7 - Chap VII - Autres Dispositifs Et Composants À Semi-Conducteurs

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Autres dispositifs / composants semi-conducteurs
• Thyristors
• Triacs
• Composants électriques
• Introduction aux circuits intégrés linéaires
Chap VII-Autres dispositifs/ Circuits à semi-conducteurs

Electronique fondamentale
2
Bascule à transistor
• Réaction positive La bascule à transistor (schéma ci-contre)

utilise la réaction positive. En effet, toute
IE1
IB1 variation du courant IB2 ( augmentation ou
diminution) est amplifiée dans le même sens
Q1
par Q1 et réinjectée pour augmenter la
IC1 variation initiale.
IC2 Quand les deux transistors conduisent, tous
les courants continueront de croître jusqu’à ce
Q2 que les deux transistors se saturent et la
IB2 bascule est équivalente alors à un interrupteur
IE2 fermé. Elle restera dans cet état jusqu’à ce
(a) (b) qu’ une perturbation extérieure agisse pour
diminuer IB2.
Quand les deux transistors sont bloqués, la bascule est équivalente alors à un interrupteur ouvert.
Elle restera dans cet état jusqu’à ce qu’ une perturbation extérieure agisse pour augmenter I B2. Les
deux états a et b sont donc stables, d’où le nom de bascule.

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Bascule à transistor
• Amorçage et décrochage de de la bascule La bascule est supposée ouverte.

+VCC
VCC =VBE2-VCE1=VCE2-VBE1
RL Pour fermer la bascule, dans la configuration

ci-contre, il faut que la tension +VCC soit
VBE1
suffisante pour mettre en avalanche la diode
VCE1 collecteur du transistor Q1 ou de celle de Q2.
Q1
Dans ce cas, le courant collecteur du transistor
Q2 concerné augmente, ce qui augmente le courant
VCE2 de base de l’autre transistor jusqu’à la saturation
des deux transistors. La bascule se ferme alors.
VBE2 La fermeture de la bascule ainsi décrite
s’appelle amorçage.
Pour ouvrir la bascule, il suffit de diminuer la tension VCC jusqu’à ce que les transistors sortent de la
saturation. Le courant traversant la bascule diminue alors jusqu’au blocage des deux transistors. La
bascule s’ouvre alors. On appelle ce type d’ouverture décrochage par courant faible.

4
Diode Schockley
Le composant en (a) est appelé diode de A
Schockley du nom de son inventeur. Elle est
aussi appelée diode à quatre couches, ou diode
pnpn ou interrupteur au silicium unilatéral
(SUS: silicon Unilateral Switch) car elle laisse p p
passer le courant dans un seul sens, de l’anode
vers la cathode.
n n n
Pour comprendre son fonctionnement, il faut la
visualiser en deux moitiés comme à la figure p p p
(b). La moitié gauche est un transistor pnp et
celle de droite un transistor npn. La diode pnpn
n n
est donc une bascule à transistor ( c). Elle est
représentée par le symbole donné en (d).
K
Comme nous l’avons vu, cette diode a deux (c) (d)
(a) (b)
états stables. Un état ouvert où elle se comporte
comme une résistance très élevée ( environ
100MΩ ) et un état fermé où elle se comporte
comme une faible résistance ( quelques Ω)
5
Diode Schockley
Quand la diode est fermée, la tension à ses
bornes est théoriquement nulle. En réalité la
tension à ses bornes est de quelques volts et
augmente quand le courant augmente.
L’ouverture de la diode intervient lorsque les

