Cours2 2023-2024

Composants de l’électronique de puissance
Prof: S.Ahyoud
Département : Physique
Filière : Master Mécatronique
Faculté des Sciences Tétouan

2023-2024
Université Abdelmalek Essaâdi
Constitutions des convertisseurs statiques :
Une conversion d’énergie doit être faite avec le meilleur rendement, pour les raisons suivantes :
 difficulté d’évacuer (dissiper) les pertes si elles sont trop importantes,
 le coût des dispositifs dissipateur de chaleur est important,
 la fiabilité d’un composant (d’un système) diminue quand sa température augmente,
 il faut assurer une autonomie suffisante des appareils fonctionnant sur piles ou batteries,
 il est nécessaire de conserver un bilan économique satisfaisant.
Composants pas ou peu dissipatifs.

La puissance instantanée "p(t)" vaut : p(t) = v(t).i(t)
Pour que ce dipôle ne présente aucun perte, la puissance moyenne qu’il dissipe
doit être nulle :
S.Ahyoud Master Mec –M2: Convertisseur Statique(2023-2024) 2

Deux conditions peuvent respecter la dernière équation :
soit p(t) est nulle à tout instant,
soit P sur 1 période de fonctionnement est nulle.
Dans le premier cas, il suffit que i(t) ou v(t) soit nul à tout instant : c’est la
fonction interrupteur parfait.
 L’interrupteur est fermé, la chute de tension à ses bornes est négligeable.

Ainsi, quelque soit i (t), p(t) = 0 W.
 L’interrupteur est ouvert, le courant qui le traverse est nul.
Ainsi, quelque soit v(t), p(t)= 0W.

les interrupteurs semi-conducteurs fonctionnant en commutation
(= ouvert ou fermé ; différent du régime linéaire).
Un faible courant, appelé courant de fuite, et à ses bornes une

tension importante pendant son blocage.
Une faible tension pendant qu'il laisse passer un courant qui peut avoir
une valeur très élevée.
la commutation n'est jamais instantanée.
La puissance instantanée n'est donc jamais nulle.

Ces composants travaillant en général à de très hautes fréquences
l'énergie transformée en chaleur peut être très élevée.
évacuer la chaleur produite par un radiateur, et/ou un fluide caloporteur,

 retarder le montée en tension: un condensateur en parallèle avec l'interrupteur, retarder la montée du
courant: une inductance en série avec l’interrupteur.
le produit v(t) . i(t) peut être positif, et négatif, mais sa valeur moyenne doit être nulle (P = 0 W).
Les composants réactifs (inductances et condensateurs).
Ils sont considérés comme des réservoirs d’énergie.
N.B: La fonction "transformation de l’énergie électrique" dans un convertisseur statique, ne doit

pas faire intervenir de résistance.

Constitutions des convertisseurs
■ Composants réactifs (inductances couplées ou non, condensateurs)

Éléments non dissipatifs (ne consomment pas de puissance active)
■ Composants semi-conducteurs
-Fonctionnement en commutation de type «tout ou rien »
-Ils se comportent comme des interrupteurs ouverts ou fermés
N.B:Les composants de puissance, on s’attache immédiatement au modèle externe de l’élément.

 La puissance active, réelle ou utile, est une puissance qui est convertie en chaleur ou en force mécanique (aussi appelé travail).
 la puissance réactive sert à créer un champ magnétique qui va faire fonctionner certaines machines électriques dotées d'un
bobinage (transformateurs, machines à induction, etc.)

