Electronique Des Fonctions

Ministère de l’Enseignement Supérieur République de Côte d’Ivoire
et de la Recherche Scientifique Union – Discipline – Travail
Génie Électrique & Électronique
Électronique
Des
Fonctions
1ère année STIC

Cycle ingénieur
UP Électronique
Département Génie Électrique et Électronique (GEE)
Édition 2016
Électronique des Fonctions
SOMMAIRE
CHAPITRE I : APPLICATIONS ELECTRONIQUES A BASE DE DIODES ..................................................... 1

I- LE REDRESSEMENT................................................................................................................................ 2
1- Redressement simple alternance ou mono alternance ..................................................... 2
2- Redressement double alternance à point milieu ................................................................. 7
3- Redressement double alternance à pont de Graëtz ....................................................... 12
II - LE FILTRAGE RC .............................................................................................................................. 18
1- Montage de base (Redresseur simple alternance) ........................................................... 18
2- Etude du montage en régime permanent .......................................................................... 18
3- Caractéristiques électriques de la tension redressée filtrée............................................. 19
III - STABILISATION DE TENSION ........................................................................................................... 22
1- Stabilisateur à diode Zéner ..................................................................................................... 22
2- Stabilisateur à transistor et diode Zéner................................................................................ 23
CHAPITRE II : APPLICATIONS ELECTRONIQUES A BASE DE TRANSISTORS......................................... 25

I- LES PRÉAMPLIFICATEURS : MONTAGES FONDAMENTAUX .......................................................... 26
1- Préamplificateur à émetteur commun (RE découplée) ................................................... 26
2- Préamplificateur à émetteur commun (RE non découplée) ........................................... 35
3- Préamplificateur à base commune ...................................................................................... 37
4- Préamplificateur à collecteur commun ............................................................................... 39
II - LES PREAMPLIFICATEURS : MONTAGES A PLUSIEURS ETAGES ................................................ 42
1- Association de préamplificateurs par liaison directe ........................................................ 42
2- Association de préamplificateurs par liaison capacitive ................................................. 43
CHAPITRE III : APPLICATIONS ELECTRONIQUES A BASE D’AMPLIFICATEUR OPÉRATIONNEL .......... 45
I- LA GENERATION DES SIGNAUX ANALOGIQUES........................................................................... 46
1- Les opérations élémentaires sur les signaux analogiques ................................................ 46
DFR Génie Électronique et Électronique
2- Génération de signaux analogiques élémentaires ........................................................... 49

II - LES FILTRES A AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL ......................................................................... 51
1- Filtre passe - bas ........................................................................................................................ 52
2- Filtre passe - haut ...................................................................................................................... 54
3- Filtre passe - bande .................................................................................................................. 56
I
UP Électronique Édition 2016
CONSIGNES ET RECOMMANDATIONS
Chaque séance de cours d’Électronique des Composants est une occasion d’explication et
d’approfondissement du contenu du support de cours. Il est donc demandé à chaque
étudiant de :
 Préparer chaque séance de cours ;

 Avoir une réflexion sur les exercices d’applications et les TD proposés ;
 Connaître les pré-requis pour chaque séance de cours.
PROGRESSION
La progression du cours d’Électronique des Composants est la suivante :
Séance 1 Chapitres I : Applications électroniques à base de diodes 3H
Chapitres I : Applications électroniques à base de diodes

Séance 2 3H
TD N°1 : Chapitres I
Séance 3 Chapitres II : Applications électroniques à base de transistor bipolaire 3H
Séance 4 Chapitres II : Applications électroniques à base de transistor bipolaire 3H
Séance 5 TD N°2 : Chapitre II 3H
Séance 6 Chapitres III : Applications électroniques à base de circuit intégré 3H
Séance 7 Chapitres III : Applications électroniques à base de circuit intégré 3H
Séance 8 TD N°3 : Chapitre III 3H
Séance 9 Evaluation Terminale (Programmer par la Direction des Etudes de l’ESI) 3H

II
CHAPITRE I : APPLICATIONS ELECTRONIQUES A BASE DE DIODES

Objectifs du cours :
Etudier quelques applications en électronique faisant intervenir les diodes. On se limitera à
l’étude de quelques blocs fonctionnels d’une alimentation stabilisée et régulée.
Prérequis :
 Electronique des composants ;
 Equation différentielle ;
 Calcul intégral ;
Durée du cours : 6 Heures
INTRODUCTION
L’une des applications courantes de la diode à jonction est le redressement de tensions
sinusoïdales dans le but de réaliser une alimentation (Convertisseur AC/DC). Dans la plupart
des cas, la tension sinusoïdale à redresser est fournie par le secteur électrique 220V / 50Hz et
abaissé au niveau désiré par un transformateur. Le schéma fonctionnel d’une alimentation
stabilisée ou régulée se présente comme suit :
V1 V2 Vr Vf Vs
Secteur Transformateur Stabilisateur
Redressement Filtrage Charge
CIE ABAISSEUR Régulateur
V1 V2 Vr Vf Vs
Figure I.a : Schéma fonctionnel d'une alimentation stabilisée

1
I- LE REDRESSEMENT
La tension à la sortie du transformateur V2(t) est une tension sinusoïdale. Sa valeur moyenne
étant nulle, il est donc nécessaire de réaliser un circuit redresseur juste à la sortie du
transformateur qui fonctionnera comme un interrupteur non commandé c’est-à-dire qui
s’ouvrira et se fermera automatiquement à chaque alternance. L’objectif recherché est de
modifier la forme de la tension V2(t) afin d’obtenir une valeur moyenne non nulle.
Les électroniciens emploient les diodes à jonction pour des faibles puissances (P < 200 W) et les
électriciens utilisent les thyristors pour des puissances élevées (0,2 kW < P < 2 kW).
Il existe principalement trois types de circuits redresseurs à base de diodes à jonction :
 Le circuit redresseur simple alternance ;

 Le circuit redresseur double alternance à point milieu ;
 Le circuit redresseur double alternance à pont de Graëtz.
1- Redressement simple alternance ou mono alternance

1-1- Montage de base
Considérons le circuit redresseur simple alternance ci-dessous.
TR D
V1(t) V2(t) Vr(t)

RL
Figure
CircuitI.1.1.a : Circuit redresseur
redresseur simplesimple alternance
alternance
Soit V2 (t) = EMax Sin (ωt), la tension à l’entrée du circuit redresseur et VR (t) la tension redressée
aux bornes de la charge. La charge du circuit est matérialisée par la résistance RL.
1-2- Etude du montage
La diode D est supposée réelle c’est-à-dire Vd = 0,6 V et Rd ≠ 0 Ω.
 Résolution analytique
T
En alternance positive de V2 (t) : t ϵ [0 ; ] et V2 (t) = EMax Sin (ωt)
2
(P1) Etat susceptible de D

Le courant direct traversant la diode D étant positif, alors la diode est susceptible d’être dans
un état passant.
(P2) Schéma équivalent du circuit

On admet que la diode D est dans un état passant. En remplaçant D par son schéma
électrique équivalent, on obtient le circuit ci-après.
2
Vak
Vak Circuit redresseur double alternance à p
TR i2(t) A
A Rd
Rd K
K
Vd
Vd
V1 = 220 V
V1(t) V2(t)
V2(t) >> 00 RL
RL Vr(t)
V3(t)
Figure I.1.2.a Diode passante

: Schéma équivalent du circuit redresseur
passante
(P3) Relation entre V2 (t) et VAK

En se plaçant à la limite du blocage de la diode (i2(t) = 0 mA), on obtient par application de
la loi des mailles de Kirchhoff VAK = V2 (t).
(P4) Intervalle de temps de conduction et de blocage de D

La diode D conduit le courant (état passant) dès lors que V AK > Vd c’est-à-dire V2 (t) > Vd.
T
La résolution de l’équation V2 (t) = Vd sur l’intervalle [0 ; ] donne :
2
1 Vd T
t1 = Arcsin ( ) et t2 = - t1 . D’où les intervalles de temps de conduction et de blocage
2πF EMax 2
T
de D sont respectivement ]t1 ; t2 [ et [0 ; t1 ] ∪ [t2 ; ].
2
(P5) Expression de la tension redressée VR (t)

 Pour t ϵ ]t1 ; t2 [ : La diode D est dans un état passant et d’après la figure I.1.2.a, on a
RL Vd
VR (t) = K[Sin(ωt) - a] avec K = EMax et a = .
RL + Rd EMax
T
 Pour t ϵ [0 ; t1 ] ∪ [t2 ; ] : La diode D est dans un état bloqué c’est-à-dire qu’aucun
2
courant ne traverse la résistance RL alors on a VR (t) = 0.
T
En alternance négative de V2 (t) : t ϵ [ ; T] et V2 (t) = EMax Sin (ωt)
2
(N1) Etat susceptible de D

Le courant direct traversant la diode D étant négatif, alors la diode est sûrement dans un état
bloqué.
(N2) Schéma équivalent du circuit

La diode D est dans un état bloqué. En remplaçant D par son schéma électrique équivalent,
on obtient le circuit ci-dessous.
Vak
TR i2(t) A K
V1(t) V2(t) < 0 RL Vr(t)
Diode
Figure I.1.2.b : Schéma bloquée
équivalent du circuit redresseur
3
(N3) Intervalle de temps de conduction et de blocage de D

En alternance négative, le courant direct traversant la diode D est négatif. La diode D est donc
T
dans un état bloqué. D’où l’intervalle de temps de blocage de D est [ ; T].
2
(N4) Expression de la tension redressée VR (t)

T
Pour t ϵ [ ; T] : La diode D est dans un état bloqué et d’après la figure I.1.2.b aucun courant
2
ne traverse la résistance RL alors on a VR (t) = 0.
 Représentation graphique
On a V2 (t) = EMax Sin (ωt)

(V)
EMax Pour t ϵ [0 ; t1 ]∪[t2 ; T], on a VR (t) = 0
K (1 – a)
VR (t) Pour t ϵ ]t1 ; t2 [, on a VR (t) = K[Sin(ωt) - a]
Vd
0 t ½T T
1 t (s)
θ1 π 2π θ (rad)
V2 (t)
- EMax
Figure I.1.2.c : Représentation graphique de VR (t)
1-3- Caractéristiques électriques de la tension redressée
(V)
K (1 – a)
VR (t)
0 t1 t2 T t (s)
θ1 θ2 2π θ (rad)
Figure I.1.3.a : Représentation graphique de VR (t)
La tension VR (t) est périodique de période T.

 Valeur moyenne VR Moy
On appelle valeur moyenne d’un signal S(t) la valeur continue constante ou encore la
1 T
composante continue de ce signal. Elle est définie par S Moy = ∫0 S(t)dt où T représente la
T
période de S(t).
La tension VR(t) est définie par intervalle et on a :

 Pour t ϵ [0 ; t1 ]∪[t2 ; T], VR (t) = 0
RL Vd
 Pour t ϵ ]t1 ; t2 [, VR (t) = K[Sin(ωt) - a] avec K = EMax et a =
RL + Rd EMax
1 T 1 t
On a : VR Moy = ∫0 VR (t)dt = ∫t 2 VR (t)dt
T T 1
1 π - θ1
En posant θ = ωt, VR Moy = ∫ VR (θ)dθ avec VR (θ) = K[Sin(θ) - a]
2π θ1
4
K
Après calcul on obtient VR Moy = [2 Cos(θ1 ) - a(π - 2θ1 )]
2π
On a : θ1 = Arcsin (a) alors Sin(θ1 ) = a
K
Ainsi on peut écrire VR Moy = [2 Cos(θ1 ) - (π - 2θ1 ) Sin(θ1 )]
2π
 Valeur efficace VR Eff
On appelle valeur efficace d’un signal S(t) la valeur continue constante qui produirait le même
2 1 T
effet énergétique que S(t) sur un dipôle purement résistif. Elle est définie par S Eff = √ ∫0 S (t)dt
T
où T représente la période de S(t).

1 T 1 t
On a : V2R Eff = ∫0 V2R (t) dt = ∫t 2 V2R (t) dt
T T 1
θ -π
1
En posant θ = ωt, V2R Eff = ∫θ 1 V2R (θ) dθ avec VR (θ) = K[Sin(θ) - a]
2π 1
2 1
Sachant que [sin (θ) ] = [1- cos (2θ)] , Sin(2π - 2θ1 )= - Sin(2θ1 ) et Cos(π - θ1 )= - Cos(θ1 ) ,
2
K2
on obtient après calcul V2R Eff = [(1+2a2 )(π - 2θ1 ) + Sin(2θ1 ) - 8a Cos(θ1 ) ]
4π
Or Sin(θ1 ) = a et 2 Sin(θ1 ) Cos(θ1 ) = Sin(2θ1 )

K2
On peut donc écrire V2R Eff = [(π - 2θ1 )(2 - Cos(2θ1 )) - 3 Sin(2θ1 )]
4π
K 1⁄
D’où VR Eff = [(π - 2θ1 )(2 - Cos(2θ1 )) - 3 Sin(2θ1 )] 2
2√π
 Ondulation VR Ond (t) et valeur efficace VR Ond Eff
L’ondulation d’un signal S(t) correspond au signal auquel on a extrait sa composante continue.
C’est tout simplement la composante alternative du signal S(t). Elle s’écrit S Ond (t) = S(t) - S Moy.
Ainsi, on a : VR Ond (t) = VR (t) – VR Moy

1⁄
On démontre que VR Ond Eff = [V2R Eff − V2R Moy ] 2
 Facteur de forme Fa - Taux d’ondulation θOnd
Le facteur de forme Fa et le taux d’ondulation θOnd sont tous deux des coefficients qui
permettent de quantifier la valeur efficace d’un signal par rapport à sa valeur moyenne.
SEff SOnd Eff
Ils sont définis respectivement par Fa = et θOnd = .
SMoy SMoy
2
Le facteur de forme et le taux d’ondulation sont liés par la relation F2a = 1 + θOnd
5
Exercice d’application I.1.a :

Reprendre l’étude du circuit redresseur simple alternance (figure I.1.1.a) en considérant que :
1 - La diode D est idéale
2 - La diode D est parfaite
On pourra vérifier les différents calculs par l’exploitation des résultats du cours (diode D réelle)
Exercice d’application I.1.b :

On se propose de déterminer les caractéristiques électriques de la tension de sortie du circuit
électronique ci-dessous.
D
On donne :
V(t) R Vr(t)
R = 10 Ω
V(t) = VMax Sin(100πt) avec VMax = 25√2 V
La diode D est supposée parfaite.
1- Déterminer sur une période l’intervalle de temps de conduction de D.

2- Déterminer l’expression de la tension redressée VR (t).
3- Tracer sur le même graphe les oscillogrammes de V(t) et VR (t).
4- Calculer la valeur moyenne et la valeur efficace de V R (t).
5- Déduire le facteur de forme et le taux d’ondulation de V R (t).
6- Que vaut la puissance dissipée Pd dans la charge R.
6
2- Redressement double alternance à point milieu

Considérons le circuit redresseur double alternance à point milieu ci-dessous.
D1
TR
V2(t)
V1(t)
RL Vr(t)
-V2(t)
D2
Circuit redresseur
Figure I.2.1.a double
: Circuit redresseur alternance
double àpoint
alternance à point milieu
milieu
Le transformateur à point milieu TR possède deux (02) enroulements en sortie.

EMax
Soit V2 (t) = Sin (ωt), la tension à l’entrée supérieure du circuit redresseur et VR (t) la tension
2
redressée aux bornes de la charge. La charge du circuit est matérialisée par la résistance RL.
On admet que les diodes D1 et D2 sont identiques.
Les diodes D1 et D2 sont supposées réelles c’est-à-dire Vd = 0,6 V et Rd ≠ 0 Ω.
T EMax
En alternance positive de V2 (t) : t ϵ [0 ; ] et V2 (t) = Sin (ωt)
2 2
(P1) Etat susceptible des diodes

Le courant direct provenant de V2 (t) et traversant la diode D1 est positif alors la diode D1 est
susceptible d’être dans un état passant. Par contre, le courant direct provenant de - V2 (t) et
traversant la diode D2 est négatif alors la diode D2 est sûrement dans un état bloqué.

On admet que la diode D1 est dans un état passant. En remplaçant D1 et D2 par leurs schémas
électriques équivalents, on obtient le circuit ci-dessous.
Vak1
A Rd K
TR Vd
i2(t)
V2(t) > 0
V1(t)
RL Vr(t)
-V2(t) < 0
A K
Vak2
Figure I.2.2.a : Schéma équivalent du circuit redresseur
7
(P3) Relation entre V2 (t) et VAK1

En se plaçant à la limite du blocage de la diode D1 (i2(t) = 0 mA), on obtient par application
de la loi des mailles de Kirchhoff VAK1 = V2 (t).
(P4) Intervalle de temps de conduction et de blocage des diodes

La diode D1 conduit le courant (état passant) dès lors que V AK1 > Vd c’est-à-dire V2 (t) > Vd.
T
La résolution de l’équation V2 (t) = Vd sur l’intervalle [0 ; ] donne :
2
1 2 Vd T
2πF EMax 2
T
de D1 sont respectivement ]t1 ; t2 [ et [0 ; t1 ] ∪ [t2 ; ].
2
T
Quant à la diode D2, elle est dans un état bloqué sur [0 ; ].
2
(P5) Tableau récapitulatif de l’état des diodes
Alternance positive de V2 (t)

Diodes T
[0 ; t1 ] ]t1 ; t2 [ [t2 ; ]
2
D1 Etat bloqué Etat passant Etat bloqué
D2 Etat bloqué Etat bloqué Etat bloqué

 Pour t ϵ ]t1 ; t2 [ : Seule la diode D1 est dans un état passant et d’après la figure I.2.2.a,
RL 2 Vd
on a VR (t) = K[Sin(ωt) - a] avec K = EMax et a = .
2 (RL + Rd ) EMax
T
 Pour t ϵ [0 ; t1 ] ∪ [t2 ; ] : Toutes les diodes sont dans un état bloqué c’est-à-dire
2
qu’aucun courant ne traverse la résistance RL alors on a VR (t) = 0.
T EMax
En alternance négative de V2 (t) : t ϵ [ ; T] et V2 (t) = Sin (ωt)
2 2
(N1) Etat susceptible des diodes

Le courant direct provenant de -V2 (t) et traversant la diode D2 est positif alors la diode D2 est
susceptible d’être dans un état passant. Par contre, le courant direct provenant de V2 (t) et
traversant la diode D1 est négatif alors la diode D1 est sûrement dans un état bloqué.

On admet que la diode D2 est dans un état passant. En remplaçant D1 et D2 par leurs schémas
électriques équivalents, on obtient le circuit ci-dessous.
Vak1
A K
TR
i2(t)
V2(t) < 0
V1(t)
RL Vr(t)
-V2(t) > 0
Vd
A Rd K
Vak2
Figure I.2.2.b : Schéma équivalent du circuit redresseur
8
(N3) Relation entre V2 (t) et VAK2

En se plaçant à la limite du blocage de la diode D 1 (i2(t) = 0 mA), on obtient par application
de la loi des mailles de Kirchhoff VAK2 = - V2 (t).
(N4) Intervalle de temps de conduction et de blocage des diodes

La diode D2 conduit le courant (état passant) dès lors que V AK2 > Vd c’est-à-dire - V2 (t) > Vd.
T
La résolution de l’équation - V2 (t) = Vd sur l’intervalle [ ; T] donne :
2
T 1 2 Vd T
t3 = + Arcsin ( )= + t1 et t4 = T - t1 . D’où les intervalles de temps de conduction et de
2 2πF EMax 2
T
blocage de D2 sont respectivement ]t3 ; t4 [ et [ ; t3 ] ∪[t4 ; T].
2
T
Quant à la diode D1, elle est dans un état bloqué sur [ ; T].
2
(N5) Tableau récapitulatif de l’état des diodes
Alternance négative de V2 (t)

Diodes T
[ ; t3 ] ]t3 ; t4 [ [t4 ; T]
2

 Pour t ϵ ]t3 ; t4 [ : Seule la diode D2 est dans un état passant et d’après la figure I.2.2.b,
RL 2 Vd
on a VR (t) = K[Sin(ωt) - a] avec K = EMax et a = .
2 (RL + Rd ) EMax
T
 Pour t ϵ [ ; t3 ] ∪[t4 ; T] : Toutes les diodes sont dans un état bloqué c’est-à-dire qu’aucun
2
EMax
On a V2 (t) = Sin (ωt)
2
Pour t ϵ [0 ; t1 ] ∪[t2 ; t3 ]∪[t4 ; T], on a VR (t) = 0
Pour t ϵ ]t1 ; t2 [∪]t3 ; t4 [, on a VR (t) = K[Sin(ωt) - a]
(V)
EMax
2 V2 (t)
K (1 – a)
VR (t)
Vd
0 t1 ½T T t (s)
θ1 π 2π θ (rad)
EMax -V2 (t)

−
2
9
(V)
K (1 – a)
VR (t)
0 t1 ½T t (s)
θ1 π θ (rad)
Figure I.2.3.a : Représentation graphique de VR (t)

T
La tension VR (t) est périodique de période .
2
 Pour t ϵ [0 ; t1 ] ∪[t2 ; t3 ]∪[t4 ; T], VR (t) = 0

RL 2 Vd
 Pour t ϵ ]t1 ; t2 [∪]t3 ; t4 [, VR (t) = K[Sin(ωt) - a] avec K = EMax et a = .
2 (RL + Rd ) EMax
2 T⁄2 2 t
T T 1
1 π - θ1
En posant θ = ωt, VR Moy = ∫θ VR (θ)dθ avec VR (θ) = K[Sin(θ) - a]
π 1
K
π

K
π

2 T⁄2 2 t
T T 1
1 θ -π
π 1
2 1
2
K2

K2
π
K 1⁄
√2π
10

En exploitant les différents résultats obtenus dans l’étude du circuit redresseur double
alternance à point milieu (figure I.2.1.a) et en considérant maintenant que les diodes D1 et D2
sont identiques et parfaites :
1- Déterminer sur une période de V2(t) l’intervalle de temps de conduction des diodes.
2- Déterminer l’expression de la tension redressée VR (t).
3- Tracer sur le même graphe les oscillogrammes de V2(t) et VR (t).
4- Calculer la valeur moyenne et la valeur efficace de V R (t).
5- Déduire le facteur de forme et le taux d’ondulation de VR (t).
On donne : V2(t) = EMax Sin (100πt) avec EMax = 25√2 V et RL = 10 Ω

11
3- Redressement double alternance à pont de Graëtz

Considérons le circuit redresseur double alternance à pont de Graëtz ci-dessous.
TR
D1 D4 i2(t) V1(t)
V1(t) V2(t) RL Vr(t)
D2 D3
Figure I.3.1.a : Circuit redresseur double alternance à pont de Graëtz
Soit V2 (t) = EMax Sin (ωt), la tension à l’entrée du circuit redresseur et VR (t) la tension redressée
aux bornes de la charge. La charge du circuit est matérialisée par la résistance RL.
On admet que les diodes D1, D2, D3 et D4 sont identiques.

Les diodes D1, D2, D3 et D4 sont supposées réelles c’est-à-dire Vd = 0,6 V et Rd ≠ 0 Ω.
T
En alternance positive de V2 (t) : t ϵ [0 ; ] et V2 (t) = EMax Sin (ωt)
2
(P1) Etat susceptible des diodes

Le courant direct provenant de V2 (t) et traversant les diodes D1 et D3 est positif alors les diodes
D1 et D3 sont susceptibles d’être dans un état passant. Par contre, le courant direct provenant
de V2 (t) et traversant les diodes D2 et D4 est négatif alors les diodes D2 et D4 sont sûrement dans
un état bloqué.

On admet que les diodes D1 et D3 sont dans un état passant. En remplaçant les diodes par
leurs schémas électriques équivalents, on obtient le circuit ci-dessous.
K K
Rd
Vak1 Vak4
TR Vd
i2(t)
A A
V1(t) V2(t) > 0 RL Vr(t) V1(t)
K K
Rd
Vak2 Vak3
Vd
A A
Figure I.3.2.a : Schéma équivalent du circuit redresseur
12
(P3) Relation entre V2 (t) et VAK

En se plaçant à la limite du blocage des diodes D1 et D3 (i2(t) = 0 mA), on obtient par
application de la loi des mailles de Kirchhoff VAK = V2 (t) avec VAK = VAK1 + VAK3.
(P4) Intervalle de temps de conduction et de blocage des diodes

Les diodes D1 et D3 conduisent le courant (état passant) dès lors que V AK > 2 Vd c’est-à-dire
V2 (t) > 2 Vd.
T
La résolution de l’équation V2 (t) = 2 Vd sur l’intervalle [0 ; ] donne :
2
1 2 Vd T
2πF EMax 2
T
de D1 et D3 sont respectivement ]t1 ; t2 [ et [0 ; t1 ] ∪ [t2 ; ].
2
T
Quant aux diodes D1 et D3, elle est dans un état bloqué sur [0 ; ].
2
(P5) Tableau récapitulatif de l’état des diodes
Alternance positive de V2 (t)

Diodes T
[0 ; t1 ] ]t1 ; t2 [ [t2 ; ]
2

 Pour t ϵ 1 ; t2 [ : Seules les diodes D1 et D3 est dans un état passant et d’après la figure
]t
RL 2 Vd
I.3.2.a, on a VR (t) = K[Sin(ωt) - a] avec K = EMax et a = .
RL + 2 Rd EMax
T
 Pour t ϵ [0 ; t1 ] ∪ [t2 ; ] : Toutes les diodes sont dans un état bloqué c’est-à-dire
2
qu’aucun courant ne traverse la résistance RL alors on a VR (t) = 0.
T
En alternance négative de V2 (t) : t ϵ [ ; T] et V2 (t) = EMax Sin (ωt)
2
(N1) Etat susceptible des diodes

Le courant direct provenant de V2 (t) et traversant les diodes D2 et D4 est positif alors les diodes
D2 et D4 sont susceptibles d’être dans un état passant. Par contre, le courant direct provenant
de V2 (t) et traversant les diodes D1 et D3 est négatif alors les diodes D1 et D3 sont sûrement dans
un état bloqué.
13

On admet que les diodes D2 et D4 sont dans un état passant. En remplaçant les diodes par
leurs schémas électriques équivalents, on obtient le circuit ci-dessous.
K K
Rd
Vak1 Vak4
TR Vd
i2(t)
A A
V1(t) V2(t) < 0 RL Vr(t)
K K
Rd
Vak2 Vak3
Vd
A A
Figure I.3.2.b : Schéma équivalent du circuit redresseur
(N3) Relation entre V2 (t) et VAK

En se plaçant à la limite du blocage des diodes D2 et D4 (i2(t) = 0 mA), on obtient par
application de la loi des mailles de Kirchhoff VAK = - V2 (t) avec VAK = VAK2 + VAK4.
(N4) Intervalle de temps de conduction et de blocage des diodes

Les diodes D2 et D4 conduisent le courant (état passant) dès lors que V AK > 2 Vd c’est-à-dire
- V2 (t) > 2 Vd.
T
La résolution de l’équation - V2 (t) = 2 Vd sur l’intervalle [ ; T] donne :
2
T 1 2 Vd T
t3 = + Arcsin ( )= + t1 et t4 = T - t1 . D’où les intervalles de temps de conduction et de
2 2πF EMax 2
T
blocage des diodes D2 et D4 sont respectivement ]t3 ; t4 [ et [ ; t3 ] ∪[t4 ; T].
2
T
Quant aux diodes D1 et D3, elles sont dans un état bloqué sur [ ; T].
2
(N5) Tableau récapitulatif de l’état des diodes
Alternance négative de V2 (t)

Diodes
T
[ ; t3 ] ]t3 ; t4 [ [t4 ; T]
2

 Pour t ϵ ]t3 ; t4 [ : Seules les diodes D2 et D4 sont dans un état passant et d’après la figure
RL 2 Vd
I.3.2.b, on a VR (t) = K[Sin(ωt) - a] avec K = EMax et a = .
RL + 2 Rd EMax
T
 Pour t ϵ [ ; t3 ] ∪[t4 ; T] : Toutes les diodes sont dans un état bloqué c’est-à-dire qu’aucun
2
14
On a V2 (t) = EMax Sin (ωt)

Pour t ϵ [0 ; t1 ] ∪[t2 ; t3 ]∪[t4 ; T], on a VR (t) = 0
Pour t ϵ ]t1 ; t2 [∪]t3 ; t4 [, on a VR (t) = K[Sin(ωt) - a]
(V)
EMax
V2 (t)
K (1 – a)
VR (t)
2 Vd
0 t1 ½T T t (s)
θ1 π 2π θ (rad)
EMax
(V)
K (1 – a)
VR (t)
0 t1 ½T t (s)
θ1 π θ (rad)

T
La tension VR (t) est périodique de période .
2
 Pour t ϵ [0 ; t1 ] ∪[t2 ; t3 ]∪[t4 ; T], VR (t) = 0

RL 2 Vd
 Pour t ϵ ]t1 ; t2 [∪]t3 ; t4 [, VR (t) = K[Sin(ωt) - a] avec K = EMax et a = .
RL + 2 Rd EMax
2 T⁄2 2 t
T T 1
1 π - θ1
En posant θ = ωt, VR Moy = ∫θ VR (θ)dθ avec VR (θ) = K[Sin(θ) - a]
π 1
K
π

K
π
15

2 T⁄2 2 t
T T 1
1 θ -π
π 1
2 1
2
K2
π

2
K
π
K 1⁄
√2π
16

Reprendre l’étude du circuit redresseur double alternance à pont de Graëtz (figure I.3.1.a) en
considérant que :
1 - Les diodes D1, D2, D3 et D4 sont idéales
2 - Les diodes D1, D2, D3 et D4 sont parfaites
On pourra vérifier les différents calculs par l’exploitation des résultats du cours (diodes réelles)
Exercice d’application I.3.b :

Soit le circuit électronique n°1 ci-dessous.
D1 D2
TR 1N4007 1N4007 Ir(t)
V1(t) V2(t) RL Vr(t)

Secteur CIE
D4 D3
1N4007 1N4007
Circuit électronique n°1
La tension à la sortie du transformateur TR est définie par V 2(t) = 25√2V sin (ωt).
On admet que la diode de redressement 1N4007 utilisée est telle que V d = 0,6 V et Rd = 100 Ω.
On donne RL = 1 KΩ.
1- Quel rôle joue le transformateur TR dans le circuit électronique n°1.

2- Donner la période T en ms de la tension V2(t).
3- Déterminer sur une période l’intervalle de temps de conduction des diodes.
4- Déterminer l’expression de la tension redressée Vr(t) sur une période de V 2(t).
5- Tracer sur deux périodes et sur le même graphe les tensions V 2(t) et Vr(t).
On indiquera les points et valeurs remarquables de chaque oscillogramme.
6- Calculer les valeurs moyenne et efficace de la tension redressée Vr(t).
7- Déduire le facteur de forme et le taux d’ondulation de Vr(t).
17
II - LE FILTRAGE RC
A la sortie du circuit redresseur, la tension redressée a une valeur moyenne non nulle.
Cependant, cette tension redressée présente de fortes ondulations. Ainsi, pour obtenir une
tension redressée presque constante, il faut donc réaliser un filtrage. Le filtrage permettra de
diminuer autant que possible les ondulations superposées à la composante continue (valeur
moyenne) de la tension redressée. Dans la plupart des cas, on utilise un filtrage passe bas qui
laisse passer la composante continue et atténue la composante alternative. Il existe
principalement deux types de filtrage :
 Le filtrage RC ;
 Le filtrage RL ;
Dans cette partie du chapitre, nous nous limiterons au filtrage RC.
La réalisation d’un filtrage RC se fait en insérant un condensateur à la suite du circuit redresseur
mais en parallèle avec la charge. Ce condensateur a pour but de lisser la tension redressée
afin que celle-ci soit presque constante. Pour ce faire, le condensateur stocke de l’énergie
pendant la phase de conduction de la diode puis la restitue à travers la charge RL lorsque la
diode est dans un état bloqué.
Les condensateurs utilisés pour ce filtrage sont des condensateurs électrolytiques chimiques
couramment appelés condensateurs chimiques. Ces condensateurs sont polarisés.
1- Montage de base (Redresseur simple alternance)
D ir(t) if(t)
TR
ic(t)
V1(t) V2(t) Vr(t) C Vc(t) RL Vf(t)
Figure II.1.a :Filtrage

Circuit du filtrage
RC RC
2- Etude du montage en régime permanent
Hypothèses :
 La diode D est réelle ;
 La valeur de la capacité du condensateur C est suffisamment grande ;
 Le condensateur C est initialement déchargé ;
 Le temps ti correspond au début du régime permanent.
2-1- Tension redressée VR (t)sans le circuit de filtrage

La diode D étant réelle, on a d’après la partie I.1.2 du chapitre :
 Pour t ϵ [0 ; t1 ]∪[t2 ; T], VR (t) = 0
RL Vd
 Pour t ϵ ]t1 ; t2 [, VR (t) = K[Sin(ωt) - a] avec K = EMax et a =
RL + Rd EMax
2-2- Tension redressée filtrée VF (t)

 Pendant la charge du condensateur :
A partir de ti, le condensateur C stocke de l’énergie fournie par VR (t) jusqu’à ce que la tension
à ses bornes soit la plus grande possible c’est-à-dire VC (t) = VR Max = K (1 - a). Lorsque cette
T
valeur maximale est atteinte (tm = ), on dit que le condensateur est chargé.
4
Donc pour t ϵ [ti ; tm], on a : VF(t) = VC(t) = VR (t) = K[Sin(ωt) - a]
18
 Pendant la décharge du condensateur :

T
A partir de tm = , la tension VAK = V2(t-) – VC (tm) aux bornes de la diode devient inférieure à la
4
tension Vd. La diode D est alors dans un état bloqué et le circuit équivalent est donné par la
figure II.2.2.a. if(t)
TR
ic(t)
V1(t) V2(t) C Vc(t) RL Vf(t)
Figure II.2.2.a : Circuit de décharge du condensateur
Le condensateur se comporte par conséquent comme un générateur en restituant l’énergie

emmagasinée à travers la charge RL jusqu’à ce que la tension VAK = V2 (t) – VC (t) aux bornes
de la diode redevienne supérieure à Vd. Lorsque cette condition est vérifiée (t = tf), la diode D
conduit et le condensateur commence à se charger de nouveau.
L’équation différentielle de décharge du condensateur C s’écrit :
dVF (x) 1
Pour x ϵ [tm ; tf], on a : + τ VF (x) = 0 avec x = t - tm et τ = RL C
dx
1
La résolution de l’équation donne VF (t) = A e- τ (t - tm) avec A = VF Max = K (1 - a)
2-3- Représentation graphique de VF (t)
(V)
K (1 – a)
VF (t)
VR (t)
0 t1 ti tm T tf t (s)
Figure II.2.3.a : Représentation graphique de VF (t)
3- Caractéristiques électriques de la tension redressée filtrée

En négligeant le temps de charge du condensateur devant son temps de décharge qui est
approximativement égal à T et en effectuant un développement limité de l’exponentielle au
(t - tm )
premier ordre, on obtient : VF (t) = VF Max [1 - ]
τ
La tension VF(t) est donc une succession de rampes décroissantes.
(V)
VF Max Légende :
∆VF
VF Min VF (t)
VF Moy
VR (t)
0 tm T T+tm t (s)
Figure II.2.3.a : Représentation approximative de VF (t)
La tension redressée filtrée VF(t) aux bornes de la charge RL peut être considérée comme la
superposition d’une tension continue VF Moy et d’une tension d’ondulation VF Ond.
19
3-1- Ondulation crête à crête ∆VF

On a : ∆VF = VF Max - VF Min
T
Or VF Min = VF (t = T+tm ) = (1 - )VF Max
τ
T
Donc ∆VF = τ VF Max
3-2- Valeur moyenne VF Moy

1 T 1 T + tm (t - tm )
On a : VF Moy = ∫0 VF (t)dt = ∫t VF (t)dt avec VF (t) = VF Max [1 - ]
T T m τ
T
En posant x = t - tm et après calcul on obtient VF Moy = (1 - )VF Max
2τ
T 1
Donc VF Moy = (1 - )VF Max = VF Max - 2 ∆VF
2𝛕
3-3- Valeur efficace VF Eff

1 T 1 T+tm (t - tm )
On a : V2F Eff = ∫0 V2F (t) dt = ∫t V2F (t) dt avec VF (t) = VF Max [1 - ]
T T m τ
T T2
En posant x = t - tm et après calcul on obtient V2F Eff = V2F Max [1- + ]
τ 3 τ2
1⁄
T T2 2
D’où VF Eff = VF Max [1- τ + ]
3 τ2
3-4- Valeur efficace VF Ond Eff de l’ondulation

1⁄
On démontre que VF Ond Eff = [V2F Eff − V2F Moy ] 2
T T2 T 2
Or V2F Eff = V2F Max [1- + ] et V2F Moy = V2F Max [1- ]
τ 3 τ2 2τ
T ∆VF
Après calcul on obtient VF Ond Eff = VF Max =
2√3 τ 2√3
T ∆VF
Donc VF Ond Eff = VF Max =
2√3 𝛕 2√3
3-5- Calcul du taux d’ondulation θF Ond

VF Ond Eff T 1
On a : θF Ond = = =
VF Moy √3 (2τ - T) √3 (2RL CF - 1)
1
Donc θF Ond =
√3 (2RL CF - 1)
REMARQUE :
Pour un filtrage RC précédé d’un redressement double alternance, la période de la tension

redressée filtrée vaut la moitié de la tension au primaire du transformateur TR. Autrement dire,
la fréquence de la tension redressée filtrée vaut le double de la tension au primaire du
transformateur TR.
20
Exercice d’application II.a :

On désire étudier le circuit de filtrage du montage ci-dessous.
TR
D1 D2
V1(t) V2(t) C RL Vf(t)
D4 D3
On donne :
V2(t) = 25√2V sin (100πt).
RL = 1 KΩ ; C = 1000 μF
Les diodes de redressement utilisées sont supposées idéales et on considère que le temps de
décharge du condensateur est approximativement égal à T.
1 - Tracer sur le même graphe :
(a) La courbe de la tension redressée VR(t)
(b) La courbe de la tension redressée filtrée VF(t).
2 - Calculer :
(a) L’ondulation crête de VF(t)
(b) La valeur moyenne de VF(t)
(c) La valeur efficace de VF(t)
(d) Le taux d’ondulation de VF(t)
21
III - STABILISATION DE TENSION

La tension à la sortie du circuit de filtrage présente encore quelques ondulations plus ou moins
importantes en fonction de la valeur du condensateur utilisée. Ainsi, pour obtenir une tension
plus stable, il faut donc rajouter un circuit stabilisateur de tension, mieux un régulateur intégré
de tension.
Dans cette partie du chapitre, nous nous limiterons aux circuits stabilisateurs de tension.
1- Stabilisateur à diode Zéner

Considérons le circuit stabilisateur ci-dessous constitué d’une diode Zéner DZ et d’une
résistance R.
Vf(t) DZ RL Vs
Figure III.1.1.a : Circuit stabilisateur à diode Zéner
1-2- Etude du montage et tension stabilisée VS

Soit VF (t) la tension redressée filtrée à l’entrée du circuit stabilisateur présentant une certaine
ondulation résiduelle non négligeable comprise entre VF Min et VF Max.
Pour maintenir la tension à la sortie du circuit stabilisateur presque constante, la diode Zéner
doit fonctionner dans la région de claquage. Pour cela, il faut que :
R
 VF Min > (1+ ) VZ
RL
 IZ Min < IZ < IZ Max
Quant à la résistance de polarisation R, elle limite le courant I Z qui traverse la diode Zéner.
VF Moy - VZ
On a : R =
IZ + IS
Une fois que ces conditions sont respectées, on obtient à la sortie du circuit stabilisateur une
tension continue quasiment stable : VS = VZ .
La tension continue à la sortie du circuit est donc fixée par le choix de la diode Zéner.
Le courant à la sortie du circuit stabilisateur est fonction de la charge R L.

L’inconvénient avec le circuit stabilisateur à diode Zéner est que la diode DZ limite le courant
de sortie à une valeur très faible.
22
2- Stabilisateur à transistor et diode Zéner

Considérons le circuit stabilisateur ci-dessous constitué d’une diode Zéner DZ, d’un transistor T
et d’une résistance R.
R
Vf(t) RL Vs(t)
DZ
Figure III.2.1.a : Circuit stabilisateur à transistor et diode Zéner
2-2- Etude du montage et tension stabilisée VS

A la différence du circuit stabilisateur à diode Zéner, ce circuit possède un transistor T qui
permet d’amplifier le courant de sortie. Le choix du transistor détermine la valeur maximale du
courant à la sortie du circuit stabilisateur.
Les conditions précédentes pour faire fonctionner la diode Zéner D Z dans la région de
claquage restent valables. Comme tension stabilisée à la sortie du circuit, on a VS = VZ - VBEQ .
23
Exercice d’application III.a :

Le circuit stabilisateur est constitué principalement d’une diode Zéner et d’un transistor auquel
on a ajouté une LED témoin en sortie comme le montre le montage ci-dessous. La charge RL
est ajustée de sorte à ce que le courant IS = 200 mA. On admet que la valeur moyenne VDC de
la tension redressée filtrée vaut 15 V.
Idc Is
T
R2 R1
Vdc Rl Vs
Dz Vz D1
On donne :
T (2N2222A) : VBEQ = 1 V et β = 104
DZ (BZX55C13V) : VZ = 13 V et IZ = 18 mA
D1 (LED) : Ф = 3 mm ; R1 = 1 KΩ
1- Déterminer la tension aux bornes de la charge.

2- Calculer la valeur du courant I D1 traversant la LED D1.
3- Déterminer les coordonnées du point de repos Q du transistor T.
4- Calculer la valeur de la résistance R2 et le courant IDC.
5- Quelle fonction réalise le transistor T. justifier votre réponse.
24
CHAPITRE II : APPLICATIONS ELECTRONIQUES A BASE DE TRANSISTORS

Etudier quelques applications en électronique faisant intervenir les transistors. On se limitera à
l’étude des préamplificateurs d’une chaîne d’amplification.
Prérequis :
 Electronique des composants ;
 Quadripôle ;
 Diagramme de Bode.
INTRODUCTION
Dans de nombreux systèmes électroniques, le signal reçu à l’entrée présente généralement
une faible amplitude ou une faible puissance. Cependant, ces systèmes doivent délivrer dans
une charge placée à leur sortie un signal de même forme mais d’amplitude ou de puissance
plus grande. Le dispositif électronique qui permet cette amplification en tension, en courant
ou en puissance est un amplificateur. Les amplificateurs sont utilisés dans plusieurs applications
électroniques : l’instrumentation, la radio, la télévision, la sonorisation, le contrôle, etc.
Le schéma fonctionnel d’une chaîne d’amplification se présente comme suit (figure I.a) :
Alimentation
60 V - 5 A
10 mV - 10 uA 60 V - 10 mA 60 V - 5 A
Capteur Amplificateur Capteur

Préamplificateur
d'Entrée de Puissance de Sortie
(Amplification en tension) (Amplification en courant)
Microphone Amplificateur Hi-Fi Haut-parleur
Figure I.a : Schéma fonctionnel d'une chaîne d’amplification

25
I- LES PRÉAMPLIFICATEURS : MONTAGES FONDAMENTAUX

Le capteur d’entrée, premier élément de la chaîne d’amplification, a pour fonction essentielle
de traduire une grandeur naturelle (son, voix, etc.) en une grandeur électrique image de la
grandeur naturelle et de ses variations. Ce signal électrique obtenu à la sortie du capteur
d’entrée est un signal variable de très faible amplitude.
Le rôle du préamplificateur sera donc d’amplifier ce signal pour une meilleure exploitation.
Ce cours se limitera à l’étude des montages fondamentaux des préamplificateurs.
Il existe principalement trois (03) montages fondamentaux de préamplificateurs :
 Le préamplificateur à émetteur commun ;

 Le préamplificateur à base commune ;
 Le préamplificateur à collecteur commun.
1- Préamplificateur à émetteur commun (RE découplée)

1-1- Schéma de principe
Vcc
R1 Rc
C
Rg C1
B
C2
T
E Vs Rl
Vg Ve
R2 Re Ce
Figure I.1.1.a : Montage préamplificateur à émetteur commun, RE découplée

On donne :
R1 = 120 KΩ ; R2 = 22 KΩ ; RC = 1 KΩ ; RE = 150 Ω ; RL = 15 KΩ ; C1 = C2 = CE = 100 μF; VCC = 12 V
T (2N2222) : hFE = 200 ; hfe = 225 ; hie = 2 KΩ
1-2- Étude fonctionnelle du montage

Considérons le schéma de principe du préamplificateur à émetteur commun ci-dessus.

Soit Ve(t) le signal fournit par le capteur d’entrée modélisé par un générateur Vg (t) avec sa
résistance interne Rg.
Le préamplificateur est constitué d’un transistor T polarisé les résistances R 1, R2, RE et RC puis de
condensateurs C1, C2 et CE.
Les condensateurs C1 et C2 assurent respectivement la transmission de la composante
alternative du signal d’entrée Ve(t) et du signal alternatif amplifié évitant ainsi la perturbation
et l’interférence du point de repos du transistor T. Ce sont des condensateurs dits de liaison.
Quant au condensateur CE, il permet au signal alternatif d’éviter la résistance RE en lui
proposant un meilleur chemin. C’est un condensateur de découplage. Il est toujours placé
entre un point du circuit et la masse.
Le transistor est alimenté par une tension continue V CC fournie par l’alimentation (figure I.a).
La résistance RL matérialise la charge du capteur de sortie.
26
1-3- Étude en fonctionnement statique

En régime statique, la tension d’entrée variable Ve(t) est remplacée par un fil et les
condensateurs se comportent comme des circuits ouverts (interrupteur ouvert).
L’objectif de cette étude est de déterminer le point de fonctionnement du transistor T.
Pour plus de détails sur cette étude, se référer au chapitre IV, Electronique des Composants.
(a) Schéma équivalent en régime statique
Rc
R1 Rc
Icq
Icq
Ibq Rth
T Vcc T
Vceq Vceq Vcc
Ibq
Vbeq Vbeq
Eth
R2 Re Re
Figure I.1.3.a : Schéma équivalent du montage Figure I.1.3.b : Schéma équivalent simplifié
(b) Coordonnées du point de fonctionnement
A.N. :
ETH = 1,86 V ; RTH = 18,59 KΩ
VBEQ = 0,6 V ; IBQ = 25,85 μA ; ICQ =5,17 mA et VCEQ = 5,83 V.
(c) Droite d’attaque statique – Droite de charge statique
La droite d’attaque statique (DAS) d’équation VBEQ + [RTH + (1+ hFE) RE] IBQ = ETH et la droite de
1
charge statique (DCS) d’équation VCEQ + [RC + (1+ ) RE] ICQ = VCC sont représentées par les
hFE
deux (02) courbes ci-dessous.
IB (μA)
IC (mA)
IB Max IC Sat
(DAS) ICQ (DCS)

IBQ
0 VBEQ ETH VBE(V) 0 VCEQ VCC VCE(V)
Figure I.1.3.c : Droite d’attaque statique Figure I.1.3.d : Droite de charge statique
27
1-4- Étude en fonctionnement dynamique

En régime dynamique, la tension continue VCC alimentant le transistor est remplacée par un fil
et on suppose qu’à la fréquence d’utilisation du préamplificateur (Bande passante) les
condensateurs de liaison et de découplage se comportent comme des circuits fermés.
L’objectif de cette étude est de déterminer les caractéristiques du préamplificateur.
(a) Schéma équivalent en régime dynamique
A partir des hypothèses précédentes et en remplaçant le transistor T par son équivalent en
régime dynamique, on obtient le schéma équivalent du montage préamplificateur à émetteur
commun avec RE découplée (figure I.1.1.a) qui se présente comme suit :
Rg i B ib ic C is
Vg Ve Rth hie hfe.ib Rc Vs Rl
Figure I.1.4.a : Schéma équivalent du montage
(b) Caractéristiques du préamplificateur

Un montage préamplificateur possède principalement trois (03) caractéristiques que sont
l’impédance d’entrée Ze, l’impédance de sortie ZS et l’amplification en tension à vide AV0.
Dans une chaîne d’amplification, le signal traverse successivement différents étages qui ont
chacun une fonction bien précise. Le passage d'un étage à un autre met en évidence le rôle
des impédances Ze pour la résistance interne Rg de l’étage précédent et ZS pour la résistance
de charge RL de l’étage qui suit.
En effet, l'impédance d'entrée, définie par le rapport de la tension sur le courant à l’entrée du
préamplificateur, permet de savoir quelle sera la puissance du signal d'entrée nécessaire au
bon fonctionnement du montage préamplificateur. Quant à l'impédance de sortie, elle
correspond à l’impédance équivalente du montage préamplificateur vue de la charge
lorsqu’on éteint tous les générateurs indépendants. Cette impédance permet de savoir quelle
sera l'adaptation nécessaire pour les étages suivants.
L’objectif principal d’un montage préamplificateur est d’amplifier la tension d’entrée. Et c’est
l’amplification en tension qui permet de savoir quelle sera la différence d'amplitude apportée
au signal entre l'entrée et la sortie.
Un montage préamplificateur peut être modélisé en fonction de ses caractéristiques comme
le montre la figure I.1.4.a ci-dessous.
Rg i is
Zs
Vg Ve Ze Avo.Ve Vs Rl
Figure I.1.4.b : Schéma équivalent d’un préamplificateur
28
 La tension Ve est maximale si Rg << Ze : Générateur de tension

 Le courant i est maximal si Rg >> Ze : Générateur de courant
 La puissance Pe = Ve x I est maximale si Rg = Ze : Générateur de puissance
 Impédance d’entrée
Ve
On a : Ze = i
i 1 iTH 1 ib 1
i = iTH + ib avec = ; = et =
Ve Ze Ve RTH Ve hie
Ve = (RTH // hie ) i donc Ze = (RTH // hie ) AN : Ze = 1,81 KΩ
Pour déterminer l’impédance d’entrée, l’on peut procéder comme suit :

 Ecrire l’équation des nœuds à l’entrée du circuit faisant intervenir i ;
 Exprimer les courants intervenant dans l’équation en fonction de Ve de manière
séparée puis déduire chaque admittance ;
 Donner l’expression de l’impédance d’entrée Ze.
 Impédance de sortie
L’impédance de sortie ZS se détermine en court-circuitant les générateurs indépendants et en
VS0
débranchant la charge. On a : ZS =- |
iS0 Ve = 0
A vide, on a VS0 = - RC hfe ib et en court-circuit on a iS0 = hfe ib alors
VS0 = - RC iS0 donc ZS = RC AN : ZS = 1 KΩ
Pour déterminer l’impédance de sortie, l’on peut procéder comme suit :

 Eteindre les générateurs indépendants et débrancher la charge ;
 Donner le schéma équivalent simplifié ;
 Déterminer à vide (iS = 0) la tension VS0 ;
 Déterminer en court-circuit (VS = 0) le courant iS0 ;
 Exprimer VS0 en fonction de iS0 et déduire l’impédance de sortie ZS.
 Amplification en tension
Sans la charge ou à vide (iS = 0)

VS
On a : AV0 = 0
Ve
RC
Ve = hie ib et VS0 = - RC hfe ib donc AV0 =- hfe AN : AV0 = -112,5
hie
En charge
VS
On a : AV = Ve
(RC // RL )
Ve = hie ib et VS = - (RC // RL )hfe ib donc AV =- hfe AN : AV = -105,47
hie
Pour déterminer l’amplification en tension, l’on peut procéder comme suit :
 Exprimer la tension Ve en fonction du courant ib ;
 Exprimer la tension VS en fonction du courant ib ;
VS
 Déduire l’amplification en tension en calculant le rapport .
Ve
Le préamplificateur à émetteur commun avec RE découplée est caractérisé par une

impédance d’entrée et de sortie moyenne de l’ordre de quelques KΩ. L’amplification en
tension est élevée mais négative. C’est un préamplificateur en tension avec une impédance
d’entrée moyenne.
29
(c) Droite de charge dynamique – Dynamique de sortie

 Droite de charge dynamique : DCD
Elle est définie par la relation entre le courant variable I c et la tension de sortie variable Vce.
Pour définir cette droite, on utilise le schéma équivalent du montage (figure I.1.4.a).
On a : vce = VS = - (RC //RL )ic ⟹ vce = - Rd ic
Vce et Ic proviennent de la superposition de la composante continue et de la composante
alternative (le préamplificateur pris dans son ensemble).
Vce = vce + VCEQ
Puisque vce = - Rd ic et { alors Vce = VCEQ + Rd ICQ - Rd Ic (DCD)
Ic = ic + ICQ
 Dynamique de sortie : ∆VS

C’est la tension crête à crête maximale non écrêtée que le préamplificateur peut fournir en
sortie. La dynamique de sortie du montage est définie par la position de la DCS et de la DCD.
Pour déterminer la dynamique de sortie (∆VS), il faut :
 Déterminer la dynamique de vce (ou de Vce) ;
 Etablir la relation entre vce et VS ;
 Déduire la dynamique de sortie (∆VS).
∆vce = ∆Vce = 2 min (Rd ICQ ; VCEQ )
VS = vce ⟹ ∆VS = ∆vce
D’où ∆VS = 2 min (Rd ICQ ; VCEQ ) AN : ∆VS = 2 min (4,86 V ; 5,83 V) = 9,72 V
En général, VS = k.Vce donc ∆VS =|k|∆Vce
Ic (mA)
VCEQ
ICQ +
Rd
VCC
1
ic DCD
RC + (1+ )RE
β
ICQ Q
IC = f(IB) à VCE = cste t
DCS
Ib (μA) IBQ 0 VCEQ VCEQ + ICQ.Rd VCC Vce (V)

ib
vce
t
t
∆Vce
Figure I.1.4.c : Représentation de la droite de charge dynamique et de la dynamique de sortie
30
1-5- Étude fréquentielle du préamplificateur

On se place en régime dynamique à des fréquences basses permettant ainsi de prendre en
compte l'impédance des condensateurs de liaison et de découplage.
L’objectif de cette étude est d’analyser l’influence des condensateurs sur les signaux que l’on
désire amplifier et de déterminer la bande passante du préamplificateur.
(a) Schéma équivalent en régime dynamique basse fréquence

Le schéma équivalent en régime dynamique basse fréquence du préamplificateur est le
suivant (figure I.1.5.a) :
Rg C1 hfe.ib C2 is
i B ib hie E ic C
Vg Ve Rth Re Ce Rc Vs Rl
M
La bande passante (la plage de fréquences) d’un préamplificateur possède une limite
haute FH qui dépend essentiellement du transistor (FT : Fréquence de Transition) et une limite
basse FB qui dépend de la valeur des capacités.
(b) Fréquence de coupure basse FB

La fréquence de coupure basse FB est la valeur de fréquence en basse fréquence pour
laquelle le gain en tension est réduit de 3 dB par rapport à sa valeur dans la bande passante.
A cette fréquence de coupure du préamplificateur, la tension de sortie maximale avant
écrêtage est réduite d’un facteur de √2.
Pour déterminer la fréquence de coupure basse FB d’un préamplificateur l’on peut évaluer
tour à tour les fréquences de coupure F1 ; F2 et FE associées respectivement aux capacités C1,
C2 et CE en supposant que, mis à part le condensateur dont on cherche la fréquence de
coupure, les autres condensateurs forment un court-circuit. On dresse ainsi une liste ordonnée
de fréquences de coupure. Le condensateur dont la fréquence de coupure est la plus élevée
est le premier à dégrader la réponse en fréquence.
Donc FB = Max (F1 ; F2 ; FE).
 Fréquence de coupure associée à la capacité C1

En supposant que les condensateurs C2 et CE forment un court-circuit (impédances nulles) en
régime dynamique, le condensateur C1 et l’impédance d’entrée Ze (Ze = RTH // hie ) forment un
circuit RC dont le schéma équivalent en régime dynamique basse fréquence est donné par
la figure I.1.5.b ci-dessous. C1
Ve Ze V
E
Figure I.1.5.b : Schéma équivalent du montage
31
Fonction de transfert
V jZe C1 ω 1
On a : H1 (jω)= = et ω1 =
Ve 1 + jZe C1 ω Ze C1
Diagramme de Bode H1 db
ω 0 ω1 +∞ ω1
Gain (+1) (+1) 0 (0) ω

jZe C1 ω
Phase π/2 π/2 (+1)
1 Gain (0) (-1)
φ(H1 )rad
1 + jZe C1 ω Phase 0 - π/2 π
Gain (+1) (0) 2
H1
Phase π/2 0
0 ω
1
La fréquence de coupure engendrée par C1 est F1 = AN : F1 = 0,88 Hz
2π Ze C1
 Fréquence de coupure associée à la capacité C2

En supposant que les condensateurs C1 et CE forment un court-circuit en régime dynamique,
le condensateur C2, l’impédance de sortie ZS et la charge RL forment un circuit RC comme le
montre la figure I.1.5.c ci-dessous.
C2
Zs
Vso Avo.Ve Rl Vs
E
Figure I.1.5.c : Schéma équivalent du montage
VS jRL C2 ω 1 1
On a : H2 (jω)= = ; ω21 = et ω22 =
VS 1 + j(RL + ZS )C2 ω (RL + ZS )C2 RL C2
0
Diagramme de Bode H2 db
ω 0 ω21 ω22 +∞ ω21
Gain (+1) (+1) (+1) 0 (0) ω

jRL C2 ω
Phase π/2 π/2 π/2 (+1)
1 Gain (0) (-1) (-1)

φ(H2 )rad
1+j(RL +ZS )C2 ω Phase 0 - π/2 - π/2 π
Gain (+1) (0) (0) 2
H2
Phase π/2 0 0
0 ω
1
La fréquence de coupure engendrée par C2 est F2 = AN : F2 = 0,10 Hz
2π (ZS + RL ) C2
32
 Fréquence de coupure associée à la capacité CE

On suppose que les condensateurs C1 et C2 forment un court-circuit en régime dynamique.
On obtient le schéma équivalent juste après.
hfe.ib
i B ib hie E ic C
Ve Vs
Rth Re Ce Rc Rl
M
Figure I.1.5.d : Schéma équivalent du montage
VS 1+ jRE CE ω (RC // RL )hfe RE
On a : HE (jω)= = H0 × avec H0 = - et rE =
Ve 1 + jrE CE ω hie +(1+hfe )RE hie +(1+hfe )RE
AN : H0 = -5,89 ; rE = 4,18 Ω
1 1
On a ωE1 = et ωE2 =
RE CE rE CE
Diagramme de Bode
Ω 0 ωE1 ωE2 +∞
Gain :
(0) (0) (0) HE db
H0 H0 db = 15,4 (0)
(+1)
Phase -π -π -π
(0)
Gain (0) (+1) (+1) H0 db
1+ jRE CE ω
Phase 0 π/2 π/2 ωE1 ωE2 ω
1 Gain (0) (0) (-1) φ(HE )rad
1 + jrE CE ω Phase 0 0 - π/2
0 ω
Gain : -π
(0) (+1) (0)
HE H0 db = 15,4 2
Phase -π 0 0 -π
1
La fréquence de coupure engendrée par CE est FE = AN : F1 = 380,75 Hz
2π rE CE
Donc FB = Max (F1 ; F2 ; FE) = 380,75 Hz
33
(c) Fréquence de coupure haute FH - Bande passante BP

 Fréquence de transition du transistor FT
La fréquence de transition FT correspond à la fréquence pour laquelle le gain en tension |AV|db
vaut 0 c’est-à-dire la valeur absolue de l’amplification en tension |AV| vaut 1. Cette
fréquence est donnée par le constructeur.
Dans le cas du transistor 2N2222 cette fréquence vaut FT = 300 MHz.
 Fréquence de coupure haute FH

La fréquence de coupure haute FH est la valeur de fréquence en haute fréquence pour
laquelle le gain en tension est réduit de 3 dB par rapport à sa valeur dans la bande passante.
Gain (db)
| Av |db
FH ×|AV | = F0 ×|AV | = FT ×1
0
| Avo |db
FT
FH = AN : FH = 2,84 MHz
(-1)
AV
0
Fh Fo Ft F(KHz)
 Bande passante BP
La bande passante est la plage de fréquence délimitée par les fréquences de coupures basse
et haute.
BP = [FB ; FH] AN : BP = [380,75 Hz - 2,84 MHz]

34
2- Préamplificateur à émetteur commun (RE non découplée)

Vcc
R1 Rc
C
Rg C1
B
C2
T
E Vs Rl
Vg Ve
R2 Re
Figure I.2.1.a : Montage préamplificateur à émetteur commun, RE non découplée

On donne :
R1 = 120 KΩ ; R2 = 22 KΩ ; RC = 1 KΩ ; RE = 150 Ω ; RL = 15 KΩ ; C1 = C2 = 68 nF; VCC = 12 V
T (2N2222) : hFE = 200 ; hfe = 225 ; hie = 2 KΩ
2-2- Etude en fonctionnement dynamique

Rg i ib ic is
B E C
hie hfe.ib
Vg Ve Rth Re Rc Vs Rl

Ve
On a : Ze = i
i 1 iTH 1 ib 1
i= iTH + ib avec = ; = et =
Ve Ze Ve RTH Ve hie +(1+hfe )RE
Ve = (RTH // [hie +(1+hfe )RE ]) i
Donc Ze = (RTH // [hie +(1+hfe )RE ]) AN : Ze = 12,25 KΩ
35
VS0
On a : ZS =- | ; VS0 = - RC iS0
iS0 Ve = 0
Donc ZS = RC AN : ZS = 1 KΩ
VS
On a : AV0 = 0
; Ve = [hie +(1+hfe )RE ]ib et VS0 = - RC hfe ib
Ve
RC
Donc AV0 =- hfe AN : AV0 = -6,27
hie +(1+hfe )RE
En charge
VS
On a : AV = ; Ve = [hie +(1+hfe )RE ]ib et Vs = (RC // RL )hfe ib
Ve
(RC // RL )
Donc AV =- hfe AN : AV = -5,88
hie +(1+hfe )RE
Le préamplificateur à émetteur commun avec RE non découplée est caractérisé par une
impédance d’entrée beaucoup plus grande de l’ordre de quelques dizaines de KΩ.
L’impédance de sortie est moyenne de l’ordre de quelques KΩ. L’amplification en tension est
négative, faible mais presque stable. C’est un préamplificateur stabilisateur.

Rg i
C1 C2 is
Zs

(b) Bande passante BP du préamplificateur

De manière analogique à l’étude fréquentielle du préamplificateur à émetteur commun avec
RE découplée, on montre que la fréquence de coupure basse engendrée par le condensateur
1 1
C1 est F1 = et celle engendrée par C2 est F2 = .
2π Ze C1 2π (ZS + RL ) C2
Après calcul, on obtient FB = Max (F1 ; F2) = 191,06 Hz
FT
Quant à la fréquence de coupure haute FH, on a FH = AN : FH = 51,02 MHz
AV
D’où BP = [FB ; FH] AN : BP = [191,06 Hz - 51,02 MHz]
36
3- Préamplificateur à base commune

Vcc
R1 Rc
C
C2
B
T
C1 Rg
E Vs Rl
Vg
Cth R2 Re Ve
Figure I.2.1.a : Montage préamplificateur à base commune
On donne :
R1 = 120 KΩ ; R2 = 22 KΩ ; RC = 1 KΩ ; RE = 150 Ω ; RL = 15 KΩ ; C1 = C2 = CTH = 100 μF; VCC = 12 V
T (2N2222) : hFE = 200 ; hfe = 225 ; hie = 2 KΩ

Rg i ie ic is
E C
ib hfe.ib
Vg Ve Re hie Rc Vs Rl
B

Ve
On a : Ze = i
i 1 iR 1 - ie hie hie
i = iRE - ie avec = ; E
= et = ; Ve = (RE // [ ])i
Ve Ze Ve RE Ve 1 + hfe 1 + hfe
h
Donc Ze = (RE // [ 1 +ieh ]) AN : Ze = 8,36 Ω
fe
37
VS0
On a : ZS =- | ; VS0 = - RC iS0
iS0 Ve = 0
Donc ZS = RC AN : ZS = 1 KΩ
VS
On a : AV0 = 0
; Ve = - hie ib et VS0 = - RC hfe ib
Ve
RC
Donc AV0 = hfe AN : AV0 = 112,5
hie
En charge
VS
On a : AV = ; Ve = - hie ib et Vs = - (RC // RL )hfe ib
Ve
(RC // RL )
Donc AV = hfe AN : AV = 105,75
hie
Le préamplificateur à base commune est caractérisé par une impédance d’entrée très faible
de l’ordre de quelques Ω. Quant à l’impédance de sortie, elle est moyenne de l’ordre de
quelques KΩ. L’amplification en tension est positive et très élevée. C’est un préamplificateur
en tension avec une impédance d’entrée très faible.

Rg C1 hfe.ib C2 is
i E ie ic C
ib
hie
Vg Ve Re Rc Vs Rl
B
Rth Cth
M

1 1
C1 est F1 = , celle engendrée par CTH est FTH = (avec rTH = hie // RTH) et celle
2π Ze C1 2π rTH C2
1
engendrée par C2 est F2 = .
2π (ZS + RL ) C2
Après calcul, on obtient FB = Max (F1 ; F2 ; F3) = 190,38 Hz
FT
AV
D’où BP = [FB ; FH] AN : BP = [190,38 Hz - 2,84 MHz]
38
4- Préamplificateur à collecteur commun

Vcc
R1
C
Rg C1
B
T
E
Vg Ve C2
R2 Re Vs Rl
Figure I.4.1.a : Montage préamplificateur à collecteur commun

On donne :
R1 = 120 KΩ ; R2 = 22 KΩ ; RE = 150 Ω ; RL = 15 KΩ ; C1 = C2 = 33 nF; VCC = 12 V
T (2N2222) : hFE = 200 ; hfe = 225 ; hie = 2 KΩ

Rg i ib ie is
B E C
hie
Vg Ve Rth hfe.ib Re Rl
Vs
ic
M

Ve i 1 iTH 1 ib 1
On a : Ze = ; i = iTH + ib avec = ; = et =
i Ve Ze Ve RTH Ve hie + (1 + hfe )RE
Ve = (RTH // [hie + (1 + hfe )RE ])i
Donc Ze = (RTH // [hie + (1 + hfe )RE ]) AN : Ze = 12,25 KΩ
39
VS0
On a : ZS =- |
iS0 V = 0
e
iS0 -1 iR 1 - ie 1 + hfe hie

iS0 = iRE - ie avec = ; E
= et = ; VS0 = - (RE // [ ])iS0
VS0 ZS VS0 RE VS0 hie 1 + hfe
h
Donc ZS = (RE // [ 1 +ieh ]) AN : ZS = 8,36 Ω
fe
VS
On a : AV0 = 0
; Ve = [hie + (1 + hfe )RE ]ib et VS0 = (1 + hfe )RE ib
Ve
(1 + hfe )RE
Donc AV0 = AN : AV0 = 0 ,94
hie + (1 + hfe )RE
En charge
VS
On a : AV = ; Ve = [hie + (1 + hfe )(RE // RL )]ib et VS0 = (1 + hfe )(RE // RL )ib
Ve
(1 + hfe )(RE // RL )
Donc AV = AN : AV = 0,94
hie + (1 + hfe )(RE // RL )
Le préamplificateur à collecteur commun est caractérisé par une amplification en tension

positive légèrement inférieure à 1. L’impédance d’entrée est très grande de l’ordre de
quelques dizaines de KΩ. Par contre, l’impédance de sortie est très faible (quelques Ω).
C’est un préamplificateur adaptateur d’impédance.

Rg i
C1 C2 is
Zs

1 1
C1 est F1 = et celle engendrée par C2 est F2 = .
2π Ze C1 2π (ZS + RL ) C2
Après calcul, on obtient FB = Max (F1 ; F2) = 393,70 Hz
FT
AV
D’où BP = [FB ; FH] AN : BP = [393,70 Hz – 319,15 MHz]
40
Exercice d’application I.a :

On se propose d’étudier le préamplificateur ci-dessous.
Vcc
On donne :
Rc Rp = 120 KΩ ; Rp = 2,2 KΩ
Rp RL = 15 KΩ ; Rg = 50 Ω
VCC = 20 V ; C1 = C2 = 330 nF
Rg C1 C2 T (2N2222) :
T hFE = 100 ; hfe = 150
Rl Vs hie = 2 KΩ ; FT = 300 MHz
Vg
1 - Rechercher les coordonnées du point de fonctionnement du transistor T.

2 - Déterminer les caractéristiques dynamiques Ze, ZS, AV0, AV du préamplificateur.
3 - Déduire la bande passante BP du préamplificateur.
Exercice d’application I.b :

On désire concevoir un préamplificateur audio à base de transistor bipolaire dont le montage
électronique se présente comme suit.
Vcc
On donne :
R1 Rc
VCC = - 12 V ; R1 = 165 KΩ ; R2 = 27 KΩ ;
RC = 5,1 KΩ ; RE = 1 KΩ ; RL = 12 KΩ ;
C1 C2
T (BC327) :
T
hFE = 100 ; hfe = 160 ; hie = 4 KΩ
Rl Vs
Ve
R2 Re Ce
1- Étude en fonctionnement statique

1-1- Donner le schéma équivalent du montage.
1-2- Déterminer puis tracer l’équation de la droite de charge statique.
1-3- Calculer les coordonnées du point de repos du transistor T.
2- Étude en fonctionnement dynamique
2-1- Donner le schéma équivalent du montage.
2-2- Déterminer les impédances d’entrée Ze et de sortie ZS du montage.
2-3- Déterminer l’amplification en tension à vide AV0 puis en charge AV du montage.
2-4- Tracer la droite de charge dynamique (DCD) et déterminer la dynamique de sortie ∆VS
du montage.
41
II - LES PREAMPLIFICATEURS : MONTAGES A PLUSIEURS ETAGES

L'association de plusieurs préamplificateurs est parfois nécessaire soit quand l’amplification
d'un seul préamplificateur est insuffisant, soit quand les impédances d'entrée ou de sortie sont
inadaptées.
On associe généralement :
 Deux préamplificateurs à émetteur commun pour obtenir une amplification beaucoup

plus élevées ;
 Un préamplificateur à collecteur commun suivi d’un préamplificateur à émetteur
commun si l'impédance interne du capteur d'entrée est trop élevée ;
 Un préamplificateur à émetteur commun suivi d’un préamplificateur à collecteur
commun si l'impédance de la charge est faible.
Ces différentes associations de préamplificateurs peuvent se faire de manière directe ou par
le biais d’un condensateur de liaison.
1- Association de préamplificateurs par liaison directe

ETAGE 1 ETAGE 2
Rg i is
Zs1 Zs2
Vg Ve Ze1 Av1.Ve Vs1 Ze2 Av2.Vs1 Vs Rl
Figure II.1.1.a : Montage préamplificateur à deux étages
Pour que le montage fonctionne il faut que Ze2 >> ZS1
1-2- Avantages et inconvénients

Les avantages et inconvénients de l’association de plusieurs préamplificateurs par liaison
directe sont résumés dans le tableau ci-dessous.
 Ne requiert pas de condensateur

Avantages
 Possibilité d’amplifier le signal continu
 Etude de la polarisation très complexe (Etage global)

Inconvénients
 Les transistors ne sont pas toujours très bien polarisés
42
2- Association de préamplificateurs par liaison capacitive

ETAGE 1 ETAGE 2
Rg Cl
i is
Zs1 Zs2
Vg Ve Ze1 Av1.Ve Vs1 Ze2 Av2.Vs1 Vs Rl
Figure II.1.1.a : Montage préamplificateur à deux étages
2-2- Avantages et inconvénients

Les avantages et inconvénients de l’association de plusieurs préamplificateurs par liaison
capacitive sont résumés dans le tableau ci-dessous.
 Etude de la polarisation très simple (Etage par étage)

Avantages
 Les transistors peuvent être très bien polarisés
 Requiert des condensateurs de liaison entre étages

Inconvénients  Réduction de la bande passante
 N’amplifie que le signal alternatif
43
Exercice d’application II.a :

Soit le préamplificateur à deux (02) étages ci-dessous.
Vcc
R1 R3 R5
C1 C2
T1 T2
V
Ve C3
R2 R4 R6 R7 Rl Vs
M
On donne : R1 = 100 KΩ ; R2 = 10 KΩ ; R3 = 1,8 KΩ ; R4 = 120 Ω ; R5 = 150 KΩ ; R6 = 18 KΩ
R7 = 220 Ω ; RL = 1 KΩ ; VCC = 15 V
T 1 = T2 (BC547A) : hFE = 120 ; hfe = 200 ; hie = 1,2 KΩ
1- Calculer les coordonnées du point de fonctionnement des transistors.

2- Déterminer les impédances d’entrée et de sortie de chaque étage.
3- Déterminer l’amplification en tension à vide AV01 du 1er étage.
4- Déterminer l’amplification en tension en charge AV2 du 2ème étage.
5- Déduire l’amplification en tension AV du montage.
6- Calculer la dynamique de sortie ∆VS du montage.
Exercice d’application II.b :

Soit le préamplificateur à deux (02) étages ci-dessous
Vcc
R1 R3 R5
C1
T1 T2
C2
V
Ve
R2 R4 C3 R6 Rl Vs
On donne : R1 =680 KΩ ; R2 =82 KΩ ; R3 =12 KΩ ; R4 =3,3 KΩ ; R5 =10 KΩ ; R6 =2,7 KΩ ; RL =4,7 KΩ

VCC = 22 V ; T1(BC109): hFE1 = 300 ; hfe1 = 320 ; hie1 = 1,2 KΩ
T2 (2N2222) : hFE2 = 100 ; hfe2 = 120 ; hie2 = 1,2 KΩ
Reprendre les mêmes questions que l’exercice précédent.
44
CHAPITRE III : APPLICATIONS ELECTRONIQUES A BASE D’AMPLIFICATEUR OPÉRATIONNEL

Etudier quelques applications en électronique faisant intervenir les amplificateurs
opérationnels en fonctionnement linéaire. On traitera en particulier de la génération de
signaux analogiques, des opérations élémentaires sur les signaux et des filtres.
Prérequis :
 Electronique des composants
 Tracer du diagramme de Bode
INTRODUCTION
Dans le domaine de la transmission analogique, l’information que l’on désire transmettre sur
une longue distance est en général un signal de basse fréquence donc de portée limitée. Ce
signal peut être transporté par un autre signal, la porteuse, de très grande fréquence générée
par des circuits électroniques tels que les oscillateurs. Pour que la transmission soit possible, une
opération de modulation sur ces signaux analogiques s’avère nécessaire. Le signal modulé
résultant comporte parfois des composantes indésirables qui sont éliminées à l’aide des circuits
électroniques de filtrage.
Le schéma fonctionnel d’un émetteur d’une chaîne de transmission analogique se présente
comme suit (figure I.a) :
SIGNAL INFORMATIF MODULATION FILTRE Signal émis
SIGNAL PORTEUSE
Figure I.a : Schéma fonctionnel d’un émetteur d'une chaîne de transmission analogique
45
I- LA GENERATION DES SIGNAUX ANALOGIQUES

Dans cette partie du chapitre, l’étude des différents montages se fait dans le domaine
temporel c’est-à-dire le signal d’entrée Ve(t) évolue en fonction du temps.
1- Les opérations élémentaires sur les signaux analogiques

1-1- Sommation de signaux
 Schéma de principe
i1(t) R1 i3(t) R3
i2(t)
AOP
V1(t) R2
V2(t)
Vs(t)
Figure I.1.2.a : Montage d’un sommateur de signaux
 Analyse du montage
Hypothèse : L’AOP est idéal.
+ -
On a i = i = 0 mA
L’AOP fonctionne en régime linéaire alors ε = 0 V.
En appliquant les lois de Kirchhoff, on obtient :

V1(t) – R1 i1(t) = 0 ; V2(t) – R2 i2(t) = 0 et Vs(t) + R3 i3(t) = 0. De plus i3(t) = i1(t) + i2(t)
En prenant R1 = R2 = R3 = R, on obtient : Vs (t) = - [V1 (t) + V2 (t)]

Le montage réalise une opération d’addition des tensions d’entrée V 1(t) et V2(t).
1-2- Amplification de signal

i(t) R2
i(t) R1
AOP
Ve(t) Vs(t)
Figure I.1.1.a : Montage d’un amplificateur de signal

+ -
On a i = i = 0 mA
En appliquant les lois de Kirchhoff, on obtient : Ve(t) – R1 i(t) = 0 et Vs(t) + R2 i(t) = 0

R2
D’où Vs (t) =- Ve (t)
R1
Le montage réalise une amplification de la tension d’entrée Ve(t).
46
 Caractéristiques du montage
Amplification en tension AV :
V R2
On a AV = V s ; D’après ce qui précède, AV = -
e R1
Impédance d’entrée Ze :
Ve
On a Ze = ; Ve(t) – R1 i(t) = 0 alors Ze = R1
ie
Impédance de sortie Zs :
VS
On a ZS = | ; ZS =0Ω
iS V = 0
e
1-3- Intégration de signal

R'
i(t) C
i(t) R
AOP
Ve(t) Vs(t)
Figure I.1.3.a : Montage d’un intégrateur de signal
+ -
On a i = i = 0 mA
En appliquant les lois de Kirchhoff, on obtient : Ve(t) – R i(t) = 0 et Vs(t) + UC(t) = 0

dUC (t)
Le courant traversant le condensateur C s’écrit i(t)= C
dt
1
D’où Vs (t) =- ∫ Ve (t) dt.
RC
Le montage réalise une opération d’intégration de la tension d’entrée Ve(t).
Dans la pratique, le courant d’entrée de l’AOP n’étant pas nul, produit une rampe de tension
qui se superpose au terme intégral. A terme, la tension de sortie atteint la saturation. Pour y
remédier, une résistance R’ peut être placée en parallèle avec le condensateur C afin de
permettre l’écoulement du courant de décharge de C. Dans la pratique, on prend R’ ≈ 10R.
47
1-4- Dérivation de signal

i(t) R
i(t) R' C
AOP
Ve(t)
Vs(t)
Figure I.1.4.a : Montage d’un dérivateur de signal
+ -
On a i = i = 0 mA
En appliquant les lois de Kirchhoff, on obtient : Ve(t) - UC(t) = 0 et Vs(t) + R i(t) = 0

dUC (t)
Le courant traversant le condensateur C s’écrit i(t)= C
dt
dVe (t)
D’où Vs (t) = - RC dt
Le montage réalise une opération de dérivation de la tension d’entrée Ve(t).
Dans la pratique, ce montage a tendance à osciller en haute fréquence. Pour y remédier, une
résistance R’ peut être placée en série avec le condensateur C afin de permettre la limitation
du gain aux fréquences élevées et donc les possibilités d’oscillation. On prend R’ < R/10.
48
2- Génération de signaux analogiques élémentaires

2-1- Signal logarithmique
i(t) D
i(t) R
AOP
Ve(t)
Vs(t)
Figure I.2.1.a : Montage d’un générateur de signal logarithmique
+ -
On a i = i = 0 mA
En appliquant les lois de Kirchhoff, on obtient : Ve(t) – R i(t) = 0 et Vs(t) + Vd = 0

Vd
Le courant traversant la diode D s’écrit i(t)= IS exp ( )
ηVT
V (t)
D’où Vs (t) = - η.VT ln [ R.e I ]
S
Le montage génère un signal logarithmique.
2-2- Signal exponentiel

i(t) RR
i(t)
i(t)
i(t) DD
AOP
Ve(t)
Ve(t)
Vs(t)
Vs(t)
Figure I.2.2.a : Montage d’un générateur de signal exponentiel
+ -
On a i = i = 0 mA
En appliquant les lois de Kirchhoff, on obtient : Ve(t) - Vd = 0 et Vs(t) + R i(t) = 0

Vd
Le courant traversant la diode D s’écrit i(t)= IS exp ( )
ηVT
eV (t)
D’où Vs (t) = - R.IS exp [ η.V ]
T
Le montage génère un signal exponentiel.
49
Exercice d’application I.a : Fonction d’un circuit électronique

On se propose de déterminer la fonction réalisée par chaque circuit électronique ci-dessous.
R1
AOP
AOP
R2
V1(t) V2(t) Vs(t) Ve(t)
R4 R2 Vs(t)
R3 R1
Circuit électronique n°1 Circuit électronique n°2
Exercice d’application I.b : Modulation de signaux

Proposer un circuit électronique qui permet d’effectuer le produit de 2 signaux analogiques.
On notera V1(t) et V2(t) ces 2 signaux et VS(t) le produit de ces signaux.
On pourra s’appuyer sur les propriétés des fonctions logarithme et exponentielle puis sur des
montages élémentaires étudiés précédemment.
Exercice d’application I.c : Résolution d’une équation différentielle du 1er ordre

Proposer un circuit électronique qui permet de résoudre l’équation différentielle
(E) : y’(t) + 2y(t) = 10
On pourra s’appuyer sur les montages élémentaires étudiés pendant le cours.
Exercice d’application I.d : Génération de signal

On désire concevoir un montage électronique délivrant un signal en dent de scie à partir d’un
signal en créneau parfaitement symétrique.
1- Proposer le circuit électronique.
2- Donner l’expression du signal de sortie
3- Faire une esquisse des oscillogrammes des signaux d’entrée et de sortie.
50
II - LES FILTRES A AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL

On appelle filtre, un circuit électronique dont le rôle est de sélectionner des composantes du
signal d’entrée selon leurs fréquences. Les composantes du signal de fréquences indésirables
sont atténuées tandis que celles de fréquences souhaitées sont amplifiées. La caractéristique
fondamentale d’un filtre est évidemment la bande de fréquences qu’il doit laisser passer.
Cette bande est appelée bande passante (BP) du filtre. Suivant cette bande passante, il existe
quatre (4) principaux types de filtres :
 Les filtres passe-bas (BP = [0 ; ωH ]) ;
 Les filtres passe-haut (BP = [ωB ; +∞[) ;
 Les filtres passe-bande (BP = [ωB ; ωH ]) ;
 Les filtres coupe-bande ou rejecteurs de bande (BP = [0 ; ω1 ]∪[ω2 ; +∞[).
L’étude d’un filtre s’effectue dans le domaine fréquentiel et elle consiste à déterminer
principalement sa fonction de transfert, sa nature, sa bande passante et son déphasage.
Nous nous limiterons dans cette étude aux filtres du premier ordre.
 Fonction de transfert d’un filtre :

La fonction de transfert H(f) d’un filtre est le rapport de sa tension de sortie VS(f) sur sa tension
Vs (f)
d’entrée Ve(f) en notation complexe. On a H(f) = Ve (f)
 Nature d’un filtre :
Rechercher la nature d’un filtre revient à vérifier si le filtre se comporte comme un filtre
passe – bas, un filtre passe – haut, un filtre passe – bande ou un filtre coupe – bande.
Pour déterminer rapidement la nature d’un filtre, l’on peut procéder comme suit :
 Etudier le comportement du filtre en Très Basses Fréquences (T.B.F.) lorsque ω →0
 Remplacer dans le montage du filtre chaque condensateur par un interrupteur
ouvert et chaque inductance par un interrupteur fermé ;
 Déterminer le module de la fonction de transfert du filtre.
 Etudier le comportement du filtre en Très Hautes Fréquences (T.H.F.) lorsque ω →∞
 Remplacer dans le montage du filtre chaque condensateur par un interrupteur
fermé et chaque inductance par un interrupteur ouvert.
 Déterminer le module de la fonction de transfert du filtre
 Déduire la nature du filtre en fonction de sa bande passante.
 Bande passante et déphasage d’un filtre :

L’étude d’un filtre de manière générale se fait en utilisant la représentation du diagramme de
Bode. C’est une méthode graphique qui permet d’étudier le comportement fréquentiel d’un
circuit électronique à partir de sa fonction de transfert.
Le diagramme de Bode est constitué de deux (02) courbes :
 La courbe du gain en fonction de la fréquence f ou de la pulsation ω à l’échelle
logarithmique c’est-à-dire en fonction de log(f) ou log(ω).
Le gain HdB est le module de la fonction de transfert en dB (|H|dB = 20 log (|H(f)|)).
 La courbe de la phase en fonction de la fréquence f ou de la pulsation ω à l’échelle
logarithmique.
La phase est l’argument de la fonction de transfert en rad (φ(f) = Arg (H(f)).
En observant le diagramme de Bode, la bande passante BP correspond à la bande de
fréquences où le gain varie peu et est le plus élevé. Quant au déphasage, c’est la phase
associée à la bande passante.
51
1- Filtre passe - bas

R2
On prendra :
C2 R1 = 10 KΩ
R2 = 1 MΩ
R1 C2 = 10 pF
AOP : LM 741
AOP
Ve(f) Vs(f)
Figure II.1.1.a : Montage d’un filtre passe-bas
1-2- Analyse du montage

+ -
On a i = i = 0 mA
 Nature du filtre :
 En T.B.F. : ω → 0 alors le condensateur C2 se comporte comme un interrupteur ouvert.
R2
R1 et R2 sont traversées par le même courant i.

R1 R2
Ve(f) = R1 i et Vs(f) = - R2 i alors H(f) = -
R1
AOP
R2
D’où |H(f)| = A.N : |H(f)| = 100
Ve(f) R1
Vs(f)
Figure II.1.2.a : Montage équivalent
 En T.H.F. : ω → ∞ alors le condensateur C2 se comporte comme un interrupteur fermé.

R2
Aucun courant ne traverse R2 car elle est court-
circuitée. En appliquant les lois de Kirchhoff, on
R1 obtient Vs(f) = 0 ce qui implique H(f) = 0
AOP
D’où |H(f)| = 0
Ve(f) Vs(f)
Figure II.1.2.b : Montage équivalent
52
 La nature du filtre en fonction de sa bande passante.
|H|
100
Il s’agit d’un circuit qui laisse passer les composantes du
signal de basses fréquences et atténue celles de hautes
fréquences.
BP = [0 ; ωH ] Ce filtre est donc un filtre passe – bas.
0 ωH ω
Figure II.1.2.c : Gabarit d’un filtre passe-bas
 Fonction de transfert H (f) :

Vs (f)
On a H (f)=
Ve (f)
En posant Z1 = R1 et Z2 = R2 // ZC2 et en appliquant les lois Kirchhoff, on obtient :
Ve(f) = Z1 i et Vs(f) = - Z2 i
Z2 R2 1
D’où H (ω) = - =- × 1+ jR
Z1 R1 2 C2 ω
 Bande passante et déphasage - Diagramme de Bode |H|dB et φ(f) :

R2 1
Posons H0 = - ; On a : H0 = - 100 et ω2 = = 105 rad / s
R1 R2 C2
Diagramme asymptotique du gain
ω 0 ω2 +∞ |H|dB
Gain : 40 dB (0) (0) (0)

+40 dB
H0 (0)
(-1)
Phase -π -π
+20 dB
Gain (0) (-1)
1
1 + jR2 C2 ω
Phase 0 - π/2 0 dB
(0) ω (Rad/s)
(-1)
Gain :
(0) (-1)
|H|dB
H -20 dB
Phase : φ(f) -π -3π/2
0 105
𝜑 Rad
0
La pulsation de coupure haute vaut ωH = ω2 ω (Rad/s)
-π/2
D’où BP = [0 ; ωH ] ou BP = [0 ; FH ] -π
-3π/2
A.N : BP = [0 ; 105] rad / s ou BP = [0 Hz ; 15,92 KHz]
Diagramme asymptotique de la phase
Le déphasage vaut 𝝋 = - π rad
53
2- Filtre passe - haut

R2
C1 On prendra :
R1
R1 = 10 KΩ
AOP R2 = 1 MΩ
Ve(f) C1 = 100 nF
Vs(f)
AOP : LM 741
Figure II.2.1.a : Montage d’un filtre passe-haut

+ -
On a i = i = 0 mA
 En T.B.F. : ω → 0 alors le condensateur C1 se comporte comme un interrupteur ouvert.
R2
R1 Aucun courant ne traverse R1 et R2.

Vs(f) = 0 alors H(f) = 0
AOP
Ve(f) D’où |H(f)| = 0

Vs(f)
 En T.H.F. : ω → ∞ alors le condensateur C1 se comporte comme un interrupteur fermé.
R2
R1
AOP
Ve(f)
Vs(f)
R1 et R2 sont traversées par le même courant i.

R2
Ve(f) = R1 i et Vs(f) = - R2 i alors H(f) = -
R1
R2
D’où |H(f)| = A.N : |H(f)| = 100
R1
54
|H|
100
Il s’agit d’un circuit qui laisse passer les composantes du
signal de hautes fréquences et atténue celles de basses
BP = [ωB ; +∞[ fréquences.
Ce filtre est donc un filtre passe – haut.
0 ωB ω
Figure II.2.2.c : Gabarit d’un filtre passe-haut

Vs (f)
On a H (f)=
Ve (f)
En posant Z1 = R1 + ZC1 et Z2 = R2 et en appliquant le théorème de Millman, on obtient :
Z2 Z1
V- = Ve (f)+ VS (f) et V+ = 0
Z1 + Z2 Z1 + Z2
ε = 0 V alors V+ = V . -
Z2 jR2 C1 ω
D’où H (ω) = - =-
Z1 1+ jR1 C1 ω

1 1
On a : ω1 = = 103 rad / s ω2 = = 10 rad / s
R1 C1 R2 C1 Diagramme asymptotique du gain
ω 0 ω2 ω1 +∞ |H|dB
(+1)
Gain : 0 dB (0) (0) (0)
-1 +40 dB
Phase -π -π -π (0)
Gain (+1) (+1) (+1)
jR2 C1 ω +20 dB
Phase +π/2 +π/2 +π/2
(+1)
(0)
1 Gain (0) (0) (-1) 0 dB ω (Rad/s)
(0)
1 + jR1 C1 ω (-1)
Phase 0 0 - π/2
Gain : -20 dB
(+1) (+1) 0
H |H|dB
0 101 103
Phase : φ(f) -π/2 -π/2 -π 𝜑 Rad
+π/2
La pulsation de coupure basse vaut ωB = ω1 0
ω (Rad/s)
-π/2
D’où BP = [ωB ; +∞[ ou BP = [FB ; +∞[
-π
A.N : BP = [103 ; +∞[ rad / s ou BP = [159,15 Hz ; +∞[
Le déphasage vaut 𝝋 = - π rad
Ve(f)
55
3- Filtre passe - bande

R2
On prendra :
C2 R1 = 10 KΩ ; R2 = 1 MΩ
C1 = 100 nF ; C2 = 10 pF
C1 AOP : LM 741
R1
AOP
Ve(f) Vs(f)
Figure II.3.1.a : Montage d’un filtre passe-bande

+ -
On a i = i = 0 mA
 En T.B.F. : ω → 0 alors les condensateurs C1 et C2 se comportent comme des
interrupteurs ouverts.
R2
Aucun courant ne traverse R1 et R2.

R1 En appliquant les lois de Kirchhoff, on
AOP
obtient Vs(f) = 0 ce qui implique H(f) = 0
Ve(f) D’où |H(f)| = 0

Vs(f) Ve(f)
 En T.H.F. : ω → ∞ alors les condensateurs C1 et C2 se comportent comme des

interrupteurs fermés.
R2
Aucun courant ne traverse R2 car elle est

R1 court-circuitée. En appliquant les lois de
AOP Kirchhoff, on obtient Vs(f) = 0 ce qui
implique H(f) = 0
Ve(f) Vs(f)
D’où |H(f)| = 0
56
|H|
100
Il s’agit d’un circuit qui atténue les composantes du signal
de basses fréquences et celles de hautes fréquences.
Ce filtre est donc un filtre passe – bande.

BP = [ωB ; ωH ]
0 ωB ωH ω
Figure II.3.2.c : Gabarit d’un filtre passe-bande

Vs (f)
On a H (f)=
Ve (f)
En posant Z1 = R1 + ZC1 et Z2 = R2 // ZC2 et en appliquant les lois Kirchhoff, on obtient :
Ve(f) = Z1 i et Vs(f) = - Z2 i
Z2 R2 jR1 C1 ω
D’où H (ω) = - =- × (1+ jR
Z1 R1 1 C1 ω)(1+ jR2 C2 ω)

R2 1 1
Posons H0 = - ; On a : H0 = - 100, ω1 = = 103 rad / s et ω2 = = 105 rad / s
R1 R1 C1 R2 C2
ω 0 ω1 ω2 +∞ Diagramme asymptotique du gain

|H|dB
Gain : 40 dB (0) (0) (0)
H0
Phase -π -π -π
(0) (0)
Gain (+1) (+1) (+1) +40 dB
jR1 C1 ω (+1) (-1)
Phase +π/2 +π/2 +π/2
1 Gain (0) (-1) (-1) +20 dB
1 + jR1 C1 ω (+1)
Phase 0 - π/2 - π/2
1 Gain (0) (0) (-1) (0) (0)
0 dB
1 + jR2 C2 ω Phase 0 0 - π/2 ω (Rad/s)
(-1)
Gain :|H|dB (+1) (0) (-1) (-1)
H
-20 dB
Phase : φ(f) -π/2 -π -3π/2
La pulsation de coupure basse vaut ωB = ω1 0 103 105

La pulsation de coupure haute vaut ωH = ω2
D’où BP = [ωB ; ωH ] ou BP = [FB ; FH ] 𝜑 Rad
A.N : BP = [103 ; 105] rad/s +π/2
Soit BP = [159,15 Hz ; 15,92 KHz] 0
ω (Rad/s)
-π/2
Le déphasage vaut 𝝋 = - π rad -π
-3π/2
57
Exercice d’application II : Filtre

On se propose d’étudier le circuit électronique ci-dessous.
C A
AOP
B
Ve(t) R
Vs(t)
R2
R1
1- Déterminer le mode de fonctionnement de l’AOP.

2- Donner la valeur des courants d’entrée et de la tension différentielle d’entrée. Justifier
vos réponses.
3- Déterminer les potentiels VA et VB.
jRCω
4- Montrer que H (ω) = H0 × . On précisera l’expression de H 0.
1 + jRCω
5- Tracer le diagramme de Bode de H (ω) puis déterminer la bande passante BP du
montage.
6- Le signal Ve(t) à l’entrée du montage est un signal carré d’amplitude E 0 et de
fréquence f = 10 Hz dont la décomposition en série de Fourier s’écrit :
E0 1
Ve (t)=2 ∑+∞
p=0 sin[(2p+1)ωt]
π 2p+1
a. Déterminer l’expression du signal de sortie Vs(t).
b. Quelle fonction réalise ce montage.
On donne :
E0 = 0,5 V ; R = 4,7 KΩ ; R1 = 1 KΩ ; R2 = 3,3 KΩ ; C = 1 μF et AOP (LM741, VCC = ±10 V).
58

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Ministère de l’Enseignement Supérieur République de Côte d’Ivoire

et de la Recherche Scientifique Union – Discipline – Travail

Génie Électrique & Électronique

1ère année STIC

CHAPITRE I : APPLICATIONS ELECTRONIQUES A BASE DE DIODES ..................................................... 1

CHAPITRE II : APPLICATIONS ELECTRONIQUES A BASE DE TRANSISTORS......................................... 25

2- Génération de signaux analogiques élémentaires ........................................................... 49

 Préparer chaque séance de cours ;

Séance 1 Chapitres I : Applications électroniques à base de diodes 3H

Chapitres I : Applications électroniques à base de diodes

Séance 3 Chapitres II : Applications électroniques à base de transistor bipolaire 3H

Séance 4 Chapitres II : Applications électroniques à base de transistor bipolaire 3H

Séance 5 TD N°2 : Chapitre II 3H

Séance 6 Chapitres III : Applications électroniques à base de circuit intégré 3H

Séance 7 Chapitres III : Applications électroniques à base de circuit intégré 3H

Séance 8 TD N°3 : Chapitre III 3H

Séance 9 Evaluation Terminale (Programmer par la Direction des Etudes de l’ESI) 3H

CHAPITRE I : APPLICATIONS ELECTRONIQUES A BASE DE DIODES

Figure I.a : Schéma fonctionnel d'une alimentation stabilisée

Il existe principalement trois types de circuits redresseurs à base de diodes à jonction :

 Le circuit redresseur simple alternance ;

1- Redressement simple alternance ou mono alternance

V1(t) V2(t) Vr(t)

1-2- Etude du montage

La diode D est supposée réelle c’est-à-dire Vd = 0,6 V et Rd ≠ 0 Ω.

(P1) Etat susceptible de D

(P2) Schéma équivalent du circuit

Figure I.1.2.a Diode passante

(P3) Relation entre V2 (t) et VAK

(P4) Intervalle de temps de conduction et de blocage de D

(P5) Expression de la tension redressée VR (t)

(N1) Etat susceptible de D

(N2) Schéma équivalent du circuit

V1(t) V2(t) < 0 RL Vr(t)

(N3) Intervalle de temps de conduction et de blocage de D

(N4) Expression de la tension redressée VR (t)

On a V2 (t) = EMax Sin (ωt)

Figure I.1.2.c : Représentation graphique de VR (t)

1-3- Caractéristiques électriques de la tension redressée

Figure I.1.3.a : Représentation graphique de VR (t)

La tension VR (t) est périodique de période T.

 Valeur moyenne VR Moy

La tension VR(t) est définie par intervalle et on a :

 Valeur efficace VR Eff

où T représente la période de S(t).

Or Sin(θ1 ) = a et 2 Sin(θ1 ) Cos(θ1 ) = Sin(2θ1 )

 Ondulation VR Ond (t) et valeur efficace VR Ond Eff

Ainsi, on a : VR Ond (t) = VR (t) – VR Moy

 Facteur de forme Fa - Taux d’ondulation θOnd

Exercice d’application I.1.a :

1 - La diode D est idéale

2 - La diode D est parfaite

Exercice d’application I.1.b :

1- Déterminer sur une période l’intervalle de temps de conduction de D.

2- Redressement double alternance à point milieu

Le transformateur à point milieu TR possède deux (02) enroulements en sortie.

2-2- Etude du montage

Les diodes D1 et D2 sont supposées réelles c’est-à-dire Vd = 0,6 V et Rd ≠ 0 Ω.

(P1) Etat susceptible des diodes

(P2) Schéma équivalent du circuit

(P3) Relation entre V2 (t) et VAK1

(P4) Intervalle de temps de conduction et de blocage des diodes

(P5) Tableau récapitulatif de l’état des diodes