Chap 1 Composant de Puissance - 2021

Module : 12
Université Chouaib Doukkali

Faculté des Sciences El Jadida
Semestre : S3
Master: IRER
Année universitaire: 2021/2022
Master: Instrumentation ,Réseaux et Energies Renouvelables (IRER) 2021

Module : 12 Electrotechnique
Introduction
Introduction
1 ere
année
Master: Cycle d’ingénieur
Instrumentation GPEEet –Energies
,Réseaux S2 - Renouvelables (IRER) Pr: E.BAGHAZ
2021
Introduction L’électronique de puissance qu’est ce que c’est ?
L'Électronique de Puissance est la branche de l'Électrotechnique

qui traite de la modification de la présentation de l'énergie électrique
pour l’adapter, avec un rendement maximum dans les meilleures
conditions, aux multiples utilisations.
Source d’énergie alternative, délivrée par un réseau de distribution

industriel ou un alternateur.
électrique continue, délivrée par des batteries
d'accumulateurs ou des générateur à courant
continu.
Électronique de puissance
ou
convertisseurs
Charge utilisatrice
La forme de l’énergie utilisée ( alternative ou continue)
dépend de la nature de charge.
1 année
Master:
ere
Cycle d’ingénieur
,Réseaux S2 - Renouvelables (IRER) Pr: Mohamed LAMHAMDI
Introduction la modification de la présentation de l'énergie électrique
 On transforme l'alternatif en continu : montages redresseurs,
 On transforme le continu en alternatif : montages onduleurs,
 On modifie la valeur efficace d'une tension alternative :

montages gradateurs,
 On modifie la valeur moyenne d'une tension continue : montages

hacheurs,
 0n modifie la fréquence d'une tension alternative : montage

cyclo convertisseurs.
1 année
Master:
ere
,Réseaux S2 - Renouvelables (IRER) Pr: Mohamed
2021 LAMHAMDI
Chapitre I Electronique analogique et Electronique de puissance
Chapitre II :: Composants
Chapitre Composants de
de
l’électronique de
l’électronique de puissance
puissance
1 année
Master:
ere
2021 LAMHAMDI
Composants de l’E.P Contenu du cours
 La diode
 Le thyristor
 Transistor bipolaire de puissance
 MOS et MOSFET de puissance
 Transistor IGBT
 Le triac
1 ere
année
2021 LAMHAMDI
Composants de l’E.P La diode:
Définition
 Composant semi conducteur élémentaire constitué par une seule jonction PN,
 Un dipôle électrique unidirectionnel dont les bornes son l’anode (A) et la cathode (K),
 L’anode est la zone P d’une jonction P-N, la zone de type N est la cathode.
Champ électrique
Anode A Anode
iD  ++ iD
 ++ P+
++
Zone dopé P Zone dopé N N- vD
vD Excès de trous Excès
d’électrons N+
C ath o d e K C ath o d e
Zone d’équilibre
 Composant non commandable (ni à la fermeture ni à l’ouverture),

 N’est pas réversible en tension ne supporte qu’une tension anode-cathode
négative (VAK < 0),
 N’est pas réversible en courant et ne supporte qu’un courant dans le sens
anode-cathode positif à l’état passant (I AK > 0).
1 ere
année
2021 LAMHAMDI
Composant parfait
 la caractéristique globale courant/tension à deux segments
 Le fonctionnement d’une tel composant s’opère suivant deux modes :
• Diode passante, tension anode cathode = 0 pour I AK > 0
• Diode bloquée, courant anode cathode = 0 pour VAK < 0
dans l'état bloqué

dans l'état passant
R=∞ Résistance de la diode

nulle
interrupteur ouvert
interrupteur fermé
1 ere
année
2021 LAMHAMDI
Composant réel
 En polarisation inverse, le courant inverse est très faible mais il croit

rapidement avec la température de la jonction.
 En polarisation directe, au delà de la tension de seuil (Vs=0,6V pour le silicium ),

la diode est conductrice.
 De même une résistance dynamique ( trait vert) rD=dv/dI
1 ere
année
2021 LAMHAMDI
Composant réel
Le fonctionnement réel est toujours caractérisé par ses deux états :