Dispositifs de puissance à semi-conducteurs
Classification
Dispositifs de puissance à semi-conducteurs
dispositifs 2-terminaux dispositifs 3-terminaux
Diode Diode Schosky MOSFET JFET IGBT BJT Thyristor
La famille de dispositifs de puissance, montrant les interrupteurs d'alimentation principaux
Un dispositif peut être classé comme l'une des catégories suivantes:

 Un dispositif à deux bornes (par exemple, une diode), dont l'état est complètement dépendante sur le circuit
d'alimentation externe à laquelle il est connecté.
 Un dispositif à trois bornes (par exemple une triode), dont l'état dépend non seulement de son circuit d'alimentation
externe, mais aussi le signal sur sa borne de commande (cette borne est connue comme la grille ou la base)

Aire de sécurité en direct : Un composant de puissance ne peut pas faire passer un courant infini, ni supporter
des tensions infinies.
On définit une aire de sécurité en direct qui correspond aux performances maximum du composant.
Elle se découpe en 3 parties :
1. limitation du courant maximum par la section des connexions de sortie ;
2. limitation par la puissance maximum que peut dissiper le composant
IAK .VAK <PMax
3. limitation par l’avalanche (tension inverse maximum).
Ik
IAk
VAk Vk
Ces trois paramètres sont essentiels pour le choix d’un composant de puissance

Les diodes :
Une diode est un élément non commandé composé de 2 couches de matériaux semi-conducteur dopé (Silicium ou
germanium). Le dopage permet d’obtenir des semi-conducteurs à trous chargés positivement ou chargés de porteuse
négative.

Caractéristiques statiques
Si Vf<VTOf alors la diode est bloquée

Si Vf > VTO et If > 0 alors la diode est passante
Caractéristique I D =f(VD )
Notation VF = VD, IF=ID

K T
 mU
VD
 UT 

I D I S e T
1 avec e0
 
 
k : 1,38 ×10 -23J /K , constante de Boltzman

T : température absolue en Kelvin ;
e0 : 1,6 ×10 -19 C , charge d’électron

• l'amorçage (mise en conduction). Commutation de la diode
La diode est bloquée. On inverse la polarisation
D
e
R
le courant s'établit retard entre l’évolution de e

et l'évolution du courant i.
• le blocage (coupure du courant).
La diode passante est brutalement polarisée en inverse
le courant s'annule annulation se fait par valeur négative et non par valeur
positive .
Recouvrement inverse de la diode
le courant est négatif afin d'évacuer les charges en excès dans la diode dure un temps trr
L'aire hachurée représente la charge recouvrée que l'on note Qrr.
Qrr et le trr dépendent de la vitesse de décroissance initiale du courant (di/dt).
la diode se bloque, ces charges doivent être évacuées → temps. trr temps de
recouvrement inverse et représente la plus longue partie de cette commutation
Critères de choix d’une diode de puissance :
VRM maximale
VF minimale
TON et TOFF minimaux
IF : (courant direct )
IFSM : courant direct de pointe ( sur une durée)
IFRM : courant direct de pointe répétitif.

Le thyristor :
l’un des composants de puissance à semi-conducteur parmi les plus anciens (1957, General Electric Research
Laboratory).
 C’est le composant qui permet d’atteindre les puissances les plus élevées.
 Le thyristor est un élément commandé en courant. On trouve une famille des thyristors :
- thyristors classiques (SCR)
- TRIAC : bidirectionnel (équivalent à 2 thyristors tête - bêche)
- Photo thyristor
- GTO : « Gate Turn Off thyristor » qui est un thyristor commandé en amorçage et en blocage.
Il est composé de 4 couches PNPN formant 3 jonctions Ja, Jc et Jk

Deux types de commutations de l’ état amorcé à l’état bloqué :
 Commutations naturelles : thyristor parcouru par un courant alternatif→ le thyristor se bloque à chaque passage par
zéro de IA (cas des redresseurs et des gradateurs) → nécessite un circuit d’amorçage périodique
 Commutations forcées : le blocage se fait par inversion de la tension VAK au moyen d’un circuit de blocage (cas des
hacheurs et des onduleurs).
Problèmes liés à l’amorçage et au blocage des thyristors

Conditions d’amorçage
le thyristor s’amorce correctement par un courant de gâchette IG, il faut que :
- l’impulsion IG possède une valeur de crête suffisante pour déclencher l’avalanche dans J2 : 4 à 6 × IGT ;
-la durée de l’impulsion IG soit suffisante pour que IA atteigne la valeur du courant de maintien IH
 Temps d’amorçage : lorsqu’on envoie un courant IG, l’amorçage n’est
pas instantanné, la tension VAK décroit progressivement à partir de V
ta ≈ quelques μs, dépend de la nature de la charge.