transistors sortent de la saturation et que le
courant qui la traverse est réduit en dessous
d’une certaine valeur IH appelée courant de
maintien. La tension Vk au borne de la diode
pour laquelle le courant qui traverse la diode est IH
IH est appelée tension de maintien.
VB
La caractéristique de la diode pnpn est donnée VK
ci-contre. Il y’a deux zones de fonctionnement.
Blocage et saturation. La ligne en pointillé est le
chemin entre les deux.
Blocage: 𝐼 = 0 𝑒𝑡 𝑉𝑘 ≤ 𝑉 < 𝑉𝐵
Si la tension essaie de dépasser VB, la diode s’amorce et évolue rapidement le long de la courbe en
pointillée vers la région de saturation.
6
Diode Schockley
Quand la diode est en saturation, elle fonctionne
sur la ligne supérieure. Tant que le courant reste
supérieure au courant de maintien IH, la diode
reste conductrice. Dans le cas contraire, elle
bascule à l’état bloqué.
L’approximation idéale pour la diode à quatre

couches est l’assimilation à un interrupteur
ouvert en régime de blocage et à un interrupteur
fermé en régime de saturation. La deuxième
approximation comprend la tension de maintien IH
VK approximativement 0,7 V.
VB
VK

7
Diode Schockley
La caractéristique inverse de la diode pnpn est A
celle d’une diode normale. En effet, elle être vue
comme la juxtaposition de trois jonctions pn
représentées comme ci-contre.
Lorsqu’une tension négative est appliquée à la p
cathode, les diodes J1 et J3 sont polarisées en J1
inverse et le courant qui traverse la diode est un
courant inverse des jonctions J1 et J3. n I
J2
p
J3
n
IS v

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Diac
Si l’on dispose les éléments pnpn en parallèle

mais en ordre opposé, on obtient une diode
bidirectionnelle appelée diac. Le diac est donc n p
èquivalent à la mise en parallèle et en ordre
inverse, de deux diodes pnpn. Le diac est n
representé par le symbole ci-dessous:
p n
-VB -VK
VK VB

9
Thyristor
Le thyristor est une diode pnpn dont on peut A +VCC
contrôler la conduction grâce à la présence
d’une électrode de commande appelée gâchette (
gate en anglais).
Q1
La gâchette est une électrode ajoutée à la base
du transistor Q2 de la bascule à transistor vue
ci-dessus pour obtenir une deuxième méthode
de fermeture du composant.
Q2
Pour fermer la bascule, on injecte un courant de G
déclenchement (impulsion brève) sur la gâchette K
qui est la base de Q2. Cela augmente
momentanément le courant dans la base de Q2,
initialise la réaction positive et amène les deux
transistors à saturation. La bascule est alors
fermée et reste dans cet étant tant que le courant
qui y circule est supérieur au courant de
maintien.

10
Thyristor
Puisque la gâchette est connectée à la base d’un A +VCC
transistor interne, il faut au moins 0,7 V pour le
déclencher. Les fiches techniques appellent cette
valeur tension de déclenchement VGT.
Q1
Plutôt que d’indiquer l’impédance de la
gâchette, les constructeurs donnent le courant
gâchette de déclenchement IGT. Par exemple,
pour le thyristor de la série 2N6504, on a:
VGT=1V et IGT=9mA.
Q2
G
Le symbole du thyristor est donné ci-contre. K A
Après la fermeture, le courant de la gâchette ne

commande plus le thyristor.
G

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Thyristor
La tension de retournement (breakover voltage)
qui est la valeur de la tension anode pour
laquelle le thyristor s’amorce et qui dépend du
signal de commande éventuellement appliqué
sur la gâchette est spécifiée pour des pointes
répétitives de tension en mode bloqué ( ou off
state) VDRM, et des pointes répétitives de tension
inverse en mode bloqué, VRRM. Selon le
thyristor, la tension de retournement varie de 50
à 800V. La caractéristique d’un thyristor est
donnée ci-contre.

