Chapitre 1 & 2 Hacheurs - Complet - Cours Electroniq - 240109 - 161054

ÉLECTRONIQUE DE PUISSANCE
Cours préparé par : Pr Madiha ELGHAMRASNI

madiha.elghamrasni@gmail.com
EMG
Année universitaire 2022-2023
1
Electronique de puissance
Chapitre 1: Introduction générale
Chapitre 2: Composants de l’électronique de puissance
Chapitre 3: Gradateurs et cycloconvertisseurs

3
Ch1: Introduction générale
L’électronique Toutes les applications liées à l’utilisation des composants « actifs », semi-conducteurs ou tubes
à vide.
• L’électronique numérique,
• L’électronique analogique,
• L’électronique de puissance
Ch1: Introduction générale: I- Définitions
I-Définitions :
Définition 1:
 L’électronique de puissance à pour objet l’étude
de la conversion statique de l’énergie
électrique, les structures, les composants et
leur commande.
5
Définition 2:
 Un convertisseur statique est un montage
utilisant des interrupteurs à semi-conducteur
qui par commande convenable permet le
transfert d’énergie entre une source d’entrée et
une source de sortie.
Il permet d’adapter la source d’énergie électrique à

un récepteur donné.
6
On distingue plusieurs familles de convertisseur statiques :
7
Ch1: Introduction générale: II- Conversions réalisées
II. Conversions réalisées:

1 conversion Alternatif/continu : Le redresseur
Le redressement est la conversion d’une
tension alternative en une tension continue.
On l’utilise pour alimenter un récepteur en
continu à partir du réseau de distribution
alternatif.
8
II-1-1 Redresseur à base de diodes : non

commandé :
Exemple : pont de GRAETZ
9
II-1-1 Redresseur à base de thyristors :

commandé:
Exemple : le redresseur commandé est

composé de thyristors montés en pont
ici en pont triphasé.
θ : retard à l’amorçage des thyristors.
10
II-2 conversion continu/continu : Le hacheur

Le hacheur permet d’alimenter une charge
sous une tension continue réglable à partir
d’une source continue fixe.
On obtient une tension de valeur moyenne
variable en établissant et interrompant
périodiquement l’alimentation de la charge
par la source grâce à des interrupteurs
électroniques.
11
 : rapport cyclique .
Exemple d’application : alimentation et réglage de la vitesse d’un moteur à courant continu
12
II-3 conversion continu/alternatif : L’onduleur
L’onduleur permet d’obtenir une tension

alternative réglable (en fréquence et en
amplitude) à partir d’une source de tension
continue.
13
MLI : Modulation en largeur d’impulsion.
14
Exemple d’utilisation :
1- Onduleur de secours pour le matériel informatique qui permet d’assurer
la continuité de l’alimentation en cas de coupures sur le réseau.
15
2- Variation de vitesse des moteurs asynchrones :
16
II-3 conversion alternatif/alternatif : Gradateur
Le gradateur est un montage qui permet de

faire varier la valeur efficace aux bornes d’une
charge sans changer la fréquence de l’onde
alternative de source
17
La structure de base repose sur un interrupteur électronique capable de conduire dans

Les deux sens à l’état passant et de supporter une tension également dans les deux sens à
L’état bloqué.
L’interrupteur peut être réalisé par :
-un seul composant : le triac.
- Deux thyristors tête-bêche
18
Chapitre 2: Composants de l’électronique de puissance
Chapitre 3: Gradateurs et cycloconvertisseurs

Chapitre 2: Composants de
l’électronique de puissance
20
Ch2: Composants de l’électronique de puissance: I- Diode de puissance
I. Diode de puissance :
1 définition :
Les diodes de puissance doivent :
-Supporter la conduction de forte densité de
courant (60 à 100 A/cm2).
-Avoir une faible chute de tension.
-Les tensions inverses en polarisation
inverses sont de l’ordre du 1Kv.
21
Solution :
Structure PIN ( Positive Intrinsic Negative
Diode)
22
I-2 Symbole :
23
24
25
Modules
De
Diode
De puissance
26
I-3 états de la diode :

a) Cas idéal (tension seuil Vs =0V)
a-1) Diode passante (ON):
- Si VAK> 0 ( ou IAK> 0)
- La diode est équivalente à un interrupteur
fermé.
27
a-2) Diode bloquée (OFF):