Application : commande de puissance
charge(L)
Fonctionnement:
Des impulsion de courant gâchette synchronisées sur le secteur et dont le
A
V1 déphasage φ avec le passage à zéro de V1 est réglable.
K
Entre O et t1 le thyristor bloqué
Entre t1 et t2 le thyristor conduit
0
circuit de commande On définit : Φ = 2п t1/T angle d’amorçage (T période de V1)
0 θ = 2п (t2-t1)/T angle de passage.
V1
VL
t
commande
θ
t
t1 t2

Les TRIACs : Un TRIAC est équivalent à 2 thyristors en parallèle tête-bêche.
Fonctionnement
IG=0 → aucun courant ne circule entre A1 et A2 : le triac est bloqué.

Une impulsion de courant de gâchette IG met en conduction Th1 ou Th2 par
l’intermédiaire de l’élément auxiliaire Γ suivant la polarité de la tension
VA2A1.
Si on prend A1 comme référence des potentiels :
- Th1 conduit lorsque VA2A1 < 0 ;
- Th2 conduit lorsque VA2A1 > 0.
 permet la réalisation de gradateurs pour les puissances jusqu’à 30 kW environ (limite maximum : 50 A et 800 V).
 les réalisations domestiques : réglage de luminosité des lampes à incandescence, réglage de la puissance des
radiateurs électriques, réglage de la vitesse des moteurs universels équipant de nombreux outils portatifs

Le thyristor GTO
 GTO = Gate Turn Off. C’est un composant semblable au thyristor sauf qu’il peut être bloqué par inversion du courant de gâchette.
 Différences par rapport au thyristor :
- couche P1 court-circuitée par des blocs N+ en contact avec l’anode et la couche N1 ;
-cathode morcelée en un grand nombre d’îlots indépendants.
 Cette géométrie particulière permet d’obtenir le blocage par inversion du courant de gâchette.
Ils sont commandés au blocage ou à l'amorçage par la même gâchette.

Donc les 2 états ON et OFF du composant sont contrôlé par le courant de la gâchette.
Amorçage : Amorçage d’un GTO est identique à celle d’un thyristor classique
Blocage : Les étapes d’extinction sont différentes du cas d’un thyristor classique
Utilisations
Le GTO est utilisé pour les fortes puissances (> 100 kW) :
- traction électrique ;
- variation de vitesse des moteurs à courant continu (hacheurs) ;
- alimentations sans coupure (onduleurs) ;
- systèmes d’allumage automobile ;
- modulateurs radar.

Le transistor de puissance
Ils sont des transistors à commande classique (électronique analogique
classique). Ils ont l’avantage d’être rapides en commutation et facile à contrôler
notamment au blocage. On cite : Les transistors bipolaires, Les MOS et les
IGBT.
Le transistor bipolaire
La structure d’un transistor NPN polarisé en direct
N.B: Les bornes du C et E sont connectées au circuit de puissance. La borne B est connectée au signal de contrôle.

