Chap 1 Electronique

UNIVERSITE ALIOUNE DIOP DE BAMBEY
Electronique
Dr Lamine SANE
lamine.sane@esp.sn
Dr L. SANE – Cours Electronique – L2 – UADB @UADB 2022 – 2023
PLAN
Chapitre 1 : Diode et Applications
I. Introduction
II. Structure de la matière
III. Techniques de dopage et jonction
IV. Diode à jonction
V. Diode Zener
VI. Diode Varicap
VII. Conclusion
Chapitre 2 : Le Transistor
I. Introduction
II. Montage du transistor
III. Polarisation d’un transistor NPN
IV. Transistor en série
V. Transistor en régime dynamique
VI. Conclusion
Chapitre 3 : L’Amplificateur Opérationnel

I. Introduction
II. Propriétés de l’AOP
III. Procédure d’analyse des AOP
IV. Les différents types de montage
V. Applications de l’AOP
VI. Conclusion
Chapitre 4 : Applications des composants électroniques

I. Introduction
II. Fonction logique à Diode
III. Fonction logique du transistor
IV. Fonction logique de l’AOP
V. Conclusion
Dr L. SANE – Cours Electronique – L2 SRT – UADB

I. INTRODUCTION
La diode est un composant électronique utilisé dans plusieurs applications. C'est un dipôle non linéaire et
polarisé (ou non symétrique). Le sens de branchement d'une diode détermine le fonctionnement du circuit
électronique dans lequel elle est placée. La diode laisse passer le courant dans un seul sens lorsqu’une
tension supérieure ou égale à la tension de seuil 𝑽𝑫𝟎 est appliquée à ses bornes. Dans ce cas on dit qu’elle
est en polarisation directe. La figure ci-dessous montre une structure physique de la diode à jonction.
Il existe d’autres types de diode tels que la diode Zener et la diode Varicap.
Diode Varicap Diode Zener
Dr L. SANE – Cours Electronique – Licence 2 SRT UADB 3

I. INTRODUCTION
 Diode réelle
Une diode peut être idéale, parfaite ou réelle.
 Diode idéale • Si 𝑽𝑫 < 𝑽𝑫𝟎 , le courant 𝑰𝑫 = 0
• Si 𝑽𝑫 < 0, le courant 𝑰𝑫 = 0 • Si 𝑰𝑫 > 0, la tension 𝑽𝑫 = 𝑽𝑫𝟎 + 𝑹𝑫 𝑰𝑨 𝑲
• Si 𝑰𝑫 > 0, la tension 𝑽𝑫 = 0 La diode est équivalente soit à un circuit ouvert, soit à une source de
La diode est équivalente à un interrupteur : tension de f.é.m 𝑽𝑫𝟎 et de résistance interne 𝑹𝑫
 Diode parfaite
• Si 𝑽𝑫 < 𝑽𝑫𝟎 , le courant 𝑰𝑫 = 0

• Si 𝑰𝑫 > 0, la tension 𝑽𝑫 = 𝑽𝑫𝟎
La diode est équivalente soit à un circuit ouvert, soit à une source
de tension parfaite de f.é.m 𝑽𝑫𝟎
I. INTRODUCTION
La figure ci-dessous montre le graphique de l’évolution du courant 𝐼𝐷 pour les différents types de diode.
Le courant qui circule dans la diode est exprimée par la relation suivante.
𝑉𝐷
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 (𝑒 𝑛𝑉𝑇 − 1)
• 𝐼𝑆 est appelé courant inverse de saturation. C’est la valeur asymptotique du courant traversant la jonction en polarisation inverse
𝐾𝑇
• 𝑉𝑇 est la tension thermodynamique qui vaut 𝑉𝑇 = ≅ 26 mV à 25 °C (𝑞 = 1,610−19 𝐶; K = 1,23 10−23 𝐽/°𝐾)
𝑞
• n est le coefficient d’émission. Il dépend du matériau, voisin de 1 dans les jonctions de transistors au silicium et dans les diodes au germanium, et compris entre 1 et
2 dans les diodes au silicium
II. STRUCTURE DE LA MATIERE
La plupart des composants électroniques sont fabriqués à base de matériaux semi conducteurs. Pour
comprendre ce qui confère à un matériau sa propriété de conducteur, semi conducteur ou isolant, il faut
comprendre la structure quantique de l’atome. En effet, dans tout phénomène physique intervient un objet
dont la structure confère une certaine propriété à l’espace qui l’entoure. En électrostatique, l’objet
correspond à une charge noté e. Sa valeur est de 1,6 10−19 C.
Matériau : Ensemble de molécules Molécule : Ensemble d’atomes Atome : Noyau (protons et neutrons) + électrons
Dr L. SANE – Cours Electronique – Licence 2 SRT UADB