- Si VAK< 0 ( ou IAK< 0)
- La diode se bloque.
- La diode est équivalente à un interrupteur
ouvert.
- La tension VAK est dite tension inverse.
28
b) Diode avec tension seuil ( Vs> 0V):

- Si VAK ≥ Vs
- La diode est passante.
- Si VAK < Vs
- La diode est bloquée.
29
c) Diode avec tension seuil ( Vs> 0V) et

résistance dynamique Rd:
- Si VAK ≥ Vs
- La diode est passante : VAK=VS+Rd.IAK
30
- Si VAK < Vs
- La diode est bloquée.
31
I-4 Caractéristique statique :
IFM : courant direct maximal.

VRRM : Tension inverse répétitive de pointe.
VBR : tension d’avalanche (destruction).
32
I-5 composant parfait :

a) Diode sans seuil (VS= 0V)
- état passant on a: IAK>0 , VAK =0V.

- état bloqué on a : IAK=0A , VAK< 0.
33
b) Diode avec tension seuil (VS):
-État passant : IAK>0, VAK=VS .

-État bloquée : IAK=0A, VAK< VS
34
c) Diode avec tension seuil (VS) et résistance

dynamique :
-État passant : IAK>0, VAK=VS +Rd.IAK avec

Rd=cotg ()=ΔVAK/ΔIAK.
-État bloquée : IAK=0A, VAK< VS 35
I-6 Critères de choix de la diode de puissance :
36
I-7 Protections :
37
38
Ch2: Composants de l’électronique de puissance: II- Thyristor
II- Thyristor :
Le thyristor est un composant commandé
seulement en fermeture ( à l’état passant)
par la gâchette.
II-1 Symbole :
39
40
41
II-2 Caractéristique statique :
A = Amorçage
Ih : courant de maintien (holding current)
IL: courant d’accrochage (Latching current)
42
V DRM: tension direct répétitive maximum ou VBO (forward break over voltage)
II-2-1 Valeurs importantes :
VDRM : valeur crête maximale de la tension directe que le thyristor supporte

à l'état bloqué direct (avant ou amorçable).
− VRRM : Valeur crête maximale de la tension inverse que le thyristor
supporte à l'état bloqué inverse.
NB : VDRM =VRRM pour les thyristors usuels.
-vBR : tension de claquage (destruction).
− ton: Temps total mis par iAK pour atteindre sa valeur finale (turn on time).
-IH : valeur minimale de iAK en-dessous de laquelle le thyristor se rebloque

spontanément
− Courant d'accrochage iL: Il correspond à la valeur minimale de iAK pour laquelle la conduction
devient irréversible, donc ne nécessite plus de signal de gâchette.
Le courant d’accrochage iL vaut 2 fois à 3 fois le courant de maintien iH.
43
II-2-2 explications :
-Pour un thyristor bloqué on a : IAK 0A et VAK< 0
- Pour un thyristor amorçable on a : IAK < Ih (IAK0A) et VAK>0

-Pour un thyristor Passant on a : IAK > Ih et

VAK  0V ( cas idéal).
- Si le thyristor à une tension seuil VT (cas

réel) VAK = VT :
45
II-3 changement d’états :
a) amorçage : transition OFF-ON
a-1) thyristor parfait :

Si VAK> 0 et Ig> IgT (courant gâchette seuil),
Le thyristor devient passant.
a-2) thyristor réel :

Si VAK> VT et Ig> IgT (courant gâchette seuil),
Le thyristor devient passant.
46
b) amorçage : transition ON-OFF
b-1) thyristor parfait :

Si VAK <0 le thyristor devient bloqué (commutation
forcée).
Si IAK< IH et t> tq : temps de recouvrement (turn off
time), le thyristor devient bloqué (commutation
naturelle).
b-2) thyristor réel :
Si VAK < VT le thyristor devient bloqué (commutation
forcée).
Si IAK< IH et t> tq :temps de recouvrement (turn off
time), le thyristor devient bloqué (commutation
naturelle) . 47
II-4 Modèle parfait :
48
II-5 thyristor réel : TO-208AC 5TO-65)
49
50
51
II-6 Limites de fonctionnement :

