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UNIVERSITE HASSAN II CASABLANCA – FACULTE DES SCIENCES ET TECHNIQUES MOHAMMEDIA
DEUST - MIP – MODULE : E 141 – CIRCUITS ÉLECTRIQUES ET ÉLECTRONIQUES

PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE
FSTM : DEUST - MIP

Cours exposé
E141 : Circuits Électriques et Électroniques

email : nasser_baghdad @ yahoo.fr
Pr . A. BAGHDAD
1
Contenu du programme
Chapitre I : Généralités
Chapitre II : Régime continu
Chapitre III : Régime alternatif sinusoïdal Partie A

Circuits électriques
Chapitre IV : Les quadripôles
Chapitre V : Les filtres passifs
Chapitre VI : Les diodes

Partie B
Chapitre VII : Le transistor bipolaire Circuits électroniques
Chapitre VIII : L’amplificateur opérationnel
FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 2

FSTM : DEUST - MIP

Chapitre VI

Pr . A. BAGHDAD
3
Sommaire
I. Généralités sur les diodes
II. Fonctionnement d’une diode à jonction
III. Applications de la diode à jonction

FSTM : DEUST - MIP

Pr . A. BAGHDAD
5
1°) Définition de la diode à jonction

2°) L’anode et la cathode
3°) Fonctionnement
4°) Le seuil de la jonction
5°) Tension de claquage
6°) Les différents type de diode
7°) Utilisation des diodes
8°) Conclusion

1°) Définition de la diode à jonction

► Une diode est le plus simple des composants dit actif, qui fait partie de la famille
des semi-conducteurs.
► Les diodes standards sont essentiellement fabriquer soit du silicium, ou le

germanium qui est désormais bien moins utilisé.
► Le silicium : Le silicium, est un élément qui se trouve abandonnement dans la

nature,
► On le trouve, principalement, associer à l’oxygène pour former la silice,

constituant de certaines roches, et des innombrables grains de sable de nos plages
et de nos rivières.
► Le silicium est connu pour être un bon conducteur de l’électricité ainsi il offre des
caractéristiques électriques exceptionnelle entre celles des autre conducteurs,
comme les métaux, et celles des isolants : on l’appelle un semi-conducteur.

► En incorporant, au silicium pur, de très faibles proportions d’autres éléments

convenablement choisis (phosphore, gallium, etc.) on modifie ses propriétés.
► Par cette méthode, on sait fabriquer deux types de semi-conducteurs : le type P

pour « positif », et le type N pour « négatif ».
► Une diode est un petit cristal rassemblant cote à cote, une zone P et une zone N, la
mince région de transition, de quelques micromètres d’épaisseur, constitue la
jonction PN.
► Une diode fait référence à tout composant électronique doté de deux électrodes.
► Il s'agit d'un composant polarisé qui possède donc deux électrodes, une anode et
une cathode.
A K

2°) L’anode et la cathode

► La connexion du cristal qui sort de la zone P, appelée l’anode, elle est symbolisée
par la lettre A ; l’autre est la cathode, qu’on représente par la lettre K.
► Pour les distinguer sur la diode, on imprime, sur le boitier, un anneau situé à
proximité de la cathode.

3°) Fonctionnement
► Une diode permet de contrôler la circulation du courant.

► On peut dire qu’une diode laisse passer le courant lorsqu’elle est branchée en
polarisation directe et bloque le passage du courant lorsque la polarisation est
inverse, à une tension donnée.
► Cette caractéristique permet de redresser un courant alternatif, pour ne laisser

passer que l'alternance positive ou que l'alternance négative (selon l'orientation de la
diode).
Symbole :
La diode est représentée par son symbole normalisé :
A K

4°) Le seuil de la jonction

► Il correspond à la tension de seuil ou la diode commence à conduire dans le sens

passant, c’est à dire qu’il faut un minimum de tension directe pour rendre la diode
conductrice : c’est le seuil de la jonction.
► Pour une diode au silicium, ce seuil est de l’ordre de 0,6 V.
► Tant que la diode reste passante, la tension à ses bornes garde une valeur voisine
de 0,6 à 0,7V.

