LES COMPOSANTS

DE PUISSANCE

Ahmed ELAKKARY
Ecole Suprieure de Technologie Sal
aelakkary@gmail.com
Introduction
llectronique industrielle appele aussi lectronique
de puissance permet de mettre en jeu des puissances
importantes et considrable pour dvelopper des
fonctions industrielles de base, ncessaires dans des
multiples domaines, exemple:
entranements rgls,
variation de vitesse,
usines et rseaux lectriques,
alimentation auxiliaires de secours,....etc.
 Introduction et gnralits

AGIR

nergie nergie
lectrique lectrique
Montage
Alternative Continue
Redresseur
Fonction

SOURCE
dnergie Convertisseur CHARGE
lectrique
Types de convertisseurs
 Types de convertisseurs
Entre Sortie U F dnomination
varie? varie?
AC DC oui - Redresseur
Variateur DC
AC AC oui non Gradateur
AC AC oui oui Cycloconvertisseur
DC DC oui - Hacheur
Alim. dcoupage
DC AC oui oui Onduleur
Les composants de puissance
Les diodes
Les thyristors
- classiques(SCR)(Silicon- controlled Rectifier)
- Triac
- photo thyristor
- GTO
Les transistors de puissance
- bipolaire
-Mosfet
- IGBT
tudes des montages
REDRESSEUR
 Les diodes

Une diode est un lment non command compos de 2

couches de matriaux semi-conducteur dop (Silicium ou
germanium).
Anode A

Cathode K
 Les caractristiques statiques dune diode

VF : tension directe
IF : courant direct
VRRM : tension inverse maximale rptitive
VRSM : Tension inverse maximale non rptitive.

En conduction la tension directe aux bornes de la diode est de lordre de 0.8 1 volt.
On trouve des diodes qui supportent un courant direct :
Ia = 2000 A, et des tensions inverse jusqu 4000 volts.
 Les caractristiques dynamiques :

On fait lhypothse que lamorage et le

blocage se font dIa/dt =constant

Amorage

Il y aura une surtension aux bornes de la diode et une puissance dissipe non
ngligeable.
 Les caractristiques dynamiques :

Blocage

Il y aura un courant inverse dans la

diode dune valeur non ngligeable
IRM .

On appelle TOFF la priode de recouvrement inverse.

En gnral, lordre de valeurs des temps de blocage et damorage est :
- TON = 1 s
-TOFF= 25 100 ns pour les diodes rapides, jusqu quelques s pour
les diodes lentes.
 Critres de choix dune diode de puissance :

Le choix d'une diode de commutation dpend de son application dans

la structure.
VRM maximale (tension inverse ltat bloqu)

VF minimale

TON et TOFF minimaux

IF : (courant moyen ltat passant ) et ventuellement le

IFmax : courant maximal rptitif

Par scurit de dimensionnement, on applique un coefficient de scurit de 1,2 2

ces grandeurs
 Critres de choix dune diode de puissance :

Blocage dune diode :

Pour quune diode se bloque, il faut que le courant qui la traverse sannule ; Ia = 0.
 Thyristor
gchette

cathode

cathode
anode
Thyristor
Thyristor
 Thyristor : caractristique
statique

Pour Ig = Ig4 > 0 le

thyristor samorce pour une
tension directe VB4 < VB0.

Pour Ig = Ig1 suffisant,

VB1 est trs faible
(conduction comme une
diode).
Thyristor : grandeurs caractristiques

La valeur de IH est
1000 3000 fois plus
Petite que le courant
Nominal du thyristor.
 Caractristiques dynamiques:

Amorage

Amorage nest pas instantan quand Ig > 0. Il

se divise en 2 intervalles de temps :

Td (temps de retard) = de 0.2 s 1 s selon

la valeur de Ig.