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Thyristor
Pour la fermeture du thyristor, la tension VCC
d’entrée de commande doit être telle que :
𝐼𝐺 ≥ 𝐼𝐺𝑇
RL
soit
𝑉𝑖𝑛 ≥ 𝑉𝐺𝑇 + 𝑅𝐺 𝐼𝐺𝑇
RG
Pour ouvrir le thyristor, la tension IG
d’alimentation VCC doit être amenée à une
valeur faible de manière à amener le courant qui VAK
le traverse à être inférieur au courant de
maintien. Soit: Vin VG
𝑉𝐶𝐶 ≤ 0,7 + 𝑅𝐿 𝐼𝐻

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Thyristor
Il existent d’autres méthodes en dehors de la réduction de la tension d’alimentation pour ouvrir le
thyristor :
VCC VCC VCC
RL RL RL
SW1
RG RG RG
IG SW2
IG IG SW3
Vin VG Vin VG Vin VG

VAK
Par interruption de courant Par annulation de VAK Par imposition d’une

tension VAK négative.
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Thyristor
Vitesse de montée critique
Lorsque la tension d’alimentation d’un
thyristor est alternative, il est possible
d’obtenir des déclenchements parasites. Les
capacités internes du composant soumises aux
variations rapides de tension peuvent
déclencher le thyristor. Pour éviter cet Charge
inconvénient, la vitesse de variation de la Valim
tension appliquée ne doit pas dépasser une
vitesse de montée critique donnée dans les
fiches techniques ( 50 V/𝜇s pour le 2N4441).
Les régimes transitoires sont la cause G R
principale de dépassement de la vitesse de
monté critique. Pour réduire leurs effets, une
méthode consiste à utiliser un dipôle RC de C
protection.

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Thyristor
Vitesse de montée critique
Les thyristors ont aussi une vitesse de montée
critique du courant de l’anode (150 A/𝜇s pour
le C701). Si le courant d’anode essaie Charge
d’augmenter plus rapidement, le thyristor est Valim
détruit. Pour réduire la vitesse de
l’augmentation à une valeur acceptable, on
L
peut introduire une inductance en série avec la
charge.
Le thyristor est appelé redresseur au silicium

commandé ( SCR: Silicon Controlled R
G
rectifier). Il n’est cependant pas le seul
redresseur au silicium commandé.
C
Il est utilisé dans les circuits de protection
contre les surtensions (crowbar), dans les
commandes des moteurs et les circuits de
réglage des courants alternatifs.

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Photo-thyristor
Le photo thyristor ou Photo-SCR est un

thyristor photo sensible. Sous une lumière
suffisamment forte, des électrons libres sont
VCC VCC
crées. Ceux-ci initialisent la réaction positive
du photo-SCR qui se ferme.
Après la disparition de la lumière, qui a RL RL

provoqué le déclenchement, le SCR reste
fermé.
Le symbole du photo SCR est donné ci-contre.

On peut réaliser un point de basculement G
variable en insérant un potentiomètre dans le
montage donné en (a).

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Triac
Le triac se comporte comme deux thyristors

parallèles inversés commandés par une seule
gâchette. Il peut commander le courant dans
les deux sens. C’est un composant
bidirectionnel.

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Le transistor IGBT
Le transistor IGBT ( Insulated Gate Bipolar transistor) est un transistor à grille isolée utilisé en
commutation combinant des avantages des transistors bipolaires et des transistors MOSFET.
En effet, le MOSFET offre une grande vitesse de commutation tandis que le transistor bipolaire
présente de très faibles pertes par conduction. L’IGBT combine ces deux avantages.
Il existe plusieurs variantes de l’IGBT dont l’IGBT PT et l’IGBT NPT qui se différencient au
niveau des paramètres suivants: Collecteur C
(a) (b)
• La chute de tension à l’état passant,
• la transconductance,
Grille G
• la robustesse en situation de court- Collecteur
circuit,
• le coefficient de température, E
Emetteur
• Et la vitesse de commutation,
Les figures (a) et (b) montrent deux (c)
symboles d’un IGBT à canal n. La figure (c ) Grille
présente le schéma équivalent simplifié.
Emetteur
19
Le transistor IGBT
L’IGBT est donc un MOSFET de puissance de point de vue entrée et un transistor bipolaire de point
de vue sortie. Il dispose d’une vitesse de commutation plus faible que celle d’un MOSFET.
Par rapport au MOSFET, L’IGBT présente les avantages suivants :

• Faible perte de conduction;
• Tension de claquage émetteur-collecteur plus élevée que la tension maximale VDSS. Elle est par
exemple de 1000V pour l’IGBT FGL60N100BNTD.
L’IGBT possède une impédance d’entrée bien plus élevée que celle du transistor bipolaire.

