor NPN

Sens des courants et tension pour un transistor PNP

Sens des courants et tension pour un transistor NPN

Voilà comment tester un transistor bipolaire. Ca permet de

 Première chose à savoir: Ic = ß x Ib.

Cela signifie que le courant pouvant circuler dans le collecteur du

En effet, la formule exacte est Ie = Ic + Ib.

Mais comme ß est "grand", le courant de base est négligeable par

Lorsque Ic < ß x Ib, le transistor est saturé, on a alors:

C'est également un paramètre constructeur qui dépend beaucoup du

Simple illustration de la formule Ic = ß x Ib.

Caractéristique Vce = F(Ib)

La droite en bleu représente la "droite de charge" cette

Donner les définitions des hij et leurs dimensions

 h21 noté dans les doc hFE de l’ordre de 

(attention la valeur de  est une valeur statique)

 Nous allons maintenant étudier le transistor en

 On peut assimiler le transistor à un interrupteur commandé

Ca signifie que Ic = Ie = 0, et Vce est quelconque positif (Inferieur à

~ Et lorsque Vbe = 0.7V (tension de seuil de la diode base émetteur), le

Cela signifie que Vce = Vcesat = 0.2V pour un transistor de faible

~ Lorsque Veb = 0, le transistor est bloqué, on a Vec quelconque,

~ Lorsque Veb = 0.7V (donc Ib > 0), alors Vec = Vec_sat

On commence par vérifier pour Ve = 0:

~ On prend un coefficient de sécurité de 1.5 pour être sur que le

Il s'agit d'amplificateurs de signaux alternatifs que l'on

Le schéma ci-contre est la représentation dite

Par exemple, si la tension e est purement

Le montage base commune se caractérise par son

Ce circuit ne présente qu'un intérêt pour

Emetteur commun Collecteur commun Base commune

1971 : 4004 : 2 300 transistors

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