Semi-conducteur

Un semi-conducteur est un matériau qui a les

caractéristiques électriques d'un isolant, mais
pour lequel la probabilité qu'un électron puisse
contribuer à un courant électrique, quoique
faible, est suffisamment importante. En d'autres
termes, la conductivité électrique d'un semi-
conducteur est intermédiaire entre celle des
métaux et celle des isolants.

Sommaire
Description
Historique
Structure électronique des semi-
conducteurs
Principe de la structure en bandes
Notion de gap direct, gap indirect
Caractéristique spécifique aux
matériaux à gap direct
Capteurs électroniques à base de semi-conducteurs.
Modification des caractéristiques
électriques
Semi-conduction intrinsèque
Dopage
Généralités
Dopage N
Dopage P
Jonction P-N
Recherche
Industrie
Monde
France
Notes et références
Voir aussi
Articles connexes
Liens externes

Description
Le comportement électrique des semi-conducteurs est généralement modélisé, en physique de l'état solide, à
l'aide de la théorie des bandes d'énergie. Selon celle-ci, un matériau semi-conducteur possède une bande
interdite suffisamment petite pour que des électrons de la bande de valence puissent facilement rejoindre la
bande de conduction. Si un potentiel électrique est appliqué à ses bornes, un faible courant électrique
apparaît, provoqué à la fois par le déplacement des électrons et par celui des « trous » qu'ils laissent dans la
bande de valence.

La conductivité électrique des semi-conducteurs peut être contrôlée par dopage, en introduisant une petite
quantité d'impuretés dans le matériau afin de produire un excès d'électrons ou un déficit. Des semi-
conducteurs dopés différemment peuvent être mis en contact afin de créer des jonctions, permettant de
contrôler la direction et la quantité de courant qui traverse l'ensemble. Cette propriété est à la base du
fonctionnement des composants de l'électronique moderne : diodes, transistors, etc.

Le silicium est le matériau semi-conducteur le plus utilisé commercialement, du fait de ses bonnes
propriétés, et de son abondance naturelle même s'il existe également des dizaines d'autres semi-conducteurs
utilisés, comme le germanium, l'arséniure de gallium ou le carbure de silicium.

Historique
1833 : Michael Faraday remarque l'augmentation du pouvoir conducteur de certains
métaux lorsque l'on augmente la température, contrairement aux métaux classiques dont
la résistivité augmente avec la température.
1839 : Edmond Becquerel découvre l'effet photovoltaïque. Il constate une différence de
potentiel en éclairant le point de contact entre un conducteur et un électrolyte.
1879 : Effet Hall. Edwin Herbert Hall découvre une différence de potentiel dans le cuivre
dans la direction perpendiculaire au courant et au champ magnétique.
1931 : Théorie moderne des semi-conducteurs. Alan Herries Wilson décrit les semi-
conducteurs comme isolant à faible bande interdite.
1, 2
1947 : John Bardeen, William Shockley et Walter Brattain découvrent l'effet transistor .
1947 : Herbert Mataré et Heinrich Welker développent à Aulnay-sous-Bois, à la CFSW, le
premier « transistor français » réellement opérationnel en même temps et
indépendamment des travaux des chercheurs américains, entre 1945 et 1948.
1951 : Herbert Mataré fonde la première compagnie au monde à proposer sur le marché
des diodes et des transistors : Intermetall à Düsseldorf.
1954 : Fabrication des premiers transistors en silicium par Gordon Teal de Texas
3
Instruments .
3
1958 : Réalisation du premier circuit intégré par Jack Kilby de Texas Instruments .

Structure électronique des semi-conducteurs

Principe de la structure en bandes

Le comportement des semi-conducteurs, comme celui des métaux et des isolants est décrit via la théorie des
bandes. Ce modèle stipule qu'un électron dans un solide ne peut que prendre des valeurs d'énergie
comprises dans certains intervalles que l'on nomme « bandes », plus spécifiquement bandes permises,
lesquelles sont séparées par d'autres « bandes » appelées bandes d'énergie interdites ou bandes interdites.