à l’état passant : IAK , le courant direct est limité au courant direct maximal .
à l’état bloqué : VAK , la tension inverse est limitée (phénomène de claquage par
avalanche) à la tension inverse maximale.
 Zone de claquage: la tension de claquage inverse correspond à la tension maximale
qui peut supporter une diode à polarisation inverse, si cette tension dépasse la
valeur limitée la diode s’échauffera, Donc il y a le risque de la destruction de la
diode.
Cycle Ingénieur
Master: Tronc commun
Instrumentation – S2- et Energies Renouvelables (IRER)
,Réseaux Pr: Mohamed
2021 LAMHAMDI
Critères de choix
Caractéristiques constructeurs.
Caractéristiques constructeurs.
Elles sont données par le constructeur sous forme d’abréviations en lettres :
Elles sont données par le constructeur sous forme d’abréviations en lettres :
1) Les courants:
1) Les courants:
IF : courant direct continu
I : courant direct continu
I0 F : courant moyen à l’état passant
I0 : courant moyen à l’état passant
IFRM : courant de pointe répétitif
I : courant de pointe répétitif
IR FRM : courant inverse continu
I : courant inverse continu
IRMR : courant inverse de crête
IRM : courant inverse de crête
2) Les tensions:
2) Les tensions:
VF : tension directe continue
VF : tension directe continue
VFM : tension directe de crête
V : tension directe de crête
VR FM : tension inverse continue
V : tension inverse continue
VRMR : tension inverse de crête
VRM : tension inverse de crête
VRRM : tension inverse de pointe répétitive
VRRM : tension inverse de pointe répétitive
CHOIX D’UNE DIODE:

CHOIX D’UNE DIODE:
Il dépend principalement : Si ces valeurs sont
Il dépend principalement :
- de la configuration du montage incluant la diode dépassées, cela entraîne
- decourant
- du la configuration
moyen dansdu montage
la diode Iincluant la diode la destruction par
- du courant moyen dans la diodeF I F échauffement ( claquage )
- du courant de pointe répétitif I FRM
- du courant de pointe répétitif I de la jonction.
- de la tension inverse répétitive VFRM
- de la tension inverse répétitive RRM
V RRM
1 ere
année
2021 LAMHAMDI
Composants de l’E.P Le thyristor :
Les thyristor : Définition
Le thyristor est un composant électronique semi-conducteur à trois bornes composé de
quatre couches de silicium dopées alternativement par des accepteurs (P) et des
donneurs (N). Il tire son nom du grec thura qui signifie porte et du suffixe « istor » qui
provient du mot transistor
Cathode (K)
A
Gate (G) P+
N+ T2
P
N-
N-
P
G T1
P+
N+
K
Anode (A)
le thyristor laisse passer le courant électrique dans un seul sens, de l’anode à la cathode.
• Composant commandé à la fermeture, mais pas à l’ouverture.
• Réversible en tension supporte des tensions VAK aussi bien positives que négatives .
• Il n’est pas réversible en courant et ne permet que des courants IAK positifs,
c'est-à-dire dans le sens anode cathode, à l’état passant
1 ere
année
2021 LAMHAMDI
Fonctionnement du composant parfait
Le composant est bloqué: si le courant IAK est nul tandis que la tension VAK est
quelconque.
L’amorçage (A): est obtenu par un courant de gâchette IG positif d’amplitude
suffisante alors que la tension VAK est positive.
L’état passant: est caractérisé par une tension VAK nulle et un courant IAK positif.
Le blocage (B): apparaît dès annulation du courant iAK (commutation naturelle) ou
inversion de la tension vAK (commutation forcée).
1 ere
année
2021 LAMHAMDI
Le thyristor: Blocage par commutation
Naturelle: Ce blocage intervient par extinction naturelle du courant anode-cathode.
1 ere
année
2021 LAMHAMDI
Le thyristor: Composant réel
Le fonctionnement réel est, comme pour une diode, caractérisé par ses deux états:
• à l’état passant, vAK ≈ 0, le courant direct est limité par le courant direct
maximal. (il se comporte comme une diode)
• à l’état bloqué, iAK ≈ 0, la tension inverse est limitée (phénomène de claquage

par avalanche) par la tension inverse maximale.
• Pour assurer l’amorçage du composant, l’impulsion de gâchette doit se

maintenir tant que le courant d’anode n’a pas atteint le courant de
maintien Ih (h = hold = maintien).
I k ,max
Ih 
1000
1 ere
année
2021 LAMHAMDI
Choix d’un thyristor