Tr (temps de basculement). Ia arrive 90% de

IF et VAK baisse jusquau 10% de sa valeur
maximale.
Le temps de commutation est :

Ton= Td+Tr
Ton = 1 6 s
Remarque: Il faut que la largueur dimpulsion t sur la gchette soit
suffisante pour que Ia dpasse la valeur du courant daccrochage IL
(Latching current), sinon, il ny a pas damorage du thyristor aprs la
disparition de limpulsion.
Thyristor : amorage

Possibilits damorage:
courant de gchette + tension directe
dV/dt
claquage direct

Dynamique damorage:
retard lamorage (0,1 10 us)
ncessit de limiter le di/dt
impulsion unique, train dimpulsions
 Thyristor : blocage

Le temps de blocage est compos de 2

intervalles

Trr: temps de recouvrement inverse

Tgr: temps de recouvrement de la
gchette.
Tgr > Trr
TOFF = Trr + Tgr
TOFF= 5 s 400 s
 schma dun thyristor protg contre les di/dt et les
dV/dt.

lenvironnement dun thyristor de puissance

est constitu dun systme de commande de la
gchette, dune inductance L pour viter la
variation brutale du courant, dun condensateur
C pour limiter la variation de tension et dun
fusible.
 Caractristiques des thyristors
En gnral :
- dV/dt trop grand peut provoquer lamorage du thyristor :
20 (V / s) dV/dt 200 (V / s)
Tension directe < VB0
- Courant de maintient IH minimal (IH = 1 mA 100 mA).
- Temprature maximale de fonctionnement = 125 C
- dIa/dt < 100 A / s
- dIg/dt < 500 mA/ s
- frquence dutilisation maximale :
fmax < 1/(TON + TOFF + t(utile)) : f = quelques kHz.
- Imax est fonction de TOFF et de la frquence.
- 100 mA Ia 3000 A
- 100 V VAK 4000 volts
tq: temps de dsamorage

t3

Qrr i (t )dt
t0
 Thyristor : ordres de grandeur
Pour un thyristor 300A 2000V
paisseur pastille : 0.7 mm
diamtre pastille : 30 mm
tq : 10 100 us
Qrr : 20 uC pour I = 20A
ton : 0.1 10 us
 Triac: symbole et notation
Cest un semi-conducteur qui peut conduire dans
les deux sens. Sa conduction est dclenche par la
gchette.
Gchette
IG
IA

Anode 1 Anode 2

VA2A1
Triac : constitution
Triac : commande
 Triac : fonctionnement

- Le triac est quivalent deux thyristors

monts en opposition.
- Le blocage du triac seffectue lannulation
du courant anodique.

- Lamorage est provoqu par un courant de

gchette
GTO : Gate Turn-Off thyristor
 GTO: symboles et notations

Ils sont commands au blocage ou l'amorage par la mme

gchette. Donc les 2 tats ON et OFF du composant sont contrl par
le courant de la gchette
GTO : commande
 GTO: blocage
Les tapes dextinction sont diffrentes du cas
dun thyristor classique .
Ts (quelques s ) temps de stockage : Ia
diminue de 10 %.
Tf ( < 1 s) temps de descente : Ia diminue
jusqu 10 % de IF.
Dou le temps dextinction par la gchette est :
Tgq = Ts + Tf
Ttail : pendant lequel le GTO laisse passer un
courant de queue Itail.

pendant Tf, il y a une chute brutale du courant :

dIa/dt = 10 A/s. Cela produit une surtension
intolrable aux bornes du composant.
Transistor bipolaire de
puissance
Transistor : caractristiques statiques
Transistor de puissance : points de
fonctionnement

Caractristiques:
-meilleure tenue en tension
- et prsentent une chute de
tension ltat passant plus
faible pour des courants levs.
Commutation du transistor
MOSFET de puissance
 MOSFET : caractristiques
statique

Caractristiques:
-Facile commander
- rapide
 Insulated Gate Bipolar Transistor = IGBT

Le transistor MOS est rapide et facile commander, mais les transistors

bipolaires ont une meilleure tenue en tension et prsentent une chute de tension
ltat passant plus faible pour des courants levs. La volont de cumuler ces
deux avantages a donn naissance des composants hybrides nomms IGBT.
IGBT : commande
Radiateurs
Evacuation de la chaleur
(statique)