L’application de VAK>VRRM (ou VDRM)détruit le
composant.
A partir de 180°C (température de jonction) le thyristor
est détruit.
A l’amorçage si di/dt est excessif, le thyristor est détruit.
Si VAK>0 et VAK=VDRM avec ig=0 le thyristor s’amorce
spontanément (fonctionnement anormal).
Si VAK>0 et dVAK/dt > (dVAK/dt)max (constructeur) le
thyristor s’amorce spontanément (fonctionnement
anormale).
52
Ch2: Composants de l’électronique de puissance: III- Transistor bipolaire
III- Transistor bipolaire:

a)- symbole :
Le transistor NPN est le plus utilisé en électronique de puissance
Il est commandé à la fermeture et à l’ouverture.
53
III-1 Modes de fonctionnement:
a) Si iB=ic= 0A le transistor est bloqué et équivalent à un

interrupteur ouvert.
b) Si ic=icsat (iB>iBsat) le transistor est saturé et équivalent à un

interrupteur fermé
54
III-2 fonctionnement parfait:
-Si le transistor est passant iC=iCsat et VCE =0.

-Si le transistor est bloqué iC=0 et VCE> 0.
Changement d’états :
1 : OFF-ON: iB>iBsat .
2 : ON-OFF: iB=OA . 55
Ch2: Composants de l’électronique de puissance: IV- Transistor à effet de champ à semi
IV.Transistor à effet de champ à semi-

conducteur métal-oxyde: `MOSFET’ :
1 E-MOSFET ‘MOSFET à enrichissement’ à canal N:
iD+iG=iS
IG  0A
Rq1: le E-MOSFET est le mosfet le plus courant en

électronique de puissance.
Rq2: Le E-MOSFET est commandé en fermeture et en
ouverture.
Rq3: Le courant est dû au déplacement des électrons. Rq4:
courant et tension positifs (iD>0 et VDS>0 et VGS>0) 56
Rappel :
E-MOSFET ‘MOSFET à enrichissement’ à canal P:
Rq1: Le courant est dû au déplacement des trous.

Rq2 : courant et tension négatifs (iD< 0 et VDS<0 et VGS<0)
57
CJMCU-4599 Module de carte d'extension pour canal N et P 58
Variation lumineuse Alimentation d’une led Alimentation de 5 leds
Destinés à la commutation de charge et la

gestion des convetisseurs DC-DC dans les
applications automobiles , les MOSFET canal-N
en petits boîtiers SSM3K341R 60 V et le
SSM3K361R 100 V présentent une faible
résistance à l'état passant RDS(ON)dans leur
catégorie et sont qualifiés selon la norme
59
AEC-Q101.
IV- 2 fonctionnement parfait :
a) États :
-Transistor MOSFET ouvert (OFF) :
On a : iD=0 et VDS>0
-Transistor MOSFET fermé (ON) :
iD=iDmax et VDS =0
60
b) Changement d’états :
1 : OFF-ON: VGS>0 , si cas réel VGS>Vth (tension seuil) .

La résistance drain source RDS devient très faible
donc le courant ID croit.
Remarque : RDS à l’etat passant RDS (ON) n’est pas nulle
(inconvéniant du Mosfet)
2 : ON-OFF: VGS =0V, si cas réel VGS<Vth (tension seuil) .

La résistance drain source RDS devient très grande
Ce qui annule le courant drain ID .
61
IV- 3 fonctionnement réel :
VGS(th) : tension seuil (threshold).
ID = K . (VGS - VGS(th))²
62
Ch2: Composants de l’électronique de puissance: V- Transistor bipolaire à grille isolée
V- Tranistor bipolaire à grille isolée:

‘Insulated Gate Bipolar Transistors’ : IGBT
V-1 Symbole :
- C’est un composant de puissance commandé à la fermeture et à l’ouverture.
-Il associe les performances en courant entre collecteur et émetteur (la faible chute de
tension collecteur émetteur VCE= 0,1 V) (transistor bipolaire) et la commande en tension
par sa grille qui nécessite un courant permanent quasiment nul (MOSFET) .
63
a- Schéma équivalent de l’IGBT :
Schéma simplifié
64
Semikron SKM100GB12T4 , SEMITRANS2 TIDA-00917 Gate Driver (pilote de
, N-Channel Dual Half Bridge IGBT Module, grille) de 4 IGBT en // 1200V/450A
160 A max, 1200 V TEXAS Instrument
Module IGBT Infineon 1200V/50A 3300V/1200A ABB HiPak IGBT

