Cours Electronique Analog Complet

Cours Electronique Analogique Académie militaire
SOMMAIRE
Chapitre 1 : Notions sur la physique des semi-conducteurs
Chapitre 2 : Diodes
Chapitre 3 : Transistors bipolaires
Chapitre 4 : Transistors à effet de champ
Chapitre 5 : Amplificateurs opérationnels
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Chapitre 1 : Notions sur la physique des semi-conducteurs
I. Introduction :
On rencontre en électronique trois grandes familles de matériaux qui sont : les
conducteurs, les isolants et les semi-conducteurs.
1) Les conducteurs : Ce sont des matériaux qui conduisent aisément le courant
électrique. Les meilleurs conducteurs sont des matériaux avec un faible
nombre d’électrons de valence. Ces électrons de valence peuvent facilement se
détacher de leurs atomes et devenir des électrons libres.
Exemples de conducteurs: Cuivre, Aluminium, Argent, Or…
2) Les isolants: un isolant est un matériau qui ne conduit pas le courant
électrique. Un isolant a une dernière couche saturée (ou presque). Les
électrons de valence sont solidement rattachés aux atomes.
Exemples d’isolants: le bois, le verre…
3) Les semi-conducteurs : Ils se placent entre les conducteurs et les isolants.
Les semi-conducteurs sont généralement tétravalents (4 électrons de valence).
La conductivité d’un semi-conducteur dépend de la température, de
l'éclairement et de la présence d'impuretés (dopage).
Exemples de semi-conducteurs: Silicium, Germanium, Carbone.
II. Les semi-conducteurs :

1) semi-conducteur intrinsèque :
un semi-conducteur pur est appelé semi-conducteur
intrinsèque. Les atomes de semi-conducteur sont
tétravalents (4 électrons libre dans la bande de valence).
Exemple: atome de silicium
Structure cristalline: Les 4 électrons de valence vont se

mettre en commun avec d’autres atomes de Silicium pour avoir la forme
cristalline suivante:
A la température 0 K toutes les liaisons covalentes
sont maintenues. C’est un bon isolant : pas
d’électrons libres.
Lorsque la température du cristal augmente,
certains électrons de valence quittent leurs places.
Ils créent alors un trou qui ne demande qu'à être
rebouché par un autre électron libre, surtout si on
applique un champ électrique sur le cristal :
électrons et trous se déplacent en sens inverse,
engendrant ainsi un courant électrique.
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2) semi-conducteur extrinsèque : dopage:

Le dopage est l’introduction dans le semi-conducteur intrinsèque d’atomes
étrangers en très faible quantité (1 atome de dopeur pour 1 million d’atomes
de semi-conducteur). Les dopeurs utilisés sont soit des éléments pentavalents
(5 électrons de valence) soit des éléments trivalents (3 électrons de valence).
Le semi-conducteur dopé est appelé semi-conducteur extrinsèque. Grace au
dopage, la conductivité du semi-conducteur est augmentée.
2.1- semi-conducteur extrinsèque de type N: Le dopeur utilisé appartient à la
famille des pentavalents (5 électrons de valence) exemples: Arsenic (As),
Phosphore (P), Antimoine (Sb).
L’atome dopeur a 5 électrons de valence, 4 se mettent en liaison avec les
atomes voisins, le 5ème reste libre à ce déplacer. On dit que le dopeur est un
donneur (N) d’électrons (porteurs de charge Négative). Il faut noter que cet
électron lorsqu’il quitte son atome, il laisse à sa place un ion positif fixe
2.2 semi-conducteur extrinsèque de type P: Le dopeur utilisé appartient à la

famille des trivalents (3 électrons de valence) exemples: Aluminium(Al), Bore
(P), Gallium (Ga). L’atome dopeur s’intègre dans le cristal de semi-conducteur,
cependant, pour assurer des liaisons avec les atomes voisins 4 e- sont
nécessaires alors que le dopeur ne porte que 3. Il y’a donc un défaut d’un
électron. Ce qui est équivalent de point de vue électrique à une charge positive
appelée trou. On dit que le dopeur est accepteur d’électrons. Le semi-
conducteur dopé est dit du type P. L’atome du dopeur devient un ion négatif
fixe.
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III. La jonction PN:

Si on place l'un contre l'autre deux cristaux semi-conducteurs, un de type P et
l'autre de type N, au voisinage de la jonction, les électrons majoritaire du coté
N vont diffuser vers le coté P et
trous majoritaires du côté P
vont diffuser vers le côté N. Les
électrons passés du coté P vont
se recombiner avec les trous
abondants de ce côté, et les
trous passés du côté N vont se
recombiner avec les électrons
abondants de ce coté. Il se crée
alors une région sans porteurs
où il n'y a plus que des ions
positifs du coté N et des ions négatifs du coté P. Cette région dite, zone de
charge d'espace ou zone dépeuplée n'est plus neutre électriquement. De part
et d'autre de la jonction, il existe une double répartition des charges assez
semblable à celle que l'on trouve sur les armatures d'un condensateur, les
charges positifs d'un côté, les négatifs de l'autre. Il se crée alors un champ
électrique interne Ei orienté de N vers P qui va s'opposer à la diffusion des
porteurs de part et d'autre de la jonction. Entre les deux parties P et N apparaît
alors une d.d.p. appelée aussi barrière de potentiel de l’ordre de 0,7 V pour le
Silicium, 0,3 V pour le Germanium.
IV. La jonction PN polarisée:
1. Polarisation en directe:
On dit qu'une jonction PN est polarisée en directe lorsqu'on relie l'extrémité P
au pôle (+) et l'extrémité N au pôle (-) d'un
générateur de tension. Les champs externe Eext
crée par ce générateur au sein de la jonction
s'oppose au champ interne Ei. Tant que la
tension U du générateur reste inférieure à un
certain seuil, Eext reste inférieur à Ei, et les
porteurs ne peuvent toujours pas traverser la
jonction, il n'y a donc pas de courant. Si la
tension du générateur devient supérieure au seuil, Eext devient supérieur à Ei, le
champ résultant dans la jonction est maintenant orienté de P cers N et va donc
favoriser la diffusion des électrons de N vers P et des trous de P vers N. Il se
crée alors un courant électrique important de P vers N au sein de la jonction.
On dit que la diode est passante. Le seuil de tension à partir duquel la diode
devient passante est 0.65V pour le silicium.
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2) Polarisation en inverse:
On dit qu'une jonction est polarisée en inverse
lorsque le potentiel de son extrémité N est
supérieur à celui de son extrémité P. L'action du
champ Eext
créés par le générateur externe s'ajoute à celle
de champ interne Ei, les porteurs majoritaires
sont repoussés encore un peu plus loin de la
jonction ce qui augmente la largeur de la zone
dépeuplée. Aucun courant important ne circule
dans la jonction, on dit qu'elle est bloquée.
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Chapitre 2 : Diodes
I. Diode à jonction :
1) Définition et symbole: La diode à jonction (D) est un dipôle passif, non
linéaire formé à partir d’une jonction PN. La diode est composé de deux
électrodes appelées respectivement : Anode (côté P) et Cathode (côté N).
2. Polarisation de la diode:
2.1 Polarisation directe:
En polarisation directe, la tension appliquée (VAK > 0 )
permet le passage d’un courant électrique de l’anode vers la
cathode appelé courant direct.
2.2 Polarisation inverse:

En polarisation inverse, la tension appliquée (VAK < 0 )
empêche le passage du courant. Le courant inverse est
pratiquement nul.
3. Caractéristique statique courant-tension de la diode:
Caractéristique directe:
On réalise le montage suivant:
On augmente la valeur de la tension Ve à

partir de 0 et on mesure respectivement le
courant iF et la tension VF. On obtient la
courbe ci contre:
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La caractéristique directe de la diode peut être répartie en trois zones de

fonctionnement :
* Zone de non-conduction (I) : VF < Vseuil ↔ iF =0. La diode est bloquée et se
comporte comme un interrupteur ouvert.
* Zone de conduction non linéaire (II) : VF ≥ Vseuil ↔ iF > 0. La diode est
passante, néanmoins on évite de travailler dans cette zone car les signaux de
faibles amplitudes y subissent de fortes distorsions.
* Zone de conduction quasi linéaire (III) : VF ≥ Vseuil ↔ iF > 0. La diode est
passante. La variation de iF en fonction de VF dans cette zone est quasi linéaire.
C’est la zone de fonctionnement normale de la diode.
Caractéristique inverse:
On reprend le même montage en changeant la polarité de Ve . Le courant et la
tension mesurée sont appelés
respectivement courant inverse
iR et tension inverse VR.
Lorsque la tension inverse est
appliquée, on obtient un
courant inverse extrêmement
faible appelé courant de fuite. Si
l’on augmente suffisamment la
tension inverse, on atteint la
tension de claquage VRRM de la
diode. Le courant inverse commence alors à augmenter rapidement. S'il n'est
pas limité par des éléments externes, il y a destruction rapide de la diode.
4. Schémas équivalents simplifiés de la diode :

4.1 diode idéale:
C'est le modèle le plus simplifié de la diode. Lorsque la diode est bloquée, elle
est assimilée à un interrupteur ouvert. Lorsqu'elle est passante, elle est
assimilée à un court circuit.
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4.2 2eme approximation:

Lorsque la diode est bloquée, elle est assimilée à un interrupteur ouvert.
Lorsqu'elle est passante, elle est assimilée à un interrupteur fermé en série
avec une f.e.m de valeur égale à Vseuil.
4.3 3eme approximation:

Lorsque la diode est bloquée, elle est assimilée à un interrupteur ouvert
Lorsqu'elle est passante, elle est assimilée à un interrupteur fermé en série
avec une f.e.m de valeur égale à Vseuil et la résistance dynamique de la diode
rd
II. Redresseurs à diodes:

L'une des principales applications de la diode semi-conductrice est le
redressement des tensions alternatives. Les circuits de redressement
permettent d'obtenir une source de tension stabilisée à partir d'une tension
d'entrée alternative.
1) Redressement simple alternance:
Montage:
Lorsque v>0, D est passante, D peut
être remplacée par un court circuit:
vD=0 u=v
Lorsque v<0, D est bloquée, D peut
être remplacée par un circuit ouvert,
u=0 vD=v
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Filtrage capacitive:
En introduisant un condensateur en parallèle, on obtient la courbe suivante:
2. Redressement double alternance:

Montage:
Lorsque v>0, D1 et D3 conduisent : u=v

Lorsque v<0, D2 et D4 conduisent : u= -v
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Filtrage capacitive:
En introduisant un condensateur en parallèle, on obtient la courbe suivante:
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III. Diodes spéciales:

1. Diode Zener:
1.1 Définition: Une diode Zener est une diode spécialement conçue pour
exploiter le claquage inverse. La tension de claquage est appelée tension Zener.
Dans la zone de claquage, la diode possède la propriété que la tension inverse
est quasiment indépendante du courant inverse. Ainsi, si on souhaite dans une
application donnée, travailler avec une tension constante on peut utiliser une
diode Zener (en inverse).
Symbole :
1.2 Caractéristique:
D’après la caractéristique précédente, le fonctionnement de la diode zener

peut être réparti en trois zones de fonctionnement :
* Zone I : la diode zener est polarisée en direct, elle se comporte comme une
diode redresseuse.
* Zone II : la diode zener est polarisée en inverse et VR < VZ, la diode est
bloquée et se comporte comme un interrupteur ouvert.
* Zone III : la diode zener est polarisée en inverse et VR = VZ, le courant inverse
iZ appelé courant zener croît rapidement alors que la tension aux bornes de la
diode reste sensiblement constante.
1.3 stabilisation de tension par diode Zener:
Les diodes Zener sont fréquemment
utilisées pour stabiliser la tension dans
un circuit. Lorsqu'on la connecte en
inverse en parallèle avec une source de
tension variable, une diode Zener
devient conductrice lorsque la tension atteint la tension Zener de la diode. Elle
maintient ensuite la tension à cette valeur.
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2. Diode Schottky:
Dans les diodes Schottky, la jonction P -N est remplacée par la jonction d’un
métal avec un semi-conducteur peu dopé (de type N car les porteurs sont plus
mobiles). Si le métal (anode) est positif par rapport à la zone N (cathode) la
jonction est conductrice.
La diode Schottky est une diode qui a un seuil de
tension directe très bas (environ 0.3V) et un temps
de commutation très rapide.
Les principales applications de la diode Schottky
sont : les circuits de redressement des alimentations à découpage, les circuits
logiques, les applications hautes fréquence et hyperfréquence.
3. Diode électroluminescente (LED):
Une diode électroluminescente est un composant opto-électronique capable
d’émettre de la lumière lorsqu’il est parcouru par un courant électrique. Une
diode électroluminescente ne laisse passer le courant
électrique que dans le sens direct comme une diode
normale.
Les principales applications des diodes électroluminescentes sont : les témoins
lumineux, les afficheurs alphanumériques, les télécommandes, les panneaux
d’affichage…etc.
4. Photodiode:
Une photodiode est un composant semi-conducteur ayant la capacité de
détecter un rayonnement du domaine optique et de le transformer en signal
électrique. La photodiode est un composant à jonction
PN qui fonctionne en polarisation inverse. La
photodiode possède une petite fenêtre transparente
qui permet à la lumière de toucher la jonction PN. En
absence de lumière le courant inverse négligeable.
Une augmentation de l’intensité de la lumière produit une augmentation du
courant inverse. La photodiode est généralement utilisée dans des applications
utilisant les détecteurs de lumière : TV, alarmes, transmissions optiques…etc.
5. La diode à capacité variable : la diode Varicap:
Une diode Varicap est une association diode + condensateur variable. La zone
vide de porteurs d’une jonction polarisée en
inverse voit son épaisseur augmenter si on
augmente la tension inverse. Cette zone joue le
rôle du diélectrique d’un condensateur. Si l’épaisseur de cette zone augmente
la capacité diminue. On obtient un condensateur dont la capacité est fonction
de la tension inverse appliquée. Les principales application de la diode varicap
sont : accord des récepteurs radio, TV , modulation…etc.
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Chapitre 3 : Les Transistors bipolaires
I. Présentation::
Le transistor bipolaire (BJT) est la mise en contact de trois régions
semiconductrices dopées, séparées par deux jonctions PN de manière à former
un transistor de type NPN ou de type PNP. Les trois régions sont appelées
respectivement émetteur, base et collecteur.
Un transistor NPN est constitué de :

