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HASSAN II CASABLANCA FACULTE DES SCIENCES ET TECHNIQUES MOHAMMEDIAUNIVERSITE DEUST - MIP MODULE : E 141 CIRCUITS ÉLECTRIQUES ET ÉLECTRONIQUES PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE

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Cours exposé

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FSTM : DEUST - MIP

E141 : Circuits Électriques et Électroniques

Pr . A. BAGHDAD

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PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE Contenu du programme Chapitre I : Généralités Chapitre
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE Contenu du programme Chapitre I : Généralités Chapitre
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE Contenu du programme Chapitre I : Généralités Chapitre

Contenu du programme

BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE Contenu du programme Chapitre I : Généralités Chapitre II : Régime

Chapitre I : Généralités

Chapitre II : Régime continu

Chapitre III : Régime alternatif sinusoïdal

Chapitre IV : Les quadripôles

Chapitre V : Les filtres passifs

IV : Les quadripôles Chapitre V : Les filtres passifs Partie A Circuits électriques Chapitre VI
IV : Les quadripôles Chapitre V : Les filtres passifs Partie A Circuits électriques Chapitre VI

Partie A

Circuits électriques

V : Les filtres passifs Partie A Circuits électriques Chapitre VI : Les diodes Chapitre VII

Chapitre VI : Les diodes

Chapitre VII : Le transistor bipolaire

Chapitre VIII : L’amplificateur opérationnel

bipolaire Chapitre VIII : L’amplificateur opérationnel Partie B Circuits électroniques FSTM : DEUST - MIP E141

Partie B Circuits électroniques

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PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE Chapitre VI FSTM : DEUST - MIP E141
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE Chapitre VI FSTM : DEUST - MIP E141
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE Chapitre VI FSTM : DEUST - MIP E141
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE Chapitre VI FSTM : DEUST - MIP E141
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE Chapitre VI FSTM : DEUST - MIP E141

Chapitre VI

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PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE Sommaire I. Généralités sur les diodes II.
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE Sommaire I. Généralités sur les diodes II.
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE Sommaire I. Généralités sur les diodes II.
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE Sommaire I. Généralités sur les diodes II.
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE Sommaire I. Généralités sur les diodes II.

Sommaire

I. Généralités sur les diodes

II. Fonctionnement d’une diode à jonction

III. Applications de la diode à jonction

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PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits
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PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits
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PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits
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PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 1 ° ) Définition de la diode à
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 1 ° ) Définition de la diode à
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 1 ° ) Définition de la diode à

1°) Définition de la diode à jonction

2°) L’anode et la cathode

3°) Fonctionnement

4°) Le seuil de la jonction

5°) Tension de claquage

6°) Les différents type de diode

7°) Utilisation des diodes

8°) Conclusion

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PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 1 ° ) Définition de la diode à
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 1 ° ) Définition de la diode à
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 1 ° ) Définition de la diode à

1°) Définition de la diode à jonction

Une diode est le plus simple des composants dit actif, qui fait partie de la famille

des semi-conducteurs.

Les diodes standards sont essentiellement fabriquer soit du silicium, ou le

germanium qui est désormais bien moins utilisé.

Le silicium : Le silicium, est un élément qui se trouve abandonnement dans la

nature,

► On le trouve, principalement, associer à l’oxygène pour former la silice,

constituant de certaines roches, et des innombrables grains de sable de nos plages

et de nos rivières.

► Le silicium est connu pour être un bon conducteur de l’électricité ainsi il offre des

caractéristiques électriques exceptionnelle entre celles des autre conducteurs,

comme les métaux, et celles des isolants : on l’appelle un semi-conducteur.

et celles des isolants : on l’appelle un semi -conducteur. FSTM : DEUST - MIP E141

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PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE ► En incorporant, au silicium pur, de très
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE ► En incorporant, au silicium pur, de très
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE ► En incorporant, au silicium pur, de très

► En incorporant, au silicium pur, de très faibles proportions d’autres éléments

convenablement choisis (phosphore, gallium, etc.) on modifie ses propriétés.

Par cette méthode, on sait fabriquer deux types de semi-conducteurs : le type P

pour « positif », et le type N pour « négatif ».

Une diode est un petit cristal rassemblant cote à cote, une zone P et une zone N, la

mince région de transition, de quelques micromètres d’épaisseur, constitue la

jonction PN.

Une diode fait référence à tout composant électronique doté de deux électrodes.

Il s'agit d'un composant polarisé qui possède donc deux électrodes, une anode et

une cathode.

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A

électrodes, une anode et une cathode. FSTM : DEUST - MIP A K E141 : Circuits

K

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PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 2 °) L’anode et la cathode ► La
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 2 °) L’anode et la cathode ► La
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 2 °) L’anode et la cathode ► La

2°) L’anode et la cathode

► La connexion du cristal qui sort de la zone P, appelée l’anode, elle est symbolisée par la lettre A ; l’autre est la cathode, qu’on représente par la lettre K.

Pour les distinguer sur la diode, on imprime, sur le boitier, un anneau situé à proximité de la cathode.

le boitier, un anneau situé à proximité de la cathode. FSTM : DEUST - MIP E141
le boitier, un anneau situé à proximité de la cathode. FSTM : DEUST - MIP E141

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PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 3 ° ) Fonctionnement ► Une diode permet
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 3 ° ) Fonctionnement ► Une diode permet
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 3 ° ) Fonctionnement ► Une diode permet

3°) Fonctionnement

Une diode permet de contrôler la circulation du courant.

► On peut dire qu’une diode laisse passer le courant lorsqu’elle est branchée en

polarisation directe et bloque le passage du courant lorsque la polarisation est inverse, à une tension donnée.

Cette caractéristique permet de redresser un courant alternatif, pour ne laisser

passer que l'alternance positive ou que l'alternance négative (selon l'orientation de la diode).

