Magistre et M1 de physique fondamentale et applique

Universit Paris-Sud ; Orsay

Projet exprimental de Physique Statistique

EMISSION THERMOELECTRONIQUE

Diode vide

Poste de TV

Poste de TSF utilisant des diodes vide

Tube balayage couleur pour un cran de TV

Microscope lectronique par transmission (MET)

Nanotubes (image MET)

1. Introduction
1.1 Bref historique
On sait depuis 1725 que lair devient conducteur au voisinage dun corps incandescent. En
1901, Richardson1 a montr que ceci est d lmission de corpuscules chargs
ngativement, identifis depuis comme tant des lectrons.
On ralise ainsi des tubes lectroniques ou diodes vide : celles-ci ont t beaucoup utilises
en lectronique, avant leur remplacement par les lments semi-conducteurs. L'effet thermolectronique est encore utilis de nos jours dans les tubes cathodiques des postes de tlvision
et des crans d'ordinateurs, etc ... Une autre application non ngligeable est le canon
lectrons des microscopes lectroniques ( transmission, ou balayage).

1.2 L'effet thermolectronique

Un matriau (gnralement mtallique) est conducteur s'il contient des lectrons libres,
disponibles pour transporter le courant lectrique.
Quand on tudie les matriaux conducteurs, on se limite gnralement aux proprits
volumiques2 (la conductivit lectrique ou thermique), et on nglige les effets de surface.
Ces effets de surface sont cependant essentiels pour apprhender, par exemple, la catalyse ou
la croissance cristalline, mais aussi pour comprendre comment on peut arracher un lectron du
matriau. Ce dernier cas correspond au potentiel de contact, l'effet photolectrique, et
l'effet thermoionique3 tudi ici.
La notion de travail de sortie est le concept de base ici : il s'agit de l'nergie minimum W0,
mesure en lectron-volts, ncessaire pour arracher un lectron depuis le niveau de Fermi d'un
mtal jusqu' un point situ l'infini en-dehors du mtal (voir figure 1.1). L'ordre de grandeur
du travail d'extraction est l'lectron-volt. Sa valeur dpend du matriau considr, mais aussi
de son orientation cristallographique, et de l'tat de sa surface.
Dans le cadre de ce projet, vous tudierez une diode vide : il s'agit d'une cathode chauffe
haute temprature T, qui met des lectrons. Ces lectrons sont acclrs par la diffrence de
potentiel V entre anode et cathode, et rcuprs ainsi sur l'anode, crant le courant I. Vous
tudierez I en fonction des deux paramtres V et T : vous pourrez tracer les caractristiques
I(V,T) de la diode (et ainsi, comprendre pourquoi il s'agit d'une diode), et vous mesurerez le
travail de sortie du matriau constituant la cathode (du tungstne).

Richardson a obtenu en 1928 le prix Nobel de physique pour ses travaux sur l'mission thermo-ionique.
en anglais : bulk properties
3
on parle d'mission thermo-ionique, ou d'effet thermomissif, ou encore d'effet thermolectronique
2

figure 1.1 : schma dfinissant le travail d'extraction W0 du mtal ; est l'nergie potentielle
lectronique, F est le niveau de Fermi.

2. Physique de l'mission thermolectronique

2.1 Rappels sur lmission dlectrons par un conducteur
Diffrents processus physiques sont possibles pour vaincre le travail d'extraction et ainsi
donner naissance une mission lectronique :
L'mission secondaire : lorsque la surface conductrice est bombarde par des particules
(lectrons, ions,...), on observe une mission lectronique conscutive aux dissociations
rsultant des chocs superficiels.
L'mission photo-lectrique : lorsque la surface conductrice est soumise l'action d'un
faisceau lumineux d'nergie suffisante (h > W0), on observe une mission conscutive au
bombardement des photons.
L'mission de champ : lorsque la surface conductrice est porte un potentiel suffisamment
ngatif, on observe une mission, indpendante de la temprature, qui peut tre explique
dans le cadre de la mcanique quantique par la pntration des lectrons travers une barrire
de potentiel.
L'mission thermolectronique : lorsque la surface conductrice est porte haute
temprature, on constate que des lectrons sont expulss dans l'espace voisin. Le phnomne
est d l'intensit considrable que prend l'agitation thermique lorsque la temprature du
corps est leve.
C'est ce dernier phnomne qui sera tudi en dtail dans ce projet.

2.2 Diodes thermolectroniques

Pour simplifier le problme et ne pas avoir considrer lionisation de lair, on tudiera l'effet
thermolectronique dans le vide. On utilise pour cela des diodes vide reprsentes
schmatiquement sur la figure 2.1.