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Le transistor unijonction (UJT)
On l’appelait initialement diode à deux bases. Sa structure, et son schéma équivalent sont les
suivants:
Base 2
Emetteur
p n
Base 1
B2
RB2
E
A
RB1
B1
21
On applique entre les deux bases une tension fixe 𝑉𝐵1𝐵2 ≈10V. On alimente l’émetteur avec une
tension d’entrée 𝑣𝐸 que l’on fait croître à partir de 0. Tant que cette tension demeure faible, La
diode EA est bloquée et le barreau de type n se comporte comme une résistance linéaire de valeur
élevée. Le courant IB2 est alors très faible et il apparaît au droit de la jonction une tension:
𝑅𝐵1
𝑉𝐴 = 𝑉 = 𝜂 𝑉𝐵2
𝑅𝐵1 +𝑅𝐵2 𝐵2
𝜂 est appelée rapport intrinsèque et est compris entre 0,5 et 0,8.

Tant que 𝑣𝐸 est inférieur à 𝑉𝐴 , la diode EA est polarisée en inverse et le courant émetteur 𝑖𝐸 est
négatif et est très faible ( quelques 𝜇 A). Dès que 𝑣𝐸 dépasse 𝑉𝐴 , la Diode EA devient passante
et le courant 𝑖𝐸 devient positif. Les trous provenant de E se dirigent vers B1.
𝑖𝐵2
B2
RB2 Ces trous sont immédiatement compensés par
un courant d’électrons qui proviennent des
E 𝑖𝐸
A 𝑉𝐵2 circuits extérieurs pour conserver la neutralité
du barreau. Ainsi, la résistance RB1 diminue
𝑣𝐸 RB1 dans des proportions importantes
B1
22
La diode EA devient passante quand la tension 𝑣𝐸 atteint la valeur 𝑉𝑝 = 𝑉𝐷 + 𝜂 𝑉𝐵2 , où 𝑉𝐷 est la

tension seuil de la diode EA (≈ 0,7𝑉). La tension 𝑉𝑝 est appelée tension pic.
La résistance rEB1, devient très faible malgré l’accroissement du courant 𝑖𝐸 . Le produit rEB1𝑖𝐸
diminue, ce qui correspond à une diminution de la tension 𝑣𝐸 qui passe par une valeur minimale
que l’on appelle vallée. Elle croit ensuite comme pour une diode normale. La caractéristique de
l’UJT est donnée ci-dessous. Il est utilisé comme générateur d’impulsions pour différentes
commandes: thyristors, circuits de commutation….
𝑖𝐵2
B2
RB2
E 𝑖𝐸
A 𝑉𝐵2
𝑣𝐸 RB1
B1
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Composants électriques -Interrupteur Commandé par la gâchette
C’est un thyristor conçu spécialement pour

être ouvert par déclenchement inverse (par
application d’une tension négative sur la VCC
gâchette).
Ce composant est fermé par une commande
positive sur la grille et ouvert par une
commande négative sur celle-ci.
Vout
B D
Vin
A C
VCC
0V
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Composants électriques - Interrupteur au silicium commandé
C’est une bascule à transistor dans laquelle les

bases des deux transistors sont munies
d’électrodes pouvant être commandées
chacune positivement ou négativement. C’est
un interrupteur commandé par deux gâchettes.
C’est un dispositif petit signal pour le contrôle Gâchette de

des courants de l’ordre du milliampère. l’anode
Gâchette de
la cathode

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Composants électriques - Phototransistor
Collecteur
C’est un transistor dont la base est libre (non
connecté). Le courant qui traverse l’émetteur
et le collecteur est alors ICEO. La diode base-
collecteur est sensible à la lumière. Quand
cette dernière augmente, ICEO augmente. Dans
un phototransistor, la lumière passe à travers
une fenêtre et agit sur la jonction base-
collecteur. Le courant ICEO vaut 𝛽IR avec, IR le Emetteur
courant inverse des porteurs minoritaires de la
jonction base-collecteur.
On retrouve les phototransistors dans les

optocoupleurs LED-phototransistors beaucoup
plus sensibles que les optocoupleurs LED-
photodiode à cause du gain 𝛽 .