- Un émetteur : couche fortement dopée (type N), d’épaisseur moyenne. Son
rôle est d’émettre les électrons libres vers le collecteur.
- Une base : couche faiblement dopée (type P), très mince. Son rôle est
d’émettre la plus part des électrons venant de l’émetteur vers le collecteur.
- Un collecteur : couche moyennement dopée (type N) et de forte épaisseur.
Son rôle est de collecter les électrons provenant de l’émetteur et transitant par
la base.
II. Polarisation d’un transistor : l’effet transistor:
Pour polariser correctement un transistor, il faut que la jonction base émetteur
soit polarisée en directe et que la jonction base collecteur soit polarisée en
inverse.
L’effet transistor peut se résumer en trois points :
* Lorsque le potentiel VBE dépasse le seuil de conduction de la jonction BE
(0.7V pour le Si) le champ résultant accélère les e- vers la base ; d’où IE.
* La région de la base, faiblement dopée et très mince, possède un nombre très
limité de trous. Ainsi, seul un faible pourcentage des électrons peut se
recombiner avec les trous disponibles donnant naissance à un courant de base
IB.
* La majorité des é libres venant de l’émetteur et rentrant dans la zone de
déplétion base collecteur vont être évacués vers le collecteur sous l’action du
champ externe ; d’où IC.
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Soit α (0 < α < 1) le pourcentage d’électrons venant de l’émetteur et qui ont

atteint le collecteur. Le pourcentage des électrons venant de l’émetteur et qui
se sont recombinés avec les trous dans la base est alors (1-α). On peut alors
facilement exprimer la relation entre les différents courants du transistor : iE, iB
et iC :  iC   i E

i B  1    i E
On montre alors que le courant de l’émetteur est la somme du courant de la
base et du courant du collecteur :
i E  i B  iC
On en déduit: 
iC  iB
1

En posant 
1
On peut écrire : iC   i B
β est appelé : Gain statique en courant du transistor.
Comme   99%   100

III. Caractéristiques d’un transistor :
Le transistor fonctionne avec un circuit d'attaque et un circuit de charge.
Le transistor bipolaire NPN est en
montage émetteur commun. Il
peut alors être assimilé à un
quadripôle avec comme grandeurs
d'entrée (iB, VBE) et comme
grandeurs de sortie (iC, VCE).
le réseau de caractéristiques d’un

transistor bipolaire est composé de
quatre courbes qui sont :
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* Caractéristique d’entrée : C’est la courbe VBE = f(iB) lorsque VCE est maintenu
constante. Cette caractéristique est pratiquement celle d’une diode polarisée
en direct, la tension VBE est de l’ordre de 0,7V.
* Caractéristique de sortie : C’est la courbe iC = f(VCE) lorsque iB est constant.
Dans un transistor idéal, ces caractéristiques sont des droites horizontales
puisque iC ne dépend que de iB : iC = β.iB .
* Caractéristique de transfert en courant : C’est la courbe iC = f(iB) lorsque VCE
est constante. Cette courbe est une droite passant par l’origine qui traduit la
proportionnalité entre iC et iB.
* Caractéristique de transfert en tension : C’est la courbe VBE = f (VCE ) lorsque
iB est constant. Les caractéristiques tracées pour différentes valeurs de i B sont
des droites horizontales, ce qui signifie que la tension d’entrée ne dépend pas
de la tension de sortie.
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IV. Polarisation d’un transistor :

La polarisation a pour rôle de placer le point de fonctionnement du transistor
dans la zone linéaire de ces caractéristiques.
1) Polarisation par deux sources de tension:
Côté base:
VBB  VBE  RB I B
Donc:
VBB  VBE
IB 
RB
On en déduit :
IC   I B
Côté collecteur:
VCC  VCE  RC I C
Donc: VCE  VCC  RC I C
2) Polarisation par une source de tension:
2.1 Polarisation par résistance de base:
On a:
VCC  VBE  RB I B
Donc : I  VCC  VBE et IC   I B
B
RB
Côté collecteur: VCC  VCE  RC I C
Donc: VCE  VCC  RC I C
2.2 Polarisation par pont de résistances de base:
En
appliquant
Thevenin :
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Avec : R2 R1 R2
Eeq  Vcc Req 
R1  R2 R1  R2
Eeq  Req I B  VBE  RE   1I B
On a:
Donc: E eq  VBE
IB  IC   I B
Req    1RE
Côté collecteur:
VCC  VCE  RC I C  RE I E D’où : VCE  VCC  RC I C  RE I E
V. Transistor bipolaire en régime dynamique :
Nous avons étudié le transistor bipolaire en régime statique. On va s’intéresser
maintenant à l’étude du transistor
bipolaire en régime dynamique,
c'est-à-dire, on va voir comment se
comporte le transistor vis-à-vis des
variations de tension et de courant
qui viennent se superposer aux
grandeurs de polarisation. Pour
donner une idée sur le
fonctionnement d’un transistor en
régime dynamique, nous allons
étudier à titre d’exemple un amplificateur de tension à base de transistor. Le
schéma est donné par la figure ci-contre :
Le montage comporte :
* Un générateur sinusoïdal qui fournit à l’entrée de l’amplificateur le signal à
amplifier.
* L’étage amplificateur représenté par le transistor NPN avec son circuit de
polarisation.
* La charge RL qui va recueillir le signal à la sortie de l’amplificateur.
* Les capacités C1 et C2 sont des capacités de liaison entre l’amplificateur et les
circuits d’entrée et de sortie. Elles servent à séparer les composantes
alternatives des composantes continues.
Grace au principe de superposition, toutes les grandeurs (ib, ic, vbe, vce)
s’expriment comme la somme d’une grandeur continue (régime statique) et
d’une grandeur alternative (régime dynamique)
v BE ( t )  VBE  vbe ( t )
iC ( t )  I C  i c ( t )
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1) Schéma équivalent du transistor bipolaire en régime dynamique petits

signaux:
Notre étude se limite aux petits signaux, c'est-à-dire qu’on suppose que le
point de fonctionnement du transistor est bien déterminé à l’aide d’un circuit
de polarisation et que l’on injecte à l’entrée du transistor un signal sinusoïdal
de faible amplitude qui vient se superposer au signal continu dû à la
polarisation.
Le transistor peut être représenté sous forme d’un quadripôle comme le
montre la figure suivante:
Les quatre variables Vbe, ib, ic et Vce sont liées entre elles par deux relations :
Les paramètres h11, h12, h21 et h22 sont appelés des paramètres hybrides.
Leurs valeurs sont indiquées par le constructeur. Chaque paramètre hybride
correspond à une mesure prise des courbes caractéristiques du transistor.
c’est l’impédance d’entrée lorsque la sortie est en court-
circuit.
c’est le coefficient de réaction interne de la sortie sur l’entrée

lorsque cette dernière est en circuit ouvert
c’est le coefficient d’amplification en courant lorsque la sortie

est en court-circuit
c’est la conductance vue de la sortie lorsque l’entrée est en

circuit ouvert
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D’après le système d’équations précédent, le schéma équivalent petits signaux

du transistor bipolaire peut être représenté comme suit:
Comme h12 et h22 sont généralement négligeables, on utilisera le schéma

équivalent simplifié suivant:
2) Exemple de montage amplificateur à transistor bipolaire: Montage

Emetteur commun:
Un montage amplificateur à transistor est généralement définie par : son gain