Symbole :

La diode est représentée par son symbole normalisé :

A

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par son symbole normalisé : A FSTM : DEUST - MIP K E141 : Circuits Électriques
par son symbole normalisé : A FSTM : DEUST - MIP K E141 : Circuits Électriques
par son symbole normalisé : A FSTM : DEUST - MIP K E141 : Circuits Électriques

K

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PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 4 ° ) Le seuil de la jonction
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 4 ° ) Le seuil de la jonction
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 4 ° ) Le seuil de la jonction

4°) Le seuil de la jonction

Il correspond à la tension de seuil ou la diode commence à conduire dans le sens passant, c’est à dire qu’il faut un minimum de tension directe pour rendre la diode conductrice : c’est le seuil de la jonction.

► Pour une diode au silicium, ce seuil est de l’ordre de 0,6 V.

Tant que la diode reste passante, la tension à ses bornes garde une valeur voisine de 0,6 à 0,7V.

à ses bornes garde une valeur voisine de 0,6 à 0,7V. FSTM : DEUST - MIP

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PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 5 ° ) Tension de claquage ► En
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 5 ° ) Tension de claquage ► En
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 5 ° ) Tension de claquage ► En

5°) Tension de claquage

► En polarisation inverse, on constate que si l’on dépasse une certaine valeur de tension, il apparait également un courant : c’est le claquage de la jonction (tension de claquage).

► Ce phénomène est du soit à l’effet d’avalanche, soit à l’effet Zéner. le claquage

n’est pas destructif à condition que le courant soit limité à une valeur raisonnable par

une résistance.

soit limité à une valeur raisonnable par une résistance. polarisation inverse V claquage Polarisation direct e
polarisation inverse V claquage
polarisation inverse
V claquage

La valeur V claquage pour une diode à jonction est de l’ordre de – 150 à 300 V

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PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 6 ° ) Différents type de diodes ►
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 6 ° ) Différents type de diodes ►
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 6 ° ) Différents type de diodes ►

6°) Différents type de diodes

Il existe plusieurs catégories de diodes semi-condutrices, parmi elles, on y trouve :

la diode à jonction PN

la diode Zener

Diode à jonction
Diode à jonction
Diode Zener
Diode Zener

la diode DEL (ou LED)

la photodiode

la diode Tunnel

la diode schottky

la diode varicap

la diode Impatt,

la diode PIN

la

diode Gunn, etc

diode Impatt, ■ la diode PIN ■ la diode Gunn, etc … DEL ou LED Diode

DEL ou LED

Diode Tunnel Diode Schottky
Diode Tunnel
Diode Schottky

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Photodiode
Photodiode
Diode Varicap
Diode Varicap

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PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE Semi-conducteurs composites. Remarque : Les composants
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE Semi-conducteurs composites. Remarque : Les composants
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE Semi-conducteurs composites. Remarque : Les composants

Semi-conducteurs composites.

Remarque :

Les composants électroniques sont fabriqués avec des matériaux semi-conducteurs purs du groupe IV tels que le silicium, germanium … ou de semi-conducteurs composites combinant un ou plusieurs éléments du groupe : III-V ou II-VI ou I-VII ou IV-VI ou V-VI ou II-V…

Les semi-conducteurs composites présentent un grand intérêt en raison de leurs propriétés : meilleurs mobilités, robustesse, conductivités thermiques élevées, bruit, puissance, la …

Exemple : groupe III-V La colonne III (bore, gallium, aluminium, indium, etc.) La colonne V (arsenic, antimoine, phosphore, etc.) Alliages binaires tels que : AsGa, AsInAlliages ternaires tels que : InGaAs, AlGaAsAlliages quaternaires tels que : AlGaInP, InGaAsPAlliages quinaires tels que : GaInNAsSb, GaInAsSbP

Le cours se limitera à l’étude du fonctionnement de la diode à jonction.

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PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits
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PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits
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PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 7 ° ) Utilisation des diodes Avec tous
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 7 ° ) Utilisation des diodes Avec tous
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 7 ° ) Utilisation des diodes Avec tous

7°) Utilisation des diodes

Avec tous ces types de diodes, on constate que la diode à plusieurs domaines d’utilisation :

le redressement et le filtrage des signaux, cette fonction rencontré surtout dans les alimentations.

détecte les amplitudes des tensions pour aider au référencement de la tension.

elle peut servir de protection contre les surtensions.

la régulations des tensions simples pour les différant montages.

peut générer de signaux à haute fréquence.

■ elle permet d’émettre de la lumière (LED) pour l’affichage…etc.

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PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 8 ° ) Conclusion La diode se présente
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 8 ° ) Conclusion La diode se présente
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 8 ° ) Conclusion La diode se présente

8°) Conclusion

La diode se présente comme un composant électronique très imposant et en même temps très utile pour les différents montages car son domaine d’utilisation est très

varié et plus pratique.

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PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 1 ° ) Symbole et convention 2 °
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 1 ° ) Symbole et convention 2 °
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 1 ° ) Symbole et convention 2 °

1°) Symbole et convention 2°) Linéarité 3°) Caractéristique I(V) réelle 4°) Équation électrique de la diode

5°) Polarisation de la diode

6°) Montage pratique 7°) Association de diodes

8°) Influence de la température

9°) Linéarisation de la caractéristique I(V) 10°) Point de fonctionnement

11°) Différents classes de fonctionnement

12°) Différents modèles linéaires 13°) Modèle idéal

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PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 1 ° ) Symbole et convention Symbole A
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 1 ° ) Symbole et convention Symbole A
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 1 ° ) Symbole et convention Symbole A

1°) Symbole et convention

Symbole

A

GENIE ELECTRIQUE 1 ° ) Symbole et convention Symbole A K 2 bornes ou 2 électrodes

KGENIE ELECTRIQUE 1 ° ) Symbole et convention Symbole A 2 bornes ou 2 électrodes :

GENIE ELECTRIQUE 1 ° ) Symbole et convention Symbole A K 2 bornes ou 2 électrodes

2 bornes ou 2 électrodes :

 

A

: Anode

Convention de signe

K

: Cathode

Tension :

A

Anode Convention de signe K : Cathode Tension : A K V = V A –

KAnode Convention de signe K : Cathode Tension : A V = V A – V

Convention de signe K : Cathode Tension : A K V = V A – V
Convention de signe K : Cathode Tension : A K V = V A – V

V = V A V K = V AK

■ L’extrémité de la flèche est au potentiel V A de l’Anode.