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Composants électriques - Thermistances
Elles sont formées par une agglomération de petits grains de semi-conducteurs fortement comprimés
puis chauffés à une température légèrement inférieure au point de fusion.
A une température fixe, la résistance d’une thermistance est fixe. Si l’on augmente la température, sa
résistance varie dans des proportions importantes, alors que la résistance d’un conducteur croit
linéairement avec la température suivant la loi R=R0(1+at). Si la résistance diminue, on dit que le
coefficient de température est négatif et la thermistance est appelée CTN. Si la résistance augmente,
on dit que le coefficient de température est positif et la thermistance est appelée CTP. Le symbole
d’une thermistance ainsi qu’un exemple de variation de la résistance d’une CTN avec la
température sont représentés ci-dessous.
R(Ω)
100
10
1
-40 0 40 80 t (˚C)
27
La résistance d’une CTN demeure sensiblement constante tant que l’effet joule est insuffisant pour
élever notablement sa température. La tension qui lui est appliquée croit donc linéairement.
Ensuite l’effet joule provoque une diminution importante de la résistance et la tension V=RI
diminue. La caractéristique 𝑣 = 𝑓(𝑖) comporte une valeur maximale que l’on appelle: point de
basculement.
Au delà d’une certaine température ( 150˚C) la thermistance est détériorée. Pour éviter de dépasser
ce point, on doit brancher en série, une résistance de protection qui limite le courant qui la traverse.
𝑣(V)
60˚C
10 5˚C
100˚C 150˚C
5
0
0 5 𝑖(𝑚𝐴)
28
Les thermistances sont utilisés dans deux types d’applications:
• Le courant de mesure est faible , il est insuffisant pour élever la température de la thermistance.
On réalise ainsi des sondes destinées à la mesure de la température: fours, chaudières,
enroulements des machines…
• Le courant est important , il élève la température de la thermistance. On l’utilise à la protection

contre les surintensités, à la régulation des tensions….
• la température de la CTP et donc sa résistance, sera différente lorsque le capteur est dans l'air ou
plongé dans un liquide. Les CTP sont utilisées comme détecteur de niveau de liquide.

29
Composants électriques - Varistances
Elles sont constituées des cristaux de carbure de silicium que l’on agglomère avec un liant
céramique. L’ensemble est comprimé puis mis au four, Il se présente sous la forme de disques
minces dont on métallise les deux faces.
La caractéristique d’une varistance est de la forme: 𝑖 = 𝐾𝑣 𝑛 . K est une constante qui dépend de
la nature de la varistance et de ses dimensions. Suivant le type de varistances, n est compris entre 2
et 7.
On utilise des matériaux à faible coefficient de température dans la fabrication des varistances afin
de réduire le plus possible la modification de la caractéristique de la varistance du faite de
l’échauffement de celle-ci.
Les varistances sont utilisées dans la régulation de tension et pour la protection contre les
surtensions.
Le symbole d’une varistance est le suivant:

30
Introduction aux circuits intégrés linéaires
Définition
Le circuit intégré (CI), connu sous le nom de puce électronique, est un composant électronique, à
base de semi-conducteur, reproduisant une, ou plusieurs, fonction(s) électronique(s) plus ou moins
complexe(s), intégrant souvent plusieurs types de composants électroniques de base dans un
volume réduit (sur une petite plaque), rendant le circuit facile à mettre en œuvre.
Les composants de base du circuit ne sont plus discrets, mais intégrés. Ils sont produits et
connectés pendant le processus de fabrication.