en tension, son gain en courant, son impédance d’entrée et son impédance de
sortie. Pour déterminer ces paramètres, on passe par le circuit équivalent du
montage en régime dynamique. Pour cela, il faut:
* Eteindre toutes les sources de tension et de courant continu. Pour cela, il
faut court-circuiter les sources de tension continue et ouvrir les sources de
courant continu.
* Court-circuiter les capacités de liaison
* Remplacer le transistor par son modèle équivalent en régime dynamique
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On obtient le schéma équivalent en régime dynamique suivant:
vs
Gain en tension à vide: (sans charge RL) Av 0 
ve
On a : v s   Rc  ib et ve  h11 ib
  RC
Donc: Av 0 
h11
vs
Gain en tension en charge: (avec RL) Av 
ve
On obtient :   RC // RL 
Av 
h11
i
Gain en courant: Ai  s
ie
Grâce à la règle du diviseur de courant, on écrit :
Rc RB
is    ib ib  ie
Donc: Rc  RL RB  h11
 Rc RB
Ai  
Rc  RL RB  h11
ve
Impédance d’entrée: Elle est définie par: Ze 
ie
On obtient: Z  h // R
e 11 B
v sco
Impédance de sortie: Elle est définie par: Zs 
i scc
vsco est la tension de sortie en remplaçant la charge par un circuit ouvert
iscc est le courant de sortie en remplaçant la charge par un court circuit
On a: v R  i
sco C b
et i   i
scc b
Donc: Z s  RC
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Chapitre 4 : Les Transistors à effet de champ
I. Présentation:
les transistors bipolaires sont « bipolaires », parce que leur fonctionnement
repose sur deux types de porteurs de charges les trous et les électrons. Le
transistor à effet de champ est au contraire un dispositif «unipolaire» qui
fonctionne avec un seul type de charges, les trous ou les électrons selon son
type (canal N ou canal P).
Un transistor à effet de champ à jonction se nomme en Français TEC (Transistor
à Effet de Champ) en anglais on utilise le terme FET (Field Effect Transistor).
Le transistor à effet de champ regroupe deux familles de transistors :
 Le TEC à jonction : appelé JFET (Junction Field Effect Transistor).
 Le TEC à grille isolée (IGFET :Insulated Gate Field Effect Transistor) qui est
plus connu sous le nom de MOSFET : Metal Oxyde Semiconductor Field
Effect Transistor).
II. JFET:
1) Constitution :
Le transistor est composé :
 D’une électrode qui injecte les porteurs dans la structure : la source
(Source).
 D’une électrode qui recueille les porteurs : le drain (Drain).
 D’une électrode ou est appliqué la tension de commande : la grille
(Gate).
Il y’a deux types de JFET : JFET à canal N et JFET à canal P.
JFET à canal N :
Il est constitué d'un barreau semi-conducteur uniformément dopé N
constituant le canal. Pour moduler les dimensions du canal, on ajoute deux
zones de dopage P.
D : drain
D
ID VDS
G N IG
P G
P
grille
VGS
S
S : source
Symbole du JFET canal N
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Sens du courant : drain →source, donc le drain est à un potentiel positif par
rapport à la source => VDS > 0 V.
La jonction grille canal est polarisée en inverse donc la grille doit être à un
potentiel négatif par rapport à la source => VGS < 0 V.
JFET à canal P :
Il est constitué d'un barreau semi-conducteur uniformément dopé P
constituant le canal. Pour moduler les dimensions du canal, on ajoute deux
zones de dopage N.
D : drain
D
ID VDS
IG
G P G
N N
grille
VGS
S
S : source
Symbole du JFET canal P
Sens du courant : source →drain, donc le drain est à un potentiel négatif par
rapport à la source => VDS < 0 V
La jonction grille canal est polarisée en inverse donc la grille doit être à un
potentiel positif par rapport à la source => VGS > 0 V.
On considère que la commande de ce type de transistor à effet de champ se
fait par l'application d'une tension Grille Source :
 VGS négative dans le cas d'un type N,
 VGS positive dans le cas d'un type P.
L'espace drain-source reçoit une tension de polarisation (tension VDS).
Remarque:
En fonctionnement normal, la jonction Grille-Canal est polarisée en inverse : Le
courant d’entrée IG est donc négligeable. Le courant de Drain et de source sont
donc identiques (ID = IS = Courant du canal).
2) Principe de fonctionnement :
On se limitera au JFET canal N.
On réalise le montage suivant :
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G N VDD
P P
VGG
S
En absence de tension VGS

Le canal drain-source conduit proportionnellement avec l’augmentation de la
tension VDS (Le transistor se comporte comme une résistance) [Zone Ohmique]
Pour une certaine valeur de VDS, le courant de drain ID cesse de croître et
devient constant. C'est la tension de pincement ou Vp (tension de pinch-off) qui
correspond au courant de saturation I D que l’on appelle IDSS [Zone de
saturation].
Courbe ID=f(VDS) à VGS=0
En présence de tension VGS

Si maintenant on applique une tension VGS à l'espace grille-source
(polarisation de la jonction en inverse) et que l'on relève, comme
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précédemment la variation de ID en fonction de VDS, on obtient les courbes

suivantes appelées réseau de sortie (ID =f(VDS) à VGS =cte) :
ID
VGS=0
IDSS
ID1 VGS=-2
ID2 VGS=-4
VDS
Vp2Vp1Vp
Lorsque |𝑉𝐺𝑆 | augmente (la jonction grille-canal étant polarisée en inverse) la

zone de déplétion (zone neutre) s’élargit réduisant la taille du canal et sa
conductance (lorsque S↓ R↑). On dit qu’il y’a pincement du canal.
La tension Vp est atteinte plus tôt et correspond à un courant I D moins élevé
que IDSS. La diminution de la conductance se traduit par la diminution de la
pente de la zone linéaire.
A partir d'un certain seuil de VGS (VGS = VGSoff = -Vp) le courant ID s'annule
(fermeture du canal).
Pour VDS=0 :
Pour VDS>0 :
Moez YOUSSEF 24
Pour VDS>0 , le potentiel du drain est supérieur au potentiel de la source, la

tension inverse grille-canal sera donc plus importante du côté du drain, la zone
de déplétion s’élargit donc vers le drain.
3) Caractéristiques statiques du JFET canal N :
Dans la zone de saturation, ID est indépendant de VDS :

VGS 2
ID = IDSS (1 + ) avec VGS < 0 et VP > 0
VP
4) Polarisation du transistor JFET canal N :

L’objectif de la polarisation du transistor est de fixer les valeurs des tensions
VGS0, VDS0 et du courant ID0 pour l’utilisation du transistor en alternatif.
a) Polarisation automatique :
Moez YOUSSEF 25
Equation de la droite d’attaque statique :
Equation de la droite de charge statique :
b) Polarisation par pont diviseur :

La tension à la source du JFET doit être plus positive que
la tension à la grille pour conserver la jonction grille-
source en polarisation inverse.
Le potentiel de grille est donné par :
𝑅2
𝑉𝐺 = 𝑉
𝑅1 + 𝑅2 𝐷𝐷
D’autre part :
𝑉𝑆 𝑉𝐺 − 𝑉𝐺𝑆 𝑅2 𝑉𝐷𝐷 𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 = = = −
𝑅𝑆 𝑅𝑆 𝑅1 + 𝑅2 𝑅𝑆 𝑅𝑆
L’intersection entre cette droite et la caractéristique de
transfert 𝐼𝐷 = 𝑓(𝑉𝐺𝑆 ) nous donne le point de repos
𝑄0 (𝑉𝐺𝑆0 , 𝐼𝐷0).
𝑉𝐷𝑆0 est calculée à partir de l’équation : 𝑉𝐷𝑆0 = 𝑉𝐷𝐷 − (𝑅𝐷 + 𝑅𝑆 )𝐼𝐷0
Moez YOUSSEF 26
5) Le JFET en régime dynamique :

Schéma équivalent du JFET en alternatif dans la zone de saturation :
Le transistor est considéré comme un quadripôle
Le quadripôle est décrit par le système d’équations suivant :

