Cycle Ingénieur : Energies Renouvelables & Mobilité

Electrique

Module : Semiconducteurs pour Energies

Renouvelables

Prof. Lahcen Essaleh

Année Universitaire : 2020 / 2021

1
Partie 1- Matériaux : Généralités, Structure cristalline
et Caractérisation électrique
1 - Généralités (Diélectriques, Métaux & Semiconducteurs)
2 - Structure cristalline et diffraction de rayonnement
3 - Techniques expérimentales de caractérisation électrique
Partie 2- Semiconducteurs et Energies renouvelables
1 - Calcul des grandeurs physiques liées aux semiconducteurs

2 – Généralités sur les énergies renouvelables

3 – L’énergie solaire photovoltaïque
4 – Caractéristiques électriques
2
Partie 1- Matériaux : Généralités, Structure cristalline
et Caractérisation électrique
Chapitre 1 - Généralités (Diélectriques, Métaux & Semiconducteurs)
Chapitre 2 - Structure cristalline et diffraction de rayonnement
Chapitre 3 - Techniques expérimentales de caractérisation électrique

3
1- Diélectriques :

Résines diélectriques

4
5
Ordre de grandeur : Pour C = 10 mF et VA-VB = 4,5 V, on a : E = 0,100 Joules
Pour C = 100 mF et VA-VB = 400 V, on a : E = 8000 Joules
6
Les super condensateurs (Stockage de l’énergie) :

Se rechargeant presque instantanément et

offrant une densité de puissance énorme.

Les super condensateurs innovants sont prêts à

marquer tous les secteurs, de l’automobile aux
outils électriques, en passant par l’aviation.

7
 Production de champ magnétique intense :

Fig.1: Schematic diagram of experimental pulsed

magnetic field system including: principal coil (Bp),
capacitor bank (C), Shunt (S), pickup-coil and DC
power source. The picoscope serves for the acquisition
8
of data.
2- Métaux :

9
10
Le fer est le métal le plus utilisé car il est
bon marché.

En 2006, 1245 millions de tonnes de fer

sont produits.

Le principal défaut du fer est qu’il rouille

facilement si il n’est pas protégé.

11
La métallurgie est la science des matériaux qui étudie les
métaux, leurs élaborations, leurs propriétés, leurs traitements.

12
bobines en fil métallique pour champ magnétique intense :

13
Conduction électrique dans les métaux :
Théorie classique : Modèle de Drude
Modèle de Drude: Gaz d’électrons libres
Atomes du cristal contribuant par leur électrons de valence : 1 e- / atome.

Le nombre d’atomes par cm3 est :

   
Eext  0 Mouvement aléatoire des électrons v 0
   
Eext  0 Mouvement aléatoire des électrons v 0
 
Eext  0

v = vitesse moyenne de l’ensemble des électrons
( vitesse de dérive )
v
14
   
 dv
La R.F.D. pour l’électron dans le champ électrique externe : F  m   eE
dt
On définit par  le temps de relaxation : l’intervalle de temps entre deux collisions
successives de l’électron avec les impuretés, défauts du réseau, phonons, …

Pendant la durée , l’électron voit sa vitesse augmenter de :

à la température T :

 et  sont inversement proportionnels 15

Expérience et interprétation :
Les Métaux : Le sodium

 diminue si T° augmente.

16
 3- Semiconducteurs :
a) Diagramme énergétique
SC intrinsèque
Création d’une paire électron-trou dans un
atome excité de silicium
Dopage de type N Dopage de type P
Les semi-conducteurs intrinsèques ne conduisent pas très bien le courant
du fait de leur nombre limité d’électrons libres dans la bande de
conduction. Ainsi la conduction d’un semi-conducteur est bien inférieure à
celle d’un conducteur.
Les conductibilités du silicium et du germanium peuvent être augmentée
par l’addition d’impuretés dans le semi-conducteur intrinsèque. Ce
procédé, appelé dopage. 17
Conduction électrique dans les Semiconducteurs