Après avoir établi les chronogrammes de fonctionnement du thyristor ( vAK et
iAK) dans le système envisagé, on calcule les valeurs extrêmes prises par :
• la tension inverse VRRM ou directe maximale VDRM de vAK (à l’état bloqué) ;

• le courant moyen I0(= <iAK> à l’état passant) ;
• le courant efficace iAKeff (à l’état passant).
1 ere
année
2021 LAMHAMDI
Composants de l’E.P Thyristor GTO
• Un composant commandé à la fermeture et à l’ouverture.

• Il est réversible en tension et supporte des tensions vAK aussi bien
positives que négatives lorsqu’il est bloqué.
• Il n’est pas réversible en courant et ne permet que des courants iAK
positifs, c'est-à-dire dans le sens anode cathode, à l’état passant.
Le symbole comprend deux gâchettes, une pour la

fermeture de l’interrupteur et une pour l’ouverture.
Dans la réalité, la même gâchette sert à injecter le courant gâchette

cathode pour commander la fermeture de l’interrupteur et à extraire
un courant gâchette cathode pour ouvrir l’interrupteur.
1 ere
année
2021 LAMHAMDI
Composants de l’E.P Les triac
C‘est un composant de la même famille que le thyristor.
Le TRIAC est un dispositif semi-conducteur à trois

électrodes (anode 1, anode 2, gâchette)
pouvant passer de l'état bloqué à l'état de
conduction dans ses deux sens de polarisation.
BIDIRECTIONNEL (le thyristor étant
unidirectionnel).
1 ere
année
2021 LAMHAMDI
Composants de l’E.P Transistor bipolaire de puissance
Présentation
Parmi les deux types : NPN et PNP, le transistor de puissance existe

essentiellement dans la première catégorie.
Transistor spécialement adaptés au fonctionnement par tout au rien .
 Composant totalement commandé à la fermeture et à l’ouverture.
 Il n’est pas réversible en courant, ne laissant passer que des courants de
collecteur Ic positifs.
 Il n’est pas réversible en tension, n’acceptant que des tensions VCE
positives lors qu’il est bloqué.
 la commande s’opère par le courant iB envoyer dans la jonction base
émetteur .
1 année
Master:
ere
2021 LAMHAMDI
Composant parfait (1/2)
Possède deux types de fonctionnement :
 Le mode en commutation (ou non linéaire) est employé en électronique

de puissance.
 on donne au courant iB une valeur suffisante pour que la chut de
tension VCe due au courant ic soit minimale.( partie jaune ).
Le fonctionnement linéaire est plutôt utilisé en amplification de
signaux.
ic
1 ere
année
2021 LAMHAMDI
Fonctionnement et états du transistor.

 Transistor bloqué (B) : état obtenu en annulant le courant IB de
commande, ce qui induit un courant de collecteur nul et une tension VCE non
fixée. L’équivalent est un interrupteur ouvert entre le collecteur et
l’émetteur.
 Transistor saturé (S) : ici, le courant IB est tel que le transistor impose
une tension vCE nulle tandis que le courant iC atteint une valeur limite dite de
saturation, iCsat. L’équivalent est un interrupteur fermé.
1 ere
année
2021 LAMHAMDI
Dans son mode de fonctionnement linéaire, le transistor se comporte

comme une source de courant IC commandée par le courant IB. Dans ce
cas, la tension VCE est imposée par le circuit extérieur.
l’évolution des grandeurs

entre le blocage, le
fonctionnement linéaire et
la saturation.
1 ere
année
2021 LAMHAMDI
Composant réel
Le composant réel subit quelques différences par rapport à l’élément parfait.
A l’état saturé
• Le transistor est limité en puissance : courbe limite dans le plan ( VCE, IC),
l’hyperbole de dissipation maximale ;
• Le courant maximal moyen de collecteur est donc lui aussi limité (I Cmax) ;
• La tension n’est pas tout à fait nulle (V CEsat  0).
A l’état bloqué
• La tension VCE ne peut dépasser une tension (VCE0) qui provoquerait de
claquage de la jonction ;
• Un courant résiduel dû aux porteurs minoritaires circule dans le collecteur
(ICB0).
1 année
Master:
ere
,Réseaux S2 - Renouvelables (IRER) 2021
Choix d’un transistor