Deux bandes d'énergie permises jouent un rôle particulier :

 la dernière bande complètement remplie, appelée « bande de valence » ;
la bande d'énergie permise suivante appelée « bande
de conduction ».

La bande de valence est riche en électrons mais ne participe pas

aux phénomènes de conduction (pour les électrons). La bande de
conduction, quant à elle, est soit vide (comme aux températures
proches du zéro absolu dans un semi-conducteur) soit semi-remplie
(comme dans le cas des métaux) d'électrons. Cependant c'est elle
Schéma théorique établi selon la
qui permet aux électrons de circuler dans le solide.
théorie des bandes d'énergie
indiquant suivant les cas la position
Dans les conducteurs (métaux), la bande de conduction et la bande
respective de la bande de valence et
de valence se chevauchent. Les électrons peuvent donc passer
de la bande d'énergie.
directement de la bande de valence à la bande de conduction et
circuler dans tout le solide.

Dans un semi-conducteur, comme dans un isolant, ces deux bandes sont séparées par une bande interdite,
appelée couramment par son équivalent anglais plus court « gap ». L'unique différence entre un semi-
conducteur et un isolant est la largeur de cette bande interdite, largeur qui donne à chacun ses propriétés
respectives.

Dans un isolant, cette valeur est si grande (aux alentours de 6 eV pour le diamant par exemple) que les
électrons ne peuvent pas passer de la bande de valence à la bande de conduction : les électrons ne circulent
pas dans le solide.

Dans les semi-conducteurs, cette valeur est plus petite (1,12 eV pour le silicium, 0,66 eV pour le
germanium, 2,26 eV pour le phosphure de gallium). Si l'on apporte cette énergie (ou plus) aux électrons,
par exemple en chauffant le matériau, ou en lui appliquant un champ électromagnétique, ou encore dans
certains cas en l'illuminant, les électrons sont alors capables de passer de la bande de valence à la bande de
conduction, et de circuler dans le matériau.

Notion de gap direct, gap indirect

La famille des matériaux semi-conducteurs, isolant à bande

interdite de l'ordre de 1 eV, peut être divisée en deux groupes : les
matériaux à gap direct, comme la plupart des composés issus des
colonnes III et V du tableau périodique des éléments chimiques, et
les matériaux à gap indirect, comme le silicium (colonne IV).

La notion de gap direct et indirect est liée à la représentation de la

dispersion énergétique d'un semi-conducteur : le diagramme E
(énergie) - k (nombre d'onde). Ce diagramme permet de définir
spatialement les extrema des bandes de conduction et de valence.
Ces extrema représentent, dans un semi-conducteur à l'équilibre,
des domaines énergétiques où la densité de porteurs type p pour la
bande de valence et type n pour la bande de conduction sont Structure de bande du silicium. Le
importantes. minimum de la bande de conduction
est situé sur l'axe Δ, en k ≠ 0, ce qui
On parle de semi-conducteur à gap direct lorsque le maximum de en fait un semi-conducteur à gap
la bande de valence et le minimum de la bande de conduction se indirect.
situent à valeur voisine du nombre d'onde k sur le diagramme E(k).
Inversement, on parle de semi-conducteur à gap indirect lorsque le minimum de bande de conduction et le
maximum de la bande de valence se situent à des valeurs distinctes du nombre d'onde k sur le diagramme
E(k).

Dans le cadre des applications en émetteur de lumière (interaction lumière/matière), on privilégie les
matériaux à gap direct. En effet, les extrema de bandes étant situés à des valeurs de k semblables, la
probabilité de recombinaison radiative des porteurs (rendement quantique interne) est supérieure grâce à la
conservation de la quantité de mouvement (même nombre d'onde k).