 Une tension VBE > 0,6V (la jonction B – E se comporte comme une diode).
→ naissance de IB circulant de B vers E
commandant ainsi la fermeture progressive "de l'interrupteur" entre C et E.
Si IB est suffisant élevée la sortie correspond à un interrupteur complètement fermé .
D’où état saturé avec VCEsat = 0 V en théorique dans la réalité environ 0,8 V.
 Pour bloquer le transistor il faut lui appliquer une tension VBE < 0,6V

 Une tension VBE < - 0,6V (la jonction B – E se comporte comme une diode).
→ naissance de IB circulant de E vers B
commandant ainsi la fermeture progressive "de l'interrupteur" entre C et E.
Si IB est suffisant élevée la sortie correspond à un interrupteur complètement fermé .
D’où état saturé avec VCEsat = 0 V en théorique dans la réalité environ -0,8 V.
 Pour bloquer le transistor il faut lui appliquer une tension VBE >- 0,6V

La caractéristique de transfert VS=f(Ve)
Ve ↑ et Vs↓ Zone 1: Ve< VBE0

La jonction BE est polarisé en
inverse IB=0
Ou en directe avec IB faible
Or IC=βIB, IC est faible, chute
Ve  RB I B  VBE (1)
de tension dans RC. VS=E
E  RC IC  VCE (2)
Le transistor bloqué
Zone 2: Zone 3:
La jonction BE est polarisé directe et Si Ve > V0 la jonction BC devient passante
BC en inverse
(1) Et (2) donne IC=βIB, VBE=cst La résistance nulle entre l’émetteur et le collecteur
V V  VBE≈VBC Vs=VCE=VBC-VBE≈0
Vs  E  RC IC  E    e BE 
 RB 
Le transistor fonctionne en amplificateur Le transistor est saturé

Le transistor en commutation
Le passage de l’état saturé à l’état bloqué ou

inversement) ne s’effectue pas instantanément
À la fermeture:
En t0, apparition du signal de commande de base (vBE, iB)

Un retard de croissance de iC apparaît .
C’est le temps de retard td et le temps de croissance noté tr
A l’ouverture
A t1, applique la commande de blocage par polarisation inverse de la

jonction BE.
ic ne s’annule pas instantanément
Le temps de stockage ts correspondant à l’évacuation des charges
stockées (dépend du coefficient de saturation â βiB /iCsat ) et le temps de
descente noté tf .

A noter que ces transistors sont très délicats, et il faut les utilisés dans des limites spécifiques connu par le SOA (Self
Operating Area : Aire de Sécurité). Cette aire est composée de 4 parties comme en figure 2.15, où :
ab : limite du courant maximal
bc : limite de la puissance dissipée maximale
cd : limite par le claquage secondaire. C’est le cas où nous avons une forte tension et un courant élevé simultanément
pendant le blocage, cela produit un point chaud dans la jonction ce qui est détériorant pour le composant. On utilise des
circuits d’aide à la commutation pour éviter ces problèmes.
de : limite de la tension maximale
On trouve des BJT à 1000 V et 500 A

MOS et MOSFET de puissance
HISTORIQUE
La théorie sur les transistors à effet de champ (Field Effect Transistor) a été conçue dans les années 1920 – 1930,
soit 20 ans avant que le transistor bipolaire (Bipolar Junction Transistor) fut inventé. A cette époque J.E. Lilienfeld
(USA) propose un modèle de transistor basé sur le contrôle du courant par l'application d'un champ électrique.
 Ils sont plus fragiles que les transistors bipolaires.

 Fonction en mode unipolaire (le courant est dû au déplacement d’un seul type
de porteurs de charges)
 Très grande impédance d’entrée ( plusieurs dizaines de MΩ)
 fabrication simple.
 Influence de température est faible.
 Le bruit est plus faibles.
C’est composant très rapide en commutation, utilisé dans des applications jusqu’à 1Mhz, mais à des faibles
puissances (quelques kiloWatt).