𝑖 = 𝑌11 𝑣𝐺𝑆 + 𝑌12 𝑣𝐷𝑆
{𝐺
𝑖𝐷 = 𝑌21 𝑣𝐺𝑆 + 𝑌22 𝑣𝐷𝑆
Avec 𝑖𝐺 = ∆𝐼𝐺 , 𝑖𝐷 = ∆𝐼𝐷 , 𝑣𝐺𝑆 = ∆𝑉𝐺𝑆 , 𝑣𝐷𝑆 = ∆𝑉𝐷𝑆 Ces grandeurs représentent
des petites variations autour du point de fonctionnement.
Schéma équivalent du JFET en alternatif dans la zone de saturation :
∆𝐼𝐺 1
𝑌11 = | = 𝑌11 ≈ 0 car jonction Grille Source polarisée en inverse.
∆𝑉𝐺𝑆 𝑉 𝑅𝐺𝑆
𝐷𝑆0
∆𝐼𝐺
𝑌12 = | 𝑌12 ≈ 0 car jonction Grille Source polarisée en inverse.
∆𝑉𝐷𝑆 𝑉
𝐺𝑆0
∆𝐼𝐷
𝑌21 = | = 𝑔𝑚 , 𝑔𝑚 est la transconductance c’est la pente de la
∆𝑉𝐺𝑆 𝑉
𝐷𝑆0
caractéristique ID = f(VGS).
∆𝐼𝐷 1
𝑌22 = | =
∆𝑉𝐷𝑆 𝑉 𝑅𝐷𝑆
𝐺𝑆0
Schéma équivalent général :
Schéma équivalent simplifié :
Moez YOUSSEF 27
6) Amplificateur à JFET : Montage source commune :
Les accès d’entrée et de sortie sont 1 et 2. Les capacités C1, C2 et Cs sont des
capacités de découplage.
Schéma électrique en régime sinusoïdal :
Gain en tension :
𝑣
𝐴𝑣 = 2 .
𝑣1
𝑅 𝑅
𝑣 = −𝑅𝐿 𝑖2 = − 𝐿 𝐷 𝑔𝑚 𝑣𝐺𝑆
On a : { 2 𝑅𝐿 + 𝑅𝐷
𝑣1 = 𝑣𝐺𝑆
𝑅 𝑅
Donc : 𝐴𝑣 = −𝑔𝑚 𝐿 𝐷
𝑅𝐿 + 𝑅𝐷
Gain en courant :
𝑖
𝐴𝑖 = 2 .
𝑖1
𝑅𝐷
𝑖2 = 𝑔𝑚 𝑣𝐺𝑆
On a : { 𝑅𝐿 + 𝑅𝐷
𝑣𝐺𝑆 = 𝑅𝐺 𝑖1
𝑅𝐺 𝑅𝐷
Donc : 𝐴𝑖 = 𝑔𝑚
𝑅𝐿 + 𝑅𝐷
Résistance d’entrée : 𝑅𝑒 = 𝑅𝐺
Résistance de sortie : 𝑅𝑆 = 𝑅𝐷
Moez YOUSSEF 28
Chapitre 5 : Les Amplificateurs opérationnels
I. Présentation:
Un amplificateur opérationnel (AOP) dit aussi circuit intégré linéaire est
constitué d’un ensemble de composants électroniques actifs et passifs
connectés les uns aux autres dans un même boîtier. Il est appelé amplificateur
opérationnel car ces premières applications ont été la réalisation des
opérations mathématiques (addition, soustraction, multiplication, division,
intégration, dérivation…) pour le calcul analogique.
L’amplificateur opérationnel est un circuit intégré enfermé sur un boîtier de 8 à
14 broches. Il présente les bornes suivantes (cas du µA741 et du TL081) :
* deux bornes d’entrées : non inverseuse e+ (B3) et inverseuse e- (B2).
* une borne de sortie S (B6).
* deux bornes pour l’alimentation : positive +Vcc (B7) et négative -Vcc (B4).
* les bornes 1 et 5 permettent le réglage d’offset (la sortie doit être nulle en
absence de signal d’entrée).
* la borne 8 est non utilisée.
Symboles d’un AOP :
Moez YOUSSEF 29
II. Caractéristiques d’un AOP:

* Caractéristique de transfert d’un AOP réel :
vs
Vsat

-Vsat
saturation Zone saturation

négative linéaire positive
Dans la zone linéaire :

𝒗𝑺 = 𝑨𝒅 𝜺
𝑨𝒅 est appelé gain différentiel ou amplification différentielle.
En général : 𝑨𝒅 > 𝟏𝟎𝟓
Comme 𝑉𝑠𝑎𝑡 ≈ 15𝑉 , pour avoir un fonctionnement en zone linéaire, il faut
assurer la condition suivante :
𝑉 𝑉
− 𝑠𝑎𝑡 < 𝜀 < 𝑠𝑎𝑡 , c-a-d : −0.15𝑚𝑉 < 𝜀 < 0.15𝑚𝑉. il suffit donc d’une faible
𝐴𝑑 𝐴𝑑
tension différentielle pour que l’AOP soit saturé.
* Impédance d’entrée : un AOP est caractérisé par une impédance d’entrée Z e

très élevée. En pratique : 105 < 𝑍𝑒 < 1012 . Ceci implique des courants
d’entrée négligeables.
* Impédance de sortie : un AOP est caractérisé par une impédance de sortie Z S
très faible. En pratique : 10 < 𝑍𝑆 < 500 . Ceci implique que la tension de sortie
est pratiquement indépendante du courant de sortie.
* cas d’un AOP parfait :
Pour un AOP parfait, on fait les hypothèses suivantes :
𝐴𝑑 = ∞
{ 𝑍𝑒 = ∞
𝑍𝑆 = 0
𝐴𝑑 = ∞ implique 𝜀 = 0 en zone linéaire.
𝑍𝑒 = ∞ implique 𝑖+ = 𝑖− = 0
Moez YOUSSEF 30
* Caractéristique de transfert d’un AOP parafait :

vs
Vsat

-Vsat
III. Notion de contre-réaction:

Le bouclage de la sortie sur une entrée est un principe appelé contre–réaction.
Les applications de l’AOP sont divisées en deux grandes catégories suivant la
nature de la contre-réaction. Si elle s’opère sur l’entrée négative, la contre-
réaction est dite négative ce qui permet un fonctionnement linéaire.
Dans l’autre cas, la contre-réaction positive a tendance à accentuer l’instabilité
de la sortie qui part vers l’une des tensions de saturation : le fonctionnement
est alors en tout ou rien ou non linéaire.
Pour justifier ceci, il suffit de faire une étude de la stabilité :
Cas d’une contre-réaction négative :
Supposons l’entrée constante.
Si 𝑣𝑠 ↑ alors 𝑣− ↑ donc 𝜀 ↓ par conséquent 𝑣𝑠 ↓ il y’a compensation (stabilité).
De même Si 𝑣𝑠 ↓ alors 𝑣− ↓ donc 𝜀 ↑ par conséquent 𝑣𝑠 ↑ il y’a compensation.
Cas d’une contre-réaction positive :
Si 𝑣𝑠 ↑ alors 𝑣+ ↑ donc 𝜀 ↑ par conséquent 𝑣𝑠 ↑ il y’a instabilité.
De même Si 𝑣𝑠 ↓ alors 𝑣+ ↓ donc 𝜀 ↓ par conséquent 𝑣𝑠 ↓ il y’a instabilité.
IV. L’AOP en régime linéaire:
1) Montage amplificateur inverseur :
𝑖 𝑅2
𝑅1
−
𝑣𝑒 𝑖
+ 𝑣𝑠
Contre-réaction négative donc fonctionnement en régime linéaire.

AOP idéal donc : 𝑖+ = 𝑖− = 0 et 𝜀 = 0. Par conséquent 𝑣+ = 𝑣−
Moez YOUSSEF 31
L’entrée + est la masse donc 𝑣+ = 𝑣− = 0.