Caractéristique spécifique aux matériaux à gap direct

Dans le domaine de l'opto-électronique, un paramètre essentiel à la compréhension des phénomènes de

générations / recombinaisons de porteurs, est la notion de coefficient d'absorption. Celui-ci a deux
caractères communs à l'ensemble des semi-conducteurs à gap direct. Il présente tout d'abord un
comportement assimilable en première approximation à une marche d'escalier. Ainsi, pour une énergie
incidente inférieure à l'énergie de bande interdite, le matériau est « transparent » au rayonnement incident,
et le coefficient d'absorption est très faible. À partir d'une valeur proche de l'énergie de bande interdite, ce
coefficient présente une valeur constante aux alentours de α ≈ 104 cm−1.

On parle ainsi de seuil d'absorption optique.

Modification des caractéristiques électriques

Semi-conduction intrinsèque

Un semi-conducteur est dit intrinsèque lorsqu'il est pur : il ne comporte aucune impureté et son
comportement électrique ne dépend que de la structure du matériau. Ce comportement correspond à un
semi-conducteur parfait, c'est-à-dire sans défaut structurel ou impureté chimique. Un semi-conducteur réel
n'est jamais parfaitement intrinsèque mais peut parfois en être proche comme le silicium monocristallin pur.

Dans un semi-conducteur intrinsèque, les porteurs de charge ne sont créés que par des défauts cristallins et
par excitation thermique. Le nombre d'électrons dans la bande de conduction est égal au nombre de trous
dans la bande de valence.

Ces semi-conducteurs ne conduisent pas, ou très peu, le courant, excepté si on les porte à haute
température.

Dopage

Généralités

La formation des bandes interdites étant due à la régularité de la structure cristalline, toute perturbation de
celle-ci tend à créer des états accessibles à l'intérieur de ces bandes interdites, rendant le gap plus
« perméable ». Le dopage consiste à implanter des atomes correctement sélectionnés (nommés
« impuretés ») à l'intérieur d'un semi-conducteur intrinsèque afin d'en contrôler les propriétés électriques.

La technique du dopage augmente la densité des porteurs à l'intérieur du matériau semi-conducteur. Si elle
augmente la densité d'électrons il s'agit d'un dopage de type N Si elle augmente celle des trous il s'agit
augmente la densité d'électrons, il s'agit d'un dopage de type N. Si elle augmente celle des trous, il s'agit
d'un dopage de type P. Les matériaux ainsi dopés sont appelés semi-conducteurs extrinsèques.
Dopage N

Le dopage de type N consiste à augmenter la densité en électrons dans le semi-conducteur. Pour ce faire, on
inclut un certain nombre d'atomes riches en électrons dans le semi-conducteur.

Par exemple, dans un cristal de silicium (Si), chaque atome de silicium a quatre électrons de valence ;
chacun de ces électrons formant une liaison covalente avec un électron de valence d'un des quatre atomes
voisins. Pour doper ce cristal de silicium en N, on y insère un atome ayant cinq électrons de valence,
comme ceux de la colonne V (VA) de la table périodique : le phosphore (P), l'arsenic (As) ou l'antimoine
(Sb).

Cet atome incorporé dans le réseau cristallin présentera quatre liaisons covalentes et un électron libre. Ce
cinquième électron, qui n'est pas un électron de liaison, n'est que faiblement lié à l'atome et peut être
facilement excité vers la bande de conduction. Aux températures ordinaires, quasiment tous ces électrons le
sont. Comme l'excitation de ces électrons ne conduit pas à la formation de trous dans ce genre de matériau,
le nombre d'électrons dépasse de loin le nombre de trous. Les électrons sont des porteurs majoritaires et les
trous des porteurs minoritaires. Et parce que les atomes à cinq électrons ont un électron supplémentaire à
« donner », ils sont appelés atomes donneurs.

Dopage P

Le dopage de type P consiste à augmenter la densité en trous dans le semi-conducteur. Pour le faire, on
inclut un certain nombre d'atomes pauvres en électrons dans le semi-conducteur afin de créer un excès de
trous. Dans l'exemple du silicium, on inclura un atome trivalent (colonne III du tableau périodique),
généralement un atome de bore. Cet atome n'ayant que trois électrons de valence, il ne peut créer que trois
liaisons covalentes avec ses quatre voisins créant ainsi un trou dans la structure, trou qui pourra être rempli
par un électron donné par un atome de silicium voisin, déplaçant ainsi le trou. Quand le dopage est
suffisant, le nombre de trous dépasse de loin le nombre d'électrons. Les trous sont alors des porteurs
majoritaires et les électrons des porteurs minoritaires.

