TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP TEC

(“Field Effect Transistor” FET )

Fonctionnement JFET
Le transistor à effet de champ (T.E.C.) est un composant unipolaire constitué d’un canal
à semi-conducteur dopé dont la conduction est commandée par une tension. La canal N
est le plus populaire

vs
T.E.C ou F.E.T

Une fois que l’on a trouvé VDS, le

circuit est résolu.

Le FET se comporte comme un robinet

( SOURCE ) dont on commande le débit
( COURANT ) vers le DRAIN avec une
valve ( GRILLE )

La force qui agit sur la valve correspond

au champ électrique entre la GRILLE et
le CANAL

1
Transistor à effet de champ (TEC)
Junction field effect transistor (JFET

Drain D
G
n
Grille
p p VDD S
D
VGG
Source G

S
AVANTAGES DÉSAVANTAGES

Source de courant commandée Sensible à l’électricité statique

par une tension Courbes de sortie moins linéaires
Haute impédance d’entrée Réponse en fréquence limitée par
+ stable en température la grande capacité à la grille
+ facile à fabriquer
Résistance variable
Haute impédance d’entrée
Plus efficace en puissance

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 TEC BJT

Source de courant commandée Source de courant commandée

par une tension par un courant
Canal N et canal P NPN et PNP
Unipolaire ( canal P ou N ) Bipolaire ( 2 jonctions )
Fonctionne avec un champ Fonctionne par injection de
électrique charges
Impédance d’entrée élevée (M) Impédance d’entrée faible ou
3 terminaux moyenne ( k  )
Source 3 terminaux
Grille Émetteur
Drain Base
Collecteur

JFET : VGS = 0 V et VDS > 0 V

Répartition de la tension VDS sous forme de gradient

3
JFET : VGS = 0 V et VDS = VP

Lorsque VDS augmente suffisamment,

jusqu’à VDS = VP, il se produit un
étranglement du canal i,e lorsque les
zones d’appauvrissement se
rejoignent.

La valeur de VP dépend de la
construction du FET, de sa
géométrie

Étranglement : « Pinch-off »
VDS = VP : tension d’étranglement
IDSS : courant de drain maximum ou
de saturation

Si VDS > |VP|, IDSS demeure à peu

près constant ( source de courant )

JFET : VGS = 0 V , VDS ≥ |VP| et IDS = IDSS

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JFET : VGS < 0 V et VDS > 0 V

Pour un canal N, si on applique une tension VGS négative

et que VDS > 0V, l’étranglement se produira à une tension

VGD = VP

où VGD = VGS - VDS

Pour chaque valeur de VGS < 0, il se trouve un
point VDS pour lequel se produit l’étranglement
tel que :
VGS – VDS = VP

où VGS ≤ 0V, VDS > 0V et VP < 0V

Ces points se trouvent sur une parabole qui délimite

la région linéaire de la région de saturation

10 0V

8
VGS

6
-1 V
ID en mA
4

-2 V
2
-3 V

0 -4 V
5 10 15 20
VDS en Volts

5
IDSS 10 0V

8 VP = 4 volts VGS
Région à courant constant
6
ID en mA -1 V
4
-2 V
2
-3 V
0 -4 V
5 10 15 20
VDS in Volts
VGS(off)

10 0V

8
VGS
6 Région ohmique
ID en mA -1 V
4
-2 V
2
-3 V
0 -4 V
5 10 15 20
VDS en Volts

Équation de Schockley

6
  William B. Schockley
 Co-inventeur du transistor avec MM. Brattain et Bardeen ( Nobel Phys. 1956)
 L’équation de Schockley nous donne la relation entre ID et VGS

JFET : Courbe de transfert

 À partir de l’équation de Schockley, on obtient une partie de la caractéristique de
sortie
 Par la suite, on peut tracer la courbe de transfert
 Ce sont les deux courbes importantes pour le transistor FET

 Pour finir de tracer la courbe de transfert, on peut isoler VGS à partir de

l’équation de Schokley :

Résumé JFET N

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Comparaison JFET - BJT

5.3 Polarisation
 Polarisation par la grille
 Opération dans la région ohmique
 Polarisation automatique
 Polarisation par diviseur de tension
 Polarisation par source courant
JFET POLARISATION FIXE

JFET POL. FIXE (Droite de polarisation)

8
 ID = IDQ trouvé avec la droite de polarisation

EXEMPLE

9
JFET POLARISATION AUTOMATIQUE

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