Maille d’entrée : 𝑣𝑒 = 𝑅1𝑖 + 𝑣− = 𝑅1 𝑖
Maille de sortie : 𝑣𝑠 = −𝑅2 𝑖 + 𝑣− = −𝑅2 𝑖
𝑅
Conclusion : 𝑣𝑠 = − 2 𝑣𝑒 . Il s’agit donc d’un montage amplificateur inverseur.
𝑅1
2) Montage amplificateur non inverseur :
+
𝑣𝑒
− 𝑣𝑆
𝑖
𝑖
𝑅2
𝑅1

donc 𝑣+ = 𝑣− = 𝑣𝑒 .
𝑅1 et 𝑅2 sont parcourues par le même courant, on applique donc la règle de
𝑅 𝑅
diviseur de tension : 𝑣− = 1 𝑣𝑠 donc : 𝑣𝑒 = 1 𝑣𝑠
𝑅1 +𝑅2 𝑅1 +𝑅2
𝑅2
Conclusion : 𝑣𝑠 = (1 + ) 𝑣𝑒 .
𝑅1
Il s’agit donc d’un montage amplificateur non inverseur.
3) Montage sommateur inverseur :
𝑖3
𝑅1 𝑅3
𝑖1
−
𝑣1 𝑖2
+
𝑣2 𝑅2 𝑣𝑠

AOP idéal donc : 𝑖+ = 𝑖− = 0 et 𝜀 = 0.
Par conséquent 𝑣+ = 𝑣−. L’entrée + est à la masse donc 𝑣+ = 𝑣− = 0.
𝑣
Maille d’entrée 1 : 𝑣1 = 𝑅1 𝑖1 + 𝑣− = 𝑅1𝑖1 donc : 𝑖1 = 1
𝑅1
𝑣2
Maille d’entrée 2 : 𝑣2 = 𝑅2 𝑖2 + 𝑣− = 𝑅2𝑖2 donc : 𝑖2 =
𝑅2
Moez YOUSSEF 32
𝑣𝑠
Maille de sortie : 𝑣𝑠 = −𝑅3 𝑖3 + 𝑣− = −𝑅3 𝑖3 ; donc : 𝑖3 = −
𝑅3
𝑣1 𝑣2
Loi des Nœuds : 𝑖3 = 𝑖1 + 𝑖2 . Conclusion : 𝑣𝑠 = −𝑅3 [ + ]
𝑅1 𝑅2
Dans le cas où : 𝑅1 = 𝑅2 = 𝑅3 , on obtient : 𝑣𝑠 = −[𝑣1 + 𝑣2 ]
Il s’agit donc d’un montage sommateur inverseur.
4) Montage soustracteur (Amplificateur différentiel) :
𝑖2
𝑅3 𝑅4
−
𝑣2 𝑖2 𝑖1 +
𝑣𝑠
𝑣1 𝑅1
𝑅2

𝑅
Diviseur de tension à l’entrée +: 𝑣+ = 2 𝑣1
𝑅1 +𝑅2
𝑣2 𝑣𝑠
𝑣2 −𝑣− 𝑣− −𝑣𝑠 +𝑅 𝑅4 𝑣2 +𝑅3 𝑣𝑠
𝑅 3 4
D’autre part : = . Donc : 𝑣− = 1 1 ; soit : 𝑣− =
𝑅3 𝑅4 + 𝑅3 +𝑅4
𝑅3 𝑅4
𝑅3 +𝑅4 𝑅2 𝑅4
Puisque 𝑣+ = 𝑣− , on obtient : 𝑣𝑠 = [ 𝑣1 − 𝑣2]
𝑅3 𝑅1 +𝑅2 𝑅3 +𝑅4
Pour avoir un amplificateur différentiel c-a-d : 𝑣𝑠 = 𝑘 [𝑣1 − 𝑣2]

𝑅 𝑅 𝑅
avec : 𝑘 = 4 il suffit d’avoir : 2 = 4 c-a-d : 𝑅2𝑅3 = 𝑅1𝑅4
𝑅3 𝑅1 +𝑅2 𝑅3 +𝑅4
5) Montage Dérivateur :
𝑖
𝐶 𝑅
−
𝑣𝑒 𝑖
+ 𝑣𝑠

Moez YOUSSEF 33

Maille d’entrée : 𝑣𝑒 = 𝑣𝑐 + 𝑣− = 𝑣𝑐
Maille de sortie : 𝑣𝑠 = −𝑅 𝑖 + 𝑣− = −𝑅 𝑖
𝑑𝑣𝑐 𝑑𝑣𝑒 𝑑𝑣𝑒
Or : 𝑖 = 𝐶 =𝐶 Conclusion : 𝑣𝑠 = −𝑅𝐶 . Il s’agit donc d’un
𝑑𝑡 𝑑𝑡 𝑑𝑡
montage dérivateur.
6) Montage intégrateur :
𝑖
𝑅 𝐶
−
𝑣𝑒 𝑖
+ 𝑣𝑠

Maille d’entrée : 𝑣𝑒 = 𝑅 𝑖 + 𝑣− = 𝑅 𝑖
𝑞 1
Maille de sortie : 𝑣𝑠 = − + 𝑣− = − ∫ 𝑖 𝑑𝑡
𝐶 𝐶
1
Conclusion : 𝑣𝑠 = − ∫ 𝑣𝑒 𝑑𝑡 . Il s’agit donc d’un montage intégrateur.
𝑅𝐶
V. L’AOP en régime de saturation:

1) Trigger de Schmitt :
𝑖 𝑅2
𝑅1
+
𝑣𝑒 𝑖
− 𝑣𝑠
Contre-réaction positive donc fonctionnement en régime de saturation.

𝑣𝑠 = ±𝑉𝑠𝑎𝑡
𝑣 −𝑣 𝑣 −𝑣 𝑅 𝑣 +𝑅 𝑣
On a : 𝑣− = 0 , d’autre part : 𝑒 + = + 𝑠 ce qui donne : 𝑣+ = 2 𝑒 1 𝑠
𝑅1 𝑅2 𝑅1 +𝑅2
Supposons 𝑣𝑠 = 𝑉𝑠𝑎𝑡 ce qui signifie 𝑣+ > 𝑣−. 𝑣𝑠 bascule de 𝑉𝑠𝑎𝑡 à −𝑉𝑠𝑎𝑡
𝑅 𝑅
lorsque 𝑣+ < 0 c-a-d 𝑣𝑒 < − 1 𝑣𝑠 soit 𝑣𝑒 < − 1 𝑉𝑠𝑎𝑡
𝑅2 𝑅2
Moez YOUSSEF 34
Supposons 𝑣𝑠 = −𝑉𝑠𝑎𝑡 ce qui signifie 𝑣+ < 𝑣−. 𝑣𝑠 bascule de −𝑉𝑠𝑎𝑡 à +𝑉𝑠𝑎𝑡