■ L’origine de la flèche est au potentiel V K de la Cathode.

V est la tension aux bornes de la diode (ou d.d.p.), signifie V = V A V K

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PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE Sens du Courant et signe de tension Tension
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE Sens du Courant et signe de tension Tension
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE Sens du Courant et signe de tension Tension
Sens du Courant et signe de tension

Sens du Courant et signe de tension

Sens du Courant et signe de tension
Sens du Courant et signe de tension Tension V positive

Tension V positive

Sens du Courant et signe de tension Tension V positive

V A

V

K

V 0

Tension V négative

V A

V

K

V 0

I A K
I
A
K

V = V A - V K

I circule de A vers K

Les deux flèches, de

tension et du courant, sont dans le sens

contraire

V 0

I A K
I
A
K

V = V A - V K

I circule de K vers A

Les deux flèches, de tension et du courant, sont dans le même sens

V 0

C’est la convention récepteur : la diode est un récepteur actif

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PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 2 ° ) Linéarité Dipôle linéaire : résistance
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 2 ° ) Linéarité Dipôle linéaire : résistance
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 2 ° ) Linéarité Dipôle linéaire : résistance

2°) Linéarité

Dipôle linéaire : résistance

R I A B
R
I
A
B
° ) Linéarité Dipôle linéaire : résistance R I A B V = V A -

V = V A - V B

I = f(V) est une droite I 1/R V
I = f(V) est une droite
I
1/R
V
Dipôle non linéaire : diode I A K
Dipôle non linéaire : diode
I
A
K
une droite I 1/R V Dipôle non linéaire : diode I A K V = V
V = V A - V K I = f(V) ce que l’on veut sauf
V = V A -
V K
I = f(V) ce que l’on veut
sauf une droite
I
V

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PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE R I A B V = V A
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE R I A B V = V A
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE R I A B V = V A
R I A B
R I
A
B
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE R I A B V = V A

V = V A - V B

I = - V / R V < 0 I = f(V) est une droite
I = - V /
R
V < 0
I = f(V) est une droite
I
V
1/R
I A K
I
A
K
V = V A - V K I ~ 0 V < 0 I =
V
= V A - V K
I ~ 0
V < 0
I = f(V) ce que l’on veut
sauf une droite
I
V

La diode est un dipôle non linéaire et non symétrique

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PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 3 ° ) Caractéristique I(V) réelle I K
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 3 ° ) Caractéristique I(V) réelle I K
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 3 ° ) Caractéristique I(V) réelle I K

3°) Caractéristique I(V) réelle

I K I ΔI V < 0 ΔV En inverse V 0
I K
I
ΔI
V < 0
ΔV
En inverse
V 0

A

Grandeurs Caractéristiques de la diode :

I A
I
A

V

V > 0

En direct

K

V

0

: tension de seuil de la diode

> 0 En direct K V 0 : tension de seuil de la diode V 0

V

0

0,5 0,7

à

Si

V

0

0, 2 0, 4

à

Ge

R d

V

I

résis ce dynamique

:

tan

r

d

de qcq à qcq10

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PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 4 ° ) Équation électrique de la diode
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 4 ° ) Équation électrique de la diode
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 4 ° ) Équation électrique de la diode

4°) Équation électrique de la diode

KT V  

exp

I

I

s

q

1

I s : courant de saturation ~ (qcq nA) négligeable q = │e - │charge élémentaire de l’électron = 1,6 10 -19 C K : constante de Boltzmann = 1,38 10 -23 J/K T : température (K)

T ( K ) T (C ) 275

20  C  295 K et 25  C  300 K 77 K
20
C
295
K
et
25
C
300
K
77
K azote
liquide
 ?
4
K Helium
liquide
 ?
k T
q

O n pose u

T

et

la valeur de u à

T

25

C é

tan 25

t

m V

I

I

 

U

T

 

s


exp

V

 

1

FSTM : DEUST - MIP

E141 : Circuits Électriques et Électroniques

Pr . A. BAGHDAD

25

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PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 5°) Polarisation de la diode Polarisation directe ou

5°) Polarisation de la diode

5°) Polarisation de la diode

Polarisation directe ou positive

A

P N
P N

P

P

N

N
P N
P N

+

-

-

K

A

V A > V K

directe ou positive A P N + - K A V A > V K -
directe ou positive A P N + - K A V A > V K -
directe ou positive A P N + - K A V A > V K -
-

-

+

Polarisation inverse ou négative

A

P N
P N

P

P

N

N
P N
P N
-

-

+

K

A

V A < V K

inverse ou négative A P N - + K A V A < V K -
inverse ou négative A P N - + K A V A < V K -
inverse ou négative A P N - + K A V A < V K -
-

-

+

FSTM : DEUST - MIP

E141 : Circuits Électriques et Électroniques

Pr . A. BAGHDAD

26

K

K

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PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 6°) Montage de polarisation de la diode Polarisation

6°) Montage de polarisation de la diode

6°) Montage de polarisation de la diode

Polarisation directe ou positive

V A > V K ===> V > 0 A R + D - E
V A > V K
===> V >
0
A
R
+
D
-
E > 0
E : f.e.m
I

K

V

 

s exp

 

V

KT

I

I

q

Les flèches de I et de V sont contraires V A > V K

E : tension d’alimentation

R : Résistance limitatrice du courant

D : diode à jonction PN

E = R I + V V = E – R I ≠ E

FSTM : DEUST - MIP

E141 : Circuits Électriques et Électroniques

V < E : Il y a de la chute de tension dans la résistance R

Pr . A. BAGHDAD

27

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PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE Discussion : ■ Le + de E est
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE Discussion : ■ Le + de E est
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE Discussion : ■ Le + de E est

Discussion :

■ Le + de E est de côté de A (l’anode) et le – de E et de côté de K (la cathode), V A > V K

V > 0 la diode est donc polarisée positivement ou en direct.

