Cours de Physique Des Semi Conducteur PDF

Alain CHOVET & Pascal MASSON Physique des semi-conducteurs
Cours de Physique
des Semi-conducteurs
cole Polytechnique Universitaire de Marseille cole Polytechnique Universitaire de Marseille
D D partement Micro partement Micro- - lectronique et T lectronique et T l l communications communications
IMT, Technople de Chteau IMT, Technople de Chteau- -Gombert, 13451 MARSEILLE Cedex 20 Gombert, 13451 MARSEILLE Cedex 20
Alain CHOVET
&
Pascal MASSON
(Alain.chovet@enserg.fr
pascal.masson@L2MP.fr)
Sommaire
Gnralits
Quelques proprits
Semi-conducteur lquilibre
Semi-conducteur non dop ou dop
quation de Poisson - Consquences
Perturbations faibles de lquilibre
Perturbations fortes de lquilibre
quations dvolution
Contact entre deux matriaux diffrents
Conducteurs Isolants Semi-conducteurs
Gnralits
Conducteurs
Matriaux ayant la plus faible rsistivit temprature ambiante
< 10
5
cm
Cuivre, or, argent, aluminium...
Conduction lectrique lectrons libres (de 10
22
10
23
cm
3
)
Augmentation de la temprature augmentation lgre de
Electro-migration
Gnralits
Conducteurs
Gnralits
Isolants
> 10
8
cm
Verre, mica, la silice (SiO
2
), le carbone (diamant)...
Augmentation de la temprature baisse de (libration dlectrons et de
trous)
Fuite ou claquage de lisolant
mica
Gnralits
Semi-conducteurs
10
3
cm < < 10
4
cm
La conduction lectrique se fait par les lectrons et/ou les trous
Semi-conducteur pur intrinsque
dop extrinsque
Silicium assez pur + un atome de Bore ou de Phosphore pour 10
5
atomes de
Silicium passe de 10
3
environ 10
-2
cm
III-V
Colonne Semi-conducteur
IV Ge, Si
binaire GaAs, GaP, GaSb, InAs, InP, InSb
ternaire Al
x
Ga
1-x
As, GaAs
y
P
1-y
quaternaire Al
x
Ga
1-x
As
y
P
1-y
II-VI
binaire CdS, HgTe, CdTe, ZnTe, ZnS
ternaire Cd
x
Hg
1-x
Te
Gnralits
Semi-conducteurs
Matriau tudi depuis les annes 1830
Gnralits
Semi- conducteurs
Silicium GaAS
Gnralits
Structure de ltat solide
Matriaux cristallins
Atomes rangs rgulirement aux nuds dun rseau priodique
La maille (ou motif) lmentaire se rpte rgulirement
Matriaux amorphes
Ordre local et non rpt longue distance
Gnralits
Structure de ltat solide
Familles de solides cristallins
Cristaux ioniques (Na
+
Cl
) : ions lis par attraction coulombienne, aucun

lectron libre (cristaux isolants), liaison trs solide.
Cristaux covalents (colonne IV : C, Si, Ge, Sn) : quatre lectrons
priphriques mis en commun avec quatre voisins (liaisons de valence),
liaisons moins fortes que les liaisons ioniques.
Mtaux (Li, Na, K, Cu, Ag, Au) : conducteurs lectriques (un lectron libre
par atome), temprature de fusion est moins leve que celle des cristaux
covalents
Cristaux molculaires
Systme cristallin et rseau cristallin
Cristal reprsent partir dune cellule de base
Cellule de base rpte priodiquement
Il existe sept systmes cristallins dont le systme cubique
Cristal cubique
Quelques proprits
Il existe trois rseaux diffrents
Cubique simple Cubique centr Cubique face centre
Plans cristallographiques
z
y
x
(110)
y
z
x
(001)
(100)
(
0
1
0
)
z
y
x
(111)
z
y
x
(110)
Cristal cubique
Quelques proprits
Semi-conducteurs de la colonne IV (Ge, Si) Rseau diamant
Les lectrons dun atome isol prennent des valeurs dnergie discrtes
Pour chaque niveau : nombre limit dlectrons (2n
2
)
les niveaux les plus proches du noyau sont occups
Pour le silicium :
Numro atomique Z = 14
2 lectrons sur la premire couche (n = 1)
8 sur la seconde (n = 2)
4 sur la dernire (nombre de places = 18) (n = 3)
14
+
4
+
Cristal cubique
Quelques proprits
Semi-conducteurs de la colonne IV (Ge, Si) Rseau diamant
Atome stable : 8 lectrons sur la couche externe (gaz rares)
Atome de silicium isol non stable
Formation du cristal : association avec quatre voisin
A T = 0 K (aucune liaison brise) : pas dlectrons libres (isolant)
Cristal : deux rseaux cubiques faces centres imbriqus (dcals du quart de
la diagonale principale du cube)
Cristal cubique
Quelques proprits
Semi-conducteurs composs (III-V ou II-VI) Rseau Zinc-blende
Gallium (Z = 31)
Arsenic (Z = 33)
GaAs : Ga (resp. Ar) prend quatre atomes de As (resp. Ge) comme voisins
Cristal constitu de deux rseaux cubiques faces centres (lun de Ga et
lautre de As) imbriqus et dcals du quart de la diagonale principale.
As
+
As
+
Ga
-
Ga
-
Ga
-
As
+
Gallium
Arsenic
En ralit : le cristal construit partir de Ga
et As
+
(4 lectrons
priphriques)
Bandes dnergie
Quelques proprits
Mcanique quantique pour un atome isol :
nergie
lectrons
libres
lectrons
lis
M
L
K 1s
2s
2p
3p
3s
Niveaux dnergie discret
Couche M : lectrons de valence
Couche K : lectrons fortement lies
Si on approche 2 atomes :
Fonctions dondes des lectrons perturbes
Deux fois plus dlectrons sur le mme niveau ?
Chaque niveau : 2 niveaux trs rapprochs
Si on approche N atomes :
Apparition de bandes dnergies (niveaux discrets trs rapprochs)
Si une bande p places et n lectrons : N.p places et N.n lectrons
Si la couche externe est sature : pas de courant
Bandes dnergie
Quelques proprits
Bandes de conduction et de valence (lectrons des niveaux 3s et 3p)
Apparition dune bande interdite ou Gap
d
0
d
i
(>>d
0
)
E
G
nergie
des
lectrons
Distance
inter-atomique
d
0
d
i
E
4N tats
0 lectrons (BC)
4N tats
4N lectrons (BV)
6N tats/2N lectrons (sous niveau p)
2N tats/2N lectrons (sous niveau s)
E
C
E
V
Bandes dnergie
Quelques proprits
Exemple de largueur de bande interdite
atome E
G
(eV) type de matriau d ()
C (Carbone) 5.5 isolant 3.567
Si (Silicium) 1.12 semi-conducteur 5.431
Ge (Germanium) 0.7 semi-conducteur 5.646
Sn(Etain) 0 conducteur 6.489
Gap direct ou indirect
E
C,V
(k) : relations de dispersion
Minimum E
C
gale maximum de E
V
E
G
k
E
C
(k)
E
V
(k)
BC
BV
Direct
E
k
k
Indirect
Minimum E
C
diffrent maximum de E
V
Gap direct
Gap indirect
Conduction par lectron ou par trou
Quelques proprits
Apport dune nergie une liaison de valence
On arrache un ou plusieurs lectrons
Cet lectron de la BV passe dans la BC
Llectron se comporte comme une particule
quasi-libre (sous linfluence du rseau)
E
C
E
V
E
G
lectron
libre
Liaison
brise
Trou
libre
Il peut participer la conduction lectrique
On lui affecte une masse effective m
n
diffrente de m
0
(0,91 10
-30
kg)
En fait, il apparat aussi un trou libre
Quelques proprits
Analogie avec le dplacement de voitures
Courant dlectrons
Quelques proprits
Analogie avec le dplacement de voitures
Courant dlectrons Courant de trous
Pour simplifier le systme on parlera :
Des lectrons de la bande de conduction
Des trous de la bande de valence (non de ses lectrons) avec une masse m
p
Au voisinage dun extremum des bandes : dveloppement de E(k)
Masse effective dans la valle considre : inverse de la courbure E(p)
( )
E k E
d E
dk
k
C
+ + + 0
1
2
2
2
2
...
( )
n
2
2
2
2
C
m 2
p
p
p
E
2
1
E p E =