Jonction P-N

Une jonction P-N est créée par la mise en contact d'un semi-conducteur dopé N et d'un semi-conducteur
dopé P. La jonction entraîne l'égalisation des niveaux de Fermi par décalage des bandes.

Si l'on applique une tension positive du côté de la région P, les porteurs majoritaires positifs (les trous) sont
repoussés vers la jonction. Dans le même temps, les porteurs majoritaires négatifs du côté N (les électrons)
sont attirés vers la jonction. Arrivés à la jonction, soit les porteurs se recombinent (un électron tombe dans
un trou) en émettant un photon éventuellement visible (DEL), soit ces porteurs continuent leur course au
travers de l'autre semi-conducteur jusqu'à atteindre l'électrode opposée : le courant circule, son intensité
varie en exponentielle de la tension. Si la différence de potentiel est inversée, les porteurs majoritaires des
deux côtés s'éloignent de la jonction, bloquant ainsi le passage du courant à son niveau. Ce comportement
asymétrique est utilisé notamment pour redresser le courant alternatif.

La jonction P-N est à la base du composant électronique nommé « diode », qui ne permet le passage du
courant électrique que dans un seul sens. De manière similaire, une troisième région peut être dopée pour
former des doubles jonctions N-P-N ou P-N-P qui forment les transistors bipolaires. Dans ce cas-là, les
deux semi-conducteurs de même type sont appelés « émetteur » et « collecteur ». Le semi-conducteur situé
entre l'émetteur et le collecteur est appelé « base » ; il a une épaisseur de l'ordre du micromètre. Lorsqu'on
polarise la jonction émetteur-base en direct, celle-ci est passante alors que la jonction base-collecteur est
bloquée. Cependant la base est assez fine pour permettre aux nombreux porteurs majoritaires injectés
depuis l'émetteur (fortement dopé) de la traverser avant d'avoir le temps de se recombiner. Ils se retrouvent
ainsi dans le collecteur, produisant un courant contrôlé par ce courant de base.

Jonction P-N en Jonction P-N en

polarisation directe. polarisation
inverse.

Recherche
4
En septembre 2009, l'Union européenne a lancé son programme IMPROVE (pour Implementing
Manufacturing Science Solutions to Increase Equipment Productivity and Fab Performance). Premier
projet de recherche européen visant une meilleure efficacité dans l'industrie des semi-conducteurs, il était
doté de 37,7 millions d'euros. Ce partenariat public-privé associait des producteurs européens de semi-
conducteurs à de grands instituts de recherche, universités et producteurs de logiciels (trente-cinq
partenaires en tout en 2009).

Le programme était en place pour durer pendant 36 mois (finalement ouvert pendant 3,5 ans), avec trois
4
thèmes principaux :

1. Mesure virtuelle (Virtual Metrology) ;

2. Maintenance anticipée (Predictive Maintenance) ;
3. Planification du contrôle adaptatif (Adaptive Control Planning).

Industrie
e
Le marché des semi-conducteurs s'accroît au début du XXI siècle de façon quasi-continue. Au premier
5
trimestre 2021, il est de 101 milliards d'Euro .

En 2020, les entreprises américaines représentent 48 % des ventes mondiales de puces, mais les 70 usines
situées aux États-Unis ne représentent que 12 % de la fabrication mondiale de semi-conducteurs, contre
37 % en 1990. Le marché américain étant à cette date de 208 milliards de dollars pour 250 000 emplois
directs.

En 2021, 75 % de la fabrication mondiale de puces est concentrée en Asie de l'Est. La Chine qui en 1990
part de quasiment rien a 12 % de la production en 2019 et devrait avoir la plus grande part de la production
de puces au monde d'ici 2030 avec 24 % en raison de subventions gouvernementales estimées à 100
6
milliards de dollars .