La diode n’est conductrice qu’à partir de V > V 0 . Elle est dite également passante ou allumée.

A partir de V > V 0 , elle se comporte comme une très faible résistance : le semi conducteur peut être considéré dans ce cas comme étant un conducteur.

En revanche, si 0 < V < V 0 , la diode est bloquée en direct, elle se comporte comme une très forte résistance : le semi conducteur peut être considéré dans ce cas comme étant un isolant.

I DBD DCD V 0 V V > V s 0 < V < V
I
DBD
DCD
V
0
V
V > V s
0 < V < V 0

I

 

s exp

 

V

KT

I

q

* DBD si 0 < V < V s

* DCD si V > V s

FSTM : DEUST - MIP

E141 : Circuits Électriques et Électroniques

Pr . A. BAGHDAD

28

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PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE Polarisation inverse ou négative E : f.e.m V
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE Polarisation inverse ou négative E : f.e.m V
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE Polarisation inverse ou négative E : f.e.m V

Polarisation inverse ou négative

E : f.e.m

V A < V K ===> V <

0

A R + D E > 0 - I
A
R
+
D
E > 0
-
I

K

V

I  I

s

Les flèches de I et V ont le même sens V A < V K

E : tension d’alimentation

R

: Résistance limitatrice du courant

D

: diode à jonction PN

Il n’y a aucune chute de tension dans la résistance R

E =

RI - V soit V = - E + RI = - E car I = 0 et V < 0 car E > 0

FSTM : DEUST - MIP

E141 : Circuits Électriques et Électroniques

Pr . A. BAGHDAD

29

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PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE Discussion : ■ Le - de E est
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE Discussion : ■ Le - de E est
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE Discussion : ■ Le - de E est

Discussion :

Le - de E est de côté de A (l’anode) et le + de E et de côté de K (la cathode), V A < V K V < 0 la diode est donc polarisée négativement ou en inverse.

La diode est non conductrice ou non passante. Elle est dite également bloquée ou éteinte.

A partir de V < 0 , elle se comporte comme une très forte résistance ou résistance

de fuite de forte valeur : le semi conducteur peut être considéré dans ce cas comme

étant un isolant.

I   I

s qcqnA

I 0

I DBI si V < 0 V
I
DBI si V < 0
V

FSTM : DEUST - MIP

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30

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PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE Variante : V A < V K ===>
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE Variante : V A < V K ===>
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE Variante : V A < V K ===>

Variante :

V A < V K ===> V <

0

A R D E < 0 E : f.e.m I + -
A
R
D
E < 0
E : f.e.m
I
+ -

K

V

I  I

s

Les flèches de I et V ont le même sens V A < V K

E : tension d’alimentation

R

: Résistance limitatrice du courant

D

: diode à jonction PN

Il n’y a aucune chute de tension dans la résistance R

E =

- R I + V soit V = E + R I = E car I = 0 et V < 0 car E < 0

FSTM : DEUST - MIP

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PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 7°) Association de diodes Association en série Si
7°) Association de diodes

7°) Association de diodes

7°) Association de diodes

Association en série

Si

V > V 01 + V 02

R I A 1 V + D 1 1 E - D 2 V 2
R
I
A 1
V
+
D 1
1
E
-
D 2
V
2

Association en parallèle

K 2

A ou R I + E - D D 1 2 K
A
ou
R
I
+
E
-
D
D
1
2
K

V

V s = V 01 + V 02

V I D 1 D 2 D éq V V 01 V 02 V 01
V
I
D 1
D 2
D éq
V
V 01 V 02
V 01 + V 02

Les diodes ne sont conductrices qu’à partir de V > V 01 + V 02

Aucun intérêt pratique car le courant I traverse la diode dont la tension de seuil est la plus faible. Une diode en trop.

FSTM : DEUST - MIP

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PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 8°) Influence de la température I T’ T
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 8°) Influence de la température I T’ T
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 8°) Influence de la température I T’ T

8°) Influence de la température

I T’ T I (T’) I (T) V 0(T’) V 0(T’) V
I
T’
T
I (T’)
I (T)
V
0(T’)
V 0(T’)
V

Pour une tension V fixe, le courant augmente

La caractéristique se rapproche de l’axe des courants quand T augmente

T T '   I  I et V  V  T '
T T
' 
I
I
et
V
V
T '
T
0
0
T 
'
T 

FSTM : DEUST - MIP

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33

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PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 9°) Linéarisation de la caractéristique I(V) Équation
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 9°) Linéarisation de la caractéristique I(V) Équation
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 9°) Linéarisation de la caractéristique I(V) Équation

9°) Linéarisation de la caractéristique I(V)

Équation électrique

I On néglige l’effet du coude V 0 V  V  I  I
I
On néglige
l’effet du
coude
V
0
V
V 
I
I
s exp 
q
KT

linéarisation

I  I s exp  q   KT  linéarisation Équation d’une droite I
Équation d’une droite I V 0 V V '  V V ' ' 
Équation d’une droite
I
V 0
V
V '  V
V ' '  R I
0
d

V

Echelle des abscisses : V  V V '  ' '  V 
Echelle des abscisses :
V 
V V
'
'
'
V
r I
0
d

FSTM : DEUST - MIP

E141 : Circuits Électriques et Électroniques

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34

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PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE Circuit électrique I V 0 V Circuit électrique
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE Circuit électrique I V 0 V Circuit électrique
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE Circuit électrique I V 0 V Circuit électrique

Circuit électrique

I V 0 V
I
V 0
V

Circuit électrique équivalent d’une diode

Diode

Une diode est un récepteur actif, elle est

symbolisée par le circuit électrique suivant :

V 0 : f.c.e.m.

r d : résistance interne modélisant l’effet joule

I

R d + V  V R I  0 d - V 0
R
d
+
V
V R I
0
d
-
V
0

V

FSTM : DEUST - MIP

E141 : Circuits Électriques et Électroniques

Pr . A. BAGHDAD

35

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PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 10°) Point de fonctionnement La diode à jonction
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 10°) Point de fonctionnement La diode à jonction
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 10°) Point de fonctionnement La diode à jonction

10°) Point de fonctionnement

La diode à jonction PN est un récepteur actif, la tension de seuil V 0 dans le schéma électrique équivalent doit être obligatoirement une f.c.e.m.