65
V-2 fonctionnement parfait :

IC
V CE
66
a) Changement d’états :
1 : OFF-ON: VGE>Vth (tension seuil) .
2 : ON-OFF: VGE < Vth (tension seuil), en pratique on prend

VGE ≤ 0 pour accéler la commutation.
67
Ch2: Composants de l’électronique de puissance: VI- Thyristor GTO
VI- Thyristor GTO:

‘Gate Turn Off’ thyristor
VI-1 Symbole :
C’est un composant de fortes puissances (>1OO KW) commandé à la fermeture et l’ouverture .

Les applications usuelles du GTO sont les onduleurs, redresseurs et hacheurs pour
la vitesse variable et la conversion d'énergie, mais également les FACTS:
‘ Flexible Alternating Current Transmission System’.
. 68
69
Gate Control Drivers
70
VI-1 Commande de gachette
a) Amorçage OFF-ON :
La commande de l'amorçage doit être énergique : l'impulsion de courant iG

doit avoir un front raide et une amplitude atteignant 2 à 5 fois la valeur de iGmin.
VAK > 0 et Ig> iGmin ( quelques % de IAK) pendant t > tGmin ( quelques μs)
Ensuite pendant la conduction, la gâchette doit être alimentée de façon

permanente par un courant IG noté IG(ON), Ce courant permet de réduire
la chute de tension directe à l'état passant VD(ON) aux bornes du thyristor.
71
b)Blocage OFF-ON :
L'extinction du GTO se fait par extraction de charges par la gâchette.
L'application d'une tension négative VGK fait apparaître un courant de gâchette

négatif < IGR(reverse), le GTO se bloque.
Le courant inverse doit pouvoir atteindre des valeurs importantes

de -IAK/10 à -IAK/5 pendant un temps tinv (~ 100μs).
Exemple : thyristor GTO de 1000V, 100A

Pour I AK = 100 A
Amorçage: Ig  1 A > 0
Blocage : Ig  -20A < 0
72
c) Pertes:
Les pertes en conductions sont un peu plus importantes que pour un thyristor
Au blocage a cause du traînage en courant.
A La mise en conduction, il y a risque de destruction si le di/dt est trop important. Pour ces raisons, les GTO s
toujours associés a des circuits d’aides à la commutation
CALC.
Exemple :
73
Un GTO «classique» est limité :

- en vitesse de croissance du courant à la mise en conduction (dI/dt typique : 300A/µs),
- en vitesse de croissance de la tension au blocage (dV/dt typique : 400V/µs),
et comme tout composant, en tension crête instantanée (valeur selon le calibre).
Pour respecter ces contraintes, on aura le plus souvent besoin :
d'un circuit inductif en série,
d'un circuit capacitif en parallèle,
d'un circuit d'écrêtage de la tension en parallèle.
Le HDGTO (Hard Driven GTO : GTO à commande dure), plus connu sous le nom de GCT
(Gate-Commutated Thyristor) ou IGCT (Integrated GCT), est une évolution «moderne»
du GTO, donnant la possibilité à un fonctionnement sans circuit d'aide à la commutation.
74
Ch2: Composants de l’électronique de puissance: VII- Comparaison composants
VII- Comparaison composants :
75
Ch2: Composants de l’électronique de puissance: VII- Comparaison composants
76
VII – 1 Aire de sécurité :
77
Ch2: Composants de l’électronique de puissance: VIII- Redresseurs
VIII- Redresseurs
Il y a deux types de redresseurs :
 Les redresseurs non commandés (à base de diodes) qui fournissent une

tension redressée à valeur moyenne constante;
 Les redresseurs commandés ( à base de thyristors) qui délivrent une tension

redressée à valeur moyenne ajustable.
78
VIII-I- Redresseurs non commandés :

VIII-I-1 Redresseur double alternance sur charge résistive :
79
a) Analyse du fonctionnement :
a-1) alternance positive : ve(t) > 0 si 0<t< T/2
Diodes passantes :D1 et D3
Diodes bloquées : D2 et D4
- Courants :
Ie= iD1= is= iD3
iD2= iD4= 0 A
- Tensions :
ve = vs > 0
vD1= vD3= 0V
vD2= vD4= - ve <0
80
a-2) alternance négative : ve(t) < 0 si T/2≤ t < T
Diodes passantes :D2 et D4
Diodes bloquées : D1 et D3
- Cas 1 : (ve < 0; Ie<0)