Après avoir établi les chronogrammes de fonctionnement (v CE et iC), on
calcule les valeurs extrêmes prises par :
• la tension (à l’état bloqué) ;
• le courant maxi (à l’état saturé).
1 ere
année
2021 LAMHAMDI
Protection du composant
Protection contre les court circuits

Les fusibles ne sont pas suffisamment rapides pour protéger les transistors qui «
claquent » très rapidement lorsque le courant dépasse I0.
La protection est donc assurée par l’intermédiaire d’un circuit électronique qui
mesure iC ou iE et interrompt la commande en cas de danger.
Protection thermique La puissance dissipée, évacuée par un radiateur, a deux

origines :
• pertes en commutation, <vCE.xiC> car pendant les commutations courants et
tensions coexistent.
1 année
Master:
ere
Commutation du transistor
A la fermeture
Un retard de croissance de iC apparaît à la saturation. Le constructeur indique le
temps de retard (delay time) noté td et le temps de croissance (rise time) noté tr.
La tension est alors imposée par le circuit extérieur (charge, alimentation) et par
l’allure de iC
A l’ouverture
Le courant de collecteur iC ne s’annule pas instantanément. Le constructeur indique
le temps de stockage (storage time), noté ts, correspondant à l’évacuation des
charges stockées (ce temps dépend du coefficient de saturation iB/ICsat) et le
temps de descente (fall time) noté tf.
1 ere
année
2021 LAMHAMDI
Composants de l’E.P MOSFET de puissance
Présentation
Le transistor MOS possède 4 électrodes :
 La Source (Source) S: point de départ des porteurs,
 Le Drain (Drain) D: point de collecte des porteurs,
 La Grille (Gate) G.
 Le Substrat (Body) B sont les électrodes de la capacité MOS qui
contrôle le nombre de porteurs présents dans le canal
Ce sont des interrupteurs électroniques dont le blocage ou l'amorçage

sont commandés par une tension
1 ere
année
2021 LAMHAMDI
Présentation
Avantages
 Commandé à la fermeture et à l’ouverture, et Très facile à commander.

 Le composant le plus rapide à se fermer et à s'ouvrir.
 Classiquement utilisé jusqu'à 1 MHz.
 Il est rendu passant grâce à une tension V GS positive (7 à 10V).
Inconvénients
 L'inconvénient majeur est qu'à l'état passant ils se comportent comme des
résistances ( RDS on) qui est un peu élevée.
1 année
Master:
ere
Fonctionnement et modèles du composant parfait
 Transistor ouvert (O) : état obtenu en annulant la tension V GS de commande,

procurant une impédance drain source très élevée, ce qui annule le courant de drain
ID. La tension VDS est fixée par le circuit extérieur. L’équivalent est un commutateur
ouvert.
 Transistor saturé (F) : une tension VGS positive rend RDS très faible et permet
au courant iD de croître. L’équivalent est un commutateur fermé.
1 ere
année
2021 LAMHAMDI
Réversibilité en courant des transistors
Les transistors bipolaires et MOS sont des composants que l’on pourrait qualifier « un
quadrant » : équivalents à un interrupteur, la tension et le courant sont exclusivement
positifs.
Il faudrait étendre leurs caractéristiques en les associant à

d’autres éléments pour en faire des commutateurs réversibles
en courant.
Grâce à cette adaptation, l’assemblage peut faire circuler des courants inverses
au sens « privilégié » du transistor seul.
Cette solution est envisageable en plaçant une diode anti-parallèle
transistor bipolaire rendu transistor MOS rendu

réversible en courant réversible en courant
1 ere
année
2021 LAMHAMDI
Choix d’un transistor