+ Le courant I de conduction direct doit être reçu par la borne + de
+
Le courant I de conduction direct doit être reçu par la borne + de la V 0 car c’est une
f.c.e.m.
A
A
I
I
R
R
V
+
+
0
-
E
D
V
V
E
-
Circuit équivalent
-
r
d
K
K

Générateur E : émetteur actif

+ - r i
+
-
r
i

E : f.e.m

Diode V 0 : récepteur actif

+ - r d
+
-
r
d

V 0 : f.c.e.m

FSTM : DEUST - MIP

E141 : Circuits Électriques et Électroniques

Pr . A. BAGHDAD

36

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PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE ► On utilise la droite de charge du
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE ► On utilise la droite de charge du
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE ► On utilise la droite de charge du

On utilise la droite de charge du générateur (ou du circuit).

► L’intersection de cette droite avec la caractéristique de la diode donne le point de

fonctionnement.

E V

Caractéris tique du générateur E RI V

 

:

V

V

AK

E

RI

I

R

Caractéris tique de la diode I I

A

polarisati on en direct

A

tique de la diode I I A  polarisati on en direct A :  s

:

s

exp   q

k T

V

car

s exp   q  k T V  car  + R I V
+ R I V + 0 - E - R D
+
R
I
V
+
0
-
E
-
R
D

V

V
V
V

Circuit

équivalent

V

R I + E D -
R I
+
E
D
-
E I K I  - R - E V V 0 Courbe réelle
E
I
K
I 
-
R
-
E
V
V 0
Courbe réelle

FSTM : DEUST - MIP

K E I I  R E V V 0 Modèle linéaire
K
E
I
I 
R
E
V
V 0
Modèle linéaire

Pr . A. BAGHDAD

37

Point de fonctionnement

- Point de polarisation

Point de repos

La diode fonctionne en polarisation directe uniquement

E141 : Circuits Électriques et Électroniques

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PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 11°) Différents classes de fonctionnement I Classe A
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 11°) Différents classes de fonctionnement I Classe A
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 11°) Différents classes de fonctionnement I Classe A

11°) Différents classes de fonctionnement

I

ELECTRIQUE 11°) Différents classes de fonctionnement I Classe A V I I Classe B V Classe
ELECTRIQUE 11°) Différents classes de fonctionnement I Classe A V I I Classe B V Classe

Classe A

V

I I
I
I

Classe B

V

classes de fonctionnement I Classe A V I I Classe B V Classe C V La

Classe C

V

La diode conduit en permanence

La diode conduit durant une demi période du signal d’entrée.

La diode conduit durant moins d’une demi période du signal d’entrée.

FSTM : DEUST - MIP

E141 : Circuits Électriques et Électroniques

Pr . A. BAGHDAD

38

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PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 12°) Différents modèles linéaires I Caractéristique
12°) Différents modèles linéaires I

12°) Différents modèles linéaires

I

12°) Différents modèles linéaires I
Caractéristique inverse V 0 V 0
Caractéristique inverse
V 0
V 0

K

A

I

+

linéaires I Caractéristique inverse V 0 V 0 K A I + Caractéristique directe V En
linéaires I Caractéristique inverse V 0 V 0 K A I + Caractéristique directe V En

Caractéristique directe

V

En direct :

A

R d

I
I
V 0 K A I + Caractéristique directe V En direct : A R d I

-

-
0 K A I + Caractéristique directe V En direct : A R d I -
0 K A I + Caractéristique directe V En direct : A R d I -

V

V = V 0 + R d I

FSTM : DEUST - MIP

E141 : Circuits Électriques et Électroniques

Pr . A. BAGHDAD

39

K

En direct : V 0 R d I I + - A K A K
En direct :
V 0
R d
I
I
+
-
A
K
A
K
V
V = V 0 + R d I
En inverse :
I
I = 0
A
A
K
K
V = V max < 0
V
FSTM : DEUST - MIP
E141 : Circuits Électriques et Électroniques
Pr . A. BAGHDAD
40
HASSAN II CASABLANCA – FACULTE DES SCIENCES ET TECHNIQUES MOHAMMEDIAUNIVERSITE
DEUST - MIP – MODULE : E 141 – CIRCUITS ÉLECTRIQUES ET ÉLECTRONIQUES
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE

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PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 12°) Modèles linéaires I Caractéristique directe V
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 12°) Modèles linéaires I Caractéristique directe V
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 12°) Modèles linéaires I Caractéristique directe V
12°) Modèles linéaires

12°) Modèles linéaires

12°) Modèles linéaires

I

Caractéristique directe V Caractéristique inverse V 0 En direct : I V + 0 -
Caractéristique directe
V
Caractéristique inverse
V 0
En direct :
I
V
+
0
-
A
K
A
inverse V 0 En direct : I V + 0 - A K A FSTM :
inverse V 0 En direct : I V + 0 - A K A FSTM :

FSTM : DEUST - MIP

V F E141 : Circuits Électriques et Électroniques

V = V 0

Pr . A. BAGHDAD

41

K

En direct : V 0 I I + - A K A K V V
En direct :
V 0
I
I
+
-
A
K
A
K
V
V = V 0
En inverse :
I
I = 0
K
A
K
A
V = V max < 0
V
FSTM : DEUST - MIP
E141 : Circuits Électriques et Électroniques
Pr . A. BAGHDAD
42
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DEUST - MIP – MODULE : E 141 – CIRCUITS ÉLECTRIQUES ET ÉLECTRONIQUES
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE

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PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 12°) Différents modèles linéaires I 0
12°) Différents modèles linéaires I

12°) Différents modèles linéaires

I

12°) Différents modèles linéaires I
0 Caractéristique inverse
0
Caractéristique inverse

K

A

R

d

I

linéaires I 0 Caractéristique inverse K A R d I Caractéristique directe V En direct :
linéaires I 0 Caractéristique inverse K A R d I Caractéristique directe V En direct :
linéaires I 0 Caractéristique inverse K A R d I Caractéristique directe V En direct :

Caractéristique directe

V

En direct :

I
I

A

K A R d I Caractéristique directe V En direct : I A V V =
K A R d I Caractéristique directe V En direct : I A V V =

V

V = V 0 + R d I

FSTM : DEUST - MIP

E141 : Circuits Électriques et Électroniques

Pr . A. BAGHDAD

43

K

En direct : R d I I A K A K V V = R
En direct :
R d
I
I
A
K
A
K
V
V = R d I
En inverse :
I
I = 0
A
A
K
K
V = V max < 0
V
FSTM : DEUST - MIP
E141 : Circuits Électriques et Électroniques
Pr . A. BAGHDAD
44
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DEUST - MIP – MODULE : E 141 – CIRCUITS ÉLECTRIQUES ET ÉLECTRONIQUES
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE

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PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 13 ° ) Modèle idéal I Caractéristique directe
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 13 ° ) Modèle idéal I Caractéristique directe
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 13 ° ) Modèle idéal I Caractéristique directe
13 ° ) Modèle idéal

13°) Modèle idéal

13 ° ) Modèle idéal
I Caractéristique directe V 0 Caractéristique inverse
I
Caractéristique directe
V
0
Caractéristique inverse

A

Caractéristique directe V 0 Caractéristique inverse A K A FSTM : DEUST - MIP E141 :
Caractéristique directe V 0 Caractéristique inverse A K A FSTM : DEUST - MIP E141 :
Caractéristique directe V 0 Caractéristique inverse A K A FSTM : DEUST - MIP E141 :
Caractéristique directe V 0 Caractéristique inverse A K A FSTM : DEUST - MIP E141 :
Caractéristique directe V 0 Caractéristique inverse A K A FSTM : DEUST - MIP E141 :

K

A

directe V 0 Caractéristique inverse A K A FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits
directe V 0 Caractéristique inverse A K A FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits
directe V 0 Caractéristique inverse A K A FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits
directe V 0 Caractéristique inverse A K A FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits
directe V 0 Caractéristique inverse A K A FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits
directe V 0 Caractéristique inverse A K A FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits
directe V 0 Caractéristique inverse A K A FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits
directe V 0 Caractéristique inverse A K A FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits
directe V 0 Caractéristique inverse A K A FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits
directe V 0 Caractéristique inverse A K A FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits

FSTM : DEUST - MIP

E141 : Circuits Électriques et Électroniques

Pr . A. BAGHDAD

45

K

En direct : I I = I max A K A K V V =
En direct :
I
I = I max
A
K
A
K
V
V = 0
En inverse :
I
I = 0
A
K
A
K
V = V max < 0
V
FSTM : DEUST - MIP
E141 : Circuits Électriques et Électroniques
Pr . A. BAGHDAD
46
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DEUST - MIP – MODULE : E 141 – CIRCUITS ÉLECTRIQUES ET ÉLECTRONIQUES
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE

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PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE A K A En direct : V >
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE A K A En direct : V >
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE A K A En direct : V >
A K A En direct : V > 0 I A K A V En
A
K
A
En direct :
V > 0
I
A
K
A
V
En inverse : V < 0
I
A
K
A
V > 0 I A K A V En inverse : V < 0 I A

V

interrupteur électronique I max CC
interrupteur électronique
I max
CC

K

K

0 I A K A V interrupteur électronique I max CC K K V = 0
V = 0 P = V . I = 0 I = 0 CO K
V = 0
P = V . I
= 0
I = 0
CO
K
P = V . I
= 0
V max

Une diode idéale peut être considérée comme un interrupteur électronique qui ne

dissipe aucune puissance.

FSTM : DEUST - MIP

E141 : Circuits Électriques et Électroniques

Pr . A. BAGHDAD

47

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PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits

FSTM : DEUST - MIP

E141 : Circuits Électriques et Électroniques

Pr . A. BAGHDAD

48

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PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 1 ° ) Redressement simple alternance 2 °
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 1 ° ) Redressement simple alternance 2 °
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 1 ° ) Redressement simple alternance 2 °

1°) Redressement simple alternance

2°) Redressement double alternance avec 2 diodes

3°) Redressement double alternance avec 4 diodes

4°) Circuit d’écrêtage

5°) Circuit limiteur

6°) Caractéristiques des signaux périodiques

7°) Redressement et filtrage

FSTM : DEUST - MIP

E141 : Circuits Électriques et Électroniques

Pr . A. BAGHDAD

49

HASSAN II CASABLANCA FACULTE DES SCIENCES ET TECHNIQUES MOHAMMEDIAUNIVERSITE DEUST - MIP MODULE : E 141 CIRCUITS ÉLECTRIQUES ET ÉLECTRONIQUES PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE

PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 1°) Redressement simple alternatif st) et) e(t) =
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 1°) Redressement simple alternatif st) et) e(t) =
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 1°) Redressement simple alternatif st) et) e(t) =
1°) Redressement simple alternatif st) et) e(t) = E sinωt +S max temps +E max
1°) Redressement simple alternatif
st)
et)
e(t) = E sinωt
+S max
temps
+E max
temps
mono
e(t)
s(t)
alternance
-S max
-E max
2°) Redressement double alternatif avec 2 diodes
st)
et)
e(t) = E sinωt
+S max
temps
double
alternance
avec 2 diodes
temps
+E max
e(t)
s(t)
-S max
-E max
3°) Redressement double alternatif avec 4 diodes
st)
et)
e(t) = E sinωt
double
+S max
+E max
temps
temps
alternance
e(t)
s(t)
avec 4 diodes
-S max
-E max