-Courants :
iD2= iD4 = is = -Ie> 0
iD3= iD1= 0 A
-Tensions :
vs =- ve > 0
vD2= vD4= 0V
vD1= vD3= ve <0
- Cas 2 : (ve > 0; Ie>0)

-Courants :
iD2= iD4 =is= Ie >0
iD1= iD3= 0 A
-Tensions :
ve = vs > 0
vD2= vD4= 0V
vD1= vD3= - ve <0
81
b) chronogrammes :
b-1) tensions :
82
b-1) Courants :
83
Ts= T/2
84
VIII-I-2 Redresseur double alternance sur charge inductive :
L’inductance L s’oppose aux variations du courant is , elle lisse le courant is.
85
a) Chronogrammes :
L’ondulation du courant diminue quand l’inductance augmente.

Le courant ne passe plus par zéro, c’est le régime de conduction ininterrompue.
86
87
88
VIII-II- Redresseurs commandés :
VIII-II-1 Pont 4 Thyristors :
89
90
a) Etude d’une période :
a-1) pour   [-/2, /2] : (v(t)>0)
T1 et T3 sont passants
T2 et T4 sont bloqués
-Courants :
iT1(t)=ic(t)=iT3(t)=i(t)
iT2(t)=iT4(t)= 0A
-Tensions :
UT1(t)=UT3(t)= 0V
UT2(t)=UT4(t)= - v(t) < 0
Uc(t)=v(t) > 0
91
a-2) pour   [/2, /2+  [: (v(t)<0)
T2 et T4 n’ont pas reçu d’impulsions gâchette.

T1 et T3 reste passant car l’intensité du courant dans la charge reste constante et ininterrompue
(effet de charge inductive)
-Courants :
iT1(t)=ic(t)=iT3(t)=i(t)
iT2(t)=iT4(t)= 0A
-Tensions :
UT1(t)=UT3(t)= 0V
UT2(t)=UT4(t)= - v(t) > 0
Uc(t)=v(t) < 0
92
a-3) pour   [/2+ ,3/2[: (v(t)<0)
T2 et T4 ont reçu leurs impulsions gâchette.
T2 et T4 sont passants.
T1 et T3 sont bloqués.
-Courants :
iT2(t)=ic(t)=iT4(t)= - i(t)
iT1(t)=iT3(t)= 0A
-Tensions :
UT2(t)=UT4(t)= 0V
UT1(t)=UT3(t)= v(t) < 0
Uc(t)= - v(t) > 0
93
a-4) pour   [3/2, 3/2+[: (v(t)>0)
T1 et T3 n’ont pas reçu d’impulsions gâchette.

T2 et T4 reste passant car l’intensité du courant dans la charge reste constante et ininterrompue.
T2 et T4 sont passants.
T1 et T3 sont bloqués.
-Courants :
iT2(t)=ic(t)=iT4(t)= - i(t)
iT1(t)=iT3(t)= 0A
-Tensions :
UT2(t)=UT4(t)= 0V
UT1(t)=UT3(t)= v(t) > 0
Uc(t)=-v(t) < 0
94
b) Chronogrammes :
b-1) courants :
95
b-2) Tensions:
96
97
f- étude du transfert des puissances :
f-1) côté alimentation :
98
f-2) côté charge :
99
Conclusion :
 Lorsque l’alimentation fournit de l’énergie à la charge:

Le pont fonctionne en redresseur classique.
 Lorsque la charge restitue de l’énergie vers l’alimentation:

Le pont fonctionne en onduleur non autonome (assisté).
 Dans ce cas l’alimentation doit pouvoir recevoir du courant (accumulateur ou

batterie)
100
Ch2: Composants de l’électronique de puissance: IX- Redresseurs triphasés
IX- Redresseurs triphasés :
a) Considérations générales :
Les charges industrielles connectés aux redresseurs sont généralement des récepteurs inductifs (MCC,…)
On peut faire les considérations suivantes :
Le courant circule en permanence dans le récepteur.
Le courant est presque constant.
101
IX-1 Redresseurs à diodes triphasés :
IX-1-1 Redresseur type parallèle P3:
D1,D2,D3 sont montées en cathode équipotentielle.
Règle de conduction:
C’est la diode qui voit la tension la plus positive qui conduit .
102
Le système triphasé (V1,V2,V3) est un système triphasé équilibré direct :
V1=Vmax sin(t)
V2=Vmax sin(t-2/3)
V3= Vmax sin(t+2/3)
103
a)- Etudes des cas :
Pendant que V1 est la plus positive :
Diode D1 conduit et Vs=V1 et Is=ID1