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Intérêts
Les circuits intégrés présentent un grand nombre d'avantages dont:
• La compacité ;
• La fiabilité;
• L'économie:
• La facilité d'utilisation;
• Une faible consommation:
• Des performances élevées

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Catégories
Il y a deux grandes catégories de circuits intégrés: les C.I hybrides et les C.I monolithiques.
Les circuits Intégrés monolithiques ( pour des petites puissances )

Ce sont des éléments électroniques actifs et passifs réalisés simultanément au cours d'un même
processus de fabrication. Ils sont dits « monolithiques » car ils ne comprennent à l'intérieur du
boîtier qu'un seul morceau de Silicium et c'est dans ce morceau que sont réalisés tous les
composants du circuit. Du point de vue technologique, on y trouve trois grandes subdivisions:
a) Les circuits à transistors bipolaire;
b) Les circuits à transistors MOS ;
c) Les circuits à transfert de charge CTD (de Charge Tranfert Devices)
Les circuits Intégrés hybrides (plus volumineux et pour des puissances plus hautes)
Ils sont conçus sur un substrat isolant (verre ou céramique ou autre) qui, par impression ou gravure,
reçoit des conducteurs et des composants passifs. Les éléments actifs, réduits à leur plus simple
expression (chips), sont ensuite ajoutés et soudés (on dit qu'ils sont « rapportés »). Ils se divisent en
deux sous catégories: Les hybrides à couches minces (moins de 10 μm) et les hybrides à couches
épaisses (10 à 50 μm).

33
Familles
Les circuits électroniques se différentient par la manière dont ils traitent l'information: On distingue
deux grandes familles: les circuits numériques (ou logiques) et les circuits linéaires (ou
analogiques).
• Les circuits numériques
Ils travaillent par « tout ou rien( 0 ou 1) ». Ils se subdivisent en plusieurs sous familles:
o Logique RTL (Resistor Transistor Logic)
o Logique DTL, DCTL, ... (Diode Transistor Logic)
o Logique TTL (Transistor Transistor Logic)
o Logique MOS (Metal On Silicon)
• Les circuits analogiques dits linéaires
Ils présentent un signal de sortie fonction des signaux d'entrée.(Cette fonction n'est évidemment
pas nécessairement du type y=ax+b mais on les appelle quand même circuits linéaires). On
distingue:
- Amplificateurs opérationnels
- Alimentations stabilisées
- Grand Public (pour radio-TV, montres, ...)
- Interfaces (commande de lignes...)
- Divers (commande de thyristors, PLL, complexes, ...)
34
Procédé de fabrication: création d’une tranche
La technologie planar épitaxiale est aujourd'hui généralement adoptée. 2. Tranches de
type p
1. Lingot de Silicium de type p. 6 mil
Concentration souvent de Substrat p (1mil=25𝜇𝑚 )
de l'ordre de 1,4 1015atomes/cm3 avec une
résistivité typique de 10 Ω.cm
10 in
Type p Substrat p
⟹ Découpe en tranche ⟹
Substrat p
1 à 2 in
3. Dopage de
⟹
4. Couche la couche
SiO2. couche épitaxiale superficielle
Formation du substrat
0,5𝜇𝑚 superficielle d’une pour avoir
n ⟸
couche de SiO2 de
⟸ 1 mil n une couche
Substrat p protection Substrat p fine de type
(passivation) n.
35
Procédé de fabrication: Quadrillage de la tranche en puce
Puce : Chaque
puce va accueillir
plusieurs
composants

36
Procédé de fabrication: création de caisson dans les puces pour isoler les éléments.
couche de vernis
photo sensible UV
masque
SiO2
n n
Substrat p Substrat p
1. Dépôt d’une couche de vernis photo sensible 2. Masquage et Insolation
n n
3. Dissolution du vernis protecteur 4. Elimination des zones SiO2

37
Injections Caissons pour isoler les éléments les uns des autres.
des
atomes
n n n
trivalents
Substrat p Zones p diffusées
5. Diffusion des zones P
Les composants élémentaires seront réalisés dans les caissons. Pour illustrer le mode de
création d’un transistor, considérons le caissons centrale.

