Université Saad Dahlab de Blida

Département d’Automatique Licence Automatique Commutation du transistor Mosfet de

Puissance

2.1. Introduction : Les transistors Mosfets de puissance, ainsi que les transistors IGBT sont, toujours, utilisés
comme des interrupteurs dans les dispositifs conventionnels de l’électronique de puissance , et cela
pour la rapidité de leurs commutations qui permet d’augmenter le rendement de ces dispositifs par
la réduction des puissances de commutation des transistors et des diodes à leur ouverture et à leurs
fermeture. L’ouverture des transistors se fait toujours sur une charge inductive, cependant, celle-ci
génère une tension induite et donc une impulsion de tension qui est d’autant plus grande que le
transistor est rapide et que l’inductance est importante, entraînant un risque de destruction du
transistor, si au moment de l’ouverture du transistor, une diode n’est pas utilisée pour écrêter cette
tension et pour constituer une diode de roue libre permettant au courant induit dans la bobine de
circuler. Les objectifs de ce TP sont multiples :
- mettre à l’évidence le rôle de la diode de roue libre.
- Etude des temps de commutation du transistor NMOS en fermeture et en ouverture dans le cas
d’une conduction continue de la bobine.
- Etude des effets de la diode de commutation sur la commutation du transistor.
1.1.Notions de base :
-Commutation du transistor sur une charge inductive non écrêtée par une diode: Comme nous le
verrons, par la suite, au moment de sa commutation en ouverture ou en fermeture, le courant
dans le transistor ne varie pas instantanément, mais il le fait durant un temps t ri à la fermeture et
un temps tfi à l’ouverture. En considérant le circuit de la figure 2.1, au moment de la fermeture du
transistor, une tension induite est alors créée dans la bobine, de tel sorte que V dd=Ldi/dt + Vds et
que Vds=Vdd-Ldi/dt. Au moment de sa fermeture, la tension V ds est donc petite (et parfois même
négative), et ne cause donc aucun problème au transistor. La fermeture du transistor ne pose
donc aucun problème. Par contre, si nous considérons l’ouverture du transistor, dés que le
courant dans le transistor commence à diminuer, dans la bobine, il y a création d’une tension
induite, telle que l’illustre la figure 2.1.b, et dans ces conditions V ds= Vdd + Ldi/dt où di/dt dépend

de la rapidité du transistor à être Off, et donc di/dt=I onmax/tfi, où Ionmax=V dd

L×t
on
où
ton
est
la

durée de conduction du transistor. Le pic de

tension est donc d’autant plus grand que t fi est petit et que Ionmax et L sont grand.

i
i
 Vds= Vdd-Ldi/dt
Vds= Vdd+Ldi/dt

Fig2.1a : fermeture

du transistor Fig2.1b : ouverture

du transistor

t de la Off sur charge inductive d’un transistor Mosfet excité par une
Commutation sur charge inductive écrêtée par une diode : tension de forme carrée au niveau du Gate. Le transistor va
donc donc être alternativement fermé et ouvert, et par
La commutation du transistor sur charge inductive non conséquent, la tension moyenne appliquée à la charge
écrêtée peut conduire à sa destruction, et dans la pratique,
inductive sera donc Vo=ton
cette configuration n’a aucune utilité. Dans la pratique, on
ne fait donc jamais fonctionner le transistor dans ces TVdd . Or, étant donné que le courant dans la bobine
conditions, mais on le fait, toujours fonctionner, de sorte circule,
que lorsque le transistor est Off, la tension induite par la toujours, dans le même sens, tantôt, à travers le transistor
et tantôt, à travers la diode, cela signifie qu’après un
bobine puisse faire circuler un courant à travers la diode
certain temps (régime transitoire) correspondant à la
comme l’indique la figure 2.2.a ou la figure 2.2.b L , le courant
charge de la bobine ( iL(t)=IL(1−e−tτ) avec τ = R
dans la bobine devient un courant continu
I L=tonV dd
. Comme nous le verrons par la suite, le courant dans le
RT
transistor Mosfet ne
s’établit pas instantanément (voir
figure 2.3), par conséquent, au moment où le transistor se
ferme, un courant continue à circuler dans la diode, tant
que le courant dans le transistor n’a pas encore atteint la
valeur de IL, puisque IL = id(t)+ID(t) où id et iD sont
respectivement le courant dans la diode et le courant dans
le transistor. Ceci implique qu’à la fermeture du transistor,
la tension Vds ne pourra diminuer que lorsque le courant i D
a atteint la valeur de IL, impliquant alors une grande
Soit le montage de la figure 2.2.a illustrant la commutation puissance à la fermeture du transistor. De la même façon,
à l’ouverture du transistor, le courant dans le transistor ne la tension Vds aura atteint la valeur de Vdd+VF (où VF est la
pourra diminuer que si la diode commence à conduire. Ce tension de seuil de la diode), ce qui implique donc une
qui signifie qu’à l’ouverture du transistor, le courant dans forte puissance de commutation à l’ouverture.
le transistor ne pourra diminuer qu’à partir du moment où