(a)

(b)
Figure 2.1 : schma d'une diode vide (a) et (b)

Il existe a priori deux modes de chauffage de la cathode :

Chauffage direct : la cathode est un filament qui est chauff par le passage dun courant
lectrique. Ce mode de chauffage a linconvnient de rendre la temprature de la cathode
sensible aux variations du courant de chauffage du filament.
Chauffage indirect : la cathode est gnralement forme dun cylindre de Nickel enrob
dune couche doxyde missif (Strontium ou Baryum). Cette cathode entoure un autre
cylindre de matire isolante rfractaire dans lequel un filament de tungstne est reli la
source de chauffage. La matire isolante assure lisolement lectrique et la conductivit
thermique entre le filament et la cathode. Ce mode de chauffage a lavantage de rendre la
temprature de la cathode insensible aux variations du courant de chauffage du filament,
grce linertie thermique de lensemble.
Dans ce projet, on utilise le chauffage direct.
La cathode des diodes vide que lon utilise dans ce projet est un filament (principalement
constitu de tungstne) de 125 m de diamtre.
Il faut noter que la plupart des mtaux fondent avant d'atteindre une temprature suffisante
pour mettre des lectrons par effet thermolectronique. Le tungstne est une exception (son
point de fusion est 3650 K), ainsi que l'hexaboride de lanthane (LaB6).
L'anode est une plaque mtallique cylindrique de diamtre interne 6.5 mm dont l'axe se
confond avec le filament.
Cette anode est divise en 3 secteurs. Les deux secteurs externes (dits anneaux de garde) sont
maintenus au mme potentiel que la partie centrale et servent assurer l'homognit du
champ lectrique dans la partie centrale. On tudie le courant d'lectrons mis entre la cathode
et la partie centrale uniquement, dans laquelle on pourra supposer quil nexiste pas deffets
de bord, et que les lignes de champ sont partout orthogonales laxe du tube.
La pression dans le tube est suffisamment basse pour ngliger l'ionisation et les autres
processus collisionnels des lectrons. Il n'y a donc pas d'autres charges que les lectrons issus
de la cathode.
Le filament de tungstne est chauff une temprature T, jusqu' l'mission d'lectrons par
agitation thermique. Ces lectrons mis par la cathode sont attirs vers l'anode par une
diffrence de potentiel V variant entre 0 et 300 V et donnent naissance un courant I. La
figure 2.2 reprsente les caractristiques courant-tension typiques obtenues pour trois valeurs
T1, T2 et T3 de la temprature du filament.
4

Figure 2.2 : Caractristiques courant-tension typiques.

2.3 Description des diffrents rgimes

Les lectrons de conduction dans le mtal qui constitue la cathode doivent avoir une nergie
suprieure au travail de sortie W0 pour pouvoir tre mis de la cathode vers le vide. Une
augmentation de la temprature de la cathode conduit un largissement de la distribution de
Fermi-Dirac. Pour les plus hautes tempratures, un lectron dans la queue de la distribution de
Fermi-Dirac a une nergie cintique qui peut tre suprieure au travail de sortie W0, lui
permettant de quitter le mtal. Une partie de ses lectrons libres a ainsi tendance quitter le
solide, qui devient positif.

En labsence daction extrieure, il existe une densit de courant JS(T) d'lectrons sortant
de la cathode (qui ne dpend que de la temprature et de W0) ; du fait de la prsence
d'lectrons l'extrieur du mtal, il existe un champ lectrique dit champ de charge
despace qui tend ramener dans la cathode les lectrons qui en sont sortis. On a donc
galement un courant d'lectrons en sens inverse (-JS(T)), conduisant ainsi un quilibre
dynamique.

Si maintenant on applique une diffrence de potentiel V entre l'anode et la cathode (V =

Vanode-Vcathode>0), on entrane une partie des lectrons qui se situent au voisinage de la
cathode vers l'anode, crant ainsi un courant, qui est une fraction de JS(T). Autour de la
cathode, il y a toujours un quilibre dynamique entre les lectrons qui en sortent et les
lectrons qui y rentrent ; la diffrence tant que cet quilibre est ralis avec un nombre
moyen d'lectrons moindre par rapport au cas o V = 0. Dans ce rgime, dit rgime de
charge d'espace, le nombre d'lectrons disponible pour le courant anodique augmente
avec le potentiel V. Leur vitesse moyenne v augmente galement avec V. Au total, la
densit volumique de courant j n e v est plus que linaire en V. En pratique, on peut
montrer que :
Ic = PV3/2
(Eq 2.1)

Cette relation est dite de Child-Langmuir. P est appele pervance et ne dpend que des
caractristiques de la cathode.
Dans le cas d'lectrodes cylindriques, elle vaut :
8 2e 0 l
P=
(Eq 2.2)
9 me ra 2
o :
e et me sont respectivement la charge et la masse d'un lectron.

l est la longueur de la cathode.