5°) Tension de claquage

► En polarisation inverse, on constate que si l’on dépasse une certaine valeur de

tension, il apparait également un courant : c’est le claquage de la jonction (tension de
claquage).
► Ce phénomène est du soit à l’effet d’avalanche, soit à l’effet Zéner. le claquage

n’est pas destructif à condition que le courant soit limité à une valeur raisonnable par
une résistance.
polarisation inverse Polarisation directe
Vclaquage
La valeur Vclaquage pour une diode à jonction est de l’ordre de – 150 à 300 V

6°) Différents type de diodes

► Il existe plusieurs catégories de diodes semi-condutrices, parmi elles, on y trouve :
■ la diode à jonction PN
■ la diode Zener
Diode à jonction Diode Zener
■ la diode DEL (ou LED)
■ la photodiode
■ la diode Tunnel DEL ou LED Photodiode

■ la diode schottky
■ la diode varicap
■ la diode Impatt, Diode Tunnel Diode Varicap
■ la diode PIN
■ la diode Gunn, etc… Diode Schottky

Semi-conducteurs composites.
Remarque :
Les composants électroniques sont fabriqués avec des matériaux semi-conducteurs
purs du groupe IV tels que le silicium, germanium … ou de semi-conducteurs

composites combinant un ou plusieurs éléments du groupe : III-V ou II-VI ou I-VII ou
IV-VI ou V-VI ou II-V…
Les semi-conducteurs composites présentent un grand intérêt en raison de leurs

propriétés : meilleurs mobilités, robustesse, conductivités thermiques élevées, bruit,
puissance, la …
Exemple : groupe III-V

La colonne III (bore, gallium, aluminium, indium, etc.)
La colonne V (arsenic, antimoine, phosphore, etc.)
Alliages binaires tels que : AsGa, AsIn…
Alliages ternaires tels que : InGaAs, AlGaAs…
Alliages quaternaires tels que : AlGaInP, InGaAsP…
Alliages quinaires tels que : GaInNAsSb, GaInAsSbP…
Le cours se limitera à l’étude du fonctionnement de la diode à jonction.

FSTM : DEUST - MIP

Pr . A. BAGHDAD
15
7°) Utilisation des diodes

Avec tous ces types de diodes, on constate que la diode à plusieurs domaines
d’utilisation :
■ le redressement et le filtrage des signaux, cette fonction rencontré surtout dans les
alimentations.
■ détecte les amplitudes des tensions pour aider au référencement de la tension.
■ elle peut servir de protection contre les surtensions.
■ la régulations des tensions simples pour les différant montages.
■ peut générer de signaux à haute fréquence.
■ elle permet d’émettre de la lumière (LED) pour l’affichage…etc.

8°) Conclusion
La diode se présente comme un composant électronique très imposant et en même

temps très utile pour les différents montages car son domaine d’utilisation est très
varié et plus pratique.

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Pr . A. BAGHDAD
18
1°) Symbole et convention

2°) Linéarité
3°) Caractéristique I(V) réelle

4°) Équation électrique de la diode
5°) Polarisation de la diode
6°) Montage pratique
7°) Association de diodes
8°) Influence de la température
9°) Linéarisation de la caractéristique I(V)
10°) Point de fonctionnement
11°) Différents classes de fonctionnement
12°) Différents modèles linéaires
13°) Modèle idéal

1°) Symbole et convention

Symbole
A K
2 bornes ou 2 électrodes :
A : Anode
Convention de signe K : Cathode
Tension :
A K
V = VA – VK = VAK
■ L’extrémité de la flèche est au potentiel VA de l’Anode.
■ L’origine de la flèche est au potentiel VK de la Cathode.
■ V est la tension aux bornes de la diode (ou d.d.p.), signifie V = VA – VK

Sens du Courant et signe de tension

Tension V positive Tension V négative
VA VK  V 0 VA VK  V 0
I I
A K A K
V = VA - VK V = VA - VK
I circule de A vers K I circule de K vers A
Les deux flèches, de
Les deux flèches, de tension
tension et du courant,
et du courant, sont dans le
sont dans le sens
même sens
contraire
V  0 V 0
C’est la convention récepteur : la diode est un récepteur actif

2°) Linéarité
Dipôle linéaire : résistance Dipôle non linéaire : diode

R
I I
A B A K
V = VA - VB V = VA - VK
I = f(V) est une droite I = f(V) ce que l’on veut
sauf une droite
I
I
1/R
V
V
R
I I
A B A K
V = VA - VB V = VA - VK
I=-V/ R V<0 I~0 V<0
I = f(V) est une droite I = f(V) ce que l’on veut
sauf une droite
I I
1/R V
La diode est un dipôle non linéaire et non symétrique

3°) Caractéristique I(V) réelle

I I
A K I ΔI A K
V<0 V>0
ΔV
En inverse V En direct
V0
Grandeurs Caractéristiques de la diode :

V0  0,5 à 0,7 Si
V0 : tension de seuil de la diode
V0  0,2 à 0,4 Ge
V
Rd  : résis tan ce dynamique rd de qcq à qcq10
I
4°) Équation électrique de la diode

  V  
I  I s exp  q   1
  KT  
Is : courant de saturation ~ (qcq nA) négligeable
q = │e-│charge élémentaire de l’électron = 1,6 10-19 C
K : constante de Boltzmann = 1,38 10-23 J/K
T : température (K)
T ( K )  T (C )  275
20C  295K et 25C  300 K
77 K azote liquide   ?
4 K Helium liquide   ?
kT
On pose uT  et la valeur de uT à 25C é tan t 25mV
q
  V  
I  I s exp 
U 
  1
  T  

5°) Polarisation de la diode

Polarisation directe ou positive

A P N K A K
VA > VK
+ - + -
Polarisation inverse ou négative
A P N K A K
VA < VK
- + - +

6°) Montage de polarisation de la diode

Polarisation directe ou positive

VA > VK ===> V > 0

A
R
+  V 
E>0 D V I  I s exp  q 
-  KT 
E : f.e.m I
K
Les flèches de I et de V sont contraires  VA > VK
E : tension d’alimentation
R : Résistance limitatrice du courant
D : diode à jonction PN
E=RI+VV=E–RI≠E V < E : Il y a de la chute de

tension dans la résistance R

Discussion :
■ Le + de E est de côté de A (l’anode) et le – de E et de côté de K (la cathode), VA > VK

 V > 0 la diode est donc polarisée positivement ou en direct.
■ La diode n’est conductrice qu’à partir de V > V0 . Elle est dite également passante
ou allumée.
■ A partir de V > V0 , elle se comporte comme une très faible résistance : le semi
conducteur peut être considéré dans ce cas comme étant un conducteur.
■ En revanche, si 0 < V < V0 , la diode est bloquée en direct, elle se comporte comme
une très forte résistance : le semi conducteur peut être considéré dans ce cas comme
étant un isolant.
I  V 
I  I s exp  q
DBD DCD 
 KT 
V0 * DBD si 0 < V < Vs

V > Vs V * DCD si V > Vs
0 < V < V0

Polarisation inverse ou négative

VA < VK ===> V < 0

R
+ I  I s
E : f.e.m E>0 D V
-
I
K
Les flèches de I et V ont le même sens  VA < VK
R : Résistance limitatrice du courant Il n’y a aucune chute
D : diode à jonction PN de tension dans la
résistance R
E = RI - V soit V = - E + RI = - E car I = 0 et V < 0 car E > 0

Discussion :
■ Le - de E est de côté de A (l’anode) et le + de E et de côté de K (la cathode), VA < VK

 V < 0 la diode est donc polarisée négativement ou en inverse.
■ La diode est non conductrice ou non passante. Elle est dite également bloquée ou
éteinte.
■ A partir de V < 0 , elle se comporte comme une très forte résistance ou résistance
de fuite de forte valeur : le semi conducteur peut être considéré dans ce cas comme
étant un isolant.
I
I  I s qcqnA  I 0
DBI si V < 0

Variante :
VA < VK ===> V < 0

- R
+
D
E<0 V I  I s
E : f.e.m I
K
Les flèches de I et V ont le même sens  VA < VK
R : Résistance limitatrice du courant Il n’y a aucune chute
D : diode à jonction PN de tension dans la
résistance R
E = - R I + V soit V = E + R I = E car I = 0 et V < 0 car E < 0

7°) Association de diodes

Association en série Si V > V01 + V02  Vs = V01 + V02

R A1
+ D1 V1
E V I D1
-
D2 V2 D2 Déq
K2 V01 V02 V01 + V02 V

Association en parallèle
A Les diodes ne sont conductrices
ou qu’à partir de V > V01 + V02
R I
+
-
E V
D1 D2
K
Aucun intérêt pratique car le courant I traverse la diode dont la tension de seuil est la
plus faible. Une diode en trop.

8°) Influence de la température

I
Pour une tension V fixe, le courant augmente T’

I(T’) T
I(T)
V0(T’) V0(T’)
V
La caractéristique se rapproche de l’axe des courants quand T augmente
T ' T  I T '   I T  et V0 T '  V0 T 

9°) Linéarisation de la caractéristique I(V)

Équation électrique
Équation d’une droite
I
I On néglige
l’effet du
coude linéarisation
V0
V0 V
V
 V  V '  V0 V ' '  Rd I
I  I s exp  q 
 KT  V
Echelle des abscisses :
V  V 'V ' '  V0  rd I

Circuit électrique I
V0
V
Circuit électrique équivalent d’une diode
I
Diode
Une diode est un récepteur actif, elle est Rd

symbolisée par le circuit électrique suivant : V
+
V0 : f.c.e.m. V  V0  Rd I - V0
rd : résistance interne modélisant l’effet joule

10°) Point de fonctionnement

La diode à jonction PN est un récepteur actif, la tension de seuil V0 dans le schéma

électrique équivalent doit être obligatoirement une f.c.e.m.
Le courant I de conduction direct doit être reçu par la borne + de la V0 car c’est une
f.c.e.m. A
A
I I
R R
+
+ V0 -
+
E D V E V
- Circuit équivalent
- rd
K K
Générateur E : émetteur actif Diode V0 : récepteur actif
+ +
E : f.e.m V0 : f.c.e.m
- -
ri rd

► On utilise la droite de charge du générateur (ou du circuit).

► L’intersection de cette droite avec la caractéristique de la diode donne le point de

fonctionnement.
E V
Caractéris tique du générateur : E  RI  V  V  VAK  E  RI  I
R
 q 
Caractéris tique de la diode : I  I s exp  V car polarisati on en direct
A  kT  A
R I R I
+
+ + V0 -
E D V E V
- - RD
Circuit
équivalent
E I K K
I - Point de fonctionnement E I
R - Point de polarisation I  R
- Point de repos
V0
E V V0
E V
Courbe réelle Modèle linéaire
La diode fonctionne en polarisation directe uniquement
11°) Différents classes de fonctionnement

I Classe A
La diode conduit en permanence

V
I
Classe B
La diode conduit durant une demi
V période du signal d’entrée.
I
Classe C
La diode conduit durant moins d’une
V demi période du signal d’entrée.

12°) Différents modèles linéaires I

Caractéristique directe
V
Caractéristique inverse V0
En direct :
V0 Rd
I I +
A K A - K
V V = V0 + R d I
A
A
I
En direct :
En inverse :
FSTM : DEUST - MIP

V
V
I
K
K
A
A
I

+
V0
-
V = V0 + Rd I
V = Vmax < 0
Pr . A. BAGHDAD
Rd
I=0
40
K
K
A
En direct :
FSTM : DEUST - MIP

VF
12°) Modèles linéaires
Caractéristique inverse
K A
I

V0
-+
V = V0
V0
Pr . A. BAGHDAD
V
41
K
A
A
I
En direct :
En inverse :
FSTM : DEUST - MIP

V
V
I
K
K
A
A
I

+
V0
-
V = V0
V = Vmax < 0
Pr . A. BAGHDAD
I=0
42
K
K
12°) Différents modèles linéaires I

V
0
En direct :
Rd
I I
A K A K
V V = V0 + R d I
A
A
I
En direct :
En inverse :
FSTM : DEUST - MIP

V
V
I
K
K
A
A
I

Rd
V = Rd I
V = Vmax < 0
Pr . A. BAGHDAD
I=0
44
K
K
FSTM : DEUST - MIP

13°) Modèle idéal
K A
I

Pr . A. BAGHDAD
45
K
A
A
I
En direct :
En inverse :
FSTM : DEUST - MIP

V
V
I
K
K
A

I = Imax
V=0
V = Vmax < 0
Pr . A. BAGHDAD
I=0
46
K
K
A K A K
interrupteur électronique
En direct : V > 0
I I max
CC
A K A K
V V=0
P=V.I =0
En inverse : V < 0
I CO I=0
A K A K
P=V.I =0 V max
V
Une diode idéale peut être considérée comme un interrupteur électronique qui ne
dissipe aucune puissance.

FSTM : DEUST - MIP

Pr . A. BAGHDAD
48
1°) Redressement simple alternance

2°) Redressement double alternance avec 2 diodes
4°) Circuit d’écrêtage
5°) Circuit limiteur
6°) Caractéristiques des signaux périodiques
7°) Redressement et filtrage

1°) Redressement simple alternatif

et) e(t) = E sinωt st)
+Emax +Smax temps

temps mono
e(t) alternance s(t)
-Emax -Smax
2°) Redressement double alternatif avec 2 diodes

+Emax double +Smax
temps alternance
temps
e(t) avec 2 diodes
s(t)
-Emax -Smax
3°) Redressement double alternatif avec 4 diodes

+Emax double +Smax
temps alternance
temps
e(t) avec 4 diodes
s(t)
-Emax -Smax

1°) Redressement simple alternance

Principe
vet)
vst)
+E +E
temps v (t) mono temps
e vs(t)
alternance
-E -E
ve(t) = E sinωt
Redressement simple alternance
Montage pratique
A K
D
~
Secteur eg vet) R vst)
230 V
(1) (2)
ve(t) = E sinωt

Tracé de Vs(t)
ve(t) vs(t)
+E
ve > 0
ve(t) = E sinωt temps

ve < 0
-E
T T
si 0  t  alors e 0  v A  vK si t  T alors e 0  v A  vK
2 2
D : passante  CC D : bloquée  CO
CC CO
vet) R vst) vet) R vst)
vs t   ve t  vs t   0
Tracé de Vs = f(Ve)
Redressement simple alternance
vs
+E
-E +E ve
-E
ve < 0  vs = 0 ve > 0  vs = ve
Courbe de transfert direct en tension


Principe v2(t) = E sin(ωt+π)

vet) vst)
+E +E
temps v (t) double temps
e vs(t)
alternance
-E -E
ve(t) = E sinωt
Redressement double alternance à 2 diodes
Montage pratique
A1 K1
v1(t) = E sinωt
et
v1 D1 v2(t) = E sin(ωt+π)
~ eg
Secteur
230 V (1) (2) v2 D2
A2 K2 R vs
v1 > 0 et v2 < 0
Transformateur à point milieu

Tracé de Vs(t)
v1(t) v2(t) vs(t)

+E
v1 > 0
et temps
v2 < 0
-E
T T
si 0  t  alors v1  0 et v2  0 si t  T alors v1  0 et v2  0
2 2
D1 : passante CC  et D2 : bloquée CO  D1 : bloquée CO  et D2 : passante CC
CC CO
v1 v1
v2 CO R v2 CC
vs R
vs t   v1 t  vs t   v2 t 


Principe e(t) = E sinωt

et) st)
+E +E
temps double temps
e(t) alternance s(t)
-E -E
Montage pratique Redressement double alternance à 4 diodes

A
D1 D2
~
Secteur eg ve M N
230 V
(1) (2)
D4 D3 vs
B
Mono-transformateur
ve(t) = E sinωt
Tracé de Vs(t)
ve(t) vs(t)
+E
ve > 0
ve(t) = E sinωt temps

ve < 0
-E
alors e  0 et v A   et vB    t  T alors e  0 et v A   et vB  
T T
si 0  t  si
2 2
D2 et D4 : passantes et D1 et D3 : bloquées D2 et D4 : bloquées et D1 et D3 : passantes
A A
CO CO
M CC N M CC N
ve
ve CC CC
CO R C0 R v
vs
B B
vs t   ve t  vs t   ve t 

Tracé de Vs = f(Ve) Redressement simple alternance
vs
+E
-E +E ve
-E
ve < 0  vs = - ve ve > 0  vs = ve
Courbe de transfert direct en tension

4°) Circuit d’ecrêtage

Principe
vet) vs(t)
+E
+E
temps v (t) écrêteur vs(t) te
e
-E -E
ve(t) = E sinωt
Montage pratique
R
~ ve(t) vs(t)
+
ve(t) = E sinωt E0 -

Si ve > E alors vs = ve Si ve < E0 alors vs = E0

R R
CO CC
~ ve(t)
+ vs(t) ~ ve(t) + vs(t
E0 E0 -
-
vs t   ve t  vs t   E0
VA  VK DB  CO VA  VK DP  CC
Le + de côté de K Le - de côté de K
Le – de côté de A Le + de côté de A

+E
-E
E0
Tracé de Vs(t)
FSTM : DEUST - MIP

ve(t)

vs(t)
Si e < E0 alors
s = E0
Pr . A. BAGHDAD
ve < E0
ve > E0
temps
61
FSTM : DEUST - MIP

-E
Si ve < E0 alors vs = E0
E0
vs
-E
+E
E0
Circuit écrêteur
+E
Si ve > E alors

vs = ve
ve
Pr . A. BAGHDAD
62
5°) Circuit limiteur

Principe
vet) vs(t)
+E
+E E1
temps v (t) limiteur vs(t)
e
E2 tem
-E
ve(t) = E sinωt
-E
Montage pratique
R
D1 D2
~ ve(t) vs(t)
+ +
E1 E2 -
-

Tracé de Vs(t)
Si ve > E1 > E2 D1 P D2 B vs = E1
Si E2 < ve < E1 D1 B D2 B vs = ve
Si ve < E2 < E1 D1 B D2 P vs = E2
ve(t) vs(t)
+E ve > E1 > E2
E1 E2 < ve < E1
E2 temps
ve < E2 < E1
-E
Si e > E1 > E2 alors e = E1 Si e < E2 < E1 alors e = E2 Si E2 < e < E1 alors e = s

Si e > E1 et e > E2 alors e = E1 Si e < E2 et e < E1 alors e = E2 Si e < E1 et e > E2 alors e = s

vs
+E
+ E1
+ E2
-E + E2 + E1 + E ve
-E
Si ve < E1 et ve < E2  vs = E2 Si ve < E1 et ve > E2  vs = ve Si ve > E1 et ve > E2  vs = E1

6°) Caractéristiques des signaux périodiques

T
 st   s   st  dt
1
Valeur moyenne : S moy
T0
T
 t  dt
1
Valeur efficace : S eff  s 2
T 0
Cas particulier :
S max
Si le signal est sinusoïdal, s(t) = Smax cos(ω t), on obtient : S moy  0 et Seff 
2
S eff
Facteur de forme : F 
S mo y
Taux d’ondulation :   F 2 1 
S ond
S moy
comme Seff  S moy  Sond
2 2 2

Seff
S moy
2
2
 1
Sond
S moy
2
F 2  1  2

7°) Redressement et filtrage

Principe
vet) vst)
+E V
temps v (t) redressement
e et filtrage
vs(t)
temps
-E
ve(t) = E sinωt vs(t) = V = cte
Entrée Sortie
alternative continue
sinusoïdale

Redressement simple alternance Principe d’un chargeur de batterie

~
Secteur
230 V
eg ve
D
R
C
+
-
-
vs
(1) (2) 12 V
Transformateur Ve(t) =VMax sinωt = 12√2 sinωt

abaisseur
τ = RC la constante de temps du circuit « filtre passe bas »
Signal alternatif Signal monoalternance Signal continu

Ondulation = ∞ Ondulation = 1,21 Ondulation = 0
Le passage d’une ondulation infinie à nulle est impossible, le passage par un
redressement simple (1,21) ou double (0,48) est indispensable. Mieux avec le double.

  RC  '  RC '  ' '  RC ' '

vs(t)
temps
 ' '  '  car C ' ' C ' C

Vond
  RC   Déch arg e très lente

  RC  0 Déch arg e très rapide
e1(t) Signal alternatif sinusoïdal

+E
temps
T
-E
e2(t) Signal redressement mono alternance

+E
temps
T
-E
e3(t) Signal redressement double alternance

+E
temps
T
-E

FSTM : DEUST - MIP

Fin du chapitre VI
Pr . A. BAGHDAD
71

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UNIVERSITE HASSAN II CASABLANCA – FACULTE DES SCIENCES ET TECHNIQUES MOHAMMEDIA

DEUST - MIP – MODULE : E 141 – CIRCUITS ÉLECTRIQUES ET ÉLECTRONIQUES

FSTM : DEUST - MIP

E141 : Circuits Électriques et Électroniques

Chapitre II : Régime continu

Chapitre III : Régime alternatif sinusoïdal Partie A

Chapitre V : Les filtres passifs

Chapitre VI : Les diodes

Chapitre VIII : L’amplificateur opérationnel

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 2

FSTM : DEUST - MIP

E141 : Circuits Électriques et Électroniques

I. Généralités sur les diodes

II. Fonctionnement d’une diode à jonction

III. Applications de la diode à jonction

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 4

FSTM : DEUST - MIP

1°) Définition de la diode à jonction

2°) L’anode et la cathode

4°) Le seuil de la jonction

5°) Tension de claquage

6°) Les différents type de diode

7°) Utilisation des diodes

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 6

1°) Définition de la diode à jonction

► Les diodes standards sont essentiellement fabriquer soit du silicium, ou le

► Le silicium : Le silicium, est un élément qui se trouve abandonnement dans la

► On le trouve, principalement, associer à l’oxygène pour former la silice,

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 7

► En incorporant, au silicium pur, de très faibles proportions d’autres éléments

► Par cette méthode, on sait fabriquer deux types de semi-conducteurs : le type P

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 8

2°) L’anode et la cathode

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 9

► Une diode permet de contrôler la circulation du courant.

► Cette caractéristique permet de redresser un courant alternatif, pour ne laisser

La diode est représentée par son symbole normalisé :

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 10

4°) Le seuil de la jonction

► Il correspond à la tension de seuil ou la diode commence à conduire dans le sens

conductrice : c’est le seuil de la jonction.

► Pour une diode au silicium, ce seuil est de l’ordre de 0,6 V.

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 11

5°) Tension de claquage

► En polarisation inverse, on constate que si l’on dépasse une certaine valeur de

► Ce phénomène est du soit à l’effet d’avalanche, soit à l’effet Zéner. le claquage

polarisation inverse Polarisation directe

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 12

6°) Différents type de diodes

► Il existe plusieurs catégories de diodes semi-condutrices, parmi elles, on y trouve :

■ la diode Tunnel DEL ou LED Photodiode

■ la diode Impatt, Diode Tunnel Diode Varicap

■ la diode Gunn, etc… Diode Schottky

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 13

purs du groupe IV tels que le silicium, germanium … ou de semi-conducteurs

Les semi-conducteurs composites présentent un grand intérêt en raison de leurs

Exemple : groupe III-V

Le cours se limitera à l’étude du fonctionnement de la diode à jonction.

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 14

FSTM : DEUST - MIP

7°) Utilisation des diodes

■ détecte les amplitudes des tensions pour aider au référencement de la tension.

■ elle peut servir de protection contre les surtensions.