38
n
n
Substrat p
Substrat p
1. Oxydation de la partie supérieure
Caisson centrale
Collecteur
p
n
n
2. Photogravure et fenêtre dans l’oxyde 3. Diffusion de la base et reoxydation
39
p n
p
n n
4. Photogravure et fenêtre dans l’oxyde 5. Diffusion de l’émetteur et réoxydation
E B C
n
p
n
Substrat p
5. Photogravure et dépôt du métal pour les contacts.

40
A K
Pour réaliser une diode et
une résistance on procède
de la même manière
p
n
Substrat p
Diode
Connexion
p
n
Substrat p
Résistance
41
Pour réaliser Un circuit, on connecte les

composants élémentaires entre eux.
A K E B C Connexion
n
p p p
n n n
Substrat p

42
Ils existe plusieurs techniques pour isoler les Figure (a)

caissons les uns des autres: C B E C’ B’ E’
• Par jonction PN polarisée en inverse. Par
exemple pour les deux transistors de la figure
a) le substrat est porté à un potentiel négatif n
n
par rapport aux collecteurs.
p p
• Par caisson de dioxyde de silicium intercalé
entre le substrat et les collecteurs des n n
transistors.
Substrat p
n n n n n n n n
n n
n n
1. Ouverture de canaux 2. Oxydation ( couche 3. Dépôt d’une couche 4. Rabotage de la couche de

dans le silicium N de SiO2 de 1 à 5𝜇) de silicium silicium monocristallin
monocristallin polycristallin pour créer des caissons N
isolés.
43
Quelques fabricants de circuits intégrés:
Fabricant Pays-Bas Fabricant Pays-Bas
Intel Corporation États-Unis Advanced Micro Devices États-Unis
Samsung Electronics Corée du Sud Infineon Technologies Allemagne
Texas Instruments États-Unis Sony Japon
Toshiba Semiconductors Japon Freescale Semiconductor États-Unis
Renesas Technology Japon Elpida Memory Japon
Qualcomm États-Unis NXP Pays-Bas
STMicroelectronics France Italie NVIDIA États-Unis
Hynix Corée du Sud Marvell Technology Group États-Unis
Micron Technology États-Unis ON Semiconductor États-Unis
Broadcom États-Unis Panasonic Corporation Japon
Panasonic Corporation Japon

44
Exemple de circuits intégrés linéaires: Régulateurs de tension
Circuit Fabricant Observations

LM723 National Racheté en 2011 par
Semiconductor Texas instruments
𝜇A723 Fairchild
KA723 Fairchild
UA723 Texas Intruments

45
Exercice
Exercice N˚1:
La diode du circuit ci-dessous possède une tension d’amorçage VB=10V et une tension à ses
bornes de 0,7 v lorsqu’elle conduit. On suppose que Vin= 20 cos(100𝜋𝑡).
1. Représenter U(t) et i(t) en fonction de t.
R=1kΩ
i(t)
U(t)
1N5158
Vin VB= 10 V
IH =4mA

46
Exercice
Exercice N˚2:
bornes de 0,9v lorsqu’elle conduit. On suppose qu’à l’instant t=0 le condensateur C1 n’est
pas chargé. +55
1. Quel est l’état de la diode à l’instant t=0;
1. Donner l’expression de la tension au borne de R1=2 kΩ

condensateur quelques instant après t=0;
2. Au bout de combien de temps cette tension
atteindra t-elle 10V?
3. Que v’a t-il se passer une fois cette tension
atteinte? U(t)
VB= 10 V
4. Représenter U(t) en fonction de t. C1=0,02𝜇𝐹
5. Quelle est la période de U(t) ?
6. Quelle fonction assure le circuit étudié?