Monde
 7
Production par zone en 2019
Pays Pourcentage
Chine 12,0
Corée du Sud 26,6
Singapour 6,5
Japon 16,3
Taiwan 22,9
Europe (hors Russie) 2,8
États-Unis 12,0
Israël 0,8

Les vingt plus importants fabricants mondiaux de semi-conducteurs et parts de marché (fonderies exclues)

Rang Chiffre
Différence
Nationalité d'affaires Part de marché
Société 2011/2012
(ou localisation) (millions de (%)
2012 2011 (%)
$)
1 1 Intel États-Unis 47 543 –2,4 15,7
2 2 Samsung Electronics* Corée du Sud 30 474 +6,7 10,1

3 6 Qualcomm États-Unis 12 976 +27,2 4,3

4 3 Texas Instruments États-Unis 12 008 –14 4
5 4 Toshiba Japon 10 996 –13,6 3,6

6 5 Renesas Electronics Japon 9 430 –11,4 3,1

7 8 SK Hynix Corée du Sud 8 462 –8,9 2,8

France /
8 7 STMicroelectronics 8 453 –13,2 2,8
Italie
9 10 Broadcom États-Unis 7 840 +9,5 2,6
10 9 Micron Technology États-Unis 6 955 +5,6 2,3
11 13 Sony Japon 6 025 +20,1 2

12 11 AMD États-Unis 5 300 –17,7 1,7

13 12 Infineon Technologies Allemagne 4 826 –9,1 1,6

14 16 NXP Semiconductors Pays-Bas 4 096 +6,9 1,4

15 17 NVIDIA États-Unis 3 923 +8,7 1,3

Freescale
16 14 États-Unis 3 775 –14,4 1,2
Semiconductor
17 22 MediaTek Taïwan 3 472 +4,9 1,1

18 15 Elpida Memory Japon 3 414 –12,2 1,1

19 21 Rohm Semiconductor Japon 3 170 –3 1

Marvell Technology
20 19 États-Unis 3 113 –8,3 1
Group
* Samsung Electronics a acheté les 50 % détenus par Samsung Electro-Mechanics dans Samsung
LED [réf. nécessaire].

France

Les principales entreprises de production de composants en semi-conducteurs présentes en France sont

[Quand ?] :

Altis Semiconductor (Corbeil-Essonnes) ; X-FAB depuis 2016

Atmel (Saint-Quentin-en-Yvelines, Saint-Égrève) ;
Intel (Toulouse - centre de Recherche et développement, Paris) ;
Ipdia (Caen) ;
8
MHS Electronics (Nantes, ex-Atmel) ;
NXP Semiconductors (Rennes, Sophia-Antipolis, Le Mans, Caen) ;
ON Semiconductor (Toulouse) ;
STMicroelectronics (Grenoble, Crolles, Tours, Rousset, Rennes, Paris) ;
Soitec (Bernin) Elle n'est pas à proprement parler une entreprise de composants, elle
produit le substrat en SOI qui permet la fabrication de certains de ces composants.
United Monolithic Semiconductor (Villebon-sur-Yvette)