Après avoir établi les chronogrammes de fonctionnement (v DS et iD), on
calcule les valeurs extrêmes prises par :
• la tension (à l’état bloqué) ;
• le courant maxi (à l’état saturé);
• la valeur maximale de la tension Vgs.
Master: Instrumentation ,Réseaux et Energies Renouvelables (IRER) Pr: E.BAGHAZ

2021
Composants de l’E.P Transistor IGBT
Transistor IGBT : l’idée de mariage du bipolaire et du MOS
Un interrupteur idéal doit avoir les caractéristiques suivantes:

 impédance nulle à l’état fermé et infinie à l’état ouvert,
 Puissance consommée et temps de commutation nuls.
On peut donc avancer qu’un interrupteur idéal n’existe pas aujourd’hui et

n’existera pas demain.
Les deux plus célèbres composants électroniques réalisant la fonction interrupteur

sont : le transistor bipolaire et le transistor MOS.
Le MOS
Le bipolaire
 Une faible tension de déchet à
 Fréquences de travail plus élevées
 Puissance de commande presque nulle,
l’état passant
 limité par sa tension de déchet qui est
 Pouvoir de commuter de forts importante pour des dispositifs mettant
courants
en jeu des hautes tensions (quelques
 Nécessite une puissance de centaines de Volts).
commande non négligeable
fréquence de travail est
relativement basse.
1 année
Master:
ere
Composants de l’E.P Transistor IGBT
l’idée de mariage du bipolaire et du MOS
 Depuis 1980, se développe l’idée d’intégrer sur une même puce un transistor MOS
et un transistor bipolaire afin de profiter des avantages de chacun des deux
dispositifs en évitant au mieux leurs inconvénients.
 Le transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) est l’association d’un

transistor bipolaire (collecteur et émetteur) et d’un transistor MOSFET. Il associe
les performances en courant entre collecteur et émetteur (la faible chute de tension
collecteur émetteur ≈ 0,1 V) et la commande en tension par sa grille qui nécessite un
courant permanent quasiment nul.
Ses caractéristiques sont reprises de celles du transistor bipolaire : v CEsat et iCsat.
1 ere
année
2021 LAMHAMDI
Composants de l’E.P Circuits d’aide à la commutation
Introduction
Le rôle des circuits d’aide à la commutation est d’adoucir les commutations
des interrupteurs à la fermeture et à l’ouverture (limiter le di et dv ),
dt dt
Exemple d’étude : commutation sur charge inductive
Commutation à la fermeture :
 T ouvert , D fermée : iT = ich = I ; VT = 0
Commutation à l’ouverture:
 T fermé , D ouverte : iT = 0; VT= Ve
Perte importantes de puissance

Problème !!!!
1 ere
année
2021 LAMHAMDI
Solution au problème de pertes de puissance lors de la commutation

 Commutation à la fermeture
Pour diminuer l’aire du produit iT.VT, il faut :
Ralentir la montée du courant jusqu'à ce que VT devienne
négligeable.
Solution : ajouter une inductance L en série

Juste avant la fermeture : T ouvert ; D fermée
VL  VT  Ve et i L  iT
diT di 1
L  Ve  VT  T  (Ve  VT )
dt dt L
Donc, le courant iT ne peut pas augmenter sans

que VT diminue et les pertes à la fermeture
sont bien réduites :
1 ere
année
2021 LAMHAMDI

 Commutation à l’ouverture
Pour diminuer l’aire du produit iT.VT, il faut :
Ralentir la montée de la tension jusqu'à ce que le courant soit
négligeable,
Solution : ajouter une capacité C en parallèle
Juste avant l’ouverture : T fermé ; D ouverte :

iC  i  iT et VC  VT
dVT dV 1
C  i  iT  T  (i  iT )
dt dt C
la tension VT ne peut augmenter sans que le courant iT
diminue et les pertes à l’ouverture sont bien
réduites.
Remarque : à la fermeture, le condensateur se décharge
dans l’interrupteur donc risque de sur intensité.
Pour cela, on ajoute une résistance en série avec le
condensateur à travers laquelle il se déchargera.
1 ere
année
2021 LAMHAMDI