𝑅 𝑅
lorsque 𝑣+ > 0 c-a-d 𝑣𝑒 > − 1 𝑣𝑠 soit 𝑣𝑒 > 1 𝑉𝑠𝑎𝑡
𝑅2 𝑅2
𝑉𝑠𝑎𝑡
𝑣𝑒
𝑅1
𝑉
𝑅2 𝑠𝑎𝑡
𝑅1
− 𝑉
𝑅2 𝑠𝑎𝑡
−𝑉𝑠𝑎𝑡
2) Multivibrateur astable :
R
−
vc(t) 
C + vs(t)
R2
R1
Contre-réaction positive donc fonctionnement en régime de saturation.
Moez YOUSSEF 35
𝑣𝑠 = ±𝑉𝑠𝑎𝑡
𝑅1
On a : 𝑣+ = 𝑣𝑠 et 𝑣− = 𝑣𝑐
𝑅1 +𝑅2
𝑅1
Supposons 𝑣𝑠 = 𝑉𝑠𝑎𝑡 alors 𝑣+ = 𝑉𝑠𝑎𝑡 . 𝑣𝑠 bascule de 𝑉𝑠𝑎𝑡 à −𝑉𝑠𝑎𝑡 lorsque
𝑅1 +𝑅2
𝑅1 𝑅1
𝑣+ < 𝑣− c-a-d 𝑉𝑠𝑎𝑡 . < 𝑣𝑐 on pose : 𝑉𝑠𝑎𝑡 = VHB (seuil de
𝑅1 +𝑅2 𝑅1 +𝑅2
basculement de l’état haut vers l’état bas).
𝑅
Supposons 𝑣𝑠 = −𝑉𝑠𝑎𝑡 alors 𝑣+ = − 1 𝑉𝑠𝑎𝑡 . 𝑣𝑠 bascule de −𝑉𝑠𝑎𝑡 à +𝑉𝑠𝑎𝑡
𝑅1 +𝑅2
𝑅1 𝑅1
lorsque 𝑣+ > 𝑣− c-a-d − 𝑉𝑠𝑎𝑡 . > 𝑣𝑐 on pose : − 𝑉𝑠𝑎𝑡 = VBH (seuil
𝑅1 +𝑅2 𝑅1 +𝑅2
de basculement de l’état bas vers l’état haut).
Equation différentielle en 𝑣𝑐 :
𝑑𝑣
On a : 𝑣𝑠 = 𝑅 𝑖 + 𝑣𝑐 avec 𝑖 = 𝐶 𝑐
𝑑𝑡
𝑑𝑣𝑐
Donc : 𝑅 𝐶 + 𝑣𝑐 = 𝑣𝑠
𝑑𝑡
Prenons comme conditions initiales : 𝑣𝑐 (0) = 0 et 𝑣𝑠 = 𝑉𝑠𝑎𝑡 .
𝑑𝑣
L’équation différentielle devient : 𝑅 𝐶 𝑐 + 𝑣𝑐 = 𝑉𝑠𝑎𝑡
𝑑𝑡
𝑡
−𝜏
La solution est de la forme : 𝑣𝑐 (𝑡) = 𝜆𝑒 + 𝑉𝑠𝑎𝑡 avec 𝜏 = 𝑅 𝐶
En exprimant 𝑣𝑐 (0) = 0 , on obtient 𝜆 = −𝑉𝑠𝑎𝑡 .
𝑡
Donc : 𝑣𝑐 (𝑡) = 𝑉𝑠𝑎𝑡 [1 − 𝑒 −𝜏 ]
Lorsque 𝑣𝑐 atteint VHB , 𝑣𝑠 bascule de 𝑉𝑠𝑎𝑡 à −𝑉𝑠𝑎𝑡 . Ceci correspond à :
𝑡 𝑡
−𝜏 𝑅1 −𝜏 𝑅1
𝑉𝑠𝑎𝑡 [1 − 𝑒 ]= 𝑉 donc [1 − 𝑒 ]=
𝑅1 +𝑅2 𝑠𝑎𝑡 𝑅1 +𝑅2
𝑡 𝑡
𝑅1 𝑅2 𝑅1 +𝑅2 𝑅1
𝑒− 𝜏 = 1 − = donc 𝑒 𝜏 = =1+
𝑅1 +𝑅2 𝑅1 +𝑅2 𝑅2 𝑅2
𝑅1
Soit 𝑇1 = 𝜏 𝑙𝑛 [1 + ]
𝑅2
Phase 2 : 𝑣𝑠 = −𝑉𝑠𝑎𝑡
𝑑𝑣
L’équation différentielle devient : 𝑅 𝐶 𝑐 + 𝑣𝑐 = −𝑉𝑠𝑎𝑡
𝑑𝑡
C se décharge.
𝑡
La solution est de la forme : 𝑣𝑐 (𝑡) = 𝜆𝑒 − 𝜏 − 𝑉𝑠𝑎𝑡
𝑅
La condition initiale est : 𝑣𝑐 (𝑇1) = VHB = 1 𝑉𝑠𝑎𝑡
𝑅1 +𝑅2
𝑇
− 𝜏1 𝑅1
Donc : 𝜆𝑒 − 𝑉𝑠𝑎𝑡 = 𝑉𝑠𝑎𝑡
𝑅1 +𝑅2
𝑇1 𝑇1
𝑅1 2 𝑅1 +𝑅2
Soit 𝜆 = 𝑒 𝜏 𝑉𝑠𝑎𝑡 [1 + ]=𝑒 𝜏 𝑉𝑠𝑎𝑡
𝑅1 +𝑅2 𝑅1 +𝑅2
𝑅1
Lorsque 𝑣𝑐 atteint VBH = − 𝑉𝑠𝑎𝑡 , 𝑣𝑠 bascule de −𝑉𝑠𝑎𝑡 à +𝑉𝑠𝑎𝑡 . Ceci
𝑅1 +𝑅2
correspond à :
𝑇1 𝑇2
2 𝑅1 +𝑅2 𝑅1
𝑒 𝜏 𝑉𝑠𝑎𝑡 𝑒− 𝜏 − 𝑉𝑠𝑎𝑡 = − 𝑉𝑠𝑎𝑡
𝑅1 +𝑅2 𝑅1 +𝑅2
Moez YOUSSEF 36
𝑇1 −𝑇2
2 𝑅1 +𝑅2 𝑅1 𝑅2
donc 𝑒 𝜏 =1− =
𝑅1 +𝑅2 𝑅1 +𝑅2 𝑅1 +𝑅2
𝑇1 −𝑇2 𝑇2 −𝑇1
𝑅2 2 𝑅1 +𝑅2
c-a-d : 𝑒 𝜏 = ou bien 𝑒 𝜏 =
2 𝑅1 +𝑅2 𝑅2
𝑅1
conclusion: la durée de cette phase est : 𝑇2 − 𝑇1 = 𝜏 𝑙𝑛 [1 + 2 ]
𝑅2
Phase 3 : 𝑣𝑠 = 𝑉𝑠𝑎𝑡
𝑑𝑣
L’équation différentielle devient : 𝑅 𝐶 𝑐 + 𝑣𝑐 = 𝑉𝑠𝑎𝑡
𝑑𝑡
C se charge
𝑡
La solution est de la forme : 𝑣𝑐 (𝑡) = 𝜆𝑒 − 𝜏 + 𝑉𝑠𝑎𝑡
𝑅
La condition initiale est : 𝑣𝑐 (𝑇2) = VBH = − 1 𝑉𝑠𝑎𝑡
𝑅1 +𝑅2
𝑇
− 𝜏2 𝑅1
Donc : 𝜆𝑒 + 𝑉𝑠𝑎𝑡 = − 𝑉𝑠𝑎𝑡
𝑅1 +𝑅2
𝑇2 𝑇2
𝑅1 2 𝑅1 +𝑅2
Soit 𝜆 = −𝑒 𝜏 𝑉𝑠𝑎𝑡 [1 + ] = −𝑒 𝜏 𝑉𝑠𝑎𝑡
𝑅1 +𝑅2 𝑅1 +𝑅2
𝑅1
Lorsque 𝑣𝑐 atteint VHB = 𝑉𝑠𝑎𝑡 , 𝑣𝑠 bascule de +𝑉𝑠𝑎𝑡 à −𝑉𝑠𝑎𝑡 . Ceci
𝑅1 +𝑅2
correspond à :
𝑇2 𝑇3
2 𝑅1 +𝑅2 𝑅1
−𝑒 𝜏 𝑉𝑠𝑎𝑡 𝑒− 𝜏 + 𝑉𝑠𝑎𝑡 = 𝑉𝑠𝑎𝑡
𝑅1 +𝑅2 𝑅1 +𝑅2
2 𝑅1 +𝑅2 𝑇2 −𝑇3 𝑅1 𝑅2
donc − 𝑒 𝜏 = −1 + =−
𝑅1 +𝑅2 𝑅1 +𝑅2 𝑅1 +𝑅2
𝑇2 −𝑇3 𝑇3 −𝑇2
𝑅2 2 𝑅1 +𝑅2
c-a-d : 𝑒 𝜏 = ou bien 𝑒 𝜏 =
2 𝑅1 +𝑅2 𝑅2
𝑅1
conclusion: la durée de cette phase est : 𝑇3 − 𝑇2 = 𝜏 𝑙𝑛 [1 + 2 ] c’est la même
𝑅2
durée que la phase précédente.
Les formes d’ondes de 𝑣𝑆 et 𝑣𝑐 sont comme suit :
Moez YOUSSEF 37
VI. Filtres actifs:

1) Filtre passe bas :
R1 R2
−
ve + vs
𝑣𝑒 (𝑡) = 𝑉𝑒𝑚𝑎𝑥 𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡 avec 𝜔 variable.