Les électrons se situent à des distances du noyau qui correspondent à des niveaux d’énergie bien
déterminés. En réalité, un électron, dans un atome, n’occupe pas une position donnée mais a une
probabilité de se trouver dans un espace bien défini qu’on appelle orbitale atomique.
Les bandes d’énergie dans lesquelles peuvent se trouver les électrons sont dites bandes permises. Ces
bandes sont séparés par des bandes dites interdites. Les électrons ne peuvent pas être localisés dans les
bandes interdites.
La répartition d’énergie dans un atome permet d’identifier deux bandes fondamentales:
 La bande de valence contenant les électrons qui participent aux liaisons atomiques. Elle correspond à la
dernière bande complétement remplie.
 La bande de conduction contient les électrons très faiblement liés au noyau ou pratiquement libres.
On appelle Gap la bande interdite séparant la bande de valence et la bande de conduction.
Les bandes sont remplies par niveau d’énergie croissant et chaque bande ne peut prendre qu’un nombre
déterminé d’électron selon le niveau. La taille d’un gap est mesurée en eV (électronvolt).
1 𝑒𝑉 = 1,602 10−19 C
La nature d’un matériau dépend du niveau de remplissage de sa bande de conduction et de taille de son
gap.
 Si la bande de conduction est partiellement remplie, quelque soit la taille de son gap, le matériau est
conducteur.
 Si la bande de conduction est vide, la nature du matériau dépend alors de la taille de son gap :
• Si le gap est faible (1eV), le matériau est semi conducteur
• Si le gap est fort (9eV), le matériau est isolant

La figure ci-dessous donne une illustration des propriétés d’un matériau selon qu’il soit isolant, semi
conducteur ou conducteur.
III. TECHNIQUES DE DOPAGE ET JONCTION

Dans le monde industriel, le Silicium (Si, 14) est le semi conducteur le plus utilisé du fait de son
abondance dans la nature, de sa facilité de traitement, de son faible coût et de ses caractéristiques.
Le Silicium appartient au groupe 14 du tableau de classification périodique et contient 4 électrons dans sa
couche de valence. C'est l'élément le plus abondant dans la croûte terrestre après l'oxygène.

Cependant, compte tenu du caractéristique de conductibilité recherché en électronique, le Silicium n’est

pas utilisé seul (semi conducteur intrinsèque) mais avec d’autres. On parle de dopage. Les matériaux
utilisés pour faire le dopage s’appellent dopants. On peut effectuer un dopage Négatif (type N) ou un
dopage Positif (type P) sur le Silicium.
 Dopage de type N
Le dopage de type N consiste à introduire dans le cristal de semi-conducteur des atomes appartenant au groupe 15.
Ces atomes possèdent 5 électrons sur leur couche de valence. On appelle ces éléments des dopants N. Lorsqu'un
dopant N et un semi-conducteur comme le silicium entre en contact, ils cherchent à partager des paires d’électrons. Ils
peuvent ainsi partager chacun 2 paires d'électrons, pour posséder chacun 8 électrons sur leur couche externe.
Un électron du dopant est donc orphelin : il ne peut être partagé, et il ne peut occuper la bande de valence (elle est
remplie). Il quitte donc l'atome et devient un électron libre (ou délocalisé), capable de conduire le courant. On dit
alors que le semi conducteur est dopé N.

 Dopage de type P
Le dopage de type P consiste à introduire dans le cristal des atomes appartenant au groupe 13, qui
possèdent 3 électrons sur leur bande de valence.
Dans le cristal, les atomes de silicium et les dopants P présentent alors 7 électrons sur leur couche externe.
Il manque un électron sur cette couche. Cette absence d'électrons, et donc de charge négative, est
considérée comme une charge positive, ou trou.