dpend du rapport entre le rayon ra de l'anode et le rayon rc de la cathode.
Pour les diodes utilises au cours de ce projet, on a :
2 1,09, ra = 3.25 mm, l = 14 mm.
Remarque :
Dans le cas d'lectrodes planes (la dmonstration est plus facile dans ce cas), la densit de
courant vaut :
4 2e 0 3/ 2
Jc =
V
(Eq 2.3)
9 me L2
o L est la distance anode-cathode.
Langmuir a montr que la loi Ic = PV3/2 qui exprime la proportionnalit du courant la
puissance 3/2 de la tension applique, tablie pour des lectrodes planes et cylindriques, puis
vrifie exprimentalement pour des lectrodes cylindriques, tait encore valable pour un
champ de forme quelconque, ds que lmission dlectrons tait assez intense pour que le
phnomne de la charge despace soit non ngligeable.

Enfin, quand V atteint une valeur critique Vc (essayez de trouver son ordre de grandeur),
tous les lectrons disponibles sont drains vers l'anode : le rgime de saturation est
atteint, et le courant anodique ne dpend plus que de la limite d'mission de la cathode
(qui dpend elle-mme de T et W0). La valeur de la densit de courant est JS(T) (le mme
que prcdemment), et on peut montrer qu'elle vaut :
J S = AT 2e W0 / kT
(Eq 2.4)
Cette relation est dite de Dushman-Richardson.
La constante A vaut
A = 4 me e k2/h3
(Eq 2.5)
Elle devrait tre indpendante de la nature du mtal. Dans la plupart des cas, on trouve
exprimentalement une valeur infrieure quon explique par la rflexion dune fraction des
lectrons la surface du rseau cristallin4. On crit donc gnralement la formule de
Dushman-Richardson sous la forme :
J S = A(1 r )T 2e W0 / kT
(Eq 2.6)
o r reprsente le coefficient de rflexion des lectrons la surface du mtal. Le coefficient r
peut atteindre 77% pour le Nickel.

Dans le cas du Csium, la valeur exprimentale de 160 Acm-2K-2 sexplique par des irrgularits de la surface entranant des effets de
champ

2.4 Corrections la loi de Dushman-Richardson

2.4.1 Effet Schottky
Pour crire la loi de Dushman-Richardson, on a suppos que la barrire de potentiel franchir
pour les lectrons tait exactement de hauteur W0, alors que le fait de rajouter une tension
entre anode et cathode abaisse lgrement la hauteur de cette barrire.
Dans un premier temps, on crit l'nergie potentielle d'un lectron devant une surface
conductrice une distance z grande devant les dimensions atomiques. Elle peut tre calcule
en considrant l'effet d'une charge miroir situe derrire la surface.
On obtient :
e2

(Eq 2.7)
16 0 z
Un champ lectrique externe E (appliqu entre anode et cathode) superposera l'nergie
potentielle V = -e |E| z celle de la charge miroir, donnant finalement, pour l'nergie
potentielle totale de l'lectron (z) :
e2
eE z
(Eq 2.8)
( z ) = W0
16 0 z
Le travail d'extraction W sera alors abaiss de W (effet Schottky) :
eE
W = W0 W = W0 e
(Eq 2.9)
4 0
Le potentiel au voisinage de la cathode selon une coordonne z normale la surface est
reprsent sur la figure 2.3 avec ou sans champ lectrique appliqu.

Figure 2.3 : Potentiel l'interface entre la cathode et le vide avec ou sans champ lectrique appliqu

Estimer l'ordre de grandeur de W. Qu'en concluez-vous?

Pour la suite, on notera :
W(T ,V) = W0 C V
o:

C=e

e
4 0 L

(Eq 2.10)

(Eq 2.11)

2.4.2 Rsistance interne du tube

Dans le rgime de saturation, on constate que le courant I n'est pas constant, mais augmente
lgrement avec V ( T fixe). La rsistance interne du tube est donc finie, et elle est dfinie
par :
U
= ( ) T = cste
(Eq 2.12)
I
2.4.3 Variation du travail d'extraction avec la temprature
Le travail d'extraction dpend galement de la temprature (quelle en est la raison physique,
votre avis ?) selon :
W0 (T ) = W0 + T
(Eq 2.13)
-23
-1
o 10 JK vers 2000 degrs. Ceci introduit une modification du coefficient A qui
devient :
Ae / k
(Eq 2.14)
2.4.4 Variation globale du courant de saturation
En prenant en compte les deux effets prcdemment dcrits, on a finalement :

W(T ,V) = W0 + T C V

(Eq 2.15)

En rsum, la densit de courant de saturation JS s'exprime par l'expression suivante :

J S (T ,V ) = A(1 r )e / k T 2e (W0 C V )/ kT

(Eq 2.16)