On utilise les grandeurs complexes. Le montage est équivalent à :
̅̅̅2
𝑍
̅̅̅
𝑍1
−
𝑉̅𝑒 +
𝑉̅𝑆
La fonction de transfert du filtre est :

𝑉̅𝑆 ̅̅̅
𝑍2
( )
𝐻 𝑗𝜔 = ̅ = −
𝑉𝑒 ̅̅̅
𝑍1
1
𝑅2 ×𝑗𝐶𝜔 𝑅2
̅̅̅2 =
Avec : 𝑍 1 = et ̅̅̅
𝑍1 = 𝑅1
𝑅2 +𝑗𝐶𝜔 1+𝑗𝑅2 𝐶𝜔
𝑅2 1
Donc : 𝐻 (𝑗𝜔) = −
𝑅1 1+𝑗𝑅2 𝐶𝜔
𝑅2 𝑅
Pour 𝜔 → 0 : 𝐻 (𝑗𝜔) ≈ − donc 𝐺𝑑𝐵 ≈ 20 𝑙𝑜𝑔 ( 2 )
𝑅1 𝑅1
𝑅2 1 1
Pour 𝜔 → ∞ : 𝐻 (𝑗𝜔) ≈ − × ≈−
𝑅1 𝑗𝑅2 𝐶𝜔 𝑗𝑅1 𝐶𝜔
1
donc 𝐺𝑑𝐵 ≈ 20 𝑙𝑜𝑔 ( ) − 20 𝑙𝑜𝑔(𝜔) il s’agit d’une droite de pente -20dB/dec
𝑅1 𝐶
Moez YOUSSEF 38
𝑅2
𝐺𝑑𝐵 20 𝑙𝑜𝑔 ( )
𝑅1
−20𝑑𝐵/𝑑𝑒𝑐
Bode asymptotique : courbe de Gain
Il s’agit d’un filtre passe bas.
2) Filtre passe haut :

R
R C
−
ve + vs
𝑣𝑒 (𝑡) = 𝑉𝑒𝑚𝑎𝑥 𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡 avec 𝜔 variable.

On utilise les grandeurs complexes. Le montage est équivalent à :
̅̅̅2
𝑍
̅̅̅
𝑍1
−
𝑉̅𝑒 +
𝑉̅𝑆
La fonction de transfert du filtre est :

𝑉̅𝑆 ̅̅̅
𝑍2
𝐻 (𝑗𝜔) = ̅ = − ̅̅̅
𝑉𝑒 𝑍1
Moez YOUSSEF 39
1 1+𝑗𝑅𝐶𝜔
̅̅̅2 = 𝑅 et ̅̅̅
Avec : 𝑍 𝑍1 = 𝑅 + =
𝑗𝐶𝜔 𝑗𝐶𝜔
𝑗 𝑅𝐶 𝜔
Donc : 𝐻 (𝑗𝜔) = −
1+𝑗𝑅𝐶𝜔
1
Pour 𝜔 → 0 : 𝐻 (𝑗𝜔) ≈ −𝑗𝑅𝐶𝜔 donc 𝐺𝑑𝐵 ≈ 20 𝑙𝑜𝑔𝜔 − 20 𝑙𝑜𝑔 ( )
𝑅𝐶
il s’agit d’une droite de pente +20dB/dec
Pour 𝜔 → ∞ : 𝐻 (𝑗𝜔) ≈ −1
donc 𝐺𝑑𝐵 ≈ 0
𝐺𝑑𝐵
+20𝑑𝐵/𝑑𝑒𝑐
Bode asymptotique : courbe de Gain
Il s’agit d’un filtre passe haut.
Moez YOUSSEF 40

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Cours Electronique Analogique Académie militaire

Chapitre 1 : Notions sur la physique des semi-conducteurs

Chapitre 3 : Transistors bipolaires

Chapitre 4 : Transistors à effet de champ

Chapitre 5 : Amplificateurs opérationnels

Chapitre 1 : Notions sur la physique des semi-conducteurs

II. Les semi-conducteurs :

Structure cristalline: Les 4 électrons de valence vont se

2) semi-conducteur extrinsèque : dopage:

2.2 semi-conducteur extrinsèque de type P: Le dopeur utilisé appartient à la

III. La jonction PN:

2.2 Polarisation inverse:

3. Caractéristique statique courant-tension de la diode:

On augmente la valeur de la tension Ve à

La caractéristique directe de la diode peut être répartie en trois zones de

4. Schémas équivalents simplifiés de la diode :

4.2 2eme approximation:

4.3 3eme approximation:

II. Redresseurs à diodes:

2. Redressement double alternance:

Lorsque v>0, D1 et D3 conduisent : u=v

III. Diodes spéciales:

D’après la caractéristique précédente, le fonctionnement de la diode zener

Chapitre 3 : Les Transistors bipolaires

Un transistor NPN est constitué de :

Soit α (0 < α < 1) le pourcentage d’électrons venant de l’émetteur et qui ont

Comme   99%   100

le réseau de caractéristiques d’un

IV. Polarisation d’un transistor :

1) Schéma équivalent du transistor bipolaire en régime dynamique petits

c’est le coefficient de réaction interne de la sortie sur l’entrée

c’est le coefficient d’amplification en courant lorsque la sortie

c’est la conductance vue de la sortie lorsque l’entrée est en

D’après le système d’équations précédent, le schéma équivalent petits signaux

Comme h12 et h22 sont généralement négligeables, on utilisera le schéma

2) Exemple de montage amplificateur à transistor bipolaire: Montage

Un montage amplificateur à transistor est généralement définie par : son gain

On obtient le schéma équivalent en régime dynamique suivant:

Chapitre 4 : Les Transistors à effet de champ

En absence de tension VGS

Courbe ID=f(VDS) à VGS=0

En présence de tension VGS

précédemment la variation de ID en fonction de VDS, on obtient les courbes

Lorsque |𝑉𝐺𝑆 | augmente (la jonction grille-canal étant polarisée en inverse) la

Pour VDS>0 , le potentiel du drain est supérieur au potentiel de la source, la

3) Caractéristiques statiques du JFET canal N :

Dans la zone de saturation, ID est indépendant de VDS :

4) Polarisation du transistor JFET canal N :

Equation de la droite d’attaque statique :

Equation de la droite de charge statique :

b) Polarisation par pont diviseur :

5) Le JFET en régime dynamique :

Le quadripôle est décrit par le système d’équations suivant :

Schéma équivalent simplifié :

6) Amplificateur à JFET : Montage source commune :

Chapitre 5 : Les Amplificateurs opérationnels

Symboles d’un AOP :

II. Caractéristiques d’un AOP:

saturation Zone saturation

Dans la zone linéaire :

* Impédance d’entrée : un AOP est caractérisé par une impédance d’entrée Z e

* Caractéristique de transfert d’un AOP parafait :

III. Notion de contre-réaction:

Contre-réaction négative donc fonctionnement en régime linéaire.