Calcul des temps de commutation du transistor :

Durant sa commutation en fermeture et en ouverture, le transistor sera caractérisé par les
temps de commutation décrits par la figure 2.3.
-Temps de délai : tdon
Le temps de délai tdon :
Ce temps correspond à l‘intervalle qui découle entre le moment où la tension V g passe de 0 à VON,
à l’instant où le courant de drain commence à augmenter (jusqu’à 10 % de la valeur finale du
courant). Dans cette phase, le transistor est bloqué avec V ds=Vdd+VF, puisque la diode est
conductrice lorsque le transistor est bloqué. Le schéma équivalent du transistor est, alors, celui
de la figure 2.4.a. Entre gate et source, le transistor se comporte comme un condensateur C gs qui
se charge à travers la résistance Rg jusqu’à ce que la tension Vgs atteigne la tension de seuil Vgth où
le canal d’inversion atteint la région du drain, et que par conséquent un courant de drain −t
commence à circuler. Ce qui nous donne Vgs(t)=Von (1−e R Cgs ) égale à Vgth pour t=tdon. Ce
g

−ttdon
V on, d’où tdon=RgCgsln(Von
qui nous donne e Von−V gth)
=1−V gth
gs
RgC

Temps tri :
Au moment où le courant de drain commence à augmenter, la diode ne se bloque pas,
instantanément, puisque dans le régime permanent, la bobine est parcourue par un courant
continu, ce qui implique que tant que le courant de drain n’a pas encore atteint la valeur finale I L,
la diode restera toujours conductrice avec I d= IL - ID où Id et ID sont respectivement le courant dans
la diode et le courant dans le drain. Étant donné que la diode reste conductrice, ceci implique
donc que durant l’augmentation du courant de drain, la tension V ds ne change pas, et reste égale
à Vdd+VF. Étant donné que Vds est élevée, cela implique que le transistor est entrain de fonctionner
 dans sa région active (que l’on appelle également zone de saturation, étant donné que le canal
d’inversion entre drain et source est étranglé à son extrémité) où son schéma équivalent est celui
de la figure 2.4.b où ID=gm (Vgs -Vgth) avec gm la transconductance du transistor. Tant que le courant
ID n’a pas atteint sa valeur finale, la tension Vgs continue à évoluer selon la charge du
condensateur Cgs jusqu’à atteindre la tension de pallier V gp correspondante à la valeur finale du
courant de drain IL=gm (Vgp – Vgth). La tension de pallier Vgp peut être obtenue à partir de la courbe ID
en fonction de Vgs que donnent les datasheet, ce qui nous donne pour t=t don+ tri : −t
Vgp=V on(1−e g RC )
gs

d’où tdon+tri=RgCgs ln(Von

V on−Vgp) et donc tri=RgCgsln(Von−V gth
V on−Vgp)
Temps tfv :
A partir du moment où ID=IL, le canal d’inversion n’est pas, encore, entièrement ouvert, car dès que la tension V ds
atteint la valeur de Vgp (la décharge de la capacité Cds à travers le courant de drain est assez rapide et donc la variation
de Vds de Vdd à Vgp peut être considérée comme négligeable), la durée que fera le potentiel du drain pour décroître et
atteindre la tension Vdson est alors conditionné par la charge de la capacité C gd qui se fait à courant constant Igpon=V
gon−V gp
Rgpuisque Vgs ne peut plus changer.
En considérant la charge de la capacité C gd, nous pouvons écrire : Qgd=CgdV gd , or nous savons que Igp=dQgd
dt =Cgdd Vgd
dt =Cgd (dVgs
dt+dV sd
dt )=CgddVsd
puisque Vgs
dt reste
constant et égal à Vgp, tant que le transistor est dans sa zone active (V ds>Vgs-Vgth). On peut déduire à partir de cette
=− I
dernière équation que Vds varie de la façon suivante : Vds ∫ gp
Cgddt=A−Igp
Cgdt , le temps tfv correspond à l’intervalle de temps qui sépare le
début du pallier au moment où le transistor entre dans sa région ohmique et devient équivalent au schéma de la
figure 2.5 où Vds=Vdson=RonIDon.