3 Montage exprimental
Pour tudier l'effet thermolectronique, on utilise une diode vide telle que celle dcrite au
paragraphe 2.2. Sous celle-ci, se trouve un botier lectrique dont le schma est reprsent sur
la figure 3.1. Quelle est l'utilit des rsistances RV1 et RV2 et des autres constituants du
montage ? Ne pas raccorder l'alimentation principale au secteur sans l'accord de
l'enseignant. On limitera la tension collectrice 250 V.
Remarque
La borne +HT de lalimentation haute tension est relie la masse, alors que gnralement on
y relie la borne -HT. Pourquoi ?
La tension de chauffage du filament (donc sa temprature) est varie laide dun rhostat.
Cette mme tension de chauffage (ou plutt une tension qui lui est proportionnelle) est
mesure grce au circuit comprenant l'optocoupleur reprsent sur la figure 3.1.
Penser conserver le numro de la diode utilise ainsi que le numro du pyromtre.
Branchements lectriques :
Il y a plusieurs prcautions particulires prendre sur ce montage :
Le +HT est reli la masse de l'appareillage
Lorsque vous allumez l'alimentation, il est prfrable de mettre le rhostat en position
intermdiaire plutt qu'en position extrme.
Ne pas mettre le rhostat en position de chauffage maximum du filament. Des effets
thermiques dans le rhostat induiraient une oscillation de la tension de chauffage, donc de la
temprature du filament.

Diode

+ HT
HT

F1
F2

V1
V2

I1
I2
I3

Figure 3-1 : Montage exprimental.

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4 Nature du travail effectuer

Raliser le montage : sans allumer le gnrateur, et sans circuit de mesure pour le moment.
Quand vous avez termin, appelez l'enseignant(e) pour qu'il/elle vrifie votre montage.
N'allumez pas le gnrateur tant que votre montage n'a pas t vrifi par
l'enseignant(e).
En variant les paramtres la main, dterminer la gamme de variation des diffrents
paramtres.
Introduire les circuits de mesure avec la carte PCI. De mme, n'allumez rien tant que
votre enseignant(e) n'a pas vrifi votre montage. Vrifiez que vous pouvez mesurer toutes
les tensions utiles avec la carte PCI, en utilisant les programmes de "dmos" fournis.
Mesure de la temprature : en utilisant un pyromtre optique (reportez-vous la notice de
celui-ci afin de dterminer son mode de fonctionnement), raliser la courbe de calibration
donnant la temprature du filament en fonction de sa tension de chauffage.
Ecrire un programme permettant, pour une temprature du filament T fixe, d'enregistrer les
variations de I en fonction de V. Raliser plusieurs courbes I = f(V) diffrentes tempratures
(courbes caractristiques de la diode).
Etude du rgime de charge d'espace :

Etudier prcisment, pour plusieurs tempratures, la partie des courbes I = f(V)
correspondant aux trs faibles valeurs du champ collecteur. Commentaires ?

Dterminer la pervance du tube, et comparer la valeur attendue.
Etude du rgime de saturation :

En se basant sur ce qui a t fait prcdemment, crire un programme permettant, pour
une tension collectrice V fixe, d'enregistrer les variations de I en fonction de T. Faire
ceci pour plusieurs valeurs de V. En dduire le travail d'extraction W0 des lectrons du
mtal

Etudier la variation de la rsistance interne du tube en fonction de sa temprature. En
dduire une deuxime estimation du travail d'extraction des lectrons W0 du mtal.

Comparer entre elles les deux valeurs trouves pour W0, et la valeur attendue pour le
tungstne. Conclure.
Justifier toutes les rponses par les courbes appropries.

5 Travail bibliographique
Le travail bibliographique effectuer peut porter sur divers aspects. On demandera
ltudiant, en plus dun rsum synthtique du sujet et des expriences mener de traiter et
dapprofondir au-del du prsent polycopi un point particulier. Voici quelques exemples de
points pouvant tre approfondis (liste non exhaustive):

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Les diffrents types dmission lectronique

La loi de Dushman-Richardson
La loi de Child-Langmuir
Les microscopes lectroniques
Utilisation des diodes vides en lectronique
Applications actuelles des diodes vide

Par ailleurs, on donne ci-dessous une liste de rfrences facilement accessibles (bibliothque
du Magistre, bibliothque universitaire):
1. Cours de matire condense, M. Hritier et B. Deloche (M1, tronc commun)
2. Kittel, Physique de l'tat solide
3. Ibach et Lth, Solid State Physics, p. 121 et suivantes (excellent livre de physique des
solides, hautement recommand par ailleurs)
4. Encyclopedia Universalis, rubrique Thermo-ionique
5. Ashcroft et Mermin, Solid state physics
6. http://www.engineers.auckland.ac.nz/~tsce001/files/thermoelectronique.pdf

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