18
 Le Semiconducteur pur (intrinsèque) :

Eext
Semiconducteur intrinsèque

Jn
ve Électrons dans la bande de conduction

Densité : n, mobilité : µe ,
Densité de courant : J , Conductivité : n
n

Eg
Densité de charges : n + p   
Jp Densité de courant : J  Jn  J p
Conductivité électrique :  = n + p

vh
Trous dans la bande de valence

Densité : p, mobilité : µh ,
Densité de courant : J , Conductivité : p
p
T>0K

19
Impuretés et Défauts dans un semiconduteur :

(Energie
Niveau Ed = E C - ED d’ionisation du
donneur)
donneur
Eg = E C - E V ED
Energie
du gap
Niveau EA
(Energie
accepteur E a = E A - EV d’ionisation de
l’accepteur)

20
       
Electrons : q   e , F  qEext , ve   µe Eext , J n  nqve   n Eext ,  n  nqµe

      
Trous : q   e , F  qEext , vh   µh Eext , J p  pqvh   p Eext ,  p   pqµh

  
J  Jn  J p ,    n  p    e nµe  pµh 
Conductivité électrique
du système

21
Courbes expérimentales
Pour la conductivité
électriques :

22
La jonction PN :
La jonction PN est à la base de la plupart des applications des
semi-conducteurs. Elle est créée par la mise en contact d'un semi-
conducteur de type P et d'un semi-conducteur de type N. Dans
la zone de contact, les électrons libres du segment N pénètrent
dans le segment P et se recombinent avec les trous. De même, les
trous du segments P pénètrent dans le segment N et se
recombinent avec les électrons. Ce phénomène est appelé
diffusion.

• Formation de la barrière de potentiel :

Chaque électron qui traverse la jonction et se combine avec un

trou, laisse un ion chargé positivement dans la région N. aussi
quand l’électron se combine avec un trou de la région P, il donne
naissance à un ion négatif dans la région P.

L’existence d’ions positifs et négatifs sur les cotés opposés de la

jonction crée un champ électrique E, et par là même une barrière
de potentiel V0.. (V0 = 0.7V pour le silicium et 0.3V pour le
germanium à 25°C)

Le champ électrique tend à maintenir les porteurs majoritaires

dans leurs zones respectives.
23
24
• Application :
• Redressement dans une chaîne de conversion AC-DC

abaisser le niveau de Obtenir une Filtrer les Obtenir la tension la

tension du secteur composante continue harmoniques plus constante

25
26
Amplificateur Opérationnel :

27
Cartes électroniques :

28
Panneaux solaires photovoltaiques :

29
30
Partie 1- Matériaux : Généralités, Structure cristalline
et Caractérisation électrique
Chapitre 1 - Généralités (Diélectriques, Métaux & Semiconducteurs)
Chapitre 2 - Structure cristalline et diffraction de rayonnement
Chapitre 3 - Techniques expérimentales de caractérisation électrique

31
GaAs TiO2
Cu (In,Ga) Se2

Cristal : répartition ordonnée de la matière

32
Monocristal à l’état massif :

33
Thin Film Deposition
by Sputtering (UCA-Marrakech):

34
Notion de réseau et motif :

Un cristal idéal est une répétition d’unités identiques dans l’espace appelée
base ou motif. Cette base peut être un atome ou un groupement d’atomes.

Le concept :

Structure cristalline = réseau + base

= +

35
 System Réseaux cristallins : 3-d
A 3 dimensions, Il existe
14 réseaux de Bravais


c 
b
α


 
a

P : primitif ( simple)

I : centré ( trigonal)
F : Faces centrées

C : bases centrées
36
Réseaux cristallins : 2-d
Carré

Rectangulaire
A 2 dimensions, Il existe 5
réseaux de Bravais

37
 Maille Conventionnelle / Maille élémentaire ( Primitive) :
M.E. : plus petite maille à partir de laquelle on peut construire
tout le réseau. Elle contient 1 motif ( 1 nœud ).