Dans la pratique, cependant, on préfère utiliser la courbe de la charge du gate (voir Figure 2.6),
que fournit le datasheet du transistor, et qui donne la tension V gs en fonction de la charge du
gate, car dans l’équation précédente C gd n’est pas constante mais varie avec la variation de V ds. En
déduisant la charge correspondante au pallier V gs=Vgp, nous avons donc directement Qgp=Igpon tfv ,

ce qui nous donne tfv=Qgp

I gpon.
 Qgp
pour
Vdd-
14V
et
ID=50A

Vgp
VgpQgp pour
une tension
Vdd de
14V et
ID=20A

Calcul de tdoff : Le temps tdoff est l’intervalle de temps qui découle à partir du moment où la tension
de commande passe de Von à l’état bas au moment où la tension V gs atteint la valeur de Vgp. Dans
cette intervalle, la capacité Cgs se décharge à travers la résistance R g, de façon que −t
gs
RgC et que Vgs(tdoff)=Vgp, ce qui nous donne tdoff=RgCgsln(V on
Vgs(t)=Von e V gp)
Calcul du temps trv : Une fois que la tension Vgs a atteint la valeur de Vgp, le courant de drain reste
constant, tant que la tension Vds n’a pas encore augmenté et atteint la tension V dd+VF, permettant
ainsi à la diode d’être conductrice. Cette intervalle de temps où V ds passe de Vdson à Vdd+VF
correspond à la décharge Qgp de la capacité Cgd qui se fait sous un courant constant Igpoff=V gp

Rg, ce qui nous donne trv=Qgp

I gpoff.
Calcul du temps tfi : Le passage du courant de drain de I on=IL à 0, correspond au passage de Vgs de −t
Vgp à Vgth. Or, donc on peut écrire que pour t=t fi Vgs(t)=Vgp e V gth)
R C =V gth , ce qui nous donne
gs
tdoff=RgCgsln(V gp
g

Préparation théorique:
Calculez le courant qui circule dans la bobine de la figure 2.8 si t on=5µs, T=10µs. En consultant
sur internet le datasheet du transistor Mosfet IRFZ48N :
1- Notez, à partir des caractéristiques du transistor Static characteristics, la valeur de V gth (gate
threshold voltage). Le datasheet vous donne une valeur minimale pour une température de
jonction de 25°C et une valeur maximale correspondante à T j, prenez donc la valeur moyenne. 2-
2- Déterminez à partir de la courbe I D=f(Vgs) (voir figure 2.7) la tension de pallier V gp
correspondante à la valeur de ID à l’état On.
3- Déterminez, à partir de la courbe donnant Vgs en fonction de la charge Qg (figure 2.6), la
charge Qgp.
4- Notez la valeur de Cgs ,que vous trouverez dans Dynamic characteristics avec l’appelation C iss, et
caculez alors les temps tri, tfi, trv et tfv.
 ID=50A

Vgp=6.25V

Figure 2.8 : Schéma du montage à simuler

Réalisation :

1) En considérant le circuit de la figure 2.8, enlevez la diode, simulez, et observez la forme de la

tension Vds au moment de l’ouverture du transistor. Commentez et expliquez ce que vous
observez.
2) Simulez le montage de la figure 2.8, où la diode est une diode idéale qui ne présente pas de
problèmes de recouvrement inverse et déterminez les temps t ri, trv,tfi et enfin tfV. 3) Comparez
ces valeurs aux valeurs théoriques calculées. Commentez.
4) Observez les tensions Vgs et Vds et les courants ID et Ig et commentez ce que vous observez. 5) En
mettant le curseur de la souris sur le transistor, et en appuyant en même temps sur la touche Alt
du clavier et sur la touche gauche de la souris, affichez la puissance dissipée dans le transistor.
Commentez ce que vous observez.
6) Affichez la puissance moyenne dissipée dans le transistor, en mettant le curseur de la souris
sur le panel au niveau de la puissance et appuyez en même temps sur la touche contrôle et
sur le bouton gauche de la souris. En comparant cette puissance à la puissance moyenne
ton
Pon= TV dson I On=ton f Vdson I On où ton est la durée de fermeture du transistor, T la
période et f la fréquence, expliquez la différence.
7) En remplaçant la diode idéale par 2 diodes fast recovery RF2001NS2D que vous mettrez en
parallèle, observez le courant de Drain ainsi que la puissance moyenne dissipée. Expliquez.