FSTM : DEUST - MIP

E141 : Circuits Électriques et Électroniques

Pr . A. BAGHDAD

50

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PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 1 ° ) Redressement simple alternance Principe v
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 1 ° ) Redressement simple alternance Principe v
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 1 ° ) Redressement simple alternance Principe v

1°) Redressement simple alternance

Principe v e t) v s t) +E +E mono temps temps v e (t)
Principe
v e t)
v s t)
+E
+E
mono
temps
temps
v e (t)
v s (t)
alternance
-E
-E
v e (t) = E sinωt
Redressement simple alternance
Montage pratique
A
K
D
~
Secteur
e
v
e t)
v
s t)
g
R
230 V
(1)
(2)
v e (t) = E sinωt

FSTM : DEUST - MIP

E141 : Circuits Électriques et Électroniques

Pr . A. BAGHDAD

51

HASSAN II CASABLANCA FACULTE DES SCIENCES ET TECHNIQUES MOHAMMEDIAUNIVERSITE DEUST - MIP MODULE : E 141 CIRCUITS ÉLECTRIQUES ET ÉLECTRONIQUES PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE

PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE Tracé de V s (t) + E v
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE Tracé de V s (t) + E v
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE Tracé de V s (t) + E v

Tracé de V s (t)

+ E

v e (t) v s (t) v e > 0 v e < 0
v e (t)
v s (t)
v e >
0
v e <
0

v e (t) = E sinωt

- E

T si 0  t  alors e  0  v  v A
T
si
0
 t 
alors
e
0
v
v
A
K
2
D : passante
CC
CC
v
e t)
v
s t)
R

temps

T si   t T alors e  0  v  v A
T
si
 
t
T
alors
e
0
v
v
A
K
2
D bloquée
:
CO
CO
v
e t)
v
s t)
R

v s

t

v

e

t

v

s t 0

FSTM : DEUST - MIP

E141 : Circuits Électriques et Électroniques

Pr . A. BAGHDAD

52

HASSAN II CASABLANCA FACULTE DES SCIENCES ET TECHNIQUES MOHAMMEDIAUNIVERSITE DEUST - MIP MODULE : E 141 CIRCUITS ÉLECTRIQUES ET ÉLECTRONIQUES PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE

PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE Tracé de V s = f(V e )
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE Tracé de V s = f(V e )
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE Tracé de V s = f(V e )

Tracé de V s = f(V e )

v s

+ E

Redressement simple alternance

- E

= f(V e ) v s + E Redressement simple alternance - E + E v
= f(V e ) v s + E Redressement simple alternance - E + E v
= f(V e ) v s + E Redressement simple alternance - E + E v
= f(V e ) v s + E Redressement simple alternance - E + E v
= f(V e ) v s + E Redressement simple alternance - E + E v
= f(V e ) v s + E Redressement simple alternance - E + E v
= f(V e ) v s + E Redressement simple alternance - E + E v
= f(V e ) v s + E Redressement simple alternance - E + E v
= f(V e ) v s + E Redressement simple alternance - E + E v
= f(V e ) v s + E Redressement simple alternance - E + E v
= f(V e ) v s + E Redressement simple alternance - E + E v
= f(V e ) v s + E Redressement simple alternance - E + E v
= f(V e ) v s + E Redressement simple alternance - E + E v
= f(V e ) v s + E Redressement simple alternance - E + E v
= f(V e ) v s + E Redressement simple alternance - E + E v
= f(V e ) v s + E Redressement simple alternance - E + E v

+ E

v e

v e < 0 v s = 0

- E v e > 0 v s = v e

Courbe de transfert direct en tension

FSTM : DEUST - MIP

E141 : Circuits Électriques et Électroniques

Pr . A. BAGHDAD

53

HASSAN II CASABLANCA FACULTE DES SCIENCES ET TECHNIQUES MOHAMMEDIAUNIVERSITE DEUST - MIP MODULE : E 141 CIRCUITS ÉLECTRIQUES ET ÉLECTRONIQUES PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE

PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 2 ° ) Redressement double alternance avec 2

2°) Redressement double alternance avec 2 diodes

Principe v e t) +E temps -E
Principe
v e t)
+E
temps
-E

v e (t) = E sinωt

Montage pratique

double

alternance

v e (t)

v s (t)

+E

-E

v 2 (t) = E sin(ωt+π)

v s t) temps
v s t)
temps

Redressement double alternance à 2 diodes

) v s t) temps Redressement double alternance à 2 diodes A K 1 1 v

A

v s t) temps Redressement double alternance à 2 diodes A K 1 1 v D

K

1 1 v D 1 1 v 1 (t) = E sinωt et v 2
1
1
v
D
1
1
v 1 (t) = E sinωt
et
v 2 (t) = E sin(ωt+π)
(2)
v
D
2
2
A
K
R
v
2
2
s
2 (t) = E sin(ωt+π) (2) v D 2 2 A K R v 2 2
~ Secteur e g 230 V (1)
~
Secteur
e
g
230 V
(1)

v 1 > 0 et v 2 < 0

Transformateur à point milieu

FSTM : DEUST - MIP

E141 : Circuits Électriques et Électroniques

Pr . A. BAGHDAD

54

HASSAN II CASABLANCA FACULTE DES SCIENCES ET TECHNIQUES MOHAMMEDIAUNIVERSITE DEUST - MIP MODULE : E 141 CIRCUITS ÉLECTRIQUES ET ÉLECTRONIQUES PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE

PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE Tracé de V s (t) v 1 >
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE Tracé de V s (t) v 1 >
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE Tracé de V s (t) v 1 >