104
105
106
d)- Courant dans les diodes :
Le courant de sortie Is doit rester constant :

chaque diode assure ce courant pendant T/3.
ID1max=ID2max=ID3max= IS
107
108
109
IX-1-2 Redresseur type parallèle double PD3:
VD1
D1 Is
V1
D2
1 i1
D3
2 V2
triphesé Vs
Réseau
D4
3
D5
V3
D6
D1,D3,D5 : diodes à cathode équipotentielle.

D2,D4,D6 : diodes à anode équipotentielle
Conditions de conductions :
D1,D3,D5: la diode qui voit la tension la plus positive est passante .

D2,D4,D6 : la diode qui voit la tension la plus négative est passante .
110
a)- études des cas :
V1>V3>V2 : D1 passante et D4 passante : Vs= V1-V2 = U12

V1>V2>V3 :D1 passante et D6 passante : Vs =V1-V3 = U13
111
b)- fréquence du signal du sortie :
La période du signal de sortie est Ts =T/6

Donc la fréquence de sortie est fs=6.f = 300 Hz
Avec (U12,U23,U31) système de tension composées triphasé équilibré direct :
U12 = Umax sin(t+/6)

U23 = Umax sin(t-/2)
U31= Umax sin(t+5/6)
112
113
U12 U13
V1 V2 V3
wt
3 Vmax 114
VD1
115
f)- Courant au secondaire du transformateurs : i1 :
Si D1 est passante : i1 = Is
Si D2 est passante : i1= -Is
116
117
Ch2: Composants de l’électronique de puissance: X- Hacheurs
X- Hacheurs:
X-1 Introduction:
Les hacheurs sont des convertisseurs continu/continu permettant de construire une source de
Tension continue variable à partir d’une source de tension fixe.
118
Il y a deux types de convertisseurs DC-DC :

1- non isolé : hacheurs.
2- Avec un transformateur assurant l’isolation galvanique : alimentation à
découpage (Flyback ou forward) .
Il existe deux types de hacheurs :
-Les hacheurs dévolteurs (abaisseur), qui fournissent avec un excellent

rendement une tension de sortie inférieure à la tension d’entrée.
-Les hacheurs survolteurs (élévateur), qui permettent d’obtenir une tension
de sortie supérieure à celle d’entrée.
119
X-2 Hacheurs dévolteurs : série (buck) :
Kit Velleman K8004 : hacheur série pour variateur de vitesse
120
X-2-1- Principe:
Le principe de base se repose sur le circuit suivant :
L’interrupteur T est un interrupteur unidirectionnel en courant, commandé à la fermeture et à l’ouverture.

Il est à base de transistor bipolaire, MOSFET, IGBT ou thyristor GTO.
Lc : filtre pour limiter l’ondulation courant et tension.
On suppose que is et vs sont continus (L et c sont bien calculés).
121
122
X-2-2- Chronogrammes :
123
X-2-3- Valeur moyenne de :
124
X-3 Hacheurs survolteurs : parallèle (boost)
XCSOURCE Convertisseur Boost de Courant Constant DC-DC 8.5-48V à 12-50V Max 10A TE636
125
150W DC-DC Boost Converter Module 6A

Input DC 10V output DC 12V-35V 126
Converter boost DC-DC LM2577S Input : DC 3-34V, 3A max, output DC 4-35V réglable,2,5 A max 127
X-3-1- Principe:
Le hacheur survolteur fournit une tension de sortie dont la valeur moyenne est supérieur à celle de l’entrée.
 Montage de base :
Durant l’intervalle [0,T], l’interrupteur T est fermé, L se connecte à la source et emmagasine