L'effet de champ désigne la possibilité de contrôler une conduction par porteurs majoritaires dans un semi-
conducteur dopé par l'influence d'un champ extérieur.
Deux principes fondamentaux matérialisent cette possibilité
JFET (Jonction Field Effect Transistor) MOSFET( MOS) (Métal Oxyde Semi-
conductor …) (TEC à grille isolée)
FET à jonction à canal N
Schéma de principe d'un

MOSFET canal N
Le pincement d'un canal La création d'un

conducteur par un effet canal ionisé par effet
de champ de champ

Les pertes par commutation dans les MOS sont négligeables, mais la chute de tension aux bornes du MOS est
importante pendant la conduction.
Exemple : pour un élément 400V : U= 4V à 10 A.
On trouve des MOSFETs à 500V, 10A, 50 ns, mais on les utilise en parallèle pour les courants élevés.
FONCTIONNEMENT DU TRANSISTOR MOS EN COMMUTATION

Transistor MOS à canal N (N : comme négatif)
Le canal N ou P indique la polarité de la broche source du transistor
La broche du transistor fléchée indique le sens du

courant de la diode en antiparallèle qui se trouve entre
S et D en interne.
Le transistor se comporte comme un interrupteur (entre D et S) commandé par une tension VGS positive ou nulle
Loi de fonctionnement :
Le transistor passant il faut lui appliquer une tension VGS > Vp sa tension de pincement environ 1V. Pour conduire la
tension VGS doit être positive
A l'état saturé la sortie du transistor (entre D et S) se comporte comme une résistance RDSON de très faible valeur de
quelques mΩ.
Pour VGS < Vp le transistor est boqué. Procurant une impédance drain source très élevée, ce qui annule le courant de
drain ID. La tension VDS est fixée par le circuit extérieur
Etat bloqué ⇒ Interrupteur ouvert Etat saturé ⇒ Interrupteur fermé

Les principaux avantages du MOS de puissance sont
 Faible courant de grille (de commande)

 Temps de commutation faibles entre 10ns et 100ns (Ton et off)
 Aire de sécurité carrée (maximale) (pas de second claquage)
 Pas de phénomène de stockage
le MOS présente un inconvénient majeur, la résistance du canal à l'état passant (Rds), pour tenir des hautes
tensions inverses,
Conclusion
 Le transistor MOSFET de puissance est un composant unipolaire pour lequel la conduction est assurée par les
porteurs majoritaires.
 Un potentiel (typ. 15V) sur la grille permet la conduction.
 La grille du MOSFET est capacitive, une résistance Rg est indispensable pour limiter le courant lors des variations de
la tension de commande.
 Pas d’accumulation interne de charge donc une commutation très rapidement.
 Caractériser les changement d’état par un retard et un temps de transition.
 Ce composant est idéal pour de faibles tension mais devient très dissipatif lorsqu’il doit bloquer des tensions
importantes.

L’IGBT
Les deux plus célèbres composants électroniques réalisant la fonction interrupteur sont: le transistor bipolaire et
le transistor MOS.
Le bipolaire présente comme avantages une Le MOS, connu pour des fréquences de travail plus
faible tension de déchet à l’état passant et le élevées et une puissance de commande presque nulle, est
pouvoir de commuter de forts courants, mais limité par sa tension de déchet qui est importante pour
nécessite une puissance de commande non des dispositifs mettant en jeu des hautes tensions
négligeable et sa fréquence de travail est (quelques centaines deVolts).
relativement basse.
Depuis 1979, l’idée d’intégrer sur une même puce un transistor MOS et un transistor bipolaire afin de
profiter des avantages de chacun des deux dispositifs en évitant au mieux leurs inconvénients.
IGT (Insulated Gate Transistor) par General Electric [BAL.ALG 84];
L’IGBT de part ses caractéristiques est un composant avantageux pour les applications
utilisant la commutation.