Tracé de V s (t)

v 1 > 0 et v 2 < 0

+ E

- E

v 1 (t) v 2 (t) (t) v s
v 1 (t)
v 2 (t)
(t)
v s

temps

T T si 0  t  alors v  0 et v  0
T
T
si
0
 t 
alors
v
0
et v
0
si
 
t
T
alors
v
0
et
v
0
1
2
1
2
2
2
CO 
D passante
:
CC 
et
D bloquée CO 
:
D bloquée
:
et
D passante CC
:
1
2
1
2
CC
CO
v
v
1
1
v
v
2
CO
R
CC
v
2
R
s
v
t 
 v
t 
v
t 
 v
t 
s
1
s
2

FSTM : DEUST - MIP

E141 : Circuits Électriques et Électroniques

Pr . A. BAGHDAD

55

HASSAN II CASABLANCA FACULTE DES SCIENCES ET TECHNIQUES MOHAMMEDIAUNIVERSITE DEUST - MIP MODULE : E 141 CIRCUITS ÉLECTRIQUES ET ÉLECTRONIQUES PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE

PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 3 ° ) Redressement double alternance avec 4
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 3 ° ) Redressement double alternance avec 4
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 3 ° ) Redressement double alternance avec 4

3°) Redressement double alternance avec 4 diodes

Principe e(t) = E sinωt et) +E double temps e(t) s(t) alternance -E
Principe
e(t) = E sinωt
et)
+E
double
temps
e(t)
s(t)
alternance
-E

+E

-E

st)
st)

temps

Montage pratique Redressement double alternance à 4 diodes A D 1 D 2 ~ Secteur
Montage pratique
Redressement double alternance à 4 diodes
A
D 1
D 2
~
Secteur
e
v
g
e
M
N
230 V
(2)
(1)
D 4
D 3
v s
B
Mono-transformateur

FSTM : DEUST - MIP

v e (t) = E sinωt

E141 : Circuits Électriques et Électroniques

FSTM : DEUST - MIP v e (t) = E sin ω t E141 : Circuits

Pr . A. BAGHDAD

56

HASSAN II CASABLANCA FACULTE DES SCIENCES ET TECHNIQUES MOHAMMEDIAUNIVERSITE DEUST - MIP MODULE : E 141 CIRCUITS ÉLECTRIQUES ET ÉLECTRONIQUES PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE

PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE Tracé de V s (t) + E v
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE Tracé de V s (t) + E v
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE Tracé de V s (t) + E v

Tracé de V s (t)

+ E

v e (t) = E sinωt

- E

v e (t) v s (t) v e > 0 v e < 0
v e (t)
v s (t)
v e >
0
v e <
0

temps

T si 0  t  alors e  0 et v   
T
si
0
 t 
alors
e
0 et v
et v
A
B
2
D et D passantes
:
et
D et D bloquées
:
2
4
1
3
T si   t T alors e  0 et v   
T
si
 
t
T alors
e
0 et v
et v
A
B
2
D et D bloquées
:
et
D et D passantes
:
2
4
1
3

A

CO CC M N v e CC CO R B v t   v
CO
CC
M
N
v
e
CC
CO
R
B
v
t 
 v
t 
s
e

v s

A

CO M CC N v e CC C0 R B v  v t 
CO
M
CC
N
v
e
CC
C0
R
B
v  v
t 
t 
s
e

FSTM : DEUST - MIP

E141 : Circuits Électriques et Électroniques

Pr . A. BAGHDAD

57

HASSAN II CASABLANCA FACULTE DES SCIENCES ET TECHNIQUES MOHAMMEDIAUNIVERSITE DEUST - MIP MODULE : E 141 CIRCUITS ÉLECTRIQUES ET ÉLECTRONIQUES PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE

PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE Tracé de V s = f(V e )
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE Tracé de V s = f(V e )
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE Tracé de V s = f(V e )

Tracé de V s = f(V e )

Redressement simple alternance

v s

+ E - E + E - E v e < 0  v s
+ E
- E
+ E
- E
v e < 0
v s = - v e
v e > 0
v s = v e

v e

Courbe de transfert direct en tension

FSTM : DEUST - MIP

E141 : Circuits Électriques et Électroniques

Pr . A. BAGHDAD

58

HASSAN II CASABLANCA FACULTE DES SCIENCES ET TECHNIQUES MOHAMMEDIAUNIVERSITE DEUST - MIP MODULE : E 141 CIRCUITS ÉLECTRIQUES ET ÉLECTRONIQUES PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE

PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE 4 ° ) Circuit d’ ecrêtage Principe v
4 ° ) Circuit d’ ecrêtage

4°) Circuit d’ecrêtage

4 ° ) Circuit d’ ecrêtage
Principe v e t) +E temps -E
Principe
v
e t)
+E
temps
-E

v e (t) = E sinωt

Montage pratique

   

+E

v

e (t)

écrêteur

v

s (t)

   

-E

v s (t)
v s (t)
écrêteur v s (t)     -E v s (t) R v e (t) v s

R

écrêteur v s (t)     -E v s (t) R v e (t) v s

v e (t)

v s (t) +
v s (t)
+
~
~
E v e (t) = E sinωt 0 -
E
v e (t) = E sinωt
0
-

FSTM : DEUST - MIP

E141 : Circuits Électriques et Électroniques

Pr . A. BAGHDAD

59

t

HASSAN II CASABLANCA FACULTE DES SCIENCES ET TECHNIQUES MOHAMMEDIAUNIVERSITE DEUST - MIP MODULE : E 141 CIRCUITS ÉLECTRIQUES ET ÉLECTRONIQUES PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE

PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE Si v e > E alors v s
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE Si v e > E alors v s
PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE Si v e > E alors v s
Si v e > E alors v s = v e R CO ~ v
Si
v e > E
alors
v s = v e
R
CO
~
v e (t)
v
s (t)
+
E
0
-
   

v

s

t

v

e

t

 

V

A

V

K

DB

CO

Le

Le de côté de A

+

de côté de K

Si v e < E 0 alors v s = E 0 R CC ~
Si
v e < E 0
alors
v s = E 0
R
CC
~
v
e (t)
+