47
Exercice
Exercice N˚3:
Le thyristor du montage ci-dessous possède les caractéristiques
suivantes: VGT=0,75V; IGT=7 mA ; IH=6mA; et VK=0,7V. On
suppose également que VB > 15V. +VCC
1) Déterminer les valeurs minimales de Vin et de VCC pour
pouvoir déclencher le thyristor.
100 Ω
2) Déterminer Vout lorsque le thyristor conduit.
3) Répondre aux questions 1) et 2) si le thyristor est un SCR Vout
2N6504
1kΩ
Vin

48
Exercice
Exercice N˚4 : Crowbar

On considère le circuit suivant.
1) Quel est l’état de la diode Zener?
2) Que vaut la tension au borne de la gâchette du thyristor?
3) Quelle est alors l’état du thyristor?
4) Pour une raison quelconque, la tension V CC augmente au delà de 5,6 V. Quelle est la l’état
de la diode Zener?
VCC
5) Quelle relation doit satisfaire VCC +5V
pour que le thyristor soit
1N4734A 2N4441
déclenché? RL
5,6 V VGT=0,75 V
6) On suppose que cette relation est 10 Ω
satisfaite, que deviendra la tension
au borne de RL une fois le thyristor R1
déclenché? 68 Ω
7) Quelle est la fonction du circuit
étudié?
49
Exercice
Exercice N˚1:
bornes de 0,7 v lorsqu’elle conduit. On suppose que Vin= 20 cos(100𝜋𝑡).
1. Représenter U(t) et i(t) en fonction de t.
R=1kΩ
i(t)
U(t)
1N5158
Vin VB= 10 V
IH =4mA

50
Exercice
Exercice N˚2:
bornes de 0,9v lorsqu’elle conduit. On suppose qu’à l’instant t=0 le condensateur C1 n’est
pas chargé. +55
1. Quel est l’état de la diode à l’instant t=0;
1. Donner l’expression de la tension au borne de R1=2 kΩ

condensateur quelques instant après t=0;
2. Au bout de combien de temps cette tension
atteindra t-elle 10V?
3. Que v’a t-il se passer une fois cette tension
atteinte? U(t)
VB= 10 V
4. Représenter U(t) en fonction de t. C1=0,02𝜇𝐹
5. Quelle est la période de U(t) ?
6. Quelle fonction assure le circuit étudié?

51
Exercice
Exercice N˚3:
Le thyristor du montage ci-dessous possède les caractéristiques
suivantes: VGT=0,75V; IGT=7 mA ; IH=6mA; et VK=0,7V. On
suppose également que VB > 15V. +VCC
1) Déterminer les valeurs minimales de Vin et de VCC pour
pouvoir déclencher le thyristor.
100 Ω
2) Déterminer Vout lorsque le thyristor conduit.
3) Répondre aux questions 1) et 2) si le thyristor est un SCR Vout
2N6504
1kΩ
Vin

52
Exercice

On considère le circuit suivant.
1) Quel est l’état de la diode Zener?
2) Que vaut la tension au borne de la gâchette du thyristor?
3) Quelle est alors l’état du thyristor?
4) Pour une raison quelconque, la tension V CC augmente au delà de 5,6 V. Quelle est la l’état
de la diode Zener?
VCC
5) Quelle relation doit satisfaire VCC +5V
pour que le thyristor soit
1N4734A 2N4441
déclenché? RL
5,6 V VGT=0,75 V
6) On suppose que cette relation est 10 Ω
satisfaite, que deviendra la tension
au borne de RL une fois le thyristor R1
déclenché? 68 Ω
7) Quelle est la fonction du circuit
étudié?
53
Exercice

On considère le circuit suivant dans lequel le Diac possède une tension d’amorçage de 32V.
1) On suppose qu’à l’instant t=0, le condensateur n’est pas chargé. Quel est l’état du
thyristor.
2) Comment évolue la tension au borne du condensateur?
3) Pour quelle valeur minimale de Vin le Diac va t-il se mettre en conduction?
RL
4) Quelle sera alors la tension au borne de RL? 21 Ω
Vin
R1
82 kΩ
C1
1 𝜇𝐹


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