 Dopage de type P
Un matériau dopé P est également conducteur. En effet, les électrons qui sont déjà en liaison de parité
peuvent se déplacer dans le matériau sous l’effet d’une différence de potentiel ou d’un échauffement. Tout
électron qui se déplace d’un atome vers un autre laissera un trou libre qui pourra à son tour en recevoir un
autre. Ce procédé est considéré comme un déplacement de trou mais en réalité il s’agit de mouvement
d’électrons d’où l’apparition d’un courant électrique.
 JONCTION PN
La jonction PN est l’opération de mise en contact de matériaux dopés différemment. Lorsque le matériau
dopé P est mise en contact avec le matériau dopé N, les charges excédentaires de ce dernier migrent vers
les trous du premier matériau. Il se crée alors entre les deux matériaux une zone appelée zone de déplétion
ou zone de charge d’espace.

 JONCTION PN
A l’équilibre apparait une différence de potentiel appelé potentiel de jonction (0,6 pour le Si).
 Polarisation de la jonction PN
Polariser une jonction PN revient à lui associer un générateur de tension. Il existe deux types de
polarisation :
• la polarisation directe
• la polarisation inverse.
 JONCTION PN
 Polarisation de la jonction PN
 La polarisation directe consiste à associer la borne + du générateur de tension à la partie dopé P du

matériau et la borne – du générateur reliée à la partie dopé N.
 La polarisation inverse correspond au cas où la borne + du générateur de tension est reliée à la partie
dopé N du matériau et la borne – du générateur à la partie dopé P.
polarisation directe polarisation inverse

IV. DIODE A JONCTION
Une application directe de la polarisation de la jonction PN est la diode. La diode est un composant
électronique non linéaire. Elle permet de laisser passer le courant que dans un seul sens.
Si une diode a une polarisation directe, on dit qu’elle est passante. Si au contraire elle est polarisée en sens
inverse, on dit qu’elle est bloquée.
 Caractéristiques d’une diode à jonction
 En polarisation directe, une diode est caractérisée par sa tension de seuil notée 𝑽𝑫 . La tension de seuil
est la valeur minimale qu’il faut appliquer aux bornes d’une diode pour qu’elle soit passante.
 En polarisation inverse, on a un courant de fuite et une tension dite de claquage pour laquelle la diode
se détériore.
 Caractéristiques d’une diode à jonction Droite de charge et Point de fonctionnement
La droite de charge statique de la diode correspond à l’équation qui donne l’intensité 𝑰𝑫 en fonction de la
tension 𝑽𝑫 .
𝑰𝑫 = 𝑓(𝑽𝑫 )
Le point de fonctionnement d’une diode représente l’intersection entre la droite de charge statique et la
courbe d’évolution du courant 𝑰𝑫 . Il a pour coordonnées (𝑽𝑫𝟎 , 𝑰𝑫𝟎 ) (diode réelle).
La loi des mailles appliquée au circuit ci-contre donne :
𝑬 − 𝑽𝑫 = 𝑹 ∗ 𝑰
𝑰 𝑹
Or le courant 𝑰 est le même que le courant qui traverse la diode
𝑬 𝑽𝑫
donc 𝑰 = 𝑰𝑫