 Commutation à l’ouverture et à la fermeture
Pour améliorer simultanément ouverture et fermeture, on combine les deux solutions
Précédentes, ce qui permet d’avoir le circuits d’aide à la commutation (Calc).
Circuit CALC
Amélioration de la puissance
dissipée dans le transistor
1 année
Master:
ere

Chap 1 Composant de Puissance - 2021

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Module : 12

Université Chouaib Doukkali

Master: Instrumentation ,Réseaux et Energies Renouvelables (IRER) 2021

L'Électronique de Puissance est la branche de l'Électrotechnique

Source d’énergie alternative, délivrée par un réseau de distribution

 On transforme l'alternatif en continu : montages redresseurs,

 On transforme le continu en alternatif : montages onduleurs,

 On modifie la valeur efficace d'une tension alternative :

 On modifie la valeur moyenne d'une tension continue : montages

 0n modifie la fréquence d'une tension alternative : montage

 Transistor bipolaire de puissance

 MOS et MOSFET de puissance

 Composant non commandable (ni à la fermeture ni à l’ouverture),

dans l'état bloqué

R=∞ Résistance de la diode

 En polarisation inverse, le courant inverse est très faible mais il croit

 En polarisation directe, au delà de la tension de seuil (Vs=0,6V pour le silicium ),

 De même une résistance dynamique ( trait vert) rD=dv/dI

Le fonctionnement réel est toujours caractérisé par ses deux états :

CHOIX D’UNE DIODE:

Naturelle: Ce blocage intervient par extinction naturelle du courant anode-cathode.

• à l’état bloqué, iAK ≈ 0, la tension inverse est limitée (phénomène de claquage

• Pour assurer l’amorçage du composant, l’impulsion de gâchette doit se

Choix d’un thyristor

• la tension inverse VRRM ou directe maximale VDRM de vAK (à l’état bloqué) ;

• Un composant commandé à la fermeture et à l’ouverture.

Le symbole comprend deux gâchettes, une pour la

Dans la réalité, la même gâchette sert à injecter le courant gâchette

C‘est un composant de la même famille que le thyristor.

Le TRIAC est un dispositif semi-conducteur à trois

Parmi les deux types : NPN et PNP, le transistor de puissance existe

Possède deux types de fonctionnement :

 Le mode en commutation (ou non linéaire) est employé en électronique

Fonctionnement et états du transistor.

Dans son mode de fonctionnement linéaire, le transistor se comporte

l’évolution des grandeurs

Le composant réel subit quelques différences par rapport à l’élément parfait.

Choix d’un transistor

Protection contre les court circuits

Protection thermique La puissance dissipée, évacuée par un radiateur, a deux

Ce sont des interrupteurs électroniques dont le blocage ou l'amorçage

 Commandé à la fermeture et à l’ouverture, et Très facile à commander.

Fonctionnement et modèles du composant parfait

 Transistor ouvert (O) : état obtenu en annulant la tension V GS de commande,

Il faudrait étendre leurs caractéristiques en les associant à

Cette solution est envisageable en plaçant une diode anti-parallèle

transistor bipolaire rendu transistor MOS rendu

Choix d’un transistor

Master: Instrumentation ,Réseaux et Energies Renouvelables (IRER) Pr: E.BAGHAZ

Un interrupteur idéal doit avoir les caractéristiques suivantes:

On peut donc avancer qu’un interrupteur idéal n’existe pas aujourd’hui et

Les deux plus célèbres composants électroniques réalisant la fonction interrupteur

l’idée de mariage du bipolaire et du MOS

 Le transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) est l’association d’un

Perte importantes de puissance

Solution au problème de pertes de puissance lors de la commutation

Solution : ajouter une inductance L en série

Donc, le courant iT ne peut pas augmenter sans

Solution au problème de pertes de puissance lors de la commutation

Solution : ajouter une capacité C en parallèle

Juste avant l’ouverture : T fermé ; D ouverte :

Solution au problème de pertes de puissance lors de la commutation

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