Les IGBT sont utilisés comme éléments de puissance dans les convertisseurs de traction du TGV sur les versions
les plus modernes équipées de moteurs synchrones ou asynchrones
Dans la plupart des convertisseurs auxiliaires (éclairage, ventilation, etc.)
IGBT se développe dans le secteur automobile pour les véhicules électriques et en

particulier pour les voitures dites hybrides comme par exemple l’application la
Toyota Prius, dont la partie électrique de la chaîne de traction comprend deux
moteurs électriques commandés par un onduleur de 50 kW à IGBT
Constitution
 Commande en tension des MOS
−Facilité de commande
 Partie de puissance des bipolaires
−Faible chute de tension en conduction
Conséquence
 prendre les avantages de chaque transistor
 Pour obtenir de meilleures performances

Mêmes propriétés que les bipolaires et MOS  Commandes : Fermeture (OFF-ON) et Ouverture (ON-OFF)
Le courant d’électrons, transitant par le canal, est Le courant de trous constitue le courant du
le courant drain-source du MOS (Imos) est également collecteur du transistor PNP (Ic). Le courant total de
le courant de base du transistor PNP (Ib) l’IGBT (IAK)
Etude en régime statique

la chute de tension aux bornes de l’IGBT, VAK, peut la chute de potentiel dans la jonction P+N- (base-émetteur
être modélisée par la somme de deux composantes du PNP).
 la chute de tension dans le canal du MOS.
le courant dans l’IGBT reste

pratiquement nul tant que la tension
VAK est inférieure à V(be)i
D’après le transistor bipolaire
IAK>0 si VDS>0
réseau de caractéristiques courant-tension IAK=f(VAK, VGK)

Recherche de la réversibilité en courant
Cas du thyristor
• Unidirectionnel en courant
• Une diode peut compléter la fonction
Schéma de l’association thyristor-diode

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Composants de l’électronique de puissance

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Composants pas ou peu dissipatifs.

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 L’interrupteur est fermé, la chute de tension à ses bornes est négligeable.

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Un faible courant, appelé courant de fuite, et à ses bornes une

la commutation n'est jamais instantanée.

La puissance instantanée n'est donc jamais nulle.

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évacuer la chaleur produite par un radiateur, et/ou un fluide caloporteur,

N.B: La fonction "transformation de l’énergie électrique" dans un convertisseur statique, ne doit

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■ Composants réactifs (inductances couplées ou non, condensateurs)

N.B:Les composants de puissance, on s’attache immédiatement au modèle externe de l’élément.

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dispositifs 2-terminaux dispositifs 3-terminaux

Diode Diode Schosky MOSFET JFET IGBT BJT Thyristor

La famille de dispositifs de puissance, montrant les interrupteurs d'alimentation principaux

Un dispositif peut être classé comme l'une des catégories suivantes:

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Si Vf<VTOf alors la diode est bloquée

Notation VF = VD, IF=ID

k : 1,38 ×10 -23J /K , constante de Boltzman

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le courant s'établit retard entre l’évolution de e

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Il est composé de 4 couches PNPN formant 3 jonctions Ja, Jc et Jk

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Problèmes liés à l’amorçage et au blocage des thyristors

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IG=0 → aucun courant ne circule entre A1 et A2 : le triac est bloqué.

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Ils sont commandés au blocage ou à l'amorçage par la même gâchette.

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La structure d’un transistor NPN polarisé en direct

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Ve ↑ et Vs↓ Zone 1: Ve< VBE0

Le transistor fonctionne en amplificateur Le transistor est saturé

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Le passage de l’état saturé à l’état bloqué ou

En t0, apparition du signal de commande de base (vBE, iB)

A t1, applique la commande de blocage par polarisation inverse de la

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 Ils sont plus fragiles que les transistors bipolaires.

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FET à jonction à canal N

Schéma de principe d'un

Le pincement d'un canal La création d'un

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FONCTIONNEMENT DU TRANSISTOR MOS EN COMMUTATION

La broche du transistor fléchée indique le sens du

Etat bloqué ⇒ Interrupteur ouvert Etat saturé ⇒ Interrupteur fermé

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 Faible courant de grille (de commande)

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