La droite de charge est alors donnée par la relation suivante:
𝑬 − 𝑽𝑫
𝑰𝑫 =
𝑹
L’expression de la droite de charge montre que cette droite a un coefficient directeur négatif de pente 1/R
et d’ordonnée à l’origine égale à E/R. Autrement dit :
𝑬
• Si 𝑽𝑫 = 𝟎, alors 𝑰𝑫 = 𝑰𝑫
𝑹 𝑬
• Si 𝑰𝑫 = 𝟎, alors 𝑽𝑫 = 𝑬 𝑹
Droite de charge statique
𝑽𝑫
𝑬
La droite de charge est alors donnée par la relation suivante:
𝑬 − 𝑽𝑫
𝑰𝑫 =
𝑹
L’expression de la droite de charge montre que cette droite a un coefficient directeur négatif de pente 1/R
et d’ordonnée à l’origine égale à E/R. Autrement dit :
𝑬
• Si 𝑽𝑫 = 𝟎, alors 𝑰𝑫 =
𝑹
• Si 𝑰𝑫 = 𝟎, alors 𝑽𝑫 = 𝑬
Au point de fonctionnement on a :
𝑽𝑫 = 𝑽𝑫𝟎 et 𝑰𝑫 = 𝑰𝑫𝟎
𝑽𝑫
𝑽𝑫𝟎
Application 1 : Pour chacun des circuits ci-dessous, Application 2 : Pour chacun des circuits ci-dessous, déterminer
déterminer l’expression du courant I. l’expression de la tension aux bornes da la résistance R2.
𝑅1 𝑅1 𝑅1
I I
𝑉𝐷
𝑅1 𝑉𝐷 𝑈𝑅2 𝑅2 𝑉𝐷 𝑈𝑅2 𝑅2
𝑉1 𝑉𝐷 𝑉1 𝑉1 𝑉1
(A) (B)
(A) (B)
Solution 1: Solution 2:
 Pour le montage A : la diode est en polarisation  Pour le montage A : la diode est en polarisation inverse
𝑉1 −𝑉𝐷 𝑅 ∗𝑉
directe alors 𝐼 = 𝑅1
alors 𝑈𝑅2 = 𝑅 2+𝑅1
1 2
 Pour le montage B : la diode est en polarisation  Pour le montage B : la diode est en polarisation directe
inverse alors I = 0 alors 𝑈𝑅2 = −𝑉𝐷

 En régime sinusoïdal
En régime sinusoïdal, le générateur délivre un signal qui change d’amplitude par demi période. Par conséquent, une
alternance d’impulsions positives / négatives est générée dans le temps. De façon analytique, tout se passe comme si
les bornes du générateur alterne au cours du temps.
+ – +
– + –

V. DIODE DE ZENER
La diode Zener a la particularité d’être passante en polarisation inverse lorsqu’une tension supérieure à sa
tension de claquage est appliquée a ses bornes. En polarisation directe, elle se comporte comme une diode
à jonction PN.
La diode de Zener est très utilisée dans les circuits de régulation de tension. Un circuit régulateur de
tension permet de fournir une tension constante.
 Caractère d’une diode de Zener
La tension aux bornes d’une diode de Zener noté 𝑽𝒁 est donnée par :
𝑽𝒁 = 𝑽𝒁𝟎 + 𝒓𝒁 ∗ 𝑰𝒁𝑲
Avec
𝑽𝒁𝟎 : Tension seuil
𝒓𝒁 : résistance incrémentale au point d’opération
𝑰𝒁𝑲 : Courant de Knee Zener
VI. DIODE VARICAP
Une diode Varicap est une diode qui présente la particularité de se comporter comme un condensateur
dont la valeur de la capacité varie avec la tension inverse appliquée à ses bornes. Cette diode peut être
considérée comme un condensateur variable. Ce type de diode est souvent utilisé dans des montages
radiofréquence (RF) mais aussi pour des applications à très hautes fréquences.
VII. CONCLUSION
Ce chapitre a porté sur la diode à jonction. Les propriétés de la diode à jonction ainsi que celles des diodes
de Zener et Varicap sont présentées dans ce chapitre.
Les applications de la diode seront abordées dans le TP n°1 de ce cours.

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Diode Varicap Diode Zener

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• Si 𝑽𝑫 < 0, le courant 𝑰𝑫 = 0 • Si 𝑰𝑫 > 0, la tension 𝑽𝑫 = 𝑽𝑫𝟎 + 𝑹𝑫 𝑰𝑨 𝑲

La diode est équivalente à un interrupteur : tension de f.é.m 𝑽𝑫𝟎 et de résistance interne 𝑹𝑫

• Si 𝑽𝑫 < 𝑽𝑫𝟎 , le courant 𝑰𝑫 = 0

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Cependant, compte tenu du caractéristique de conductibilité recherché en électronique, le Silicium n’est

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 La polarisation directe consiste à associer la borne + du générateur de tension à la partie dopé P du

polarisation directe polarisation inverse

 Caractéristiques d’une diode à jonction

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La droite de charge est alors donnée par la relation suivante:

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