P
TJ TA
RJB RBR RRA
Evacuation de la chaleur
(dynamique)
Domaines dutilisation
 Comparaison entre SC de
puissance
Le composant idal :
Tenue en tension infinie

Tenue en courant infinie

Temps de commutation nulle

Courant de fuite nul

Pertes par commutation et conduction nulles

Puissance de commande nulle

Faible cot
 Comparaison entre SC de
puissance
Le thyristor :
Tenues en tension et en courant les plus leves

Tension inverse importante

Robuste, bon march

Faibles pertes par conduction

Temps de mise en conduction long

Courant de fuite nul

Ne peut tre teint en agissant sur sa commande

 Comparaison entre SC de
puissance
Selon le type de convertisseur:
Redresseurs 50 Hz : thyristors ou diodes

Hacheurs et onduleurs : (commutations rapides, pas

de tension inverse): transistors bipolaires, IGBT,

MOSFET, GTO
Jusqu 15 kHz, GTO pour puissance (faibles pertes)
Jusqu 100 kHz, transistor bipolaire et IGBT (faibles pertes
par conduction)
au-dessus de 100 kHz, MOSFET uniquement
 Etude des interrupteurs
Modle et convention dun interrupteur idal
vK

iK Caractristiques statiques IK(VK)

iK
ferm iK

vK

vK
ouvert iK
0
vK
On distingue les interrupteurs en fonction
de leur caractristique statique IK(VK) :
- 2 segments;
- 3 segments;
- 4 segments.
 Etude des interrupteurs

Caractristiques statiques IK(VK) 2 segments :

vK vK
vK vK iK iK

iK iK

Transistor IGBT Diodes

Uni directionnalit en tension et en courant.
 Etude des interrupteurs

Caractristiques statiques IK(VK) 3 segments :

Bidirectionnel en tension :

vK vK
iK iK
iK vK

Thyristor

Bidirectionnalit en tension.
Unidirectionnalit en courant.
 Etude des interrupteurs

Caractristiques statiques IK(VK) 3 segments :

Bidirectionnel en courant :

vK vK vK
iK iK
iK
Transistor MOS
Bidirectionnalit en courant.
Unidirectionnalit en tension.
 Etude des interrupteurs

Caractristiques statiques IK(VK) 4 segments :

Bidirectionnalit en courant et en tension.
vK

iK
 Mode de commutations
Caractristiques dynamiques
iK - Passage de ltat ouvert ltat
W<0 W>0 ferm amorage

- Passage de ltat ferm ltat

vK ouvert blocage

0 nergie dissipe pendant la

commutation :

W>0 W<0 W
Tcom
vk (t)iK (t)dt

Lnergie dissipe pendant une commutation ne peut tre que positive.

W>0 Commutation commande

W=0 Commutation naturelle
 Interrupteurs existants

iK iK
vK vK

iK vK iK vK

0 0

DIODE IGBT

iK
iK vK
vK

iK vK
iK vK
0
0

THYRISTOR MOS
 Hacheur srie

i>0

E CVS v>0

batterie MCC

Structure Choix des interrupteurs

iK1 iK1 iK2

vK1 K1
vK1 vK2
I
E iK2 0 0

vK2 v
K2

Commande des interrupteurs

IGBT DIODE
K1 K2

aT T
 Onduleur

CVS
Tension MAS
redresse filtre

Structure
Commande des interrupteurs
Courant
alternatif K1 K2

K1 K3 K5 K4 K3 K4

K5 K6 K5
E
2p
2p/3

K2 K4 K6 i <> 0
Choix des interrupteurs
iK

vK IGBT
OU UN 0 +
TRANSISTOR DIODE
MOS
SOURCE DE TENSION VS SOURCE DE
Convertisseurs indirects
COURANT
L
i
uL=L.di/dt=E-v

di/dt=(E-v)/L
v
E
Si L grand alors :
di/dt=0 soit i = constante

I i iC=C.dv/dt=I-i

iC dv/dt=(I-i)/C
v
Si C grand alors :
C
dv/dt=0 soit v= constante