de l’énergie , la diode D est bloquée.
Sur [T,T], T est bloqué, l'énergie emmagasinée sera restitué à la charge via la diode passante.
La tension vue à la sortie est Vs=E-VL> E (iL décroissant donc VL<0).
128
129
130
X-4- Hacheur à stockage inductif : inverseur (buck-boost) :
131
dc-dc boost buck step down module 4-35v jusqu' à 1.25-25v
132
35 W 4 A DC-DC Auto Boost/Buck Convertisseur input :DC 5-30V output : 0,5-30V, 0,2-4A 133
X-4-1- Montage :
La puissance est accumulée dans un élément inductif intermédiaire.
L’interrupteur commandée T est fermé pendant l’intervalle [0,αT] et ouvert pendant [αT,T].
La puissance est accumulée dans un élément inductif intermédiaire.
135
136
Rq1 : Ce montage délivre une tension Vs (*) de signe opposé à celui de la tension d’alimentation E
D’où l’appellation hacheur inverseur.
Rq2 : on peut élever la tension de sortie ( 0,5 <  < 1) ou abaisser la tension de sortie (0 <  < 0,5),
en jouant sur le rapport cyclique .
Rq3 : Limitation sur la valeur maximale que peut prendre Vs (≠1).
137

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ÉLECTRONIQUE DE PUISSANCE

Cours préparé par : Pr Madiha ELGHAMRASNI

Chapitre 1: Introduction générale

Chapitre 2: Composants de l’électronique de puissance

Chapitre 3: Gradateurs et cycloconvertisseurs

Chapitre 1: Introduction générale

Il permet d’adapter la source d’énergie électrique à

II. Conversions réalisées:

II-1-1 Redresseur à base de diodes : non

Exemple : pont de GRAETZ

II-1-1 Redresseur à base de thyristors :

Exemple : le redresseur commandé est

II-2 conversion continu/continu : Le hacheur

Exemple d’application : alimentation et réglage de la vitesse d’un moteur à courant continu

II-3 conversion continu/alternatif : L’onduleur

L’onduleur permet d’obtenir une tension

MLI : Modulation en largeur d’impulsion.

II-3 conversion alternatif/alternatif : Gradateur

Le gradateur est un montage qui permet de

La structure de base repose sur un interrupteur électronique capable de conduire dans

Chapitre 1: Introduction générale

Chapitre 2: Composants de l’électronique de puissance

Chapitre 3: Gradateurs et cycloconvertisseurs

I-3 états de la diode :

a-2) Diode bloquée (OFF):

b) Diode avec tension seuil ( Vs> 0V):

c) Diode avec tension seuil ( Vs> 0V) et

I-4 Caractéristique statique :

IFM : courant direct maximal.

I-5 composant parfait :

- état passant on a: IAK>0 , VAK =0V.

b) Diode avec tension seuil (VS):

-État passant : IAK>0, VAK=VS .

c) Diode avec tension seuil (VS) et résistance

-État passant : IAK>0, VAK=VS +Rd.IAK avec

I-6 Critères de choix de la diode de puissance :

II-2-1 Valeurs importantes :

VDRM : valeur crête maximale de la tension directe que le thyristor supporte

-IH : valeur minimale de iAK en-dessous de laquelle le thyristor se rebloque

- Pour un thyristor amorçable on a : IAK < Ih (IAK0A) et VAK>0

-Pour un thyristor Passant on a : IAK > Ih et

- Si le thyristor à une tension seuil VT (cas

II-3 changement d’états :

a) amorçage : transition OFF-ON

a-1) thyristor parfait :

a-2) thyristor réel :

b-1) thyristor parfait :

II-4 Modèle parfait :

II-5 thyristor réel : TO-208AC 5TO-65)

II-6 Limites de fonctionnement :

III- Transistor bipolaire:

Le transistor NPN est le plus utilisé en électronique de puissance

Il est commandé à la fermeture et à l’ouverture.

a) Si iB=ic= 0A le transistor est bloqué et équivalent à un

b) Si ic=icsat (iB>iBsat) le transistor est saturé et équivalent à un

III-2 fonctionnement parfait:

-Si le transistor est passant iC=iCsat et VCE =0.

IV.Transistor à effet de champ à semi-

Rq1: le E-MOSFET est le mosfet le plus courant en

Rq1: Le courant est dû au déplacement des trous.

Destinés à la commutation de charge et la

IV- 2 fonctionnement parfait :

1 : OFF-ON: VGS>0 , si cas réel VGS>Vth (tension seuil) .