Notes et références
1. Comme souvent en histoire des sciences, la paternité de cette découverte est parfois remise
en cause, pour être attribuée à Julius Edgar Lilienfeld, qui, en 1930, avait déjà déposé un
brevet concernant le principe du transistor à effet de champ. Cependant, Bardeen, Shockley
et Brattain restent universellement reconnus comme les pères de cette invention.
2. (en) « The Nobel Prize in Physics 1956 » (https://www.nobelprize.org/nobel_prizes/physics/l
aureates/1956/), Fondation Nobel : « for their researches on semiconductors and their
discovery of the transistor effect ».
3. Francois Francis Bus, L'époque ou les puces font leurs lois : histoire des semi-conducteurs
vécue de chez Texas Instruments, Books on demand, 2020 (ISBN 2-322-25685-4 et
978-2-322-25685-3, OCLC 1225066813 (https://worldcat.org/oclc/1225066813&lang=fr))
4. (en) Programme Européen IMPROVE (Implementing Manufacturing Science Solutions to
Increase Equipment Productivity and Fab Performance) (http://www.eniac-improve.eu), site
officiel.
5. https://www.semiconductors.org/q1-global-semiconductor-sales-increase-3-6-over-previous-
quarter/
6. https://www.semiconductors.org/turning-the-tide-for-semiconductor-manufacturing-in-the-u-s/
7. https://www.semiconductors.org/policies/domestic-manufacturing/
8. (en) « MHS Electronics » (http://www.mhs-electronics.com)(Archive (https://web.archive.org/web/*/http://
www.mhs-electronics.com) • Wikiwix (http://archive.wikiwix.com/cache/?url=http://www.mhs-electronics.com) • Archive.is
(https://archive.is/http://www.mhs-electronics.com) • Google (https://www.google.fr/search?q=cache:http://www.mhs-electr
onics.com) • Que faire ?) (consulté le 9 novembre 2014).

Voir aussi
Sur les autres projets Wikimedia :
 p j
Articles connexes

Design for Manufacturing Semi-conducteur (https://commons.wikim

International Technology Roadmap for
Semiconductors
International Roadmap for Devices and
Systems
edia.org/wiki/Category:Semiconductors?u
selang=fr), sur Wikimedia Commons
semi-conducteur, sur le Wiktionnaire

Domaines englobants

Variable range hopping

Chimie du solide
Composition informatique
Conduction électrique dans les oxydes cristallins
Électronique
Ingénierie électronique
Physique du solide

Circuits semi-conducteurs

Transistors
Circuits intégrés
Diodes
Microprocesseurs
Microcontrôleurs
Thermistances
Cellule photovoltaïque

Matériaux semi-conducteurs

Liste de matériaux semi-conducteurs

Semi-conducteur à large bande
Semi-conducteur organique
Nitrure de bore
Diamant
Arséniure de gallium
Arséniure de gallium-aluminium
Phospho-arséniure de gallium
Nitrure de gallium
Carbure de silicium
Germanium
Phosphure d'indium
Silicium
Silicium-germanium
Nanocristal

et peut-être les nanotubes de carbone

Divers
 Fabrication des dispositifs à semi-conducteurs
Spintronique
Dopage (semi-conducteur)
Liste de matériaux semi-conducteurs

Concepts

Théorie des bandes (bande de valence, bande de conduction, bande interdite)

Masse effective
Effet tunnel
Exciton
Trou d'électron

Liens externes
« Étude du transistor » (http://almohandiss.com/index.php/espace-etudiant/electronique-de
-base/856-etude-du-transistor)(Archive (https://web.archive.org/web/*/http://almohandiss.com/index.ph
p/espace-etudiant/electronique-de-base/856-etude-du-transistor) • Wikiwix (http://archive.wikiwix.com/cache/?
url=http://almohandiss.com/index.php/espace-etudiant/electronique-de-base/856-etude-du-transistor) •
Archive.is (https://archive.is/http://almohandiss.com/index.php/espace-etudiant/electronique-de-base/856-etud
e-du-transistor) • Google (https://www.google.fr/search?q=cache:http://almohandiss.com/index.php/espace-etu
diant/electronique-de-base/856-etude-du-transistor) • Que faire ?), sur Al Mohandiss (consulté le
9 novembre 2014).
Électronique de base (http://almohandiss.com/index.php/espace-etudiant/electronique-de-
base/859-electronique-de-base).
(en) Interactive Product Simulations on Your PC!: Semiconductor Equipment and
Processes (http://e-try.com), sur e-try.com.
(en) Semiconductors on NSM (http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/index.html), Institut
physico-technique Ioffe (archives).
(en) Bart Van Zeghbroeck, Principles of Semiconductor Devices (http://ecee.colorado.edu/
~bart/book/book/), Electrical, Computer & Energy Engineering de l'université du Colorado
à Boulder, 2011.
(en) Semiconductor Technology (https://www.semiconductor-technology.com).

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