On peut passer d’un point du réseau à un autre point

du réseau par une translation à partir des vecteurs
qui forment la maille élementaire du réseau.
   
a, b , c 
z 
    r2
r2  r1 RT  ma  nb  pc
T
(m, n, p)  Z

r1
x

VMC
Si la M.C. contient N noeuds alors le volume de la M.E. est : VME 
N
38
39
40
41
42
43
Réseau : C F C

Motif : Deux atomes en :

(0,0,0) et (1/4, ¼, ¼)

44
Réseau réciproque d’un réseau cristallin donné :
Simplification des calculs et théorie de diffraction des rayonnements par des cristaux

A partir de la M.E.  
   d’un réseau cristallin donné :
a, b , c
     
 2 b  c  2 c  a  2 a  b
a*     b*     c*    

a  b c  
a  b c  a  b c  
     
Qui vérifient :  a* a  b* b  c* c  2
       
a * b  b * c  b * c  b * a  c * a  c * b  0


  

a*, b *, c * est une maille élémentaire du R.R.
  
Ghkl  ha * k b * l c * représente donc les noeuds du R.R.

  (h, k, l)  Z
Ghkl  a  2h
 
Ghkl  b  2k Réseau réciproque  Réseau
 
Ghkl  c  2l direct
45
 La 1ere ZB est la surface ( volume)
Construction de zone de Brillouin : delimitée par la M.E. de Wigner-Seitz
dans le R.R..
Nœud du R.R.
   2
 G   G G 
 k  h k   
Gh 'k 'l ' 2 2 2

   2
Ghkl 2k Ghkl  Ghkl  0

1ere Z.B.

Tout vecteur k mené de l’origine du R.R. au plan médiateur définissant la

Z.B. vérifie la relation :   2
2kG  G  0
46
Zones de Brillouin d’un réseau carré (2-d)

Les Z.B. sont définies dans le réseau réciproque

Nœud du R.R.

1ere ZB 2eme ZB

b* = 2 /a


a* = 2 /a   
a  a e , b  a e (R.D.)
x y

 2   2  (R.R.)
a *  e x , b *  e y
a a
47
48
Zones de Brillouin d’un réseau cubique cfc (3-d)

  a  
 a  ( e x
 e y ),
2
 a
(R.D.)   a  
b  ( e y  e z ),
 2
 a  
 c  (ez  ex )
 2

  2   
 a *  (ex  e y  e z ),
 a
(R.R.)   2  4 /a
b*  (  ex  e y  e z ),
 a
  2   
 c *  (ex  ey  ez )
 a

Le R.R. est cubique centré

49
Diffraction cristalline :

KBr (200)

(220)

(420) (222) (111)

(400)
(311)
(311)
50
 
  k'
k k'
Onde incidente
Onde diffusée 
cristal k

 
k  k'

 
Quelle est la relation entre les vecteurs d’onde k et k ' ?

51
  
k k'
Onde incidente
Détecteur Onde diffusée
cristal

k'
     
2 k 'k  Ghkl  ha * kb * lc *
 KBr (200)
k
(220)

     
k 'k  Ghkl  ha * kb * lc * R.R.
(420) (222) (111)
(400)
(311)
Condition de diffraction dans la direction de k ’ (311)

52
     
k 'k  Ghkl  ha * kb * lc *  R.R.
53
= Ghkl

     
k 'k  Ghkl  ha * kb * lc *  R.R.

54
 Détecteur  
k k'

k'
     
Onde diffusée
2 k 'k  Ghkl  ha * kb * lc * cristal


k
dh2k2l2

K (200)

dh1k1l1 Br (220)

(420) (400)(222) (111)

(311)
(311)

dhkl

55
K (200)
Br (220) Atome j

(420) (400)(222) (111)

(311)
(311)
Rj . Ghkl  z 
N k k'
y Onde diffusée
=1 x cristal

56
 2

=1 z

f .

y
f . = f ( 1 + ( -1) h +k + l )
2 atomes IDENTIQUES (f1 = f2)
par MC :
1 atome en (0,0,0) x
1atome en (1/2, ½,/1/2)

57
 z

f .
x
4 atomes IDENTIQUES (f1 = f2= f3 = f4)
par MC :

1 atome en (0,0,0)
1atome en (1/2, 1/2, 0)
1atome en (0, 1/2, 1/2)
1atome en (1/2, 0, 1/2)

58
KBr (200)

(220)

(420) (222) (111)

(400)
(311)
(311)

Réseau cubique à faces centrées

Si  = 1.54 Å alors a = 6.57 Å.

59
Partie 1- Matériaux : Généralités, Structure cristalline
et Caractérisation électrique
Chapitre 1 - Généralités (Diélectriques, Métaux & Semiconducteurs)
Chapitre 2 - Structure cristalline et diffraction de rayonnement
Chapitre 3 - Techniques expérimentales de caractérisation électrique

60
1. Introduction
Conductivité électrique  :
Possibilité de conduire un courant électrique sous l’effet d’un champ
électrique externe.


E

Dans un matériau donné,  varie avec T° : (T)  Peut augmenter ou diminuer

lorsqu’on augmente la T°

61
 Matériaux conducteurs,
 varie d’un matériau à l’autre : Classement Matériaux conducteurs,
des matériaux Matériaux non conducteurs

62
 Equations fondamentales pour la conduction électrique :

V 2
( A/ m )
L S


E   grad V
S
Concentration
 Mobilité Conductivité
E des électrons de
électrique conduction électrique
- + I

      
Electrons : q   e , F  qEext , ve   µe Eext , J n  nqve   n Eext ,  n  nqµe

63
Vitesse de l’électron
Résistivité électrique est définie par :

AS
S R ( m )
S L

Dans un matériau donné de dimensions

connues ( A et L ), la mesure de la résistivité
électrique s’obtient à partir de celle de la
résistance R = V / I .

64
Mesure de concentration en électrons (Effet Hall)
B


EH +
+ +
+
VH
I
I --
- - -
d
Échantillon avec
Contacts ohmiques

    Tension de Hall
Force de Lorentz : f e   e ve  B Champ de Hall : EH À mesurer : VH
VH

Déduction de n

0 I ou B
RH = Coefficient de Hall 0
65
Mesure de la mobilité électrique
      
Electrons : q   e , F  qEext , ve   µe Eext , J n  nqve   n Eext ,  n  nqµe

 RH
µ 
ne 

Dans un matériau, la mesure de la

mobilité électrique s’obtient à partir de
celles du coefficient de Hall et de la
résistivité.

66
Allure des courbes n(T), (T) et µ(T) selon le matériau :

Cas d’un Métal

RH

0 µ
T
0


0 T
0

0 T
0

Dans un métal n est pratiquement constant alors que  croît avec T°

67
Cas d’un semiconducteur

RH

0 µ
T
0


0 T
0

0 T
0

Dans un SC n croît avec T° alors que  décroît avec T°

68
Présence d’un champ magnétique (Magnétorésistance + Effet Hall) :
Mesure du champ magnétique pulsé :

Fig.1: Schematic diagram of experimental pulsed

magnetic field system including: principal coil (Bp),
capacitor bank (C), Shunt (S), pickup-coil and DC
power source. The picoscope serves for the acquisition
69
of data.
Fig.4: Shunt voltage, electrical current
and magnetic field measured in the
coil 1 (L = 1mH, r = 0.7 Ω). A
maximum magnetic field of 5.5 T is
obtained when the capacitor bank is
charged at Uo = 450 V.

70
Mesure de la magnétorésistance et l’effet Hall :

Fig.12(a): The experimental scheme used for processing the

magnetoresistance (Vxx) and the Hall (Vxy) signals. 71
Fig.12(b): Detailed LTSPICE diagram for the
72
magnetoresistance signal.
Fig.12(c): Detailed LTSPICE diagram for
the magnetoresistance signal.
61
73
Fig.13b: VH versus B
for different electrical
current (I) passing
through the sample.

74
Fig.14: Magnetic field (B) and
the Magneto-resistance voltage
(Vxx or Vout) of the Siemens Hall
sensor “KSY10” ion implanting
of mono-crystalline GaAs
material against time. The inset:
Relative magneto-resistance
versus B.

75