Electronique de Puissance

Classe : EM11

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 Plan du cours:

Chapitre1: introduction générale

Chapitre 2: Les Hacheurs
Chapitre 3: Les onduleurs
Chapitre 4: Les redresseurs
Chapitre 5: Les gradateurs

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 Chapitre 1: Introduction générale
I. Définitions:
L’électronique de puissance est la branche de
l’Electrotechnique qui a pour objet l’étude de la conversion
statique de l'énergie électrique, la conversion est réaliser au
moyen des convertisseurs permettant de changer la forme
de l'énergie électrique disponible en une forme appropriée à
l’alimentation d’une charge.
L’élément de base dans un convertisseur statique est le
semiconducteur de puissance qui fonctionne en
interrupteur:
• Ou bien il est fermé: il laisse passer le courant en ayant une
faible chute de tension entre ses bornes.
• Ou bien il est ouvert: il ne laisse pas passer le courant
malgré la tension appliquée entre ses bornes. 3
Pour fixer les instants de fonctionnement des interrupteurs,
des signaux dits signaux de commande doivent être envoyés
au montage.

Energie Energie
Electrique Convertisseur Electrique
statique modifiée

Signaux de
commande
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II. Familles de convertisseurs statiques:
L’énergie électrique est disponible soit sous forme
alternative (réseau électrique, alternateur) soit sous forme
continue (batterie, génératrice à courant continu). La charge
peut nécessiter une alimentation en alternatif ou en
continu. On définit donc 4 classes de convertisseurs:

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III. Exemples d’applications des convertisseurs:
•Applications domestiques:
Electroménagers, alimentations des appareils électriques…
•Applications industrielles:
Alimentations de secours, pompes, compresseurs, chariot
électrique…
•Transports terrestres et marins:
Voitures électriques, trains, métros, génération d’électricité
à bord des avions et des navires…

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IV. Les composants de l’Electronique de puissance:
1) Diode de puissance:
La diode de puissance, est un composant unidirectionnel
non commandable (ni à la fermeture ni à l’ouverture). Elle
n’est pas réversible en tension et ne supporte qu’une
tension anode-cathode négative (VAK < 0)à l’état bloqué.
Elle n’est pas réversible en courant et ne supporte qu’un
courant dans le sens anode-cathode positif à l’état passant
(iAK > 0).

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fonctionnement de la diode :
il s’opère suivant deux modes :

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caractéristique de la diode :

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critère de choix d’une diode :
Les grandeurs prises en considération pour choisir une
diode:
• Vrmax: la tension inverse (reverse) maximale admissible
• IFmax: courant direct (Forward) maximal admissible.

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2) Le Thyristor (SCR):
Le thyristor est un composant électronique unidirectionnel
(le courant passe dans un seul sens) commandé à la
fermeture, mais pas à l’ouverture. Il est réversible en tension
et supporte des tensions VAK aussi bien positives que
négatives. Il n’est pas réversible en courant et ne permet
que des courants iAK positifs, c’est à dire dans le sens anode-
cathode, à l’état passant.

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fonctionnement du Thyristor:
Le fonctionnement du thyristor s’opère suivant deux modes :
L’état passant (ON) :
L’amorçage du thyristor est obtenu par un courant de
gâchette iG positif d’amplitude suffisante alors que la tension
VAK est positive.
Cet état est caractérisé par une tension VAK nulle et un
courant iAK positif.
L’état bloqué (OFF) :
On distingue deux types de blocage:
-Blocage naturelle par annulation du courant iAK.
-Blocage forcée par inversion de la tension VAK.

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caractéristique du Thyristor:

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critère de choix d’un Thyristor :
Les grandeurs prises en considération pour choisir une
diode:
• VRRM: la tension inverse (reverse) maximale admissible
• VDRM: la tension directe maximale admissible
• IFmax: courant direct (Forward) maximal admissible.

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3) Le Thyristor GTO:
Le thyristor GTO (Gate Turn Off) est une évolution du
thyristor classique qui a la propriété de pouvoir être bloqué
à l'aide de la gâchette, contrairement aux thyristors
classiques. Il est utilisé pour les fortes puissances.
Principe de fonctionnement :
L’état passant (ON): Un GTO s'amorce par
la gâchette (avec VGK>0) comme un
thyristor ordinaire. Le courant de gâchette
peut être de quelques ampères. Une fois la conduction
amorcée, elle se maintient.
L’état bloqué (OFF) : Le blocage du GTO
consiste à détourner la quasi totalité du courant d'anode
dans la gâchette en appliquant VGK<0. L'opération doit avoir
une durée minimale pour assurer un blocage fiable. 15
4) Le Transistor bipolaire de puissance:
Le transistor est un composant totalement commandé : à la
fermeture et à l’ouverture. Il n’est pas réversible en courant,
ne laissant passer que des courants de collecteur ic positifs.
Il n’est pas réversible en tension, n’acceptant que des
tensions VCE positives lorsqu’il est bloqué.
Principe de fonctionnement :
Transistor bloqué : obtenu pour iB=0 ,
ce qui induit iC=0 et une tension VCE>0 (tension de source).
L’équivalent d’un interrupteur ouvert.
Transistor saturé (ON): iB>0 tel que le
transistor impose une tension VCE pratiquement nulle tandis
que le courant iC atteint une valeur limite dite de saturation,
iCsat. L’équivalent d’un interrupteur fermé.
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Caractéristique d’un transistor bipolaire:
La caractéristique de sortie d’un transistor bipolaire est
définie par la relation IC=f(VCE) à IB=cte.
Sur ce réseau de caractéristiques
On distingue 2 zones:
* Zone linéaire: le courant IC
Dépend très peu de VCE dans
Cette zone IC ≈β IB : plutôt utilisé
en amplification de signaux
* Zone de saturation: (zone
hachurée) le courant iB est tel
que le transistor impose une tension VCE pratiquement nulle
tandis que le courant iC atteint une valeur limite dite de
saturation iCsat. Zone employée en électronique de puissance
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Caractéristique d’un transistor de puissance:

IC

IB>0
IB=0
VCE

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5) Transistor MOS de puissance:
Le transistor MOS est un composant totalement commandé
à la fermeture et à l’ouverture. Il est rendu passant grâce à
une tension VGS positive (de l’ordre de 15V). La grille est
isolée du reste du transistor, ce qui procure une impédance
grille-source très élevée. La grille n’absorbe donc aucun
courant en régime permanent. La jonction drain-source est
alors assimilable à une résistance très faible (interrupteur
fermée). On le bloque en annulant la tension VGS.

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6) Transistor IGBT:
Transistor bipolaire à grille isolée est le mariage du bipolaire
et du MOS, Le transistor bipolaire assure une chute de
tension à l’état passant (VCE) plus favorable que le MOS. Par
contre, c’est le MOS qui est plus avantageux en raison de sa
commande en tension. Un transistor hybride, commande
MOS en tension et circuit de puissance bipolaire, permet de
meilleures performances : c’est le transistor IGBT (Insulated
Gate Bipolar Transistor).

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