ou
Quelques proprits
Nombre de places disponibles dans la BC : densit dtats
n
C
(E)dE = nombre dtats (m
-3
) dans la tranche dnergie E, E + dE
On obtient au final :
( ) ( )
n E
m
E E
C
n
C
=
|
\
|

1
2
2
2 2
3
2 1
2
h
( ) ( )
n E
m
E E
V
p
V
=
|
\
|

1
2
2
2 2
3
2
1
2
h
Pour la bande de conduction
Pour la bande de valence
E
n
C
(E)
n
V
(E)
E
C
E
V
Semi-conducteur non pollu (volontairement ou non) par des impurets
Pour T 0, des lectrons peuvent devenir libres
La densit dlectrons (resp. trous) libres est note n (resp. p) = n
i
Semi-conducteur intrinsque
200 400 600 800 1000
10
5
10
8
10
11
10
14
10
17
Ge : E
G
= 0,7 eV
Si : E
G
= 1,1 eV
GaAs : E
G
= 1,42 eV
n
i

(
c
m
-
3

)
Temprature (K)
0.001 0.002 0.003 0.004 0.005
10
5
10
8
10
11
10
14
10
17
1000 500 400 300 200
Temprature (K)
Ge
Si
GaAs
n
i

(
c
m
-
3

)
1/Temprature (K
-1
)
( )
n p n T AT
E
kT
i
G
= = =
|
\
|
3
2
2
exp
E
G
grand meilleure stabilit en temprature (Puissance)
ln(n
i
) en fonction de 1/T est une droite : dduction de E
G
avec la pente
Semi-conducteur extrinsque : dopage
Semi-conducteurs de type n
Atomes (ou impurets) de type donneur (dlectrons) en faible quantit
Conduction par lectrons plutt que par trous
Cristal de la colonne IV atomes la colonne V (phosphore)
Un faible apport dnergie (0,04 eV), par exemple d une temprature
diffrente de 0 K, peut librer le cinquime lectron de latome de phosphore
Silicium
Phosphore
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
P
P
lectron
libre
charge
fixe
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
P
+
Semi-conducteurs de type n
Etat occup Etat libre Electron libre Trou libre
E
D
E
C
E
V
E
D
E
C
E
V
Apparition dun niveau dnergie E
D
dans la BI (E
C
E
D
= 0,04 eV)
A partir denviron 50 K toutes les impurets sont dgeles
n
0
= N
D
>> n
i
>> p
0
Comportement intrinsque du matriau pour T > 500 K
Semi-conducteurs de type p
trou libre
charge
fixe
Silicium
Bore
B B
-
B
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Atomes (ou impurets) de type accepteur (dlectrons) en faible quantit
Conduction par trous plutt que par lectrons
Cristal de la colonne IV atomes la colonne III (bore)
Un faible apport dnergie permet latome de bore de subtiliser un lectron
un proche voisin
E
A
E
C
E
V
E
A
E
C
E
V
Semi-conducteurs de type p
Apparition dun niveau dnergie E
D
dans la BI
A partir denviron 50 K toutes les impurets sont dgeles
p
0
= N
A
>> n
i
>> n
0
Comportement intrinsque du matriau pour T > 500 K
Semi-conducteurs compens
Les impurets dopantes de type diffrent peuvent se compenser,
partiellement ou totalement. p
0
= N
A
>> n
i
>> n
0
Parfaitement compenser (N
A
= N
D
): semi-conducteur intrinsque par
compensation
E
C
E
V
E
A
E
D
E
C
E
V
E
A
E
D
Le dopage minimum dpend du raffinage du matriau
Concentrations rsiduelles de bore denviron 10
13
atomes par cm
3
(silicium
intrinsque temprature ambiante : n
i
10
10
cm
-3
)
Semi-conducteur dop : exemples
Source Drain Grille
0 - 50 50
0
40
80
120
x
y
Schma dun implanteur
Dopage dun transistor MOS
L = 50 nm, W = 0.1 m
Atomes donneurs :
Atomes accepteurs :
Concentration des porteurs libres lquilibre
Distribution de Fermi-Dirac. Niveau de Fermi
La probabilit doccupation ( lquilibre) dun niveau dnergie E par un
lectron est donne par (statistique de Fermi-Dirac) :
( )
( )
( )
( )
( )
f E
n E dE
n E dE
n
C
= =
nombre de cases occupes par les lectrons entre E et E +dE
nombre de cases disponibles entre E et E + dE
( )
f E
E E
kT
n
F
=
+

|
\
|
1
1 exp
-0.2 -0.1 0.0 0.1 0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
T = 0 K, 50 K, 150 K,
300 K, 500 K
f
n
(
E
)
E-E
F
(eV)
Distribution de Fermi-Dirac. Niveau de Fermi
La probabilit f
p
(E) quun niveau E soit occup par un trou :
( ) ( )
f E f E
E E
kT
p n
F
= =
+

|
\
|
1
1
1 exp
Statistique de Boltzmann :
( )
f E
E E
kT
E E
kT
n
F
F
|
\
|
=
|
\
|
1
exp
exp
Pour les lectrons (E E
F
est
suprieure quelques kT)
Pour les trous (E
F
E est
suprieur quelques kT )
( )
f E
E E
kT
E E
kT
p
F
F
|
\
|
=
|
\
|
1
exp
exp
Niveau de Fermi intrinsque : E
Fi
se situe prs du milieu de la bande
interdite E
i
= (E
C
+ E
V
)/2
E
f
n
(E)
1
E
C
E
V
n
C
(E)
n(E)
E
F
0.5
Concentrations lquilibre pour les lectrons
( ) ( ) ( ) ( ) ( )
n n E dE n E f E dE n E f E dE
C n
C
C n
C
0
= =

BC E
E
max
E

( )
n N
E E
kT
N f E
C
C F
C n C 0
=

|
\
|
= exp
N
m kT
h
C
n
=
|
\
|
2
2
2
3
2
Densit quivalente dtats dans la

bande de conduction ramene en E
C
Concentrations lquilibre pour les trous
E
f
p
(E)
1
E
C
E
V
n
V
(E)
p(E)
E
F
0.5
( ) ( ) ( ) ( ) ( )
p p E dE n E f E dE n E f E dE
V p
V
V p
V
0
= =

BV E
min
E

E
( )
p N
E E
kT
N f E
V
F V
V p V 0
=
|
\
|
= exp
N
m kT
h
V
p
=
|
\
| 2
2
2
3
2
Densit quivalente dtats dans la

bande de valence ramene en E
V
Loi daction de masse
Multiplication des densits dlectrons et de trous :
n p N N
E E
kT
N N
E
kT
C V
C V
C V
G
0 0
=

|
\
|
=
|
\
|
exp exp
|
\
|

= = =
kT
E E
exp N n p n
Fi C
C 0 0 i
|
\
|

|
\
|
=
kT 2
E
exp T
kT 2
E
exp N N n
G
2
3
G
V C i
n
0
p
0
est indpendant de E
F
et donc du dopage
Dans un matriau intrinsque on a :
La loi daction de masse scrit :
( ) T n
kT
E
exp N N p n
2
i
G
V C 0 0
=
|
\
|
=
Concentration intrinsque de porteurs
E
E E kT N
N
E
kT N
N
E
Fi
C V C
V
i
C
V
i
=
+
|
\
|
=
|
\
|

2 2 2
ln ln
( )
n N
E E
kT
E E
kT
n T
E E
kT
C
C Fi Fi F
i
F Fi
0
=
|
\
|

|
\
|
=
|
\
|
exp exp exp
( )
( )
p n T
E E
kT
n T
n
i
F Fi
i
0
2
0
=
|
\
|
= exp
Densits dlectrons et de trous en fonction de n
i
Expression du niveau de Fermi intrinsque partir de n
0
= n
i
N
E E
kT
N N
E E
kT
C
C Fi
C V
C V
exp exp

|
\
|
=

|
\
|
2
E
E E kT N
N
E
kT N
N
E
Fi
C V C
V
i
C
V
i
=
+
|
\
|
=
|
\
|

2 2 2
ln ln
Soit :
Densit dlectrons
Densit de trous
( )
n N
E E
kT
E E
kT
n T
E E
kT
C
C Fi Fi F
i
F Fi
0
=
|
\
|

|
\
|
=
|
\
|
exp exp exp
( )
( )
p n T
E E
kT
n T
n
i
F Fi
i
0
2
0
=
|
\
|
= exp
quation de la neutralit lectrique
p N n N
D A 0 0
+ = +
+
Dans un semi-conducteur homogne :
o N
D
+
et N
A
reprsentent les impurets ionises

Densit datomes donneurs ioniss :
N N f E N
E E
kT
D D p D D
F D
+
= =
+

|
\
|
( )
exp
1
1
Densit datomes accepteur ioniss :
N N f E N
E E
kT
A A n A A
A F
= =
+

|
\
|
( )
exp
1
1
E E kT
N
N
E kT
N
n
F C
C
D
Fi
D
i
=
|
\
|
= +
|
\
|
ln ln
E E kT
N
N
E kT
N
n
F V
V
A
Fi
A
i
= +
|
\
|
=
|
\
|
ln ln
quation de la neutralit lectrique : cas du silicium de type n
A temprature ambiante, lquation de la neutralit se simplifie (N
D
+
= N
D
) :
n p N
n
n
N
D
i
D 0 0
2
0
= + = +
n N
D 0

p N
A 0

Pour ce type de semi-conducteur n
0
>> p
0
:
E E kT
N
N
E kT
N
n
F C
C
D
Fi
D
i
=
|
\
|
= +
|
\
|
ln ln
Expression du niveau de Fermi :
quation de la neutralit lectrique : cas du silicium de type p
Pour ce type de semi-conducteur p
0
>> n
0
:
E E kT
N
N
E kT
N
n
F V
V
A
Fi
A
i
= +
|
\
|
=
|
\
|
ln ln
Expression du niveau de Fermi :
Proprit fondamentale
Le niveau de Fermi dans une structure lquilibre
Quelle que soit la structure du matriau (homogne ou non), le niveau de
Fermi est le mme partout lquilibre thermodynamique.
Illustration
E
C
E
V
E
F
E
G
x
Energie
E
C
E
V
E
F
E
G
x
Energie
flux dlectrons
flux de trous
Quelle est la particularit du dopage pour ces deux figures ?
Application : diode PN lquilibre
Le niveau de Fermi dans une structure lquilibre
Dterminer le potentiel interne de la diode, V
b
.
E
Cp
E
Vp
E
F
nn
0
np
0
pn
0
pp
0
V
b
x
E
Cn
E
Vn
E
F
E
Fin
E
Fip
int
|
|
\
|
=
|
|
\
|
=
|
|
\
|
=
|
|
\
|
=
|
|
\
|
=
2
i
D A
0 0
2
i
2
i
0 0
0
0
0
0
b
n
N N
ln
q
kT
np pn
n
ln
q
kT
n
pp nn
ln
q
kT
pn
pp
ln
q
kT
np
nn
ln
q
kT
V
Rappels :
Thorme de Gauss
Un matriau SC homogne est neutre en tout point (neutralit lectrique
locale)
Lorsquun matriau est non homogne il y a une possibilit d'existence d'un
champ lectrique interne associ celle dune densit de charge dans une
zone de charge despace (ZCE).
Soit un volume V dlimit par une surface ferme S contenant une charge Q,
le flux du champ lectrique sortant scrit :
( )
( )
=
V
SC
V
SC
S
dV div
dV r
Q
dS n
r
r
r
r
n
r
n
r
dV
( ) r
r
Q
dS
Densit de charges dans un volume dV :
quation de Poisson
( )
[ ]
r
r q N p N n
D A
= +
+
( )
( )
(
= =
+
n N p N
q r
div
A D
SC SC
r
r r r
( ) ( ) V V grad = =
r r
V V
V
x
V
y
V
z
q
N p N n
SC
D A
= = + + = +
(
+ 2
2
2
2
2
2
2

( ) ( ) ( ) ( )
(
+
x n x N x p x N
q
x
x
V
A D
SC
x
2
2
Densit de charges et thorme de Gauss :
Le champ lectrique et la tension lectrique V tant relis par :
Lquation de Poisson est donne par :
Lquation de Poisson une seule dimension :
Prsentation de la structure
MOS : Mtal / Oxyde / Semi-conducteur
quivalent la mise en srie de deux capacits :
Application (et consquences) : la capacit MOS
Capacit de loxyde
Capacit du substrat (qui dpend de la polarisation)
M
O
S
V
GB
C
ox
C
SC
Capacit MOS : base du transistor MOS (composant le plus utilis)
Dans la suite, on ne sintresse quau substrat
Quel est le type du substrat ?
Donner lexpression du potentiel de volume,
F
.
Caractristiques de la structure
E
i
(x)
E
C
(x)
E
V
(x)
E
F
0
E(x) = qV(x)
V(x)
x
q
F
On suppose que pour V
GB
= 0 les
bandes du substrat sont plates de
linterface vers le volume. Que ce
passe t-il pour linterface lorsque
V
GB
devient positif ?
Complter le diagramme de
bandes.
E
i
(x)
E
C
(x)
E
V
(x)
E
F
0
E
C
(0)
E
V
(0)
E(x) = q (x)
x
q(x)
q
F
x
d
Dans la suite, on ne sintresse quau substrat
Quel est le type du substrat ?
Donner lexpression du potentiel de volume,
F
.
Courbures des bandes dnergie
Complter le diagramme de
bandes.
On suppose que pour V
GB
= 0 les
bandes du substrat sont plates de
linterface vers le volume. Que ce
passe t-il pour linterface lorsque
V
GB
devient positif ?
qN
A
SC
d A
S
x qN
=
Champ lectrique
Donner lexpression de la densit volumique de charges dans la ZCE.
A partir de lquation de Poisson,
dterminer lvolution du champ
lectrique et complter le graphique ci-
dessous.
( )
x qN
A
=
0
x
x
d
S
Donner lexpression du champ
lectrique maximum.
( ) ( )
d
SC
A
x x
qN
x
=
ZCE
x
(x)
x
d
Potentiel et potentiel de surface
Dterminer lexpression du potentiel.
( ) ( )
2
d
SC
A
x x
2
qN
x
=
0
x
x
d
S
volution en x
2
Donner lexpression de
S
(potentiel de
surface) en fonction de x
d
puis de
S
.
d S
2
d
SC
A
S
x
2
1
x
2
qN
=
=
S
A
SC
d
qN
2
x
=
En dduire lexpression de x
d
en fonction de
S
.
M O S
Pour aller plus loin
Donner lexpression de la charge dans la ZCE par unit de surface.
d A SC
x qN Q =
A partir du thorme de Gauss, dterminer lexpression de
S
.
SC
S
Q
S
2
cos n S ) 0 cos( n 0 S
2
cos n S ) 0 cos( n
\
|
+ +
\
|

+
SC
A
SC
SC
SC
S
xd qN
S
SQ
S
Q
=
n
r
n
r
n
r
n
r
0 =
r
S
=
r r
r
Q
Est ce que la rgion de la ZCE proche
de x
d
est rellement une ZCE ?
Hors champ lectrique, les porteurs libres ont un mouvement ressemblant
des sauts de puce (caractris par des changements de direction que lon
appelle mouvement Brownien) : leur dplacement moyen est nul
Les atomes, les impurets et les dfauts du rseau sont autant dobstacles
pour les porteurs, qui effectuent des collisions avec eux.
Le temps moyen entre collisions, t
c
(ou temps de relaxation sur le rseau),
est de lordre de 10
13
s (0,1 ps).
t
c
na absolument rien voir avec le temps de vie des porteurs (temps entre
cration et recombinaison de porteurs) qui est en gnral beaucoup plus long.
La vitesse thermique des porteurs, v
th
, sexprime en fonction de lnergie
cintique et de leur masse effective, m
*
, qui reste de lordre de celle de
llectron dans le vide (9,1 10
31
kg).
Introduction
E m v kT
cin th
= =
1
2
3
2
2 *
300 K la vitesse thermique est de lordre de 10
5
ms
1
.
La distance que parcourt un porteur entre deux chocs sappelle le libre
parcours moyen, , et vaut simplement :
qui 300 K est denviron 10 nm.
c th
t v =
Mobilit des porteurs
Lorsquun champ lectrique est appliqu un semi-conducteur, chaque
porteur subit une force lectrostatique (+ pour le trous et pour les lectrons)
donne par :
La mobilit des porteurs est dfinie comme le coefficient de proportionnalit
entre la vitesse et le champ lectrique
=
r r
q F

r
q (<0)
F
r
= =
r
r
r
q m F
n
Dans le cas dun lectron (force = masse acclration) :
dt
v d
m
q
n
n
r
r
r
=
=
soit
La vitesse dun lectron est donc donne par :
La vitesse dun lectron entre deux chocs (t
c
) est :
= =
r r
r
n
n
c
n
m 2
qt
v
t
m
q
v
n
n

=
r
r
v
n
t t
c
2t
c
SC E
G
p

r
SC E
G
p

r
Si 1.12 1400 500 11.9 InAs 0.36 33000 460 14.6
Ge 0.7 3900 1900 16 InSb 0.18 78000 750 17.7
GaAs 1.42 8500 400 13 GaSb 0.72 5000 850 15.7
InP 1.35 5000 150 12.4 CdS 2.42 340 50 5.4
AlAs 2.16 1200 400 10.1 CdTe 1.56 1050 100 10.2
GaP 2.26 300 100 11 SiO
2
9 isolant 3.9
Exemples de mobilits
Plusieurs mcanismes influencent la mobilit :
Les collisions coulombiennes : les
impurets ionises et dune manire
gnrale tous les centres chargs qui
gnent le parcours des porteurs.
Les collisions avec le rseau : les
atomes du rseau cristallin qui vibrent
autour de leur position moyenne
(phonons) sont des obstacles pour les
porteurs.
Si
300 K
p
1400
1000
600
200
0
10
15
10
17
10
19
N
A,D
(cm
-3
)
(
c
m
2
V
1
s

1
)
Les collisions sur la rugosit de
surface : les dimensions d'un composant
semi-conducteur ntant pas infinies, les
porteurs heurtent parfois la surface et
sont dautant plus gns dans leur
mouvement que cette surface est de
mauvaise qualit.
Semi-conducteur contraint :
utilisation de silicium sur SiGe par
exemple pour les transistors MOS.
Plusieurs mcanismes influencent la mobilit :
Application dun fort champ
lectrique : existence dune vitesse de
saturation des porteurs se traduisant par
une chute de la mobilit.
(Vcm
1
)
v
d
(
c
m
s
1
)
10
7
10
6
10
3
10
4
GaAs
Si
v
dn
v
dn
v
dp
300 K
Energie
k
valle 1
m
n
plus faible
n
plus grande
valle 2
m
n
plus grande
n
plus faible
|| augmente
[111]
Conduction et conductivit
Densit de courant
j (Am
2
) est dfinie comme le flux de charges qui passe par unit de surface.
Elle est donc gale la vitesse des charges multiplies par la concentration
de charges (Cm
3
). Pour les lectrons cela donne :
dn n
v qn j
r
r
=
= =
= =
r r r
r r r
p p p
n n n
qp j
qn j
Lexpression de la densit de courant des lectrons et des trous en fonction du
champ lectrique est :
La conductivit (
n
pour les lectrons et
p
pour les trous) est dfinie comme
le coefficient de proportionnalit entre la densit de courant et le champ
lectrique.
Dans le cas dune conduction par les lectrons et les trous :
( ) = + = + =
r r r r r
tot p n p n tot
j j j
Conduction et conductivit
Exemple : rsistance dun barreau de silicium
La densit de courant est donn par (attention aux axes de I et de V) :
L
V
j
tot tot tot
= =
I S
V
L R
V
tot
= =
1
( )
R
L
S qn qp
L
S
tot n p
= =
+
1 1
Le courant qui traverse le barreau est :

La loi dOhm permet didentifier la
rsistance du barreau :
L
V
E
C
E
F
E
i
E
V
qV
I
S
Diffusion des porteurs
x x+dx
n n+dn
( ) grad n
sens du flux de diffusion

Lapparition dun gradient de porteurs
dans un matriau (dans le cas dun semi-
conducteur non homogne ou lors dune
excitation locale...) engendre un flux de ces
porteurs dans le sens inverse du gradient.
Soit un barreau de silicium de type p dont
on considre un lment de volume.
La force totale qui sexerce sur cet
lment scrit (Force = surface pression) :
x
P(x) P(x+dx)
S
F(x)
F(x+dx)
( ) ( ) [ ] dx
x
P
S S dx x P x P F
= + =
La pression des trous est donne par :
( ) ( ) x kTp x P =
La force qui sexerce devient :
( )
dx
x
x p
SkT F
=
Introduction
Diffusion des porteurs
Courant de diffusion
Expression de la force en fonction de lacclration :
( )
( )
dx
x
x p
SkT m Sdx x p F
p

= =
Soit :
( )
( )
( )
( )
( )
( )
x
x p
x p
1
D
x
x p
x p
1
q
kT
2
t
x
x p
x p
1
m
kT
v
p p
c
p
p

=
La vitesse dun trou entre deux chocs (t
c
) est :
v
p
t t
c
2t
c
( )
( )
dt
dv
x
x p
x p
1
m
kT
p
p
=
=
D
p
correspond au coefficient de diffusion des trous.
La densit de courant de diffusion scrit alors :
( ) ( )
( ) ( )
= =
= =
p grad qD v x qp j
n grad qD v x qn j
p p p
n n n
r
r
r
r
0 1
.
10
5
2
.
10
5
3
.
10
5
4
.
10
5
5
.
10
5
6
.
10
5
7
.
10
5
8
.
10
5
9
.
10
5
1
.
10
4
0
5
.
10
23
1
.
10
24
10
24
0
n
Newn
1 10
4
0 x
Densit de courant des porteurs
Addition des courants de conduction et de diffusion
( )
( )
=
+ =
p grad qD qp j
n grad qD qn j
p p p
n n n
r r
r r
Exemples
0 1
.
10
5
2
.
10
5
3
.
10
5
4
.
10
5
5
.
10
5
6
.
10
5
7
.
10
5
8
.
10
5
9
.
10
5
1
.
10
4
0
5
.
10
23
1
.
10
24
10
24
0
n
Newn
1 10
4
0 x
0 1
.
10
5
2
.
10
5
3
.
10
5
4
.
10
5
5
.
10
5
6
.
10
5
7
.
10
5
8
.
10
5
9
.
10
5
1
.
10
4
0
5
.
10
23
1
.
10
24
10
24
0
n
Newn
1 10
4
0 x
Densit de courant des porteurs
Niveau de Fermi plat = pas de courant
Soit un barreau de silicium de type n faisant apparatre une variation
spatiale de E
F
et E
i
.
Dvelopper lexpression de grad(n) en fonction de n
i
.
( ) ( ) ( ) ( )
i F
i F
i
E grad E grad
kT
n
kT
E E
exp n grad n grad =
|
|
\
|
|
\
|
=
Donner lexpression de grad(E
i
) en fonction du champ lectrique.
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) = = = = =
r
q V grad q qV grad E grad E grad E grad
V C i
Donner la nouvelle expression de la densit de courant des lectrons.
( )
F n n
E grad n j =
r
Cration de porteurs
La cration dun porteur libre correspond une transition BV - BC
Transition dun lectron de la bande de valence vers la bande de conduction
qui correspond la cration dune paire lectron-trou.
Transition dun lectron dun niveau E
D
(situ dans la bande interdite) vers
la bande de conduction. Il reste une charge fixe positive (atome ionis) et un
lectron dans BC.
Transition dun lectron de la bande de valence vers un niveau E
A
du gap. Il
reste une charge ngative fixe et un trou (dans BV).
Lnergie est fournie par :
Des photons (lumire)
Des particules nergtiques (rayonnements ou porteurs).
De la chaleur
Taux de gnration (ou de cration) de porteurs G
n
(m
3
s
1
) pour les
lectrons et G
p
pour les trous.
Cration de porteurs
E
G
(eV)
Infra-Rouge
Rouge
Visible
Violet
Ultra-Violet
0 1 2 3 4
1 3 1,5 10 0,5 0,65 0,35
l
(m)
InSb Ge Si GaAs
CdSe AlAs
GaP
CdS
SiC ZnS
Cd
x
Hg
1-x
Te
GaN
Les quasi-niveaux de Fermi
Soit un barreau de silicium dop n, que lon claire. On a ainsi une
augmentation des densits dlectrons et de trous. Que doit faire le niveau de
Fermi ?
E
C
E
F
E
Fi
E
V
E
G
112 , eV
E
Fn
E
Fp
Il y ainsi apparition dun niveau de
Fermi pour les lectrons (E
Fn
) et dun
autre pour les trous (E
Fp
), cest ce que
nous appellerons les quasi-niveaux de
Fermi.
Les probabilits doccupation dun tat par un lectron ou un trou sont
donnes par :
( )
f E
E E
kT
n
Fn
=
+
|
\
|
1
1 exp
( )
f E
E E
kT
p
Fp
=
+
|
\
|
1
1 exp
n n
E E
kT
i
Fn Fi
=
|
\
|
exp p n
E E
kT
i
Fp Fi
=
|
\
| exp
Les densits dlectrons et de trous sont alors donnes par:
Que devient le produit np par rapport n
i
?
np n
E E
kT
i
Fn Fp
=
|
\
|
2
exp
La loi daction de masse nest pas respecte ltat hors quilibre.
Exemple dapplication
Soit un barreau de Silicium (n
i
= 1,510
10
cm
3
300 K) dop avec des
impurets donatrices afin dobtenir n
0
= 10
14
cm
3
(p
0
= n
i
2
/n
0
= 2,2510
6
cm
3
).
On cre des porteurs par paires avec une concentration n = p = 210
13
cm
3
.
Donner la position du niveau de Fermi
E E kT
n
n
F Fi
i
=
|
\
|
=
|
\
|
|
= =
ln , ln
,
, ,
0 23
14
10
138 10 300
10
15 10
4 6 0 228 eV 10 J
-20
( )
n n n n = + =
0
14 3
0
12 10 , cm
p p p p = + =

0
14 3
0 2 10 , cm
E E kT
n
n
Fn Fi
i
=
|
\
|
=

|
\
|
|
=
ln , ln
,
,
, 138 10 300
12 10
15 10
0233 eV
23
14
10
E E kT
p
n
Fp Fi
i
=
|
\
|
=

|
\
|
|
=
ln , ln
,
,
, 138 10 300
0 2 10
15 10
0186 eV
23
14
10
Donner les densits des lectrons et des trous hors quilibre.
Donner la position des quasi niveaux de Fermi.
On peut aussi r-crire les densits de courant :
( )
( )
=
=
Fp p p
Fn n n
E grad p j
E grad n j
r
r
Recombinaison et dure de vie des porteurs libres
Introduction
La gnration est quilibre par un processus de disparition appel
recombinaison
La recombinaison peut tre qualifie :
Par rapport au mcanisme de disparition :
Directe (bande bande) : llectron passe directement de la BC la BV
Indirecte : llectron passe de la BC un niveau d'nergie d'une impuret
agissant comme centre de recombinaison et situ dans la bande interdite,
puis il sera r-mis vers la BV. Cette tape peut aussi tre dcrit, de faon
quivalente, comme la capture par le centre recombinant d'un trou de la BV
Par rapport aux changes d'nergie :
Radiative : lnergie (de recombinaison) est cde sous forme lumineuse
(photon)
Non radiative : lnergie est cde sous forme de phonons (vibrations du
rseau) ou un autre lectron libre (recombinaison Auger).
Dure de vie des porteurs
Processus de recombinaison caractris par un taux de recombinaison :
R
n
(m
3
s
1
) pour les lectrons
R
p
pour les trous
Expression du taux recombinaison pour les lectrons et les trous :
( )
n
0
n
n
n n n
dt
t dn
R
= =
( )
p
0
p
p
p p p
dt
t dp
R
= =

n
(resp.
p
) est appel dure de vie des lectrons (resp. des trous).
Expression de la dure de vie
Recombinaison directe : disparition simultane de paires lectron-trou.
Recombinaison indirecte : dans ce cas une impuret (ou un dfaut du rseau),
situ une nergie E
R
dans la bande interdite agit comme centre de
recombinaison, c'est--dire comme marche intermdiaire (relais) pour le
passage d'un lectron de BC vers BV.
Arsniure de Gallium
Arsniure au Phosphore de Gallium
Phosphore de Gallium
Carbure de Silicium
Nitrure de Gallium
910 nm (Infrarouge)
650 nm (rouge)
560 nm (vert)
490 nm (bleu)
400 nm (violet)
Quelques exemples
Silicium: recombinaison indirecte et non radiative. Pour un cristal est pur,
est de lordre de 1 ms ou 1 ns si prsence datomes comme lor ou le cuivre.
GaAs : recombinaison directe et radiative, une longueur donde de 0.9 m.
GaP : recombinaison indirecte et non radiative sauf si prsence dimpurets
(gamme du visible : LED rouge ou verte).
GaAs
1 x
P
x
: recombinaison directe et radiative tant que x < 0.45 (mission
dans le rouge mais peut tre dcale avec des impurets : LED et diode laser).
Photoconductivit
Description du montage
h
Oscilloscope
R
V
S
L
Barreau de silicium connect
un gnrateur de tension et
une rsistance.
Oscilloscope aux bornes de la
rsistance.
La cration de porteurs entrane une variation de la conductivit :
Flux permanent (rgime permanent) de photons
( )
0 p 0 n
p n q + =
Surplus de porteurs :
( )
0 R G
dt
t dn
n n
= =
La gnration et la recombinaison se font par paire :
p
0
n
0
p p n n
p n
G R G R
= = = =
Photoconductivit
Flux permanent (rgime permanent) de photons
Surplus de porteurs : G n
0
=
( )
p n
qG + = Nouvelle expression de la conductivit :
On coupe le flux de photons (rgime transitoire)
A t = 0 on G = 0
( ) ( )
= = =
=
+
=
n
R R G
dt
n d
dt
n n d
dt
t dn
n n n
0
Dterminer lexpression de n(t)
( )
|
\
|
=
t
exp n t n
0
dt
1
n d
n
1
( )
= +
t
K n ln
( )
|
\
|
=
t
exp K exp n
On coupe le flux de photons (rgime transitoire)
Photoconductivit
Dterminer lexpression de la rsistivit :
( ) ( )
|
\
|
+ =
t
exp n q t
p n 0
volution de V
R
en fonction du temps
V
R
t 0 T
P
Cette volution (dite dcroissance exponentielle de photoconductivit) peut
permettre de dterminer exprimentalement la dure de vie des porteurs.
Photoluminescence
La luminescence
La luminescence est une mission de lumire par un processus qui rsulte du
retour lquilibre dun matriau au pralable excit.
Une excitation par photons mission de photons une autre frquence
pendant un temps plus ou moins long aprs larrt de lexcitation.
Temps est court : matriau fluorescent, temps long : phosphorescent
(quelques millisecondes, secondes ou minutes)
Certaines impurets introduites dans un matriau pigent des lectrons qui
seront rendus avec une certaine constante de temps
Cathodoluminescence
Les lectrons mis par une cathode et acclrs par un champ lectrique
(tube vide dune tlvision ou dun oscilloscope) viennent frapper un matriau
et exciter ses lectrons. En retournant leur tat dquilibre, les lectrons
mettent des photons.
Electroluminescence
Cration dlectrons et de trous en excs par injection de porteurs
(application dune tension) mission de photons lors de la recombinaison
Pour analyser compltement tous les phnomnes cits (transport, cration,
recombinaison,..) il faut disposer d'un ensemble d'quations dcrivant
l'volution des concentrations de porteurs et de la charge lectrique.
Origine de cette expression
quation de continuit
quation dvolution (espace et temps)
( ) ( )
( )
( ) ( )
( )
=
+ =
=
p p p
n n n
j div
q
1
R G
dt
t p d
dt
t dp
j div
q
1
R G
dt
t n d
dt
t dn
r
r
Lquation de continuit est une quation locale valable en chaque point du
semi-conducteur et chaque instant :
Gnration : 10 trous
Recombinaison : 2 trous
Flux de trous : 6 (x) et 1 (x+dx)
p
p
j
q
1
Flux
r
=
x x+dx
x
j
p
(x) j
p
(x+dx)
t
10 2 + (6 1) = 13 trous
Dure de vie et longueur de diffusion
Exemples dapplication
Soit un semi-conducteur de type p soumis une illumination
La cration de porteurs se fait en surface (rayonnement trs absorb)
Aucun champ lectrique nest appliqu au matriau
( ) ( )
n
n
n
j div
q
1 n
0 j div
q
1
R G
dt
n d
dt
dn
r r
+
= + =
=
0 W
x
h
Simplifier lquation de continuit des lectrons
Simplifier lquation du courant
( ) ( ) n grad qD n grad qD qn j
n n n n
= + =
r r
|
|
\
|
+
|
|
\
|
=
n n
2
n n
1
D
x
exp A
D
x
exp A n
R-crire lquation de continuit ( une dimension)
2
2
n
n x
n
D
n
dt
n d
On se place en rgime stationnaire, r-crire lquation prcdente

2
2
n
n x
n
D
n
0
=
La solution de cette quation est :
Longueur de diffusion des lectrons : L D
n n n
=
Cest une fonction du cristal et de sa puret
h
0 W
x
n
n0
L
n
On suppose W >> L
n
, simplifier lexpression de n
( ) 0 x n =
|
|
\
|
=
n
0
L
x
exp n n
|
|
\
|
=
n n
1
D
x
exp A n
implique
En x = 0 on a n =
n0
et finalement
On suppose W quelconque et quen ce point le surplus de porteurs est
recombin.
( )
( )
= =
= =
0 W x n
n 0 x n
0
|
|
\
|
+
|
|
\
|
=
+ =
n
2
n
1
2 1 0
L
W
exp A
L
W
exp A 0
A A n
|
|
\
|
|
|
\
|
=
|
|
\
|
|
|
\
|
=
n
n
0
2
n
n
0
1
L
W
exp
L
W
sh
n
A
L
W
exp
L
W
sh
n
A
( )
|
|
\
|

|
|
\
|
=
n
n
0
L
x W
sh
L
W
sh
n
x n
Conditions aux limites :
Dtermination
des constantes :
Expression de la densit dlectrons :
Simplifier n(x) si W << L
n
(on rappelle que sh(a)=[exp(a)exp(a)]/2).
h
0 1
x/W
n
n0
( )
W
x W
n x n
0

Dans ce cas, les porteurs ne sont pas recombins durant la traverse du
barreau de silicium.
Courant dune diode PN
Soit une diode PN polarise en directe
E
Cp
E
Vp
E
F
nn
0
np
0
pn
0
pp
0
qV
b
x
E
Cn
E
Vn
E
F
E
i
E
i
V
a
= 0
Soit une diode PN polarise en directe
E
Cp
E
Vp
E
F
nn
0
np
0
pn
0
pp
0
q(V
b
V
a
)
x
E
Cn
E
Vn
E
F
E
i
E
i
qV
a
V
a
> 0
Donner lexpression de la densit de courant si W
n
>> L
p
x
p
qD
x
p
qD
x
p
qD qp j
p p p p p

=
=
|
|
\
|
=
p
0
p
p
p
L
x
exp p
L
qD
j
Expression du courant maximum :
0
p
p
max p
p
L
qD
j =
Soit une diode PN polarise en direct
On ne soccupe ici que de la zone n qui admet en x = 0 un surplus de porteurs
minoritaires en provenance de la zone p. On considre quen x = W
n
tous les
porteurs en excs sont extraits du semi-conducteur.
On se place dans lhypothse de faible injection : chutes de potentiels
ngligeables dans les zones quasi-neutres.
Simplifier lexpression de la densit de courant des trous :
Que devient j
pmax
si W
n
<< L
p
?
0
n
p
max p
p
W
qD
j =
Dans ce cas la diode est dite courte et j
p
(x) ne dpend pas de x.
Existe t-il un courant dlectrons en rponse au dplacement des trous pour
une diode longue et une diode courte ?
0 W
n
J
p
J
pmax
x
0 W
n
x
J
p
J
pmax
diode longue diode courte
Introduction
Il existe diverses catgories de contact entre deux matriaux :
Homo-jonction : cest le contact entre deux parties diffrentes d'un mme
semi-conducteur par exemple les diodes semi-conducteur qui sont
constitues de deux parties dopes diffremment (jonctions pn).
Htro-jonction : cest lassociation entre deux semi-conducteurs de
nature diffrente.
Jonction Mtal - SC : par exemple les diodes Schottky ou les contacts
ohmiques.
Structure MIS (Mtal Isolant Semi-conducteur). Lorsque lisolant est de
type oxyde la structure est dite MOS (capacit et transistor).
Contact entre deux matriaux
M FM
E E =
0
SC FSC
E E =
0
Travail de sortie Affinit lectronique Barrire de potentiel
Pour un mtal : EFM reprsente lnergie maximale que peut avoir un
lectron lquilibre.
Extraction dun lectron : atteindre le niveau nergie E
0
(niveau du vide).
nergie minimale pour arracher un lectron du mtal (sans vitesse en sortie):
E
FM
E
0
M
E
FSC
E
0
(vide)
E
C
E
V
SC
Mtal
Semi-conducteur
Pour un semi-conducteur, travail
de sortie :
Affinit lectronique (nergie
apporter un lectron libre) :

b C FM M
E E = =
On introduit aussi la barrire de
potentiel (ou barrire de Schottky) :
Travail de sortie Affinit lectronique Barrire de potentiel
A lquilibre thermodynamique il ny a pas de courant et le niveau de Fermi
est : PLAT.
Courbure des bandes du semi-conducteur : ZCE.
Le potentiel de surface est donn par :
E
0
(vide)
ZCE
E
FM
E
0
E
FSC
E
C
E
V
Mtal
Semi-conducteur
q
S
M
q
S
q
S
SC
E
CS
( )
SC M FSC C b C CS S
E E E E q = = =
Application : la diode Schottky
La diode idale
E
FM
E
C
E
V
q
S
b
V
ext
= 0
mtal
semi-
conducteur
I
Application dune tension : apparition dun courant I
Si V
ext
= 0 : le flux dlectrons qui peuvent franchir la barrire M SC (
b
)
est quilibr par le flux dlectrons pouvant franchir la barrire SC M (q
S
)
Rgion la plus rsistive : ZCE (la tension V
ext
se retrouve essentiellement sur
cette ZCE).
Courant de la diode
(majoritaires) :
I I
qV
kT
sat
ext
=
|
\
(
exp 1
V
ext
> 0
mtal
semi-
conducteur
I
E
FM
E
C
E
V
q
S
E
FSC
b
lectrons
qV
ext
La diode idale
Si V
ext
b
)
S
)
ext
cette ZCE).
Courant de la diode
(majoritaires) :
I I
qV
kT
sat
ext
=
|
\
(
exp 1
V
ext
< 0
E
FM
E
C
E
V
q
S
E
FSC
b
qV
ext
lectrons
mtal
semi-
conducteur
I
La diode idale
Si V
ext
b
)
S
)
ext
cette ZCE).
Courant de la diode
(majoritaires) :
I I
qV
kT
sat
ext
=
|
\
(
exp 1
I
(A
mA)
V
ext
I
sat
(nA)
mtal
semi-
conducteur
I
La diode idale
Si V
ext
b
)
S
)
ext
cette ZCE).
Courant de la diode
(majoritaires) :
I I
qV
kT
sat
ext
=
|
\
(
exp 1
La diode relle
Prsence dun oxyde natif (modification de la hauteur de barrire). Traverse
de loxyde par effet tunnel.
Prsence dtats l'interface qui agissent comme des piges en capturant
des lectrons ou des trous du semi-conducteur.
Si densit des tats de surface est leve : le mtal va changer des lectrons
essentiellement avec les tats dinterface (barrire de Bardeen o les tats
d'interface crantent le semi-conducteur par rapport au mtal).
Mtal
E
0
E
FM
E
FSC
Oxyde
natif
Semi-conducteur
M
q
ox
E
0
q
S
c
E
C
q
S
SC
b
q
ox
E
CS
Etat inoccup Etat occup
E
C
E
FSC
E
V
{
Etats
de
surface
q
S
Semi-conducteurs de mme type (p ou n) : htrojonction isotype;
anisotype.
Couche pitaxie d'un semi-conducteur sur un autre.
Semi-conducteurs ayant les mmes symtries cristallines (dans le plan de
l'interface), des paramtres cristallins (telle que la constante du rseau)
voisins, et des coefficients de dilatation proches (pitaxie temprature leve)
Htrojonctions : la base de ralisations de dispositifs hautes
performances, en particulier dans les domaines des hautes frquences et de
l'optolectronique (transistors effet de champ HEMT, ou bipolaire
htrojonction HBT, diodes lectroluminescentes ou diodes laser).
Les htro-jonctions
Les htrojonctions
Diagramme des bandes d'nergie au voisinage de l'interface.
Des ZCE apparaissent dans chacun des semi-conducteurs, de part et d'autre
de l'interface et se traduisent par des courbures des bandes d'nergie.
Ce rsultat est valable si la densit d'tats d'interface peut tre nglige, ce
qui n'est pas toujours le cas.
Les htrojonctions
E
C1
E
V1
SC1

1
2

SC2
E
C2
E
V2
E
V(n)
E
C(n)
E
F
qV
d
x
1
x
2
E
F
E
0
2
E
C0
qV
d2
x = 0
E
V0
qV
d2
qV
d2
qV
d1
qV
d1
qV
d1
qV
d
A. VAPAILLE et R. CASTAGNE, Dispositifs et circuits intgrs semi-
conducteurs, Dunod, 1990, ISBN 2-04-019714-1
J.P. MATHIEU, Physique des semi-conducteurs et des composants
lectroniques, Masson, 1998
S.M. SZE, Physics of Semiconductor Devices, VLSI Technology 2
nd
edition,
New-York, Wiley and Sons, 1988,
A lire
Les livres
Internet
http://www.eudil.fr/eudil/bbsc/sc00a.htm
http://ece-www.colorado.edu/~bart/book/contents.htm
http://webservices.ieee.org/spectrum/down/index.html

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Alain CHOVET & Pascal MASSON Physique des semi-conducteurs

) : ions lis par attraction coulombienne, aucun

Densit quivalente dtats dans la

Densit quivalente dtats dans la

reprsentent les impurets ionises

Le courant qui traverse le barreau est :

sens du flux de diffusion

On se place en rgime stationnaire